JP3575618B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法に関する。
【0002】
【従来技術】
従来、窒化ガリウム系化合物半導体膜であるAlGaN混晶膜の有機金属化合物気相成長(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy:以下、MOVPEという)法による結晶成長においては、 III族原料ガスとして、有機金属であるトリメチルアルミニウム〔Al(CH3)3 〕(以下、TMAという)及びトリメチルガリウム〔Ga(CH3)3 〕(以下、TMGという)、V族原料ガスとしてNH3 、基板にはサファイアa面が用いられている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、NH3 はTMAとの反応性が高いため結晶内にAl が混入し難く、制御性良くAlGaN混晶膜の成長を行うのは困難であるという問題があった。
このことは、大気圧において気相比を変えた時の結晶成長速度と混晶組成比を示した図8の特性図によっても明らかである。
結晶成長は小型MOVPE装置を使用した。
混晶組成の決定方法は、AlXGa1−XN混晶膜のc軸方向の格子定数cはその組成xの変化に伴いc=5.191Å(x=0:GaN)からc=4.980Å(x=1:AlN)まで線形に変化するものと考えられる(ベガード則)。そこで、X線回折測定のボンド法からその膜の格子定数cを求め、以下の式を用い混晶組成比を求めた。
【数1】
x=(5.191−c)/(5.191−4.980)
【0004】
通常、 GaN系の結晶成長速度は III族の供給量に律速されるものであるが、次式の反応(1),(2) が進行し、更に、これらの反応に III族原料であるTMGも関与するため成長速度の減少が見られると考えられる。
【数2】
TMA(g) +NH3(g)→TMA:NH3(s) ………(1)
TMA:NH3(s) →AlN(s) +3CH4(g) ………(2)
つまり、気相比Xv (=[TMA]/([TMG]+[TMA]))を上げたにも拘わらず各温度において、逆に成長速度が遅くなり、AlNとXs(=AlXGa1−XN)の混晶組成比(モル分率)が減少するという現象を示している。
発明者らは、上述の問題について原因を究明するために鋭意実験研究を重ねた結果、Al の原料ガスの有機金属であるTMAに替わるものとしてトリイソブチルアルミニウム〔Al(i−C4H9)3 〕(以下、TiBAという)を用いると良いことを見出し、新規な窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法を提供するに至ったのである。
【0005】
本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、窒化ガリウム系化合物半導体膜であるAlGaN混晶膜を制御性良く成長させることである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための発明の構成は、MOVPE法による窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;0<X<1)膜の結晶成長方法であって、気相成長工程において、III族原料ガスとして有機金属であるTiBA及びTMG、V族原料ガスとしてNH3を用いることを特徴とする。
【0007】
【作用及び効果】
III族原料ガスであり有機金属であるTiBAは分子構造上、従来のTMAに比べて、アルキル基〔(CnH2n+1)−R〕が大きいためAl 原子を包み込み、V族原料ガスであるNH3 との反応による錯体を形成し難い。このため、TiBAは、NH3 との反応が進行する前に基板上に到達できる。
これにより、基板上に結晶成長されるAlXGa1−XN混晶膜にはAl が混入し易くなり、混晶組成比及び結晶成長速度の制御が可能となる。
【0008】
【実施例】
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
図1は本発明に係る窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法を用いて成膜した窒化ガリウム系化合物半導体膜を示した断面模式図である。
サファイアa面を用いたサファイア基板1上に AlNから成るバッファ層2を形成し、その上に窒化ガリウム系化合物半導体膜であるAlXGa1−XN混晶膜3が形成されている。
成長装置としては、従来と同様の、小型MOVPE装置を用いた。
気相成長工程において、 III族原料ガスとして有機金属であるTMAに替えてTiBA及びTMG、V族原料ガスとしてNH3 を用いた。このときの成長条件を図2に示した。
上記TiBAは、Al 原子に結合したアルキル基がTMAに比べ大きく、分子構造上Al 原子をそれによって囲んでいるため、前述の (1)式の様な反応が低いと考えられる。
図3に図2の成長条件で結晶成長を行ったAlXGa1−XN混晶膜組成の面内分布を示した。尚、混晶組成比Xs は前述のX線回折から決定した。
