JPH08335553A - 選択エピタキシャル成長方法 - Google Patents

選択エピタキシャル成長方法

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JPH08335553A
JPH08335553A JP14032195A JP14032195A JPH08335553A JP H08335553 A JPH08335553 A JP H08335553A JP 14032195 A JP14032195 A JP 14032195A JP 14032195 A JP14032195 A JP 14032195A JP H08335553 A JPH08335553 A JP H08335553A
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JP
Japan
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gaas
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teg
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JP14032195A
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English (en)
Inventor
Yasushi Shiraishi
靖 白石
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 有機金属分子線エピタキシャル成長法(MO
MBE法)などにおいて、n型GaAsなどを、従来よ
りも低い基板温度で選択成長する方法を提供する。 【構成】 GaAs成長におけるGa原料として、トリ
エチルガリウム(TEG)とトリメチルガリウム(TM
G)の両方を用いる。 【効果】 TMGの存在により、TEGおよびその分解
種がSiO2 マスク2上より脱離しやすくなるため、S
iO2 マスク2上に多結晶GaAsが堆積せず、従来よ
りも低い基板温度で選択成長が可能となる。TMGから
のカーボンの混入は少ないため、n型にドーピングする
ことにより、高不純物濃度n型GaAs層3の低温選択
成長が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、 III−V族化合物半導
体の選択エピタキシャル成長方法に関する。
【0002】
【従来の技術】化合物半導体の成長方法において、通常
の分子線エピタキシャル成長装置と同じ超高真空対応の
成長室を使用し、その原料として有機金属ガスを用いる
有機金属分子線エピタキシャル成長法(MOMBE法)
が知られている。MOMBE法は、表面欠陥が少なく選
択成長性が良いなどの利点を有しており、化合物半導体
の成長方法として非常に有用である。MOMBE法は、
多くの半導体デバイスの結晶成長に用いられている。例
えばガリウム砒素(GaAs)を成長する場合、ガリウ
ム(Ga)原料としてトリメチルガリウム(TMG)や
トリエチルガリウム(TEG)、砒素(As)原料とし
て金属砒素(As4 )あるいはアルシン(AsH3 )な
どが用いられる。また、インジウム砒素(InAs)を
成長する場合には、インジウム(In)原料としてトリ
メチルインジウム(TMI)やトリエチルインジウム
(TEI)などが用いられる。
【0003】III族原料としてTMGのようなメチル系
原料を用いた場合、成長中にメチル基中のカーボンが成
長層中の取り込まれて、p型となりやすい。例えば、基
板温度500℃においては、カーボン濃度1×1019
-3以下の成長層を得ることは困難であり、基板温度を
下げた場合、さらに高濃度にカーボンが混入する。した
がって、カーボン濃度の低い高純度の III−V族化合物
半導体を成長する場合には、メチル基に比べて III族原
子から脱離しやすいエチル基のようなアルキル基を持つ
III族原料が用いられた。この方法については、例えば
エヌ.フルハタ(N.Furuhata)らによって、
ジャーナル.オブ.クリスタル.グロウス(Journ
al of Crystal Growth)第102
巻814頁(1990年)に示されている。原料にTE
GとAs4 を用いた場合、基板温度500℃、TEG流
量0.8cc/min、As4 圧1.5×10-4Tor
rの条件において、キャリア濃度1×1015cm-3以下
の高純度GaAsが成長できる。さらには成長中にシリ
コン(Si)などのn型不純物をドーピングすることに
より、補償度の低い良好なn型の III−V族化合物半導
体層を成長できる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の成長方法で
は、特にTEGのようなエチル系原料を用いて高純度あ
るいはn型の III−V族化合物半導体を成長する場合、
基板上の二酸化シリコン(SiO2 )膜などのマスクの
開口部分の基板上のみに III−V族化合物半導体を成長
させる性質、つまり選択成長性が悪いという問題点があ
