JPH04801A - バンドパスフィルタ - Google Patents
バンドパスフィルタInfo
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- JPH04801A JPH04801A JP2174193A JP17419390A JPH04801A JP H04801 A JPH04801 A JP H04801A JP 2174193 A JP2174193 A JP 2174193A JP 17419390 A JP17419390 A JP 17419390A JP H04801 A JPH04801 A JP H04801A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2053—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、並列共振回路素子を用いてなるバンドパスフ
ィルタに係り、詳しくは、このバンドパスフィルタの回
路構成および実体構造に関する。
ィルタに係り、詳しくは、このバンドパスフィルタの回
路構成および実体構造に関する。
〈従来の技術〉
従来から、この種のバンドパスフィルタの一例としては
、第８図で回路構成を示し、また、第９図（ａＬ（ｂ）
で実体構造を示すように構成されたものが知られている
。
、第８図で回路構成を示し、また、第９図（ａＬ（ｂ）
で実体構造を示すように構成されたものが知られている
。
このバンドパスフィルタは、第８図で示すように、並列
共振回路素子としての複数（図では、３個）の誘電体同
軸共振器１．・・・を用いて構成されたものであって、
これらの誘電体同軸共振器１゜・・・の一端側にはキャ
パシタンス結合素子としての結合コンデンサＣを有する
結合線路が接続された回路構成となっている。すなわち
、このバンドパスフィルタは、第９図（ａ） 、 （ｂ
）で示すように、複数（図では、３個）の誘電体同軸共
振器１．・・・と、矩形平板状の誘電体基板２と、これ
らを収納するケース３とを備えている。そして、これら
の誘電体同軸共振器１．・・・は同一の向きに揃って並
列配置された状態でケース３内に収納されており、各誘
電体同軸共振器１にはその内導体（図示していない）と
導通接続する結合端子４がそれぞれ内挿されている。
共振回路素子としての複数（図では、３個）の誘電体同
軸共振器１．・・・を用いて構成されたものであって、
これらの誘電体同軸共振器１゜・・・の一端側にはキャ
パシタンス結合素子としての結合コンデンサＣを有する
結合線路が接続された回路構成となっている。すなわち
、このバンドパスフィルタは、第９図（ａ） 、 （ｂ
）で示すように、複数（図では、３個）の誘電体同軸共
振器１．・・・と、矩形平板状の誘電体基板２と、これ
らを収納するケース３とを備えている。そして、これら
の誘電体同軸共振器１．・・・は同一の向きに揃って並
列配置された状態でケース３内に収納されており、各誘
電体同軸共振器１にはその内導体（図示していない）と
導通接続する結合端子４がそれぞれ内挿されている。
また、誘電体基板２は並列収納された誘電体同軸共振器
１．・・・の開放端面側に収納されており、その表面上
の互いに離間する所定位置ごとには結合電極５．・・・
が形成されている。すなわち、この誘電体基板２の各部
位には、結合電極５．・・・からなる結合コンデンサＣ
が形成されている。そして、誘電体基板２に形成された
結合電極５．・・・のそれぞれには、各誘電体同軸共振
４工に内挿された結合端子４が半田付けによって固着さ
れている。
１．・・・の開放端面側に収納されており、その表面上
の互いに離間する所定位置ごとには結合電極５．・・・
が形成されている。すなわち、この誘電体基板２の各部
位には、結合電極５．・・・からなる結合コンデンサＣ
が形成されている。そして、誘電体基板２に形成された
結合電極５．・・・のそれぞれには、各誘電体同軸共振
４工に内挿された結合端子４が半田付けによって固着さ
れている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、前記従来構成のバンドパスフィルタにおいて
、その通過周波数帯域よりも高周波数域側に減衰極を設
