JPH01141899A - 3−5族化合物半導体の気相成長方法 - Google Patents
3−5族化合物半導体の気相成長方法Info
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- JPH01141899A JPH01141899A JP30094987A JP30094987A JPH01141899A JP H01141899 A JPH01141899 A JP H01141899A JP 30094987 A JP30094987 A JP 30094987A JP 30094987 A JP30094987 A JP 30094987A JP H01141899 A JPH01141899 A JP H01141899A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は■−V族化合物半導体の気相成長方法に係るも
のであり、特に低温で高品質なエピタキシャル膜を形成
する■−V族化合物半導体有機金属気相成長技術に関す
るものである。
のであり、特に低温で高品質なエピタキシャル膜を形成
する■−V族化合物半導体有機金属気相成長技術に関す
るものである。
(従来の技術)
■−■族化合物半導体のエピタキシャル成長層は発光ダ
イオード、レーザーダイオードなどの光デバイスや、F
ETなとの高速デバイス等に広く応用されている。さら
に最近では、デバイス性能を向上させるために数〜数十
Aの薄膜半導体を積み重ねた微細な構造が要求されてい
る。たとえば、量子井戸構造を持つレーザダイオードで
は駆動電流の低減や温度特性の向上、また発振波長の短
波長化が可能である。また二次元電子ガスを利用したF
ETなとは、高速低雑音デバイスとじて期待されている
。
イオード、レーザーダイオードなどの光デバイスや、F
ETなとの高速デバイス等に広く応用されている。さら
に最近では、デバイス性能を向上させるために数〜数十
Aの薄膜半導体を積み重ねた微細な構造が要求されてい
る。たとえば、量子井戸構造を持つレーザダイオードで
は駆動電流の低減や温度特性の向上、また発振波長の短
波長化が可能である。また二次元電子ガスを利用したF
ETなとは、高速低雑音デバイスとじて期待されている
。
これらの薄膜エピタキシャル成長法としては、有機金属
気相成長法(、M OCV D法)やハロゲン輸送法な
どのガスを用いる気相成長法(VPE法)、また高真空
中での元素のビームを飛ばして成長を行う分子線エピタ
キシャル成長法(MBB法)が知られている。この中で
特に有機金属気相成長法(MOCVD法)は装置が比較
的安価で一度に多数の基板を処理できるため、量産技術
として最も期待されている。
気相成長法(、M OCV D法)やハロゲン輸送法な
どのガスを用いる気相成長法(VPE法)、また高真空
中での元素のビームを飛ばして成長を行う分子線エピタ
キシャル成長法(MBB法)が知られている。この中で
特に有機金属気相成長法(MOCVD法)は装置が比較
的安価で一度に多数の基板を処理できるため、量産技術
として最も期待されている。
ところで、MOCVD法では通常V族原料としてアルシ
ン(AsH3)、ホスフィン(PH3)などのV施水素
化物を用いるが、これらは極めて毒性が強く危険である
ため、安全対策を厳重にする必要があるなど取扱上極め
て不便である。
ン(AsH3)、ホスフィン(PH3)などのV施水素
化物を用いるが、これらは極めて毒性が強く危険である
ため、安全対策を厳重にする必要があるなど取扱上極め
て不便である。
また、MOCVD法では通常600” C〜700゜C
と成長温度が高いが、薄膜半導体を積み重ねた構造をデ
バイスに用いる場合、高温での熱処理による構成原子ど
うしの相互拡散がしばしば問題となる。成長したばかり
の微細な層構造が成長中に次々熟拡散によって壊れてし
まうことがあり、同様の理由で急峻な不純物プロファイ
ルも得にくい。もっと低温の少なくとも600°C以下
で成長できるとよいのだが、V族水素化物原料は低温で
の分解率が低く、特にホスフィンの場合実質的に500
°Cではほとんど分解しない、このため低温成長時にV
族原子の供給効率が低くなり、成長膜の膜質低下につな
がる。
と成長温度が高いが、薄膜半導体を積み重ねた構造をデ
バイスに用いる場合、高温での熱処理による構成原子ど
