JPH0491501A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
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- JPH0491501A JPH0491501A JP2209977A JP20997790A JPH0491501A JP H0491501 A JPH0491501 A JP H0491501A JP 2209977 A JP2209977 A JP 2209977A JP 20997790 A JP20997790 A JP 20997790A JP H0491501 A JPH0491501 A JP H0491501A
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- dielectric
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- coupling
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/205—Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
- H01P1/2056—Comb filters or interdigital filters with metallised resonator holes in a dielectric block
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波帯で用いられる、誘電体フィルタに関す
るものである。
るものである。
従来の技術
第2図(a)(blはそれぞれ従来の誘電体フィルタを
示す斜視図及び断面図である。第2図(al (b)に
おいて101 、102 、103 、104はそれぞ
れ1/4波長同軸型誘電体共振器で、共振器101 、
102 、103 。
示す斜視図及び断面図である。第2図(al (b)に
おいて101 、102 、103 、104はそれぞ
れ1/4波長同軸型誘電体共振器で、共振器101 、
102 、103 。
104はBaTi40*系セラミツク粉末を成形して、
その後焼成し、外部及び内部に導体層を形成し、外導体
上部の導体層を除去したちのである。導体層はAgペー
ストの印刷又はデツプて形成している。
その後焼成し、外部及び内部に導体層を形成し、外導体
上部の導体層を除去したちのである。導体層はAgペー
ストの印刷又はデツプて形成している。
又導体層はCuメンキでも良い。105は誘電体基板で
、誘電体基板105にはAl2O5セラミック基板、B
a2Tis02o 系セラミック基板、BaO−Til
□Sm20+系セラミック基板等が用いられる。又誘電
体基板5は第2図(C1(dl (elに示される様に
構成されている。第2図(C1(dl telはそれぞ
れ誘電体基板5の表面図及び、側面図及び裏面図である
。第2図(C1(di (e)に示す様に誘電体基板1
05の表面には導体107108 、118 、120
が設けられ、裏面には導体116゜117 、128
、129が設けられている。113 、114 。
、誘電体基板105にはAl2O5セラミック基板、B
a2Tis02o 系セラミック基板、BaO−Til
□Sm20+系セラミック基板等が用いられる。又誘電
体基板5は第2図(C1(dl (elに示される様に
構成されている。第2図(C1(dl telはそれぞ
れ誘電体基板5の表面図及び、側面図及び裏面図である
。第2図(C1(di (e)に示す様に誘電体基板1
05の表面には導体107108 、118 、120
が設けられ、裏面には導体116゜117 、128
、129が設けられている。113 、114 。
115は空心コイル、121 、122は入出力端子、
124 、125 、126 、127は、中心導体で
ある。この様に構成された誘電体フィルタは導体118
と導体128間及び導体120と導体120間で容量を
構成し、段間結合を空心コイル113 、114 、1
15で結合させ、さらに、有極化のために入出力側の共
振器101 、104と接する段間の共振器102 、
103と入出力端子間を誘電体基板105上に構成した
導体+07と導体116間及び導体108と導体117
間で容量を構成し、第2図(mに示す様に複数の極を作