けるためには、第１０図で示すように、並列共振回路素
子としての誘電体同軸共振器１とキャパシタンス結合素
子としての結合コンデンサＣとの間にインダクタンス結
合素子りを挿入する必要がある。そして、このとき、実
体的には、第１１図（ａ） 、 （ｂ）で示すように、
所要の誘電体同軸共振器１の内導体と接続された結合端
子４と誘電体基板２に形成された結合電極５との間にイ
ンダクタンス結合素子りとして機能する空心コイル６を
架は渡すことが行われている。
、その通過周波数帯域よりも高周波数域側に減衰極を設
けるためには、第１０図で示すように、並列共振回路素
子としての誘電体同軸共振器１とキャパシタンス結合素
子としての結合コンデンサＣとの間にインダクタンス結
合素子りを挿入する必要がある。そして、このとき、実
体的には、第１１図（ａ） 、 （ｂ）で示すように、
所要の誘電体同軸共振器１の内導体と接続された結合端
子４と誘電体基板２に形成された結合電極５との間にイ
ンダクタンス結合素子りとして機能する空心コイル６を
架は渡すことが行われている。
しかしながら、このようにした場合には、空心コイル６
を設けた分だけバンドパスフィルタの奥行き方向（第１
１図（ａ）において、矢印Ａで示す）の寸法が長（なる
という不都合が生じていた。
を設けた分だけバンドパスフィルタの奥行き方向（第１
１図（ａ）において、矢印Ａで示す）の寸法が長（なる
という不都合が生じていた。
本発明はかかる従来の不都合に鑑みて創案されたもので
あって、減衰極を設定するためのインダクタンス結合素
子を設けた際における奥行き方向の寸法が長くなること
を有効に防止することが可能な構成のバンドパスフィル
タを提供することを目的としている。
あって、減衰極を設定するためのインダクタンス結合素
子を設けた際における奥行き方向の寸法が長くなること
を有効に防止することが可能な構成のバンドパスフィル
タを提供することを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、結合線路
と、並列共振回路素子と、バイパス結合線路とを備え、
結合線路は、キャパシタンス結合素子とインダクタンス
結合素子とを有し、キャパシタンス結合素子の少なくと
も一つとインダクタンス結合素子の少なくとも一つとは
互いに直列に接続されており、並列共振回路素子は、そ
の少な（とも一つの一端側が直列に接続されたキャパシ
タンス結合素子とインダクタンス結合素子との接続部に
接続されており、バイパス結合線路は、キャパシタンス
結合素子を有し、かつ、結合線路と並列に接続されてい
ることを特徴とするものである。
と、並列共振回路素子と、バイパス結合線路とを備え、
結合線路は、キャパシタンス結合素子とインダクタンス
結合素子とを有し、キャパシタンス結合素子の少なくと
も一つとインダクタンス結合素子の少なくとも一つとは
互いに直列に接続されており、並列共振回路素子は、そ
の少な（とも一つの一端側が直列に接続されたキャパシ
タンス結合素子とインダクタンス結合素子との接続部に
接続されており、バイパス結合線路は、キャパシタンス
結合素子を有し、かつ、結合線路と並列に接続されてい
ることを特徴とするものである。
そして、このバンドパスフィルタの実体構造の第１は、
同一の向きに揃って並列配置され、かつ、結合端子が内
挿された複数個の誘電体同軸共振器と、各結合端子を接
続する複数の結合電極が一面上に形成された誘電体基板
とを備え、その一面上の結合電極間には、これらを互い
ムこ接続するインダクタンス部を印刷形成する一方、前
記誘電体基板の他面上には前記結合電極と対向する対向
電極を形成したことを特徴とするものである。
同一の向きに揃って並列配置され、かつ、結合端子が内
挿された複数個の誘電体同軸共振器と、各結合端子を接
続する複数の結合電極が一面上に形成された誘電体基板
とを備え、その一面上の結合電極間には、これらを互い
ムこ接続するインダクタンス部を印刷形成する一方、前
記誘電体基板の他面上には前記結合電極と対向する対向
電極を形成したことを特徴とするものである。
また、その実体構造の第２は、同一の向きに揃って並列
配置され、かつ、結合端子が内挿された複数個の誘電体
同軸共振器と、各結合端子を接続する複数の結合電極が