った。
【0005】選択成長技術を半導体デバイスに適用する
には、動作層の不純物の拡散を抑制するため、500℃
以下で成長することが要求される。また、例えばTEG
を用いたGaAsの成長の場合、カーボン濃度の低いG
aAsを成長するには500℃程度の低い基板温度が適
当である。それより高い基板温度ではカーボン濃度が高
いp型GaAsが成長するため、n型不純物を高濃度に
ドーピングしても、補償比の高いn型GaAs層しか得
られない。
【0006】しかしTEGを用いたGaAsの成長の場
合、600℃以上の高い成長温度でなければ選択成長性
が得られず、600℃以下の成長温度ではSiO2 マス
ク上に多結晶GaAsが堆積してしまう。図2は、TE
Gを用いた成長方法で、基板温度500℃で成長した成
長層の断面図である。Siドーピングにより、GaAs
上には高不純物濃度n型GaAs選択成長層3’が成長
するが、同時にSiO2 上に厚い多結晶GaAs堆積物
4が存在しており、半導体デバイスに適用できない。
【0007】以上のような問題点により、例えば高不純
物濃度n型GaAs層を、オーミック電極形成部分のみ
に選択的に成長した構造を持つ、ソース抵抗の低い高性
能デバイスの作成は困難であった。
【0008】本発明の目的は、 III−V族化合物半導体
をエピタキシャル成長する方法において、特に高不純物
濃度n型の III−V族化合物半導体を成長する方法にお
いて、従来よりも低い基板温度で、選択成長する方法を
提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、 III−V族化
合物半導体の選択エピタキシャル成長方法において、II
I族原料として、複数のメチル基が III族原子と結合す
る構造を持つ原料と、メチル基と III族原子の結合を持
たない有機金属原料の両方を用いることを特徴としてい
る。
【0010】さらに本発明は、 III−V族化合物半導体
の選択エピタキシャル成長方法において、 III族原料と
して、3個のメチル基が III族原子と結合する構造を持
つ原料と、3個のエチル基が III族原子と結合する構造
を持つ原料の両方を用いることを特徴としている。
【0011】
【作用】ここでは、複数のメチル基が III族原子と結合
する構造を持つ原料としてTMGを、メチル基と III族
原子の結合を持たない有機金属原料としてTEGを用い
た場合の、MOMBE法によるGaAs選択成長につい
て述べる。V族原料としてはAs4 あるいはAsH3
用いる。
【0012】TEGはGaAs基板上およびSiO2
でジエチルガリウム(DEG)あるいはモノエチルガリ
ウム(MEG)に分解する。ここで従来のTEGのみを
用いた成長方法では、SiO2 上でMEGおよびDEG
はAsと結合し、多結晶GaAsが堆積し、選択成長性
は得られない。
【0013】本発明の方法においては、TEGと同時に
基板に供給されるTMGは、GaAs基板上およびSi
2 上で分解し、メチル基をメチルラジカルとして放出
して、ジメチルガリウム(DMG)あるいはモノメチル
ガリウム(MMG)を生成する。このDMGやMMG
は、メチル基とGa原子との結合が強いため、SiO2
上ではAsと反応することなく、そのまま容易に脱離す
る。TMGの分解過程で生成したメチルラジカルは反応
性が高く、TEGあるいはその分解種が近くに存在する
場合には容易に反応し、Ga原子との結合を形成する。
エチル基よりもメチル基の方がGa原子との結合が強い
ため、エチル基の方が先に脱離しやすい。したがって、
メチルラジカルと反応したTEGあるいはその分解種
は、最終的にはDMGあるいはMMGとなりやすい。こ
のDMGやMMGはAsと反応することなくそのままS
iO2 上から容易に脱離する。つまり、SiO2 上で多
結晶GaAsの成長が起こらないため、完全な選択成長
が得られる。ここで示したような反応は500℃以下の
低い成長温度でも容易に起こるため、低温選択成長が可
能となる。
【0014】GaAs基板上においては、TEGの分解
種およびTMGの分解種は、GaAs表面の触媒作用に
より、Asと結合して、GaAsがエピタキシャル成長
する。TMGより放出されたメチルラジカルの多くは、
TEGより放出されたエチルラジカルと反応し、メタン
(CH4 )とエチレン(C2 4 )を生成して、GaA
s基板上より脱離する。したがって、GaAsエピタキ
シャル成長層中に取り込まれるカーボン量は少なく、大
きな問題とはならない。
【0015】ここでは、GaAsの結晶成長について説
明したが、他の III−V族化合物半導体あるいはその混
晶においても同様な効果が得られる。また、有機金属気
相成長(MOVPE)法や原子層エピタキシャル成長
(ALE)法に適応した場合においても、同様のメカニ
ズムにより、低温選択成長性が得られる。
【0016】
【実施例】次に、本発明の一の実施例として、MOMB
E法において、複数のメチル基がIII族原子と結合する
構造を持つ原料としてTMGを、メチル基と III族原子
の結合を持たない有機金属原料としてTEGを、V族原
料としてAs4 を、n型ドーパントとしてSiを使用し