ることかできる。第2図げ)は従来の誘電体フィルタの
等価回路を示す。
124 、125 、126 、127は、中心導体で
ある。この様に構成された誘電体フィルタは導体118
と導体128間及び導体120と導体120間で容量を
構成し、段間結合を空心コイル113 、114 、1
15で結合させ、さらに、有極化のために入出力側の共
振器101 、104と接する段間の共振器102 、
103と入出力端子間を誘電体基板105上に構成した
導体+07と導体116間及び導体108と導体117
間で容量を構成し、第2図(mに示す様に複数の極を作
ることかできる。第2図げ)は従来の誘電体フィルタの
等価回路を示す。
発明が解決しようとした、課題
しかしなから、上記した従来の誘電体フィルタは、第2
図(a)に示すように、共振器の段間結合にコイル(空
心コイル)を用いるため、実装スペースが必要で、フィ
ルタの高さ方向の小型化を困難にしていた。また、コイ
ルを基板上に実装しなければならなく、フィルタの組み
立てに、非常に工数がかかっていた。さらに、コイルの
インダクタンスのバラツキか非常に大きく、組み立てた
のち、コイルのインダクタンス調整をしなければならな
く、調整か非常に難しく、量産性か著しく悪かった。
図(a)に示すように、共振器の段間結合にコイル(空
心コイル)を用いるため、実装スペースが必要で、フィ
ルタの高さ方向の小型化を困難にしていた。また、コイ
ルを基板上に実装しなければならなく、フィルタの組み
立てに、非常に工数がかかっていた。さらに、コイルの
インダクタンスのバラツキか非常に大きく、組み立てた
のち、コイルのインダクタンス調整をしなければならな
く、調整か非常に難しく、量産性か著しく悪かった。
また、上記問題点を解決するために、従来より、もちい
られている方法としては、コイルを基板上にパターン化
する方法かあるか、従来の回路構成(第2図(b))で
は、パターン化したコイルのQか10 (900MH,
)ぐらいしかとれず、とうしても、フィルタの挿入損失
か、著しく増加するという問題点かあった。
られている方法としては、コイルを基板上にパターン化
する方法かあるか、従来の回路構成(第2図(b))で
は、パターン化したコイルのQか10 (900MH,
)ぐらいしかとれず、とうしても、フィルタの挿入損失
か、著しく増加するという問題点かあった。
本発明は、従来の誘電体フィルタに較へ、量産性にすぐ
れ、かつ小型化を可能とした構造の有極化構造の誘電体
フィルタを提供することを目的とした、。
れ、かつ小型化を可能とした構造の有極化構造の誘電体
フィルタを提供することを目的とした、。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明は、3個以上の同軸
型誘電体共振器から構成される誘電体フィルタにおいて
、各共振器の段間結合回路を誘電体基板上に構成した導
体の間の容量で結合し、入出力結合回路を前記誘電体基
板上に構成したインダクタンス線路で結合、さらに、入
出力側共振器と接する段間共振器と入出力端子間を前記
誘電体基板上−に構成した導体間の容量で結合させる構
成のものである。
型誘電体共振器から構成される誘電体フィルタにおいて
、各共振器の段間結合回路を誘電体基板上に構成した導
体の間の容量で結合し、入出力結合回路を前記誘電体基
板上に構成したインダクタンス線路で結合、さらに、入
出力側共振器と接する段間共振器と入出力端子間を前記
誘電体基板上−に構成した導体間の容量で結合させる構
成のものである。
作用
上記構成により、−枚の誘電体基板上に線路と導体で、
インダクタンスと容量を実現し共振器間の段間結合回路
を容量で結合し、入出力結合回路をインプラ・タンス線
路で結合し、さらに、入出力共振器と接する段間共振器
と入出力端子間を前記誘電体基板上に構成した導体間の
容量で結合させることにより、フィルタの高域減衰域に
複数の極を形成することかできる。
インダクタンスと容量を実現し共振器間の段間結合回路
を容量で結合し、入出力結合回路をインプラ・タンス線
路で結合し、さらに、入出力共振器と接する段間共振器
と入出力端子間を前記誘電体基板上に構成した導体間の
容量で結合させることにより、フィルタの高域減衰域に
複数の極を形成することかできる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する↓第
1図Ta)(b)は本発明のフィルタの全体斜視図及び
断面図を示し、1〜4はBaTiaOs系セラミックか