一面上に形成された誘電体基板とを備え、その一面上の
結合電極間には、これらを互いに接続する空心コイルを
装着する一方、前記誘電体基板の他面上には前記結合電
極と対向する対向電極を形成したことを特徴とするもの
である。
配置され、かつ、結合端子が内挿された複数個の誘電体
同軸共振器と、各結合端子を接続する複数の結合電極が
一面上に形成された誘電体基板とを備え、その一面上の
結合電極間には、これらを互いに接続する空心コイルを
装着する一方、前記誘電体基板の他面上には前記結合電
極と対向する対向電極を形成したことを特徴とするもの
である。
さらに、本考案に係るバンドパスフィルタの実体構造の
第３は、並列配置された誘電体同軸共振器間に間隙を設
けておき、この間隙内に空心コイルを配設したことを特
徴とするものである。
第３は、並列配置された誘電体同軸共振器間に間隙を設
けておき、この間隙内に空心コイルを配設したことを特
徴とするものである。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は、本実施例に係るバンドパスフィルタの回路構
成を示している。すなわち、このバンドパスフィルタは
、結合線路と、並列共振回路素子としての複数（図では
、３個）の誘電体同軸共振器１．・・・と、バイパス結
合線路とを備えたものであって、この結合線路は、キャ
パシタンス結合素子としての結合コンデンサＣＩとイン
ダクタンス結合素子りとを有しており、これらの結合コ
ンデンサＣ１とインダクタンス結合素子りとは互いに直
列に接続されている。また、誘電体同軸共振器１、・・
・それぞれの一端側は、直列に接続されて結合線路を構
成する結合コンデンサＣ１とインダクタンス結合素子り
との接続部に接続される一方、バイパス結合線路は、キ
ャパシタンス結合素子としてのバイパスコンデンサＣ２
を有しており、このバイパスコンデンサＣ２は結合線路
と並列に接続されている。なお、このとき、並列共振回
路素子としての誘電体同軸共振器１．・・・の個数は、
複数個に限定されるものではなく、一つであってもよい
。
成を示している。すなわち、このバンドパスフィルタは
、結合線路と、並列共振回路素子としての複数（図では
、３個）の誘電体同軸共振器１．・・・と、バイパス結
合線路とを備えたものであって、この結合線路は、キャ
パシタンス結合素子としての結合コンデンサＣＩとイン
ダクタンス結合素子りとを有しており、これらの結合コ
ンデンサＣ１とインダクタンス結合素子りとは互いに直
列に接続されている。また、誘電体同軸共振器１、・・
・それぞれの一端側は、直列に接続されて結合線路を構
成する結合コンデンサＣ１とインダクタンス結合素子り
との接続部に接続される一方、バイパス結合線路は、キ
ャパシタンス結合素子としてのバイパスコンデンサＣ２
を有しており、このバイパスコンデンサＣ２は結合線路
と並列に接続されている。なお、このとき、並列共振回
路素子としての誘電体同軸共振器１．・・・の個数は、
複数個に限定されるものではなく、一つであってもよい
。
ところで、これらのキャパシタンス結合素子としての結
合コンデンサ及びバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２及びイ
ンダクタンス結合素子りを有する結合回路のインピーダ
ンスを考えた場合、インダクタンス結合素子りのインピ
ーダンス値ＺｔをＡとすると、結合コンデンサＣ１のイ
ンピーダンス（ｉｚｃ、は−Ａ、また、バイパスコンデ
ンサＣ２のインピーダンス値Ｚ（２は−Ｂで表される。
合コンデンサ及びバイパスコンデンサＣ１、Ｃ２及びイ
ンダクタンス結合素子りを有する結合回路のインピーダ
ンスを考えた場合、インダクタンス結合素子りのインピ
ーダンス値ＺｔをＡとすると、結合コンデンサＣ１のイ
ンピーダンス（ｉｚｃ、は−Ａ、また、バイパスコンデ
ンサＣ２のインピーダンス値Ｚ（２は−Ｂで表される。
そして、このとき、バイパスコンデンサＣ２のインピー
ダンス値ＺＣＺは、結合コンデンサＣＩのインピーダン
ス値ＺＣＩよりも高くなければならないので、Ｂ〉Ａと
なる。
ダンス値ＺＣＺは、結合コンデンサＣＩのインピーダン
ス値ＺＣＩよりも高くなければならないので、Ｂ〉Ａと
なる。
そこで、この結合回路をΔ−Ｙ変換すると、第２図の模