うしの相互拡散がしばしば問題となる。成長したばかり
の微細な層構造が成長中に次々熟拡散によって壊れてし
まうことがあり、同様の理由で急峻な不純物プロファイ
ルも得にくい。もっと低温の少なくとも600°C以下
で成長できるとよいのだが、V族水素化物原料は低温で
の分解率が低く、特にホスフィンの場合実質的に500
°Cではほとんど分解しない、このため低温成長時にV
族原子の供給効率が低くなり、成長膜の膜質低下につな
がる。
これらの理由から、アルシン、ホスフィンと比べると分
解温度が低いV族有機化合物、例えばトリエチルアルシ
ン(TEAs)、トリエチルホスフィン(TE、P)等
をV族原料として用いる試みが近年多くなされるように
なった。V族有機化合物は、毒性もずっと弱く、また液
体であるため高圧ボンベも必要ないため、アルシン、ホ
スフィンに代る原料として期待される。しかしV族有機
化合物を原料とした成長では、成長膜にカーボンが非常
に多く取り込まれる。通常のMOCVDでは基板部分の
みを加熱しているが、基板上の境界層中での原料の分解
が完全でないため一部未分解のまま基板表面に到達する
ためとかんかえられる。
解温度が低いV族有機化合物、例えばトリエチルアルシ
ン(TEAs)、トリエチルホスフィン(TE、P)等
をV族原料として用いる試みが近年多くなされるように
なった。V族有機化合物は、毒性もずっと弱く、また液
体であるため高圧ボンベも必要ないため、アルシン、ホ
スフィンに代る原料として期待される。しかしV族有機
化合物を原料とした成長では、成長膜にカーボンが非常
に多く取り込まれる。通常のMOCVDでは基板部分の
みを加熱しているが、基板上の境界層中での原料の分解
が完全でないため一部未分解のまま基板表面に到達する
ためとかんかえられる。
これを改良したのが雑誌「アプライド・フィジクス・レ
ター(Appl、Phys、Iett、) J第50巻
第19号(1987年5月)の第13B6〜1387項
に説明されているV族有機金属原料を基板上へ供給する
前に分解する方法である。800〜900°Cに保たれ
たグラファイトバッフルでV族有機金属原料のみを分解
し、その下流の短い低温域で■族有機金属原料を混合し
て基板上へ供給し成長をおこなった。
ター(Appl、Phys、Iett、) J第50巻
第19号(1987年5月)の第13B6〜1387項
に説明されているV族有機金属原料を基板上へ供給する
前に分解する方法である。800〜900°Cに保たれ
たグラファイトバッフルでV族有機金属原料のみを分解
し、その下流の短い低温域で■族有機金属原料を混合し
て基板上へ供給し成長をおこなった。
(発明が解決しようとする問題点)
■−v族化合物半導体薄膜のエピタキシャル成長法にお
いて、上記の従来技術の問題点を考えてみる。
いて、上記の従来技術の問題点を考えてみる。
前記V族有機金属原料を前分割する方法では■族有機金
属原料の方は分解していない、この理由は、■族有機金
属原料として用いたトリメチルガリウム(TMG)は、
分解すると蒸気圧の極めて低い金属ガリウムとなり、基
板上へ到達する前に析出してしまうためである。また、
その雰囲気にヒ素があれば気相中でGaAsの核成長が
起こってしまう。そのため■族原料の分解域の下流に■
族有機金属原料との低温混合域を設けているのだが、一
方V族金属は室温で蒸気圧をほとんど持たないため、■
族原料の分解物であるヒ素は下流゛の低温混合域の管壁
に一部析出してしまう。このように、V族原料のみを分
解することが要求されるため、反応系も極めて複雑にな
ってしまう。これはトリエチルガリウム(TEG)等を
用いても同様である。
属原料の方は分解していない、この理由は、■族有機金
属原料として用いたトリメチルガリウム(TMG)は、
分解すると蒸気圧の極めて低い金属ガリウムとなり、基
板上へ到達する前に析出してしまうためである。また、
その雰囲気にヒ素があれば気相中でGaAsの核成長が
起こってしまう。そのため■族原料の分解域の下流に■
族有機金属原料との低温混合域を設けているのだが、一
方V族金属は室温で蒸気圧をほとんど持たないため、■
族原料の分解物であるヒ素は下流゛の低温混合域の管壁
に一部析出してしまう。このように、V族原料のみを分
解することが要求されるため、反応系も極めて複雑にな
ってしまう。これはトリエチルガリウム(TEG)等を