らなるl/4波長同軸型誘電体共振器で、BaTiaO
s系粉末を成形し、その後焼成し、外部及び内部に導体
層を形成し、外導体上部面の導体層を除去したものであ
る。
1図Ta)(b)は本発明のフィルタの全体斜視図及び
断面図を示し、1〜4はBaTiaOs系セラミックか
らなるl/4波長同軸型誘電体共振器で、BaTiaO
s系粉末を成形し、その後焼成し、外部及び内部に導体
層を形成し、外導体上部面の導体層を除去したものであ
る。
導体層はAgペーストの印刷又はデツプて形成している
。またはCuメツキてもよい。
。またはCuメツキてもよい。
5は誘電体基板で第1図fcl (di (elの様に
構成されている。第1図(c)(d)fe)はそれぞれ
表面図、側面図及び裏面図である。例えば、Al2O,
セラミック基板(厚さ0.6mm)上にAgメタライズ
により、第1図げ)に示した等価回路の入出力回路の誘
電性結合部(旧、42)をインダクタンス線路(導体1
1.12は誘電体基板のスルーホール(36,37)部
を通して、導体38.39へ接続され、さらに、入出力
端子穴34゜35と導通している。)で実現し、段間結
合回路の容量性結合部(48,49,50)を導体部分
(導体6と7.7と8.8と9の導体間Gap容量)で
実現し、さらに入出力側共振器(1゜4)と接する段間
共振器(2,3)と入出力端子(21,22)とを結合
させる容量性結合部(46,47)を導体部分(導体7
と16.8と17の導体間容量)で実現したものである
。
構成されている。第1図(c)(d)fe)はそれぞれ
表面図、側面図及び裏面図である。例えば、Al2O,
セラミック基板(厚さ0.6mm)上にAgメタライズ
により、第1図げ)に示した等価回路の入出力回路の誘
電性結合部(旧、42)をインダクタンス線路(導体1
1.12は誘電体基板のスルーホール(36,37)部
を通して、導体38.39へ接続され、さらに、入出力
端子穴34゜35と導通している。)で実現し、段間結
合回路の容量性結合部(48,49,50)を導体部分
(導体6と7.7と8.8と9の導体間Gap容量)で
実現し、さらに入出力側共振器(1゜4)と接する段間
共振器(2,3)と入出力端子(21,22)とを結合
させる容量性結合部(46,47)を導体部分(導体7
と16.8と17の導体間容量)で実現したものである
。
誘電体基板はBazTi*02゜系セラミック基板又は
BaOTi02SmzOs系セラミック基板等、誘電率
の高い材料を用いてもよい。
BaOTi02SmzOs系セラミック基板等、誘電率
の高い材料を用いてもよい。
また、セラミック基板の代わりに、両面鋼張りプリント
基板をエツチングしてインダクタンス線路及び、導体部
分を作成し、容量性結合部で容量値か不足する場合は、
コンデンサーを実装してもよい。
基板をエツチングしてインダクタンス線路及び、導体部
分を作成し、容量性結合部で容量値か不足する場合は、
コンデンサーを実装してもよい。
誘電体基板5と各共振器(1〜4)の内導体部分の電気
的、機械的に接続するために、各共振器(1〜4)の内
導体部分に0.2’mm厚みのリン精銅板を加工して作
成した中心導体(24〜27)を挿入し、内導体部分と
半田で接続し、その中心導体のもう1方の先端部は誘電
体基板5の中心導体穴(30〜33)に挿入し、半田で
接続されている。また、誘電体基板5と各共振器(I〜
4)の内導体部分との接続は半田付けてもよいか、圧入
てもよい。
的、機械的に接続するために、各共振器(1〜4)の内
導体部分に0.2’mm厚みのリン精銅板を加工して作
成した中心導体(24〜27)を挿入し、内導体部分と
半田で接続し、その中心導体のもう1方の先端部は誘電
体基板5の中心導体穴(30〜33)に挿入し、半田で
接続されている。また、誘電体基板5と各共振器(I〜
4)の内導体部分との接続は半田付けてもよいか、圧入
てもよい。
21、22は入出力端子で、金属より構成され、誘電体
基板上の入出力端子穴(34,35)に挿入し、半田で
固定されている。
基板上の入出力端子穴(34,35)に挿入し、半田で
固定されている。
23はケースで金属で構成されて、各共振器(1〜4)
の側面と半田て接続されている。
の側面と半田て接続されている。
この構成のように、フィルタの入出力結合回路(入出力
端子(21,22)と共振器(1,4)との結合回路を
誘電体基板上にインダクタンス線路をパターン化し、誘
電性結合とし、段間結合回路(共振器Iと2.2と3.