式的な説明図で示すように表されることになり、この図
におけるＺ２は Ｚｚ ＝（ＺＬ −Ｚｃ＋ ）／（Ｚｔ ＋Ｚｃ＋＋
Ｚｃｚ ）＝（−Ａ−Ｂ ）／（−Ｂ ）＝Ａ となる。すなわち、このＺｔはインダクタンス性ヲ有シ
、そのインピーダンス値はインダクタンス結合素子りの
それとほぼ等しくなる。したがって、以上説明した本実
施例の回路構成は第１０図で示した従来例の回路構成と
ほぼ等価となり、このバンドパスフィルタにおいては、
その通過周波数帯域よりも高周波数域側に減衰極が設定
されることになる。
式的な説明図で示すように表されることになり、この図
におけるＺ２は Ｚｚ ＝（ＺＬ −Ｚｃ＋ ）／（Ｚｔ ＋Ｚｃ＋＋
Ｚｃｚ ）＝（−Ａ−Ｂ ）／（−Ｂ ）＝Ａ となる。すなわち、このＺｔはインダクタンス性ヲ有シ
、そのインピーダンス値はインダクタンス結合素子りの
それとほぼ等しくなる。したがって、以上説明した本実
施例の回路構成は第１０図で示した従来例の回路構成と
ほぼ等価となり、このバンドパスフィルタにおいては、
その通過周波数帯域よりも高周波数域側に減衰極が設定
されることになる。
つぎに、第１の実体構造例を示す第３図に基づき、本実
施例に係るバンドパスフィルタの実体構造を説明する。
施例に係るバンドパスフィルタの実体構造を説明する。
なお、この第３図において、従来例に係る第９図（ａ）
、 （ｂ）と互いに同一もしくは相当する部品、部分
には同一符号を付している。
、 （ｂ）と互いに同一もしくは相当する部品、部分
には同一符号を付している。
このバンドパスフィルタは、同一の向きに揃って並列配
置され、かつ、結合端子４がそれぞれ内挿された並列共
振回路素子としての３個の誘電体同軸共振器１．・・・
と、矩形平板状の誘電体基板２と、これらを収納するケ
ース３とを備えている。
置され、かつ、結合端子４がそれぞれ内挿された並列共
振回路素子としての３個の誘電体同軸共振器１．・・・
と、矩形平板状の誘電体基板２と、これらを収納するケ
ース３とを備えている。
そして、この誘電体基板２はケース３内に並列収納され
た誘電体同軸共振器ｌ、・・・の開放端面側に収納され
ており、その表面上には誘電体同軸共振器ｌ、・・・の
それぞれに内挿された各結合端子４を接続するための３
個の結合電極５が、誘電体同軸共振器１．・・・の並列
方向に沿って互いに所定間隔だけ離間した状態で形成さ
れている。また、この誘電体基板２の裏面上には、第４
図で示すように、その表面上に形成された結合電極５．
・・・のうちの両端に位置するものと対向する対向電極
７，７が形成されており、これらの対向電極７，７は一
直線状の導通ライン８を介して接続されている。
た誘電体同軸共振器ｌ、・・・の開放端面側に収納され
ており、その表面上には誘電体同軸共振器ｌ、・・・の
それぞれに内挿された各結合端子４を接続するための３
個の結合電極５が、誘電体同軸共振器１．・・・の並列
方向に沿って互いに所定間隔だけ離間した状態で形成さ
れている。また、この誘電体基板２の裏面上には、第４
図で示すように、その表面上に形成された結合電極５．
・・・のうちの両端に位置するものと対向する対向電極
７，７が形成されており、これらの対向電極７，７は一
直線状の導通ライン８を介して接続されている。
さらに、この誘電体基板２面上の結合電極５゜・・・の
うちの一対間には、第３図で示すように、これらを互い
に接続する屈曲線状とされた配線パターンからなるイン
ダクタンス部１０が、導電ペーストなどの印刷によって
形成されている。すなわち、このインダクタンス部１０
は第１図で示したインダクタンス結合素子りと対応して
おり、結合電極５．・・・と同様に、誘電体同軸共振器
１．・・・の並列方向に沿って形成されていることにな
る。なお、このような配線パターンの形成方法について
は周知であるから、ここでの説明は省略する。そして、
これらの結合電極５．・・・のそれぞれには、各誘電体
同軸共振器１に内挿された結合端子４が半田付けによっ
て固着されている。
うちの一対間には、第３図で示すように、これらを互い
に接続する屈曲線状とされた配線パターンからなるイン
ダクタンス部１０が、導電ペーストなどの印刷によって
形成されている。すなわち、このインダクタンス部１０