用いても同様である。
ところで、低温では■族有機金属原料の分解率も低下す
るため、■族原料からのカーボン汚染も増大する。した
がって、このことからもV族原料のみならず■族原料も
基板上へ供給する前に十分に分解してやる方が好ましい
。
るため、■族原料からのカーボン汚染も増大する。した
がって、このことからもV族原料のみならず■族原料も
基板上へ供給する前に十分に分解してやる方が好ましい
。
本発明の目的はこのような従来技術の欠点を克服し、低
温で高品質なエピタキシャル膜を形成するI−V族化合
物半導体気相成長技術を提供することにある。
温で高品質なエピタキシャル膜を形成するI−V族化合
物半導体気相成長技術を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明によれば■族元素の有機揮発性化合物とV族元素
の揮発性化合物を基板上に供給することによる■−V族
化合物半導体の工゛ピタキシャル成長方法において、■
族元素の有機揮発性化合物として■族元素とハロゲン元
素の結合を少なくとも1つ持つ有機化合物を用い、上記
■族有機金属原料ガスおよびV族原料ガスを上記基板結
晶上に導入する前に分解させてから該基板結晶上に供給
することを特徴とする■−V族化合物半導体の気相成長
方法かえられる。
の揮発性化合物を基板上に供給することによる■−V族
化合物半導体の工゛ピタキシャル成長方法において、■
族元素の有機揮発性化合物として■族元素とハロゲン元
素の結合を少なくとも1つ持つ有機化合物を用い、上記
■族有機金属原料ガスおよびV族原料ガスを上記基板結
晶上に導入する前に分解させてから該基板結晶上に供給
することを特徴とする■−V族化合物半導体の気相成長
方法かえられる。
(作用)
■族有機金属原料として3つのアルキル基をもつトリメ
チルガリウム(TMG)やトリエチルガリウム(TEG
)等を用いた場合には、これらは分解すると蒸気圧の極
めて低い金属ガリウムとなり、基板上へ到達する前に析
出してしまう。また、その雰囲気にヒ素があれば気相中
でGaAsの核成長が起こってしまう。
チルガリウム(TMG)やトリエチルガリウム(TEG
)等を用いた場合には、これらは分解すると蒸気圧の極
めて低い金属ガリウムとなり、基板上へ到達する前に析
出してしまう。また、その雰囲気にヒ素があれば気相中
でGaAsの核成長が起こってしまう。
これに対して■族元素の有機金属原料として■族元素と
ハロゲン元素の結合を少なくとも1つ持つ有機化合物、
たとえばDEGaClをもちいた場合には、この化合物
は分解すると2つのアルキル基のみ脱離してモノハロゲ
ン化金属、すなわちG a C1が生成する。このGa
Clは、通常用いられる約300°C以上、900°C
程度までの成長温度範囲では気相中で安定であり、析出
することなく基板上へ到達する。また、その雰囲気にヒ
素があっても吸着反応サイトを持っGaAs基板がない
かぎり、 GaCl”l/4As4+1/2)12−+GaAs+
)IcIの反応は進行せず過飽和状態を保つため、気相
中でのGaAsの核成長や、反応管壁への成長は起こら
ない。
ハロゲン元素の結合を少なくとも1つ持つ有機化合物、
たとえばDEGaClをもちいた場合には、この化合物
は分解すると2つのアルキル基のみ脱離してモノハロゲ
ン化金属、すなわちG a C1が生成する。このGa
Clは、通常用いられる約300°C以上、900°C
程度までの成長温度範囲では気相中で安定であり、析出
することなく基板上へ到達する。また、その雰囲気にヒ
素があっても吸着反応サイトを持っGaAs基板がない
かぎり、 GaCl”l/4As4+1/2)12−+GaAs+
)IcIの反応は進行せず過飽和状態を保つため、気相
中でのGaAsの核成長や、反応管壁への成長は起こら
ない。
以上のように、■族元素の有機金属化合物として■族元
素とハロゲン元素の結合を少なくとも1つ持つ有機化合
物を用いれば、基板結晶上に供給する前に、200’
C以上900’ C以下に独立に温度制御された分解領
域中で、■族およびV族原料ガスを一緒に分解しておく
ことができるため、低温でも高品質なエピタキシャル膜
を形成する■−V族化合物半導体気相成長方法を実現で
きる。
素とハロゲン元素の結合を少なくとも1つ持つ有機化合
物を用いれば、基板結晶上に供給する前に、200’
C以上900’ C以下に独立に温度制御された分解領
