JPH04192323A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH04192323A JPH04192323A JP31987190A JP31987190A JPH04192323A JP H04192323 A JPH04192323 A JP H04192323A JP 31987190 A JP31987190 A JP 31987190A JP 31987190 A JP31987190 A JP 31987190A JP H04192323 A JPH04192323 A JP H04192323A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- selective growth
- growth
- methyl
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- WCYWZMWISLQXQU-UHFFFAOYSA-N methyl Chemical compound [CH3] WCYWZMWISLQXQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- -1 methyl radicals Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 9
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 6
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 claims 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract 1
- OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N triethylindigane Chemical compound CC[In](CC)CC OTRPZROOJRIMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置の製造方法、特に、一部類域に絶縁膜の形成
された半導体結晶表面に半導体結晶を選択成長する方法
の改良に関し、 有機金属気相エピタキシ（以下、ＭＯＶＰＥと云う、）
法を使用して選択成長をなす場合の選択成長可能条件を
緩和する方法を提供することを目的とし、 部分的に開口部を有する選択成長用マスクを表面に形成
した後、メタン、または、メチル基と■族、■族、■族
、■族、もしくは、■族元素との化合物を熱分解法、プ
ラズマ照射分解法または光分解法を使用して分解して生
成したメチルラジカルを接触させながらなす有機金属気
相エピタキシ法を使用して選択成長をなすように構成す
る。
された半導体結晶表面に半導体結晶を選択成長する方法
の改良に関し、 有機金属気相エピタキシ（以下、ＭＯＶＰＥと云う、）
法を使用して選択成長をなす場合の選択成長可能条件を
緩和する方法を提供することを目的とし、 部分的に開口部を有する選択成長用マスクを表面に形成
した後、メタン、または、メチル基と■族、■族、■族
、■族、もしくは、■族元素との化合物を熱分解法、プ
ラズマ照射分解法または光分解法を使用して分解して生
成したメチルラジカルを接触させながらなす有機金属気
相エピタキシ法を使用して選択成長をなすように構成す
る。
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、一部類域に絶
縁膜の形成された半導体結晶表面に半導体結晶を選択成
長する方法の改良に関する。
縁膜の形成された半導体結晶表面に半導体結晶を選択成
長する方法の改良に関する。
高速動作の電子デバイス、半導体レーザに代表される光
デバイス、さらに、両者を同一の基板上に配置したオプ
トエレクトロエックス集積回路（ＯＲＩＣ）のようなデ
バイスを結晶成長技術により製造する際に、半導体結晶
面上にあらかじめ形成しておいた絶縁物と半導体結晶面
とに対する成長の選択性を利用することによって、さま
ざまな形状のデバイスを製造することができる。
デバイス、さらに、両者を同一の基板上に配置したオプ
トエレクトロエックス集積回路（ＯＲＩＣ）のようなデ
バイスを結晶成長技術により製造する際に、半導体結晶
面上にあらかじめ形成しておいた絶縁物と半導体結晶面
とに対する成長の選択性を利用することによって、さま
ざまな形状のデバイスを製造することができる。
従来、おもに■−ｖ族化合物半導体結晶の成長方法で選
択成長の可能なものは、■族の金属を塩化物として成長
領域に供給するクロライドＶＰＥ法や■族元素を水素化
物として供給するハイドライドＶＰＥ法が主流であった