は第１図で示したインダクタンス結合素子りと対応して
おり、結合電極５．・・・と同様に、誘電体同軸共振器
１．・・・の並列方向に沿って形成されていることにな
る。なお、このような配線パターンの形成方法について
は周知であるから、ここでの説明は省略する。そして、
これらの結合電極５．・・・のそれぞれには、各誘電体
同軸共振器１に内挿された結合端子４が半田付けによっ
て固着されている。
ところで、以上の説明においては、回路構成におけるイ
ンダクタンス結合素子りを誘電体基板２面上の結合電極
５．５間に形成されたインダクタンス部１０によって実
現するものしているが、これに限定されるものではない
。すなわち、例えば、第５図で示す第２の実体構造例の
ように、誘電体基板２面上の結合電極５．５間にインダ
クタンス結合素子りとしての空心コイル１１を装着し、
その両端それぞれを結合電極５に半田付けすることによ
って再結合電極５．５を接続してもよい。そして、この
ようにすれば、この空心コイル１１も、上述したインダ
クタンス部１０と同様、誘電体同軸共振器１．・・・の
並列方向に沿って装着されていることになり、バンドパ
スフィルタの奥行き方向の寸法には何らの影響もないこ
とになる。
ンダクタンス結合素子りを誘電体基板２面上の結合電極
５．５間に形成されたインダクタンス部１０によって実
現するものしているが、これに限定されるものではない
。すなわち、例えば、第５図で示す第２の実体構造例の
ように、誘電体基板２面上の結合電極５．５間にインダ
クタンス結合素子りとしての空心コイル１１を装着し、
その両端それぞれを結合電極５に半田付けすることによ
って再結合電極５．５を接続してもよい。そして、この
ようにすれば、この空心コイル１１も、上述したインダ
クタンス部１０と同様、誘電体同軸共振器１．・・・の
並列方向に沿って装着されていることになり、バンドパ
スフィルタの奥行き方向の寸法には何らの影響もないこ
とになる。
ところで、この第２の実体構造例を採用した際には、空
心コイル１１が誘電体基板２面上に装着されていること
から、バンドパスフィルタの高さ方向の寸法が高くなっ
てしまい、その低背化を求める要望に反することが考え
られる。そこで、第６図（ａ）で示す第３の実体構造例
のように、並列配置された誘電体同軸共振器１．・・・
間に所定寸法の間隙Ｓを設けたうえ、この間隙Ｓ内に空
心コイル１１を配設する構成を採用してもよい。すなわ
ち、このようにすると、第６図（ｂ）で示すように、空
心コイル１１の高さ位１を低く設定することが可能とな
る結果、バンドパスフィルタの低背化が容易に実現され
ることになる。
心コイル１１が誘電体基板２面上に装着されていること
から、バンドパスフィルタの高さ方向の寸法が高くなっ
てしまい、その低背化を求める要望に反することが考え
られる。そこで、第６図（ａ）で示す第３の実体構造例
のように、並列配置された誘電体同軸共振器１．・・・
間に所定寸法の間隙Ｓを設けたうえ、この間隙Ｓ内に空
心コイル１１を配設する構成を採用してもよい。すなわ
ち、このようにすると、第６図（ｂ）で示すように、空
心コイル１１の高さ位１を低く設定することが可能とな
る結果、バンドパスフィルタの低背化が容易に実現され
ることになる。
さらに、この間隙Ｓ内における空心コイル１１を、第７
図で示すように、誘電体同軸共振器１・・・の軸心方向
、すなわち、バンドパスフィルタの奥行き方向に沿って
配設することにより低背化を実現することも可能である
。そして、空心コイル１１をこのような方向に沿って配
設した場合には、前述した場合よりも、その巻数を増や
すことが容易となる結果、より大きなインダクタンスが
得られるという利点がある。
図で示すように、誘電体同軸共振器１・・・の軸心方向
、すなわち、バンドパスフィルタの奥行き方向に沿って
配設することにより低背化を実現することも可能である
。そして、空心コイル１１をこのような方向に沿って配
設した場合には、前述した場合よりも、その巻数を増や
すことが容易となる結果、より大きなインダクタンスが
得られるという利点がある。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明に係るバンドパスフィルタ
の回路構成及び実体構造によれば、同一の向きに揃って