域中で、■族およびV族原料ガスを一緒に分解しておく
ことができるため、低温でも高品質なエピタキシャル膜
を形成する■−V族化合物半導体気相成長方法を実現で
きる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第1図は本発明を実施するための装置の一例を示す構成
図である。この成長装置を用いてG a ASの成長を
行なった。反応容器−1の中に石英サセプタ2があり、
この上に基板結晶3が置かれている。反応容器1の外側
には抵抗加熱または赤外線ランプ加熱装置4.5が設け
られ、反応容器1全体を基板設置領域およびその上流の
分解領域の二つに分けて独立に加熱することができる。
図である。この成長装置を用いてG a ASの成長を
行なった。反応容器−1の中に石英サセプタ2があり、
この上に基板結晶3が置かれている。反応容器1の外側
には抵抗加熱または赤外線ランプ加熱装置4.5が設け
られ、反応容器1全体を基板設置領域およびその上流の
分解領域の二つに分けて独立に加熱することができる。
分解領域の反応容器lには合成石英製の窓6があり、重
水素ランプ7の光が導入できるようになっている。また
8〜11がガス導入系統で、8.9.10が原料ガスを
発生するそれぞれAsH3ガスボンベ、TEAsバブラ
、DeGaClバブラであり、11がキャリアとなるH
2ガスである。それぞれのガスは流量制御装置12とバ
ルブ13を介して反応容器1に導入される。
水素ランプ7の光が導入できるようになっている。また
8〜11がガス導入系統で、8.9.10が原料ガスを
発生するそれぞれAsH3ガスボンベ、TEAsバブラ
、DeGaClバブラであり、11がキャリアとなるH
2ガスである。それぞれのガスは流量制御装置12とバ
ルブ13を介して反応容器1に導入される。
キャリアH2ガスとしてH2を71 / m i n流
し、基板設置領域を400〜600°C1分解領域を4
00〜900°Cに加熱した。必要に応じて重水素ラン
プ7の光を分解領域に照射した。このとき反応容器内に
4.5torrの分圧のAsH3またはTEAsを供給
しておいた。しかる後に1×10−’torrの分圧の
DEGaC1を60m1n供給しGaAsを〜2μm成
長した。
し、基板設置領域を400〜600°C1分解領域を4
00〜900°Cに加熱した。必要に応じて重水素ラン
プ7の光を分解領域に照射した。このとき反応容器内に
4.5torrの分圧のAsH3またはTEAsを供給
しておいた。しかる後に1×10−’torrの分圧の
DEGaC1を60m1n供給しGaAsを〜2μm成
長した。
TEAsをV族原料とした場合、分解領域の温度と基板
温度(基板設置領域)をともに450’ Cとしかつ光
を照射しない時、すなわちあらかじめ原料ガスを積極的
に分解しない時の成長膜は、p型伝導を示し、ホール濃
度は3 X 1018CIO−’であった。この試料の
77Kにおけるフォトルミネッセンススペクトルはカー
ボンアクセプタに起因する弱い発光のみが見られた。一
方、分解領域の温度をgoo’ cとし、基板温度は4
50’ C1がっ光は照射しない時には、ρ型ではある
がホール濃度は9 X I O16cffi−3まで下
がった。次に分解領域の温度と基板温度をともに450
’ Cとしかつ重水素ランプの光を照射した。この時得
られた成長膜はやはりp型であるがホール濃度は5 X
10 ”Cl11−3であった。そこで分解領域の温
度を800°Cとし、かつ重水素ランプの光を照射した
結果n型でエレクトロン濃度2 X 1016cm−3
と純度のかなり高いものが得られた。これらの成長で基
板結晶より上流の反応容器内壁には析出物は認められず
、また得られた膜はすべて鏡面であった。
温度(基板設置領域)をともに450’ Cとしかつ光
を照射しない時、すなわちあらかじめ原料ガスを積極的
に分解しない時の成長膜は、p型伝導を示し、ホール濃
度は3 X 1018CIO−’であった。この試料の
77Kにおけるフォトルミネッセンススペクトルはカー
ボンアクセプタに起因する弱い発光のみが見られた。一
方、分解領域の温度をgoo’ cとし、基板温度は4
50’ C1がっ光は照射しない時には、ρ型ではある
がホール濃度は9 X I O16cffi−3まで下
がった。次に分解領域の温度と基板温度をともに450