3と4間の結合回路)を前記誘電体基板上に形成した導
体間のGap容量で容量性結合とし、さらに、入出力側
共振器(1,4)と接する段間共振器(2,3)と入出
力端子(21,22)とを前記誘電体基板上に形成した
導体の導体間容量で容量性結合させ、この場合、入出力
端子(21)と段間共振器(2)との結合容量値(46
)を出力端子(22)と段間共振器(3)との結合容量
値(47)のほぼ2倍の値にすることにより、第1図(
mに示すように、フィルタの高域減衰域に複数の極を形
成することができる。
端子(21,22)と共振器(1,4)との結合回路を
誘電体基板上にインダクタンス線路をパターン化し、誘
電性結合とし、段間結合回路(共振器Iと2.2と3.
3と4間の結合回路)を前記誘電体基板上に形成した導
体間のGap容量で容量性結合とし、さらに、入出力側
共振器(1,4)と接する段間共振器(2,3)と入出
力端子(21,22)とを前記誘電体基板上に形成した
導体の導体間容量で容量性結合させ、この場合、入出力
端子(21)と段間共振器(2)との結合容量値(46
)を出力端子(22)と段間共振器(3)との結合容量
値(47)のほぼ2倍の値にすることにより、第1図(
mに示すように、フィルタの高域減衰域に複数の極を形
成することができる。
また、フィルタの挿入損失は、入出力結合回路にコイル
(空心コイル)を用いても、誘電体基板上にパターン化
しても、同しである。
(空心コイル)を用いても、誘電体基板上にパターン化
しても、同しである。
なお、第1表に本発明例と従来例において、誘電性結合
回路部を空心コイル及びインダクタンス線路(基板上に
パターン化したもの)を用いた場合のフィルタの挿入損
失を示す。
回路部を空心コイル及びインダクタンス線路(基板上に
パターン化したもの)を用いた場合のフィルタの挿入損
失を示す。
(以下余白)
第1表
(フィルタの横1ffl(1mは同じとした、。
)発明の効果
以上、述べたように、本発明は従来の有極化誘電体フィ
ルタのように、段間結合回路にコイル(空心コイル)を
用いることなく、入出力結合回路を一枚の誘電体基板上
に構成したインダクタンス線路で結合させ、段間結合回
路を前記誘電体基板上に構成した導体間容量で結合させ
、さらに、入出力側共振器と接する段間共振器と入出力
端子とを前記誘電体基板上に構成した導体間容量で結合
させることにより、フィルタの帯域内挿入損失を増加さ
せることなく、フィルタの高域減衰域に複数の極を形成
することかできる。
ルタのように、段間結合回路にコイル(空心コイル)を
用いることなく、入出力結合回路を一枚の誘電体基板上
に構成したインダクタンス線路で結合させ、段間結合回
路を前記誘電体基板上に構成した導体間容量で結合させ
、さらに、入出力側共振器と接する段間共振器と入出力
端子とを前記誘電体基板上に構成した導体間容量で結合
させることにより、フィルタの帯域内挿入損失を増加さ
せることなく、フィルタの高域減衰域に複数の極を形成
することかできる。
従来の有極化誘電体フィルタに比較して、小型化が可能
となり、また、構成部品か削減でき、低コストが可能と
なり、さらに、誘電体基板上にインダクタンス及び容量
を構成することかでき、特性バラツキを低減でき、量産
性に優れたものとなり、その工業的価値は極めて大きい
ものである。
となり、また、構成部品か削減でき、低コストが可能と
なり、さらに、誘電体基板上にインダクタンス及び容量
を構成することかでき、特性バラツキを低減でき、量産
性に優れたものとなり、その工業的価値は極めて大きい
ものである。
第1図(a)は、本発明の一実施例における誘電体フィ
ルタの全体斜視図、第1図(blは、第1図(a)のA
−A断面図、第1図(C)(dJ(e+は、誘電体基板
の表面図、側面図及び裏面図、第1図げ)はその等価回
路、第1図(80はその特性−ψ2 第2図(alは従来の誘電体フィルタの全体斜視図、第
2図(b)は、第2図(a)のB−B断面図、第2図(
C)(d)fe)1〜4・・・・・・同軸型誘電体共振
器、5・・・・・・誘電体基板、6〜9・・・・・・導