。しかし、これらの方法は反応の安定性が悪いうえ、特
にアルミニウムを含んだ３元以上の化合物半導体結晶の
成長が困難であるため、次第に、有機金属を使用するＭ
ＯＶＰＥ法が使用されるようになった。
択成長の可能なものは、■族の金属を塩化物として成長
領域に供給するクロライドＶＰＥ法や■族元素を水素化
物として供給するハイドライドＶＰＥ法が主流であった
。しかし、これらの方法は反応の安定性が悪いうえ、特
にアルミニウムを含んだ３元以上の化合物半導体結晶の
成長が困難であるため、次第に、有機金属を使用するＭ
ＯＶＰＥ法が使用されるようになった。
〔発明が解決しようとするｉｌｌ！！Ｉ）ＭＯＶＰＥ法
を使用して選択成長を実現するには、成長温度や成長圧
力、成長原料の供給量の条件を最適化することが必要で
あり、一般には選択成長を実現できる条件範囲は極めて
狭い、また、複数種の膜を積層形成する場合には、成長
温度をそれぞれの膜に対して最適に設定することが難し
いので選択成長がさらに困難になる。
を使用して選択成長を実現するには、成長温度や成長圧
力、成長原料の供給量の条件を最適化することが必要で
あり、一般には選択成長を実現できる条件範囲は極めて
狭い、また、複数種の膜を積層形成する場合には、成長
温度をそれぞれの膜に対して最適に設定することが難し
いので選択成長がさらに困難になる。
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、ＭＯ
ＶＰＥ法を使用して選択成長をなす場合の選択成長可能
条件を緩和する方法を提供することにある。
ＶＰＥ法を使用して選択成長をなす場合の選択成長可能
条件を緩和する方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段〕
上記の目的は、部分的に開口部を有する選択成長用マス
クを表面に形成した後、メチルラジカルを接触させなが
らなすＭＯＶＰＥ法を使用して選択成長をなす工程を有
する半導体装置の製造方法によって達成される。
クを表面に形成した後、メチルラジカルを接触させなが
らなすＭＯＶＰＥ法を使用して選択成長をなす工程を有
する半導体装置の製造方法によって達成される。
なお、前記のメチルラジカルは、メタン、または、メチ
ル基と■族、■族、■族、Ｖ族、もしくは、■族元素と
の化合物を分解して生成し、また、その分解には、熱分
解法、プラズマ照射分解法または光分解法を使用するこ
とが好適である。
ル基と■族、■族、■族、Ｖ族、もしくは、■族元素と
の化合物を分解して生成し、また、その分解には、熱分
解法、プラズマ照射分解法または光分解法を使用するこ
とが好適である。
なお、メチル基と、■族、■族、■族、Ｖ族、または、
■族元素との化合物の例を化学式をもって以下に列記す
る。
■族元素との化合物の例を化学式をもって以下に列記す
る。
」
（ＣＨｓ ）ｔ Ｚｎ、（ＣＨｓ ）ｚ Ｃｄ■
（ＣＨｓ Ｌ Ａｊ！、（ＣＨｓ Ｌ Ｇａ、（ＣＨ，
）＊ ＣａＣｊ！、（ＣＨ３）１ （Ｃｔ Ｈｓ ）
Ｇａ。
）＊ ＣａＣｊ！、（ＣＨ３）１ （Ｃｔ Ｈｓ ）
Ｇａ。
（ＣＨ３）（Ｃｍ Ｈｓ ）ｚ Ｇａ、（ＣＨｓ）ｓｌ
ｎ、（ＣＨｓ ）ｔ ＩｎＣＬ （ＣＨｓ ）ｔ
（ＣｘＨ，）Ｉｎ、ＣＣＨ＊ ）（Ｃｔ Ｈｓ ）ｔ
Ｉｎ（ＣＨｓ ）ａ Ｓｉ、（ＣＨＩ ）４ Ｇｅ
、（ＣＨｓ ）ａ Ｓ ｎｓ （ＣＨｓ ） ａ Ｐ
ｂ■慕 （ＣＨｓ ）ｓ Ｎ、（ＣＨ３）３ Ｐ、（ＣＨｓ）ｓ
Ａｓ、 （ＣＨｓ ）ｓ Ｓｂ、 （ＣＨｓ）ｓＢｉ
韮 （ＣＨ，）ｔ Ｓ、（ＣＨｓ ） ｔ Ｓ ｅ、
（ＣＨ，）オ Ｔｅ 〔作用〕 メチルラジカルを接触させながらＭＯＶＰＥ成長をなす
と選択成長が可能になるという本発明は、一部類域に二
酸化シリコン膜の形成されたＧａＡＳ結晶面上にＧａＡ
ｓ結晶を選択成長することについて実施した以下に示す
実験結果から見出された。
ｎ、（ＣＨｓ ）ｔ ＩｎＣＬ （ＣＨｓ ）ｔ
（ＣｘＨ，）Ｉｎ、ＣＣＨ＊ ）（Ｃｔ Ｈｓ ）ｔ
Ｉｎ（ＣＨｓ ）ａ Ｓｉ、（ＣＨＩ ）４ Ｇｅ
、（ＣＨｓ ）ａ Ｓ ｎｓ （ＣＨｓ ） ａ Ｐ
ｂ■慕 （ＣＨｓ ）ｓ Ｎ、（ＣＨ３）３ Ｐ、（ＣＨｓ）ｓ
Ａｓ、 （ＣＨｓ ）ｓ Ｓｂ、 （ＣＨｓ）ｓＢｉ
韮 （ＣＨ，）ｔ Ｓ、（ＣＨｓ ） ｔ Ｓ ｅ、
（ＣＨ，）オ Ｔｅ 〔作用〕 メチルラジカルを接触させながらＭＯＶＰＥ成長をなす
と選択成長が可能になるという本発明は、一部類域に二
酸化シリコン膜の形成されたＧａＡＳ結晶面上にＧａＡ
ｓ結晶を選択成長することについて実施した以下に示す
実験結果から見出された。
ＭＯＶＰＥ装置を使用して、成長温度４５０″ｃ１成長
圧力２０Ｔｏｒｒにおいて、一部類域に二酸化シリコン
膜の形成されたＧａＡｓ （００１）結晶面上に水素、