’ Cとしかつ重水素ランプの光を照射した。この時得
られた成長膜はやはりp型であるがホール濃度は5 X
10 ”Cl11−3であった。そこで分解領域の温
度を800°Cとし、かつ重水素ランプの光を照射した
結果n型でエレクトロン濃度2 X 1016cm−3
と純度のかなり高いものが得られた。これらの成長で基
板結晶より上流の反応容器内壁には析出物は認められず
、また得られた膜はすべて鏡面であった。
A s H3をV族原料とした場合、分解領域の温度、
基板温度をともに450°Cとしかつ光を照射しない時
の成長膜は、p型伝導を示し、ホール濃度は5 x 1
0 ”C111−’であった。この試料も77Kにおけ
るフォトルミイ・ツセンス測定からカーボンが多量に取
り込まれているこがわかった。一方、分解領域の温度を
800°Cとし、基板温度は450°C1かつ重水素ラ
ンプの光を照射した結果n型でエレクトロン濃度3 X
10 ”cm−3と非常に高純度の結晶が得られた。
基板温度をともに450°Cとしかつ光を照射しない時
の成長膜は、p型伝導を示し、ホール濃度は5 x 1
0 ”C111−’であった。この試料も77Kにおけ
るフォトルミイ・ツセンス測定からカーボンが多量に取
り込まれているこがわかった。一方、分解領域の温度を
800°Cとし、基板温度は450°C1かつ重水素ラ
ンプの光を照射した結果n型でエレクトロン濃度3 X
10 ”cm−3と非常に高純度の結晶が得られた。
これらの成長でも基板結晶より上流の反応容器内壁には
析出物は認められず、またすべて鏡面であった。
析出物は認められず、またすべて鏡面であった。
以上から明らかなように、DEGaClを■族有機金属
原料として用いることによって、■族およびV族原料ガ
スをあらかじめ加熱または光照射によって分解してから
基板結晶上に供給しても、途中での析出や気相核成長に
よる供給効率の低下や結晶性の低下はなく、成長膜への
カーボン不純物の取り込みを1〜2桁低減させる事がで
きることが示された。また同様の結果はDMInClと
TEPまたはPH3を用いたInPの成長でも得られる
。さらにAIと反応しやすい石英部品をSiCコートシ
たりカーボン製にかえればDEA IC1とAsH3ま
たはT E A sを用いたAlAsの成長などでも同
様の結果が得られ、これらの例に限らす°混晶も含み広
<m−v族化合物半導体の成長に本発明を適用すること
かできる。■族有機金属化合物を構成するアルキル基と
しては他のアルキル基でもよく分解脱離が容易であるほ
ど良い。V族有機金属原料についても他のアルキル基を
持つものやアルキル基の一部を水素で置き換えたような
物でも良い。光照射に用いる光源としてはエキシマレー
ザ−でもよく、反応容器としてカーボン管を使用した場
合、加熱手段として高周波を使っても良い。
原料として用いることによって、■族およびV族原料ガ
スをあらかじめ加熱または光照射によって分解してから
基板結晶上に供給しても、途中での析出や気相核成長に
よる供給効率の低下や結晶性の低下はなく、成長膜への
カーボン不純物の取り込みを1〜2桁低減させる事がで
きることが示された。また同様の結果はDMInClと
TEPまたはPH3を用いたInPの成長でも得られる
。さらにAIと反応しやすい石英部品をSiCコートシ
たりカーボン製にかえればDEA IC1とAsH3ま
たはT E A sを用いたAlAsの成長などでも同
様の結果が得られ、これらの例に限らす°混晶も含み広
<m−v族化合物半導体の成長に本発明を適用すること
かできる。■族有機金属化合物を構成するアルキル基と
しては他のアルキル基でもよく分解脱離が容易であるほ
ど良い。V族有機金属原料についても他のアルキル基を
持つものやアルキル基の一部を水素で置き換えたような
物でも良い。光照射に用いる光源としてはエキシマレー
ザ−でもよく、反応容器としてカーボン管を使用した場
合、加熱手段として高周波を使っても良い。
(発明の効果)
以上のように本発明によれば、独立に温度制御され、ま
たは光が照射された分解領域中で■族およびV族原料ガ
スを一緒に分解しておき、しかる後に基板結晶上に供給
することができるため、低温でも高品質なエピタキシャ
ル膜を形成するm−V族化合物半導体気相成長方法が実
現でき、発明の効果が示された。
たは光が照射された分解領域中で■族およびV族原料ガ
スを一緒に分解しておき、しかる後に基板結晶上に供給