並列配置された並列共振回路素子としての誘電体同軸共
振器の結合端子が接続される結合電極は、誘電体基板の
一面上で互いに誘電体同軸共振器の並列方向に沿って形
成されている。
の回路構成及び実体構造によれば、同一の向きに揃って
並列配置された並列共振回路素子としての誘電体同軸共
振器の結合端子が接続される結合電極は、誘電体基板の
一面上で互いに誘電体同軸共振器の並列方向に沿って形
成されている。
そして、これらの結合電極間には、減衰極を設定するた
めのインダクタンス結合素子としてのインダクタンス部
もしくは空心コイルが設けられている。ところが、この
とき、これらの結合電極同士の離間間隔は従来例の場合
と大差ないものであるから、インダクタンス部もしくは
空心コイルを設けたことによってバンドパスフィルタの
奥行き方向の寸法が長くなることはない。
めのインダクタンス結合素子としてのインダクタンス部
もしくは空心コイルが設けられている。ところが、この
とき、これらの結合電極同士の離間間隔は従来例の場合
と大差ないものであるから、インダクタンス部もしくは
空心コイルを設けたことによってバンドパスフィルタの
奥行き方向の寸法が長くなることはない。
第１図ないし第７図は本発明の実施例に係り、第１図は
バンドパスフィルタの回路構成を示す等価回路図、第２
図は結合回路の構成を模式化して示す説明図、第３図は
第１の実体構造例を示す概略平面図であり、第４図は誘
電体基板の裏面を示す平面図、第５図は第２の実体構造
例を示す概略平面図である。また、第６図（ａ）は第３
の実体構造例を示す概略平面図、第６図（ｂ）は第６図
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う概略断面図であり、第７図は第
３の実体構造例の変形例を示す概略平面図である。 さらに、第８図ないし第１１図は従来例に係り、第８図
及び第１０図はバンドパスフィルタの回路構成を示す等
価回路図、第９図（ａ）及び第１１図（ａ）はそれぞれ
の実体構造例を示す概略平面図であり、第９図（ｂ）及
び第１１図（ｂ）はその概略断面図である。 図における符号１は誘電体同軸共振器（並列共振回路素
子）、２は誘電体基板、４は結合端子、５は結合電極、
１０はインダクタンス部、１１は空心コイル、Ｃ１は結
合コンデンサ（キャパシタンス結合素子）、Ｌはインダ
クタンス結合素子、Ｃ２はバイパスコンデンサ（キャパ
シタンス結合素子）である。 なお、図中の同一符号は、互いに同一もしくは相当する
部品、部分を示している。
バンドパスフィルタの回路構成を示す等価回路図、第２
図は結合回路の構成を模式化して示す説明図、第３図は
第１の実体構造例を示す概略平面図であり、第４図は誘
電体基板の裏面を示す平面図、第５図は第２の実体構造
例を示す概略平面図である。また、第６図（ａ）は第３
の実体構造例を示す概略平面図、第６図（ｂ）は第６図
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う概略断面図であり、第７図は第
３の実体構造例の変形例を示す概略平面図である。 さらに、第８図ないし第１１図は従来例に係り、第８図
及び第１０図はバンドパスフィルタの回路構成を示す等
価回路図、第９図（ａ）及び第１１図（ａ）はそれぞれ
の実体構造例を示す概略平面図であり、第９図（ｂ）及
び第１１図（ｂ）はその概略断面図である。 図における符号１は誘電体同軸共振器（並列共振回路素
子）、２は誘電体基板、４は結合端子、５は結合電極、
１０はインダクタンス部、１１は空心コイル、Ｃ１は結
合コンデンサ（キャパシタンス結合素子）、Ｌはインダ
クタンス結合素子、Ｃ２はバイパスコンデンサ（キャパ
シタンス結合素子）である。 なお、図中の同一符号は、互いに同一もしくは相当する
部品、部分を示している。
Claims (4)
- （１）結合線路と、並列共振回路素子と、バイパス結合
線路とを備え、 結合線路は、キャパシタンス結合素子とインダクタンス
結合素子とを有し、キャパシタンス結合素子の少なくと
も一つとインダクタンス結合素子の少なくとも一つとは
互いに直列に接続されており、 並列共振回路素子は、その少なくとも一つの一端側が直
列に接続されたキャパシタンス結合素子とインダクタン