トリエチルガリウム（Ｇａ （Ｃｍ Ｈｓ ）５、以下
、ＴＥＧと云う、）、水素、アルシン（Ａｓｈｓ）の順
に、それぞれ０．３秒、０． ５秒、０．３秒、５秒づ
一供給してＣｙａＡｓ結晶を成長するサイクルを繰り返
した。なお、この時のアルシン（Ａ ｓ Ｈｓ ）の濃
度は１０％であり、供給量は４８０ｃｃｍである。この
時のＴＥＧのモル分率（分子数比）と１サイクル当りの
成長膜厚との関係を第２図に示す、ＴＥＧのモル分率が
１０ＸＩＯ−’以上になると二酸化シリコン膜上にＧａ
Ａｓの多結晶層が堆積し、選択成長は実現しなかった。
圧力２０Ｔｏｒｒにおいて、一部類域に二酸化シリコン
膜の形成されたＧａＡｓ （００１）結晶面上に水素、
トリエチルガリウム（Ｇａ （Ｃｍ Ｈｓ ）５、以下
、ＴＥＧと云う、）、水素、アルシン（Ａｓｈｓ）の順
に、それぞれ０．３秒、０． ５秒、０．３秒、５秒づ
一供給してＣｙａＡｓ結晶を成長するサイクルを繰り返
した。なお、この時のアルシン（Ａ ｓ Ｈｓ ）の濃
度は１０％であり、供給量は４８０ｃｃｍである。この
時のＴＥＧのモル分率（分子数比）と１サイクル当りの
成長膜厚との関係を第２図に示す、ＴＥＧのモル分率が
１０ＸＩＯ−’以上になると二酸化シリコン膜上にＧａ
Ａｓの多結晶層が堆積し、選択成長は実現しなかった。
続いて、ガリウム原料としてＴＥＣのみを供給するので
はなく、 （イ）ＴＥＧとトリメチルガリウム（Ｇａ （ＣＨｌ）
５、以下、ＴＭＧと云う、〕とを混合して供給する。
はなく、 （イ）ＴＥＧとトリメチルガリウム（Ｇａ （ＣＨｌ）
５、以下、ＴＭＧと云う、〕とを混合して供給する。
（ロ）ＴＥＧを供給し、次にＴＭＧを供給する。
（ハ）ＴＭＧを供給し、次にＴＥＧを供給する。
の三つの場合について選択成長を観察した。
この結果、ＴＥＧのモル分率がｌ０ＸＩＯ−’以上であ
っても、上記の（イ）と（ロ）においては選択成長が実
現されたが、（ハ）においては実現されなかった。
っても、上記の（イ）と（ロ）においては選択成長が実
現されたが、（ハ）においては実現されなかった。
上記の実験結果から、ＴＭＧの分解によって生成される
メチルラジカルが、ＴＥＧの分解で作られるガリウムと
反応して二酸化シリコン膜上での結晶の核住成を抑制し
、選択成長を可能にするものと推測される。勿論、Ｇａ
Ａｓ （００１）結晶面上にはＧａＡｓ層が正常に成長
した。
メチルラジカルが、ＴＥＧの分解で作られるガリウムと
反応して二酸化シリコン膜上での結晶の核住成を抑制し
、選択成長を可能にするものと推測される。勿論、Ｇａ
Ａｓ （００１）結晶面上にはＧａＡｓ層が正常に成長
した。
このように、ＴＭＧの分解によって生成されるメチルラ
ジカルは絶縁物と半導体結晶表面上とにおける結晶成長
の選択性を大きくする効果があることが発見されたが、
ＴＭＧ自身にもガリウム原子が含まれているため、ＴＥ
Ｇのみを使用してＧａＡｓ層を成長する時の成長率を変
えてしまうことになる。そこで、メタン、または、メチ
ル基と■族、■族、■族、■族、もしくは、■族元素と
の化合物を分解してメチルラジカルを生成して成長面に
供給することによって、成長率に影響を与えることなく
選択成長が可能になることを確認した。
ジカルは絶縁物と半導体結晶表面上とにおける結晶成長
の選択性を大きくする効果があることが発見されたが、
ＴＭＧ自身にもガリウム原子が含まれているため、ＴＥ
Ｇのみを使用してＧａＡｓ層を成長する時の成長率を変
えてしまうことになる。そこで、メタン、または、メチ
ル基と■族、■族、■族、■族、もしくは、■族元素と
の化合物を分解してメチルラジカルを生成して成長面に
供給することによって、成長率に影響を与えることなく
選択成長が可能になることを確認した。
以下、図面を参照しつ一１本発明の一実施例に係る選択
成長方法について説明する。
成長方法について説明する。
第１図参照
第１図は、ＭＯＶＰＥ装置の模式図である０図において
、１は反応管であり、２は原料ガス供給口であり、３は
排気口であり、４はカーボンサセプタであり、５は高周
波コイル等の加熱手段であり、６はメタン等のメチルラ
ジカル生成用原料ガス供給口であり、７は高周波コイル
等のプラズマ発生手段である。
、１は反応管であり、２は原料ガス供給口であり、３は
排気口であり、４はカーボンサセプタであり、５は高周
波コイル等の加熱手段であり、６はメタン等のメチルラ
ジカル生成用原料ガス供給口であり、７は高周波コイル
等のプラズマ発生手段である。
一部領域に二酸化シリコン膜の形成されたＩｎＰ基板８
をサセプタ４上に載置して加熱手段５を使用して４５０
〜６５０°Ｃの温度に加熱する。排気口３から反応管１
を排気した後、原料ガス供給口２から例えば１３．５℃
のトリエチルインジニウム（以下、ＴＥＩと云う、）２
０ｃｃｍと３゜０℃のＴＥＧ４６ｃ ｃｍと１０％濃度