することができるため、低温でも高品質なエピタキシャ
ル膜を形成するm−V族化合物半導体気相成長方法が実
現でき、発明の効果が示された。
第1図は本発明の方法を実施するための装置の一例を示
す構成図である。 1−反応容器、2−石英サセプタ、3一基板結晶、4.
5−抵抗または赤外線ランプ加熱装置、6−合成石英製
の窓、7−重水素ランプ、8−AsH3ガスボンベ、9
−TEAsバブラ、1〇−DEGaC1バブラ、11−
キャリアH2ガス、12−流量制御装置、13−バルブ
。
す構成図である。 1−反応容器、2−石英サセプタ、3一基板結晶、4.
5−抵抗または赤外線ランプ加熱装置、6−合成石英製
の窓、7−重水素ランプ、8−AsH3ガスボンベ、9
−TEAsバブラ、1〇−DEGaC1バブラ、11−
キャリアH2ガス、12−流量制御装置、13−バルブ
。
Claims (3)
- (1)III族元素の有機揮発性化合物とV族元素の揮発
性化合物を基板上に供給することにより成長を行うIII
−V族化合物半導体の気相成長方法において、III族元
素の有機揮発性化合物としてIII族元素とハロゲン元素
の結合を少なくとも1つ持つ有機化合物を用い、上記I
II族有機金属原料ガスおよびV族原料ガスを上記基板結
晶上に導入する前に分解させてから該基板結晶上に供給
することを特徴とするIII−V族化合物半導体の気相成
長方法。 - (2)前記V族原料がV族水素化物またはV族有機金属
化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のIII−V族の化合物半導体の気相成長方法。 - (3)前記分解させる手段が光照射または加熱またはそ
の両方であることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載のIII−V族化合物半導体の気相成長方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30094987A JPH01141899A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 3−5族化合物半導体の気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30094987A JPH01141899A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 3−5族化合物半導体の気相成長方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01141899A true JPH01141899A (ja) | 1989-06-02 |
Family
ID=17891028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30094987A Pending JPH01141899A (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 3−5族化合物半導体の気相成長方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01141899A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07273036A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Uchu Kankyo Riyou Kenkyusho:Kk | 化合物半導体結晶の形成方法 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP30094987A patent/JPH01141899A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07273036A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Uchu Kankyo Riyou Kenkyusho:Kk | 化合物半導体結晶の形成方法 |
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