ス結合素子との接続部に接続されており、 バイパス結合線路は、キャパシタンス結合素子を有し、
かつ、結合線路と並列に接続されていることを特徴とす
るバンドパスフィルタ。 - （２）同一の向きに揃って並列配置され、かつ、結合端
子が内挿された複数個の誘電体同軸共振器と、各結合端
子を接続する複数の結合電極が一面上に形成された誘電
体基板とを備え、 その一面上の結合電極間には、これらを互いに接続する
インダクタンス部を印刷形成する一方、前記誘電体基板
の他面上には前記結合電極と対向する対向電極を形成し
たことを特徴とする請求項１記載のバンドパスフィルタ
。 - （３）同一の向きに揃って並列配置され、かつ、結合端
子が内挿された複数個の誘電体同軸共振器と、各結合端
子を接続する複数の結合電極が一面上に形成された誘電
体基板とを備え、 その一面上の結合電極間には、これらを互いに接続する
空心コイルを装着する一方、前記誘電体基板の他面上に
は前記結合電極と対向する対向電極を形成したことを特
徴とする請求項１記載のバンドパスフィルタ。 - （４）並列配置された誘電体同軸共振器間に間隙を設け
、この間隙内に空心コイルを配設したことを特徴とする
請求項３記載のバンドパスフィルタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174193A JPH04801A (ja) | 1990-04-17 | 1990-06-29 | バンドパスフィルタ |
| US07/686,193 US5202653A (en) | 1990-04-17 | 1991-04-16 | Band-pass filter including resonance elements coupled by a coupling line and a by-pass coupling line |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-101090 | 1990-04-17 | ||
| JP10109090 | 1990-04-17 | ||
| JP2174193A JPH04801A (ja) | 1990-04-17 | 1990-06-29 | バンドパスフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04801A true JPH04801A (ja) | 1992-01-06 |
Family
ID=26442016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2174193A Pending JPH04801A (ja) | 1990-04-17 | 1990-06-29 | バンドパスフィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5202653A (ja) |
| JP (1) | JPH04801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0569002A2 (en) * | 1992-05-08 | 1993-11-10 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Stripline filter and duplexer filter using the same |
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- 1990-06-29 JP JP2174193A patent/JPH04801A/ja active Pending
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1991
- 1991-04-16 US US07/686,193 patent/US5202653A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5202653A (en) | 1993-04-13 |
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