のアルシン１０１００ｃとを供給してＩｎＰ基板８上に
ＧａＩ ｎＡｓ結晶を成長する。この時、同時にガス供
給口６からメタンガスを供給し、プラズマ発生手段の高
周波コイルに１３．５ＭＨｚの高周波電力を印加してこ
のメタンガスをプラズマ化してメチルラジカルを発生し
、このメチルラジカルをＩｎＰ基板８の表面に供給する
とＧａ１ｎＡｓ結晶は二酸化シリコン膜上には全く成長
せず、選択成長が実現した。なお、メチルラジカルを供
給しない場合には、ＴＥＧとＴＥＩの供給分圧を高くす
ると二酸化シリコン膜上に多量に析出した。
をサセプタ４上に載置して加熱手段５を使用して４５０
〜６５０°Ｃの温度に加熱する。排気口３から反応管１
を排気した後、原料ガス供給口２から例えば１３．５℃
のトリエチルインジニウム（以下、ＴＥＩと云う、）２
０ｃｃｍと３゜０℃のＴＥＧ４６ｃ ｃｍと１０％濃度
のアルシン１０１００ｃとを供給してＩｎＰ基板８上に
ＧａＩ ｎＡｓ結晶を成長する。この時、同時にガス供
給口６からメタンガスを供給し、プラズマ発生手段の高
周波コイルに１３．５ＭＨｚの高周波電力を印加してこ
のメタンガスをプラズマ化してメチルラジカルを発生し
、このメチルラジカルをＩｎＰ基板８の表面に供給する
とＧａ１ｎＡｓ結晶は二酸化シリコン膜上には全く成長
せず、選択成長が実現した。なお、メチルラジカルを供
給しない場合には、ＴＥＧとＴＥＩの供給分圧を高くす
ると二酸化シリコン膜上に多量に析出した。
なお、本発明はＭＯＶＰＥ成長にのみ適用されるもので
はな（、ＭＢＥ成長にも適用することができる。ＭＢＥ
成長においては、一般に選択成長は不可能と考えられて
いるが、本発明を適用すれば選択成長が実現できる。
はな（、ＭＢＥ成長にも適用することができる。ＭＢＥ
成長においては、一般に選択成長は不可能と考えられて
いるが、本発明を適用すれば選択成長が実現できる。
以上説明したとおり、本発明に係る半導体装置の製造方
法においては、部分的に開口部を有する選択成長用マス
クを表面に形成した後、メチルラジカルを接触させなが
ら有機金属を気相エピタキシャル成長することによって
、選択成長の条件を大幅に緩和することができ、各種半
導体デバイスの製造に大きく寄与することができる。
法においては、部分的に開口部を有する選択成長用マス
クを表面に形成した後、メチルラジカルを接触させなが
ら有機金属を気相エピタキシャル成長することによって
、選択成長の条件を大幅に緩和することができ、各種半
導体デバイスの製造に大きく寄与することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る選択成長に使用され
るＭＯＶＰＥ！置の模式図である。 第２図は、従来技術に係るＣａＡｓ結晶成長におけるＴ
ＥＧのモル分率とＧａＡｓ膜成長率との関係を示すグラ
フである。 １・・・反応管、 ２・・・原料ガス供給口、 ３・・・排気口、 ４・・・サセプタ、 ５・・・加熱手段、 ６・・・メチルラジカル生成用原料ガス供給口、７・・
・プラズマ発生手段、 ８・・・基板。
るＭＯＶＰＥ！置の模式図である。 第２図は、従来技術に係るＣａＡｓ結晶成長におけるＴ
ＥＧのモル分率とＧａＡｓ膜成長率との関係を示すグラ
フである。 １・・・反応管、 ２・・・原料ガス供給口、 ３・・・排気口、 ４・・・サセプタ、 ５・・・加熱手段、 ６・・・メチルラジカル生成用原料ガス供給口、７・・
・プラズマ発生手段、 ８・・・基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］部分的に開口部を有する選択成長用マスクを表面
に形成した後、メチルラジカルを接触させながらなす有
機金属気相エピタキシ法を使用して選択成長をなす工程
を有する ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 ［２］前記メチルラジカルは、メタン、または、メチル
基とII族、III族、IV族、Ｖ族、もしくは、VI族元素と
の化合物を分解して生成してなすことを特徴とする請求
項［１］記載の半導体装置の製造方法。 ［３］前記メタン、または、メチル基とII族、III族、
IV族、Ｖ族、もしくは、VI族元素との化合物の分解は、
熱分解法、プラズマ照射分解法または光分解法を使用し
てなす ことを特徴とする請求項［１］または［２］記載の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31987190A JP2952831B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31987190A JP2952831B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192323A true JPH04192323A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2952831B2 JP2952831B2 (ja) | 1999-09-27 |
