JPH041521B2 - - Google Patents
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- JPH041521B2 JPH041521B2 JP3105485A JP3105485A JPH041521B2 JP H041521 B2 JPH041521 B2 JP H041521B2 JP 3105485 A JP3105485 A JP 3105485A JP 3105485 A JP3105485 A JP 3105485A JP H041521 B2 JPH041521 B2 JP H041521B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は誘電体同軸共振器を用いたフイルタ、
特に所定周波数帯域を減衰域にもつバンドエリミ
ネーシヨンフイルタ（band elimination filter）
に関する。
特に所定周波数帯域を減衰域にもつバンドエリミ
ネーシヨンフイルタ（band elimination filter）
に関する。
従来の技術及びその問題点
従来、誘電体同軸共振器を用いたバンドエリミ
ネーシヨンフイルタとしては、並列状に配置した
誘電体同軸共振器の各々にコンデンサ素子を直列
に接続すると共に、隣合う誘電体同軸共振器同士
を1/4波長の同軸ケーブルで接続した構成が一般
的である。
ネーシヨンフイルタとしては、並列状に配置した
誘電体同軸共振器の各々にコンデンサ素子を直列
に接続すると共に、隣合う誘電体同軸共振器同士
を1/4波長の同軸ケーブルで接続した構成が一般
的である。
しかるに、かかる従来のフイルタであると、各
誘電体同軸共振器同士の接続に1/4波長の同軸ケ
ーブルを用いる関係上、フイルタが嵩高くなり、
小型化が図り難いといつた問題がある。
誘電体同軸共振器同士の接続に1/4波長の同軸ケ
ーブルを用いる関係上、フイルタが嵩高くなり、
小型化が図り難いといつた問題がある。
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、嵩低く小
型コンパクトな構成のバンドエリミネーシヨンフ
イルタを得ることを目的としている。
型コンパクトな構成のバンドエリミネーシヨンフ
イルタを得ることを目的としている。
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために本発明は、並列状に
配置した複数の誘電体同軸共振器の開放端面側に
結合基板を配し、該結合基板の主表面上に所定の
電極及びインダクタンス素子を設けて上述した1/
４波長の同軸ケーブルと等価な集中定数回路で置
換したもので、詳しくは上記結合基板の一方の主
表面上に第１の電極とアース電極を形成し、結合
基板の他方の主表面上に前記第１の電極及びアー
ス電極との間で静電容量をもつ第２の電極を形成
し、前記第１の電極及び第２の電極を誘電体同軸
共振器の並列方向に沿つて複数個形成すると共
に、第１の電極の各々を最寄りの誘電体同軸共振
器の内導体と接続し、一方、第２の電極の隣合う
もの同士をインダクタンス素子で結合して構成し
たことを特徴としている。
配置した複数の誘電体同軸共振器の開放端面側に
結合基板を配し、該結合基板の主表面上に所定の
電極及びインダクタンス素子を設けて上述した1/
４波長の同軸ケーブルと等価な集中定数回路で置
換したもので、詳しくは上記結合基板の一方の主
表面上に第１の電極とアース電極を形成し、結合
基板の他方の主表面上に前記第１の電極及びアー
ス電極との間で静電容量をもつ第２の電極を形成
し、前記第１の電極及び第２の電極を誘電体同軸
共振器の並列方向に沿つて複数個形成すると共
に、第１の電極の各々を最寄りの誘電体同軸共振
器の内導体と接続し、一方、第２の電極の隣合う
もの同士をインダクタンス素子で結合して構成し
たことを特徴としている。
実施例
バンドエリミネーシヨンフイルタの等価回路は
第２図に示すように誘電体同軸共振器θ1，θ2…と
コンデンサCeとの直列回路をＣとＬのπ型回路
π1，π2…で接続したものである。本発明はこの等
価回路中、コンデンサCeとπ型回路π1，π2…を
結合基板上に構成したものであり、以下、第１図
に示す実施例に基づき説明する。図中、１…は誘
電体同軸共振器、２は共振器１…の開放端面側に
配された結合基板である。
第２図に示すように誘電体同軸共振器θ1，θ2…と
コンデンサCeとの直列回路をＣとＬのπ型回路
π1，π2…で接続したものである。本発明はこの等
価回路中、コンデンサCeとπ型回路π1，π2…を
結合基板上に構成したものであり、以下、第１図
に示す実施例に基づき説明する。図中、１…は誘
電体同軸共振器、２は共振器１…の開放端面側に
配された結合基板である。
誘電体同軸共振器１は、例えば長さが1/4波長