て、高不純物濃度n型GaAs選択成長層をn型GaA
s基板上に成長する場合について、図1を参照して述べ
る。図1は、本発明の成長方法による成長層の模式的断
面図である。
【0017】n型GaAs基板1上に形成したSiO2
マスク2は、SiO2 を化学的気相成長法(CVD法)
で成長し、レジストを用いたフォトリソグラフ法および
弗酸溶液によるエッチング法によって形成できる。
【0018】高不純物濃度n型GaAs選択成長層3
は、次のような成長条件で成長する。TEG流量は0.
5cc/min、TMG流量は1cc/min、As4
圧力は1×10-4Torr、基板温度は500℃とす
る。TEGの供給ラインは約70℃に加熱し、TMGの
供給ラインは室温に保つことにより、上述の流量が安定
して得られる。Siセルの温度は1050℃とする。こ
の条件において、高不純物濃度n型GaAs選択成長層
3の成長速度は約1.5μm/hであり、n型不純物濃
度は3×1018cm-3である。
【0019】この実施例の成長方法においては、TMG
の存在により、基板温度500℃においても、SiO2
マスク上のTEGの分解物が脱離し、多結晶GaAsが
堆積しない。TMGからエピタキシャル成長層中へのカ
ーボンの混入は1×1018cm-3以下と少なく、高不純
物濃度n型GaAs選択成長層3が得られる。
【0020】このような高不純物濃度n型GaAs選択
成長層3は、この上に例えば金(Au)/ゲルマニウム
(Ge)/ニッケル(Ni)の合金層などで電極を形成
することにより、例えばヘテロ接合電界効果トランジス
タのオーミック電極として用いることができ、ソース抵
抗の低い、高性能な半導体デバイスが得られる。
【0021】本発明の成長方法は、他の III−V族化合
物半導体あるいはその混晶に適用しても同様な効果が得
られる。例えば、TEIとTMIを用いたInAsの成
長、あるいは、TEGとTMIを用いたInGaAsの
成長に適用してもよい。TMIは、非常に低い基板温度
においてもSiO2 上で分解し、容易にメチルラジカル
を放出するため、極少量のTMIを添加するだけで、良
好な選択成長性が得られる。例えば、基板温度500℃
において、TEG流量1cc/minに対して、TMI
流量0.1cc/minの添加で完全な選択成長性が得
られる。
【0022】また、ここではSiO2 マスクを用いた場
合について述べたが、窒化シリコンなどの他の材料によ
るマスクを用いた場合でも同様の効果が期待できる。
【0023】
【発明の効果】以上説明したように、メチル基をもつ I
II族原料の存在により、従来よりも低い基板温度におい
て、良好な選択成長性が得られる。また、メチル基をも
つ III族原料からのカーボンの混入が少ないため、良好
な選択成長を行うことができる。例えば、n型不純物を
ドーピングすることにより補償度の低い良好なn型Ga
Asが得られる。したがって、例えば、高不純物濃度n
型GaAs層を、オーミック電極形成部分のみに選択的
に成長することが可能となり、ヘテロ接合電界効果トラ
ンジスタなどに用いた場合には、ソース抵抗の低い高性
能デバイスが実現される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の成長方法による成長層の模式
的断面図。
【図2】従来の成長方法による成長層の模式的断面図。
【符号の説明】
1 n型GaAs基板 2 SiO2 マスク 3,3’ 高不純物濃度n型GaAs選択成長層 4 多結晶GaAs堆積物

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 III−V族化合物半導体の選択エピタキ
    シャル成長方法において、 III族原料として、複数のメ
    チル基が III族原子と結合する構造を持つ原料と、メチ
    ル基と III族原子の結合を持たない有機金属原料の両方
    を用いることを特徴とする選択エピタキシャル成長方
    法。
  2. 【請求項2】 III−V族化合物半導体の選択エピタキ
    シャル成長方法において、 III族原料として、3個のメ
    チル基が III族原子と結合する構造を持つ原料と、3個
    のエチル基が III族原子と結合する構造を持つ原料の両
    方を用いることを特徴とする選択エピタキシャル成長方
    法。
JP14032195A 1995-06-07 1995-06-07 選択エピタキシャル成長方法 Pending JPH08335553A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04192323A (ja) * 1990-11-22 1992-07-10 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0529218A (ja) * 1991-07-23 1993-02-05 Nec Corp 有機金属分子線エピタキシヤル成長方法

Patent Citations (2)

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970930