Family
ID=18115170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31987190A Expired - Lifetime JP2952831B2 (ja) | 1990-11-22 | 1990-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2952831B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335553A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Nec Corp | 選択エピタキシャル成長方法 |
-
1990
- 1990-11-22 JP JP31987190A patent/JP2952831B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08335553A (ja) * | 1995-06-07 | 1996-12-17 | Nec Corp | 選択エピタキシャル成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2952831B2 (ja) | 1999-09-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6134928A (ja) | 元素半導体単結晶薄膜の成長法 | |
| JP2789861B2 (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPH04192323A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2687371B2 (ja) | 化合物半導体の気相成長法 | |
| JPH11268996A (ja) | 化合物半導体混晶の成長方法 | |
| JPS6129915B2 (ja) | ||
| JPH0431391A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JP2714824B2 (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法及びそれを実施する装置 | |
| JPH01206618A (ja) | 有機金属気相成長方法 | |
| Gotoda et al. | Characteristics of carbon incorporation in GaAs grown by gas source molecular beam epitaxy | |
| JP2736417B2 (ja) | 半導体素子の製法 | |
| JP2753832B2 (ja) | 第▲ｉｉｉ▼・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JPH01286991A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法及び分子線エピタキシー装置 | |
| JPS62202894A (ja) | 第３・ｖ族化合物半導体の気相成長法 | |
| JPS61176111A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
| JPH03232221A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPH02153892A (ja) | 分子線エピタキシャル成長方法 | |
| JPH04315420A (ja) | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法及びその装置 | |
| JPH01141899A (ja) | ３−５族化合物半導体の気相成長方法 | |
| JPS58213415A (ja) | 気相エピタキシヤル成長法及び装置 | |
| JPH03119721A (ja) | 結晶成長方法 | |
| JPH02248035A (ja) | エピタキシャル成長方法 | |
| JPS63221611A (ja) | 有機金属化学気相成長方法及びその装置 | |
| JPH06163416A (ja) | 化合物半導体結晶の成長方法 | |
| JPH01179312A (ja) | ３‐５族化合物半導体の気相成長方法 |