で、中央に貫通孔３を有する筒状のセラミツク誘
電体４からなり、該誘電体の内周面と外周面には
銅等の電極膜からなる内導体５、外導体６が形成
される。この誘電体４の一方の端面７には内導体
５と外導体６とを短絡する電極膜が形成され、ま
た他方の端面８は電極が形成されない開放端面と
なつている。各共振器１…の内導体５はターミナ
ル９…を介して結合基板２上の第１の電極（後述
する）に接続されている。又、外導体６は図外の
金属ケースに接続されている。
で、中央に貫通孔３を有する筒状のセラミツク誘
電体４からなり、該誘電体の内周面と外周面には
銅等の電極膜からなる内導体５、外導体６が形成
される。この誘電体４の一方の端面７には内導体
５と外導体６とを短絡する電極膜が形成され、ま
た他方の端面８は電極が形成されない開放端面と
なつている。各共振器１…の内導体５はターミナ
ル９…を介して結合基板２上の第１の電極（後述
する）に接続されている。又、外導体６は図外の
金属ケースに接続されている。
結合基板２は例えばセラミツク等の誘電体から
なり、一方の主表面２ａには第１の電極１１とア
ース電極１２とが公知の薄膜あるいは厚膜形成手
法で形成されている。一方、結合基板の他方の主
表面２ｂには前記第１の電極１１及びアース電極
１２の双方と対向する状態で第２の電極１３が同
様の手法で形成されている。第２の電極１３が第
１の電極１１及びアース電極１２と対向するので
第１の電極１１との間及びアース電極１２との間
で個別的に静電容量をもつ。静電容量の値は電極
同士の対向面積及び結合基板２の厚み、誘電率に
よつて一義的に決まる。
なり、一方の主表面２ａには第１の電極１１とア
ース電極１２とが公知の薄膜あるいは厚膜形成手
法で形成されている。一方、結合基板の他方の主
表面２ｂには前記第１の電極１１及びアース電極
１２の双方と対向する状態で第２の電極１３が同
様の手法で形成されている。第２の電極１３が第
１の電極１１及びアース電極１２と対向するので
第１の電極１１との間及びアース電極１２との間
で個別的に静電容量をもつ。静電容量の値は電極
同士の対向面積及び結合基板２の厚み、誘電率に
よつて一義的に決まる。
前記第１の電極１１及び第２の電極１３は図に
も示すように誘電体同軸共振器１…の並列方向に
沿つて複数個形成されている。そして、第１の電
極１１の各々は最寄りの誘電体同軸共振器の内導
体５…とターミナル９…を介して接続されてい
る。一方、第２の電極１３は隣合うもの同士がイ
ンダクタンス素子Ｌで結合されている。インダク
タンス素子Ｌとしては結合基板の主表面２ｂ上に
所定のパターンで薄膜形成することもできるし、
或いは一般的なたとえば円形のコイルを用いるこ
ともできる。図中、Ｌ(A)がパターンによつて形成
したインダクタンス素子、Ｌ(B)が一般的なコイル
で構成したインダクタンス素子である。尚、アー
ス電極１２は図外の金属ケースに接続されてい
る。その場合、誘電体同軸共振器の外導体を密着
性よく金属ケースに接続するために外導体と金属
ケースとの間に介在されるバネ性のあるアース板
を延長して、該アース板にアース電極を接続する
ようにすることもできる。
も示すように誘電体同軸共振器１…の並列方向に
沿つて複数個形成されている。そして、第１の電
極１１の各々は最寄りの誘電体同軸共振器の内導
体５…とターミナル９…を介して接続されてい
る。一方、第２の電極１３は隣合うもの同士がイ
ンダクタンス素子Ｌで結合されている。インダク
タンス素子Ｌとしては結合基板の主表面２ｂ上に
所定のパターンで薄膜形成することもできるし、
或いは一般的なたとえば円形のコイルを用いるこ
ともできる。図中、Ｌ(A)がパターンによつて形成
したインダクタンス素子、Ｌ(B)が一般的なコイル
で構成したインダクタンス素子である。尚、アー
ス電極１２は図外の金属ケースに接続されてい
る。その場合、誘電体同軸共振器の外導体を密着
性よく金属ケースに接続するために外導体と金属
ケースとの間に介在されるバネ性のあるアース板
を延長して、該アース板にアース電極を接続する
ようにすることもできる。
上記構成によれば、第１の電極１１と第２の電
極１３との間の静電容量は第２図の等価回路中
Ceに該当し、また、アース電極１２と第２の電
極１３との間の静電容量はπ型回路π1，π2…のＣ
に該当する。そして、インダクタンス素子Ｌはπ
型回路π1，π2…のＬに該当する。従つて、第１、
第２の電極１１，１３及びアース電極１２の大き
さ、位置並びにインダクタンス素子Ｌのインダク
タンス値を適当に定めることにより、所望の周波
数帯を減衰域とするバンドエリミネーシヨンフイ
ルタを得ることができる。
極１３との間の静電容量は第２図の等価回路中
Ceに該当し、また、アース電極１２と第２の電
極１３との間の静電容量はπ型回路π1，π2…のＣ
に該当する。そして、インダクタンス素子Ｌはπ