体、11〜12・・・・・インダクタンス線路、13〜
15・・・・・・コイル、16〜20・・・・・・導体
、21〜22・・・・・・入出力端子、23・・・・・
・ケース、24〜27・・・・・・中心導体、28〜2
9・・・・・・導体、30〜33・・・・・・中心導体
穴、34〜35・・・・・入出力端子穴、36〜37・
・・・・・スルーホール、38〜39・・・・・・導体
、40・・・・・・アース端子、41〜45・・・・・
・誘導性素子、46〜52・・・・・・容量性素子。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名図 第1図 (C) ++ (,1) (f:I) (e) 第 図 第 図 川 濃 tl[(+’1MzJ (C) (d) (e) 第 図 (ロ) (b)
ルタの全体斜視図、第1図(blは、第1図(a)のA
−A断面図、第1図(C)(dJ(e+は、誘電体基板
の表面図、側面図及び裏面図、第1図げ)はその等価回
路、第1図(80はその特性−ψ2 第2図(alは従来の誘電体フィルタの全体斜視図、第
2図(b)は、第2図(a)のB−B断面図、第2図(
C)(d)fe)1〜4・・・・・・同軸型誘電体共振
器、5・・・・・・誘電体基板、6〜9・・・・・・導
体、11〜12・・・・・インダクタンス線路、13〜
15・・・・・・コイル、16〜20・・・・・・導体
、21〜22・・・・・・入出力端子、23・・・・・
・ケース、24〜27・・・・・・中心導体、28〜2
9・・・・・・導体、30〜33・・・・・・中心導体
穴、34〜35・・・・・入出力端子穴、36〜37・
・・・・・スルーホール、38〜39・・・・・・導体
、40・・・・・・アース端子、41〜45・・・・・
・誘導性素子、46〜52・・・・・・容量性素子。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名図 第1図 (C) ++ (,1) (f:I) (e) 第 図 第 図 川 濃 tl[(+’1MzJ (C) (d) (e) 第 図 (ロ) (b)
Claims (2)
- (1)外導体及び内導体からなる、一端開放、他端短絡
の同軸型誘電体共振器を3個以上配列し、構成される誘
電体フィルタにおいて、各共振器の段間結合回路を容量
性結合とし、入出力結合回路を誘電体結合とし、さらに
、入出力側共振器と接する段間共振器と入出力端子間を
容量性結合させることにより高域減衰域に複数の極を形
成することを特徴とした誘電体フィルタ。 - (2)前記誘電性結合及び、容量性結合を一枚の誘電体
基板上に構成した、インダクタンス線路と導体間容量で
、行なわせることを特徴とした、特許請求の範囲第1項
記載の誘電体フィルタ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2209977A JPH0491501A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 誘電体フィルタ |
US07/739,271 US5239280A (en) | 1990-08-07 | 1991-08-01 | Dielectric filter having inductive input/output coupling |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2209977A JPH0491501A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0491501A true JPH0491501A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16581817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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