この図から分かるように、試料S−1のようにH2,NH3 のキャリヤガス流量が少ないとき、つまり、キャリヤガスの流速が遅いときはTiBAを用いても、NH3 ガスとの反応により組成の面内分布が大きく、基板の下流側で組成が減少している。つまり、成長装置における原料ガス吐出口に対する試料の基板中心からの距離で上流側と下流側とで、試料S−1の成長条件では混晶膜組成が大きくばらつくことが分かる。
これに比べ試料S−2のようにH2,NH3 のキャリヤガス流量が多いときは、NH3 ガスとの反応が進行する前に基板に原料ガスが到達するため1inch基板内においてその組成が均一であることが分かる。又、そのときの成長速度は3μm/hrと制御可能な成長速度であった。
【0009】
次に、上述のキャリヤガス流量の条件下で、更に、気相比Xv を上げAlXGa1−XN混晶膜の結晶成長を行った。
図4に気相比を変えた時の混晶組成比を示した。図のように気相比を上げると共に組成の面内分布のばらつきが見られるものの、気相比に対して各場所で線形に混晶組成比が変化しており、TiBAを用いることで制御性良くAlXGa1−XN混晶膜の結晶成長が行われている。
図6に図5の成長条件で結晶成長を行ったAlXGa1−XN混晶膜組成の内面分布を示した。
何れの条件においても、基板の下流側で混晶組成比の減少が見られる。又、気相比Xv=0.444と一定にも拘わらず、キャリヤガスの違いによって大きく混晶組成比の違いが見られる。ここで、NH3 ガスの供給量を減らすことによりバックアップのH2 ガスの供給量を増すことが効果的である。
【0010】
そこで、全ガス量(H2 +NH3 +バックアップH2 )からその流速を計算し、気相比Xv=0.444におけるガス流速と混晶組成比の関係を図7に示した。
この図から分かるように、混晶組成比は基板の何れの場所においてもガス流量に依存しており、AlXGa1−XN混晶膜の組成を更に上げるためにはガス流速を上げることが必要である。
【0011】
次に、TiBAを用いて結晶成長を行ったアンドープAlXGa1−XN混晶膜の電気特性の結果について述べる。
気相比Xv=0.033、混晶組成比Xs=0.04〜0.05 の試料のホール測定の結果は、アンドープの試料にも拘わらずキャリヤ濃度n=2.5×1018(cm−3) と高く、ρ=0.01(Ω・cm),μ=232(cm2/V・sec)であった。
これは、TiBAの容器温度を上げたため(>50℃)、揮発性の不純物が容易に気化し、n型のドーパントとして結晶膜に取り込まれたものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の具体的な一実施例に係る窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法を用いて成膜した窒化ガリウム系化合物半導体膜を示した断面模式図である。
【図2】同実施例に係る成長条件を示した図である。
【図3】図2の成長条件で結晶成長を行ったAlXGa1−XN混晶膜組成の面内分布を示した特性図である。
【図4】同実施例において気相比を変えた時の混晶組成比を示した特性図である。
【図5】同実施例に係るAlXGa1−XN混晶膜の他の成長条件を示した図である。
【図6】図5の成長条件で結晶成長を行ったAlXGa1−XN混晶膜組成の内面分布を示した特性図である。
【図7】同実施例に係るAlXGa1−XN混晶膜において気相比Xv=0.444におけるガス流速と混晶組成比の関係を示した特性図である。
【図8】従来のAlXGa1−XN混晶膜において気相比を変えた時の結晶成長速度と混晶組成比を示した特性図である。
【符号の説明】
1…サファイア基板
2…AlNバッファ層
3…AlXGa1−XN混晶膜(窒化ガリウム系化合物半導体膜)
Claims (1)
- 有機金属化合物気相成長法による窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;0<X<1)膜の結晶成長方法であって、
気相成長工程において、III族原料ガスとして有機金属であるトリイソブチルアルミニウム〔Al(i-C4H9)3〕及びトリメチルガリウム〔Ga(CH3)3〕、V族原料ガスとしてアンモニア(NH3)を用いる
ことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法。
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JP12502993A JP3575618B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 窒化ガリウム系化合物半導体膜の結晶成長方法 |
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- 1993-04-28 JP JP12502993A patent/JP3575618B2/ja not_active Expired - Fee Related
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