型回路π1，π2…のＬに該当する。従つて、第１、
第２の電極１１，１３及びアース電極１２の大き
さ、位置並びにインダクタンス素子Ｌのインダク
タンス値を適当に定めることにより、所望の周波
数帯を減衰域とするバンドエリミネーシヨンフイ
ルタを得ることができる。
尚、結合基板２上の電極同士で不用結合を生じ
たり、インダクタンス素子Ｌ同士で誘導結合を生
じたり、更には誘電体同軸共振器間でストレー容
量をもつたりしてフイルタの減衰特性が悪化する
ことがある場合には、誘電体同軸共振器間に結合
基板の両主表面の一方又は両方をまたぐ状態で仕
切板を挿設して静電シールドを行つておけばよ
い。
たり、インダクタンス素子Ｌ同士で誘導結合を生
じたり、更には誘電体同軸共振器間でストレー容
量をもつたりしてフイルタの減衰特性が悪化する
ことがある場合には、誘電体同軸共振器間に結合
基板の両主表面の一方又は両方をまたぐ状態で仕
切板を挿設して静電シールドを行つておけばよ
い。
又、結合基板２は実施例では主表面を誘電体同
軸共振器の開放端面の法線方向に向けて設けてい
るが、開放端面と平行な向きにしてもよく、結合
基板２の向きは適宜の方向に定めることができ
る。
軸共振器の開放端面の法線方向に向けて設けてい
るが、開放端面と平行な向きにしてもよく、結合
基板２の向きは適宜の方向に定めることができ
る。
発明の効果
以上説明したように本発明に係るフイルタによ
れば、誘電体同軸共振器以外のフイルタ構成要素
を全て等価な集中定数回路で置き換えると共に、
その集中定数回路を結合基板上に形成した電極及
び電極同士を接続するインダクタンス素子で構成
したものであるから、冒頭に述べた従来手段のよ
うに1/4波長の長さをもつ同軸ケーブルが不要と
なり、非常に嵩の低い、小型コンパクトな構成の
バンドエリミネーシヨンフイルタが得られる。
れば、誘電体同軸共振器以外のフイルタ構成要素
を全て等価な集中定数回路で置き換えると共に、
その集中定数回路を結合基板上に形成した電極及
び電極同士を接続するインダクタンス素子で構成
したものであるから、冒頭に述べた従来手段のよ
うに1/4波長の長さをもつ同軸ケーブルが不要と
なり、非常に嵩の低い、小型コンパクトな構成の
バンドエリミネーシヨンフイルタが得られる。
加えて、第１、第２の電極、アース電極及びイ
ンダクタンス素子を全て結合基板上に薄膜形成す
るようにすれば、小型化ばかりでなく量産性にも
優れ、それによる製造コストの低廉化も図れる。
ンダクタンス素子を全て結合基板上に薄膜形成す
るようにすれば、小型化ばかりでなく量産性にも
優れ、それによる製造コストの低廉化も図れる。
第１図は本発明に係るフイルタの一実施例を示
す一部切欠斜視図、第２図は第１図のフイルタの
等価回路である。 １……誘電体同軸共振器、２……結合基板、２
ａ，２ｂ……主表面、５……内導体、１１……第
１の電極、１２……アース電極１２、１３……第
２の電極、Ｌ……インダクタンス素子。
す一部切欠斜視図、第２図は第１図のフイルタの
等価回路である。 １……誘電体同軸共振器、２……結合基板、２
ａ，２ｂ……主表面、５……内導体、１１……第
１の電極、１２……アース電極１２、１３……第
２の電極、Ｌ……インダクタンス素子。
Claims (1)
- １ 並列状に配置した複数の誘電体同軸共振器の
開放端面側に結合基板を配し、該結合基板の一方
の主表面上に第１の電極とアース電極を形成し、
結合基板の他方の主表面上の前記第１の電極及び
アース電極との間で静電容量をもつ第２の電極を
形成し、前記第１の電極及び第２の電極を誘電体
同軸共振器の並列方向に沿つて複数個形成すると
共に、第１の電極の各々を最寄りの誘電体同軸共
振器の内導体と接続し、一方、第２の電極の隣合
うもの同士をインダクタンス素子で結合して構成
したことを特徴とするフイルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105485A JPS61191101A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | フイルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105485A JPS61191101A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | フイルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191101A JPS61191101A (ja) | 1986-08-25 |
| JPH041521B2 true JPH041521B2 (ja) | 1992-01-13 |
Family
ID=12320766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3105485A Granted JPS61191101A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | フイルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191101A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002025217A1 (en) | 2000-09-25 | 2002-03-28 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Rotating angle detector |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0216802A (ja) * | 1988-07-04 | 1990-01-19 | Murata Mfg Co Ltd | バンドエリミネーションフィルタ |
| JPH0731604Y2 (ja) * | 1988-10-22 | 1995-07-19 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体フィルタ |
| GB2234398B (en) * | 1989-06-08 | 1994-06-15 | Murata Manufacturing Co | Dielectric filter |
| JPH0770883B2 (ja) * | 1989-06-22 | 1995-07-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ |
| GB2234399B (en) * | 1989-06-21 | 1993-12-15 | Murata Manufacturing Co | Dielectric filter |
| JP2503450Y2 (ja) * | 1989-12-06 | 1996-07-03 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ |
| JPH03181206A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JPH089924Y2 (ja) * | 1989-12-13 | 1996-03-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体フィルタ |
| JPH04801A (ja) * | 1990-04-17 | 1992-01-06 | Murata Mfg Co Ltd | バンドパスフィルタ |
| JPH0446406A (ja) * | 1990-06-13 | 1992-02-17 | Murata Mfg Co Ltd | ディレイライン |
| JP2611063B2 (ja) * | 1990-07-24 | 1997-05-21 | ティーディーケイ株式会社 | 高周波回路 |
| JPH0491501A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体フィルタ |
| JPH04150101A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-22 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器 |
| JPH0548403U (ja) * | 1991-11-29 | 1993-06-25 | 京セラ株式会社 | 誘電体フィルタ |
| JPH05315807A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | ストリップラインフィルタおよびこれを用いた空中線共用器 |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP3105485A patent/JPS61191101A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002025217A1 (en) | 2000-09-25 | 2002-03-28 | Kabushiki Kaisha Tokai Rika Denki Seisakusho | Rotating angle detector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61191101A (ja) | 1986-08-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |