JPH04113713A - 光結合検出装置 - Google Patents
光結合検出装置Info
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- JPH04113713A JPH04113713A JP2232357A JP23235790A JPH04113713A JP H04113713 A JPH04113713 A JP H04113713A JP 2232357 A JP2232357 A JP 2232357A JP 23235790 A JP23235790 A JP 23235790A JP H04113713 A JPH04113713 A JP H04113713A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V8/00—Prospecting or detecting by optical means
- G01V8/10—Detecting, e.g. by using light barriers
- G01V8/12—Detecting, e.g. by using light barriers using one transmitter and one receiver
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- Electronic Switches (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明は、光結合の有無に応じて物体検出を行うための
光結合検出装置に係り、特に発光素子および受光素子に
半導体素子を利用した光結合検出装置に関する。
光結合検出装置に係り、特に発光素子および受光素子に
半導体素子を利用した光結合検出装置に関する。
（従来の技術）
従来の光結合検出装置としては、例えば第４図に示すよ
うな２端子型検出装置か知られている。
うな２端子型検出装置か知られている。
この２端子型検出装置は、全体が一体的に形成されてお
り、外部端子として電源端子１と出力端子２との２端子
を有する。この２端子型検出装置において、発光素子３
および受光素子４は、所定の位置における検出対象とな
る物体（図示せず）の存否に応じて光結合の有無か定め
られるように配設されている。上記発光素子３は、前記
電源端子１と出力端子２との間に抵抗Ｒ１と直列に接続
されている。上記受光素子４の光電変換出力信号（例え
ばフォトダイオードの電流出力）は、電源端子１から動
作電源か供給される増幅回路５に入力され、この増幅回
路５の出力によりスイッチング制御されるスイッチ素子
（例えばＮＰＮ トランジスタ）６は前記抵抗Ｒ１に並
列に接続されている。この場合、スイッチ用トランジス
タ６のコレクタは発光素子３のカソードに接続されてお
り、この発光素子３のアノードは電源端子１に接続され
ている。なお、上記受光素子４、増幅回路５、スイッチ
素子６および抵抗Ｒ１は受光部７を形成している。
り、外部端子として電源端子１と出力端子２との２端子
を有する。この２端子型検出装置において、発光素子３
および受光素子４は、所定の位置における検出対象とな
る物体（図示せず）の存否に応じて光結合の有無か定め
られるように配設されている。上記発光素子３は、前記
電源端子１と出力端子２との間に抵抗Ｒ１と直列に接続
されている。上記受光素子４の光電変換出力信号（例え
ばフォトダイオードの電流出力）は、電源端子１から動
作電源か供給される増幅回路５に入力され、この増幅回
路５の出力によりスイッチング制御されるスイッチ素子
（例えばＮＰＮ トランジスタ）６は前記抵抗Ｒ１に並
列に接続されている。この場合、スイッチ用トランジス
タ６のコレクタは発光素子３のカソードに接続されてお
り、この発光素子３のアノードは電源端子１に接続され
ている。なお、上記受光素子４、増幅回路５、スイッチ
素子６および抵抗Ｒ１は受光部７を形成している。
次に、上記２端子型検出装置の使用方法と動作について
説明する。出力端子２と外部の接地電位ＧＮＤＯ間に負
荷抵抗（外部抵抗）ＲＬを接続し、電源端子１に電源電
圧Ｖｃｃを印加する。これにより、受光素子３は駆動電
流か供給されて受光し、受光素子４は発光素子３との光
結合の有無に応じて定まる信号を出力し、この出力信号
は増幅回路５で増幅され、スイッチ用トランジスタ６は
発光素子３と受光素子４との光結合の有無に応じて増幅
回路５の出力によりオン／オフされる。
説明する。出力端子２と外部の接地電位ＧＮＤＯ間に負
荷抵抗（外部抵抗）ＲＬを接続し、電源端子１に電源電
圧Ｖｃｃを印加する。これにより、受光素子３は駆動電
流か供給されて受光し、受光素子４は発光素子３との光
結合の有無に応じて定まる信号を出力し、この出力信号
は増幅回路５で増幅され、スイッチ用トランジスタ６は
発光素子３と受光素子４との光結合の有無に応じて増幅
回路５の出力によりオン／オフされる。
即ち、発光素子３と受光素子４との間に物体がない場合
（受光素子は入光状態）には、スイッチ用トランジスタ
６はベース電流が十分に供給されてオンし、そのコレク
タ・エミッタ間は飽和状態に入る。このコレクタ・エミ
ッタ間飽和電圧をＶ ＣＥ（ｓａｔ） 、発光素子３の
順方向電圧をＶＰで表わすと、出力端子２の出力電圧ｖ
ｏは、Ｖｏ＝Ｖｃｃ−ＶＦ −ＶＣＥ（ｓａｔ） −
・−＝（１）となる。
（受光素子は入光状態）には、スイッチ用トランジスタ
６はベース電流が十分に供給されてオンし、そのコレク
タ・エミッタ間は飽和状態に入る。このコレクタ・エミ
ッタ間飽和電圧をＶ ＣＥ（ｓａｔ） 、発光素子３の
順方向電圧をＶＰで表わすと、出力端子２の出力電圧ｖ
ｏは、Ｖｏ＝Ｖｃｃ−ＶＦ −ＶＣＥ（ｓａｔ） −
・−＝（１）となる。
上記とは逆に、発光素子３と受光素子４との間に物体が
ある場合（受光素子４は遮光状態）には、スイッチ用ト
ランジスタ６がオフになる。従って、発光素子３を流れ
る電流ＩＰは抵抗Ｒ１から外部の負荷抵抗Ｒ０へと流れ
るので、出力電圧ＶＯは、Ｖｏ −（Ｖｃｃ−ＶＦ
） ／ （１＋Ｒ１／ＲＬ ）・・・・・・
（２） となる。ここで、Ｒ１＞ＲＬとなるよう定数を選ふと（
１）式〉（２）式となり、発光素子・受光素子間の物体
の有無により、出力電圧Ｖｏが変化することになり、こ
の出力電圧ＶＯの変化により物体の有無を検出すること
かできる。
ある場合（受光素子４は遮光状態）には、スイッチ用ト
ランジスタ６がオフになる。従って、発光素子３を流れ
る電流ＩＰは抵抗Ｒ１から外部の負荷抵抗Ｒ０へと流れ
るので、出力電圧ＶＯは、Ｖｏ −（Ｖｃｃ−ＶＦ
） ／ （１＋Ｒ１／ＲＬ ）・・・・・・
（２） となる。ここで、Ｒ１＞ＲＬとなるよう定数を選ふと（
１）式〉（２）式となり、発光素子・受光素子間の物体
の有無により、出力電圧Ｖｏが変化することになり、こ
の出力電圧ＶＯの変化により物体の有無を検出すること
かできる。
しかし、上記したような従来の２端子型検出装置は、以
下に述べるような理由により電源電圧ＶＣＣの使用範囲
が限られていた。即ち、発光素子３と受光素子４との間
に物体がある場合に、出力電圧ＶＯは（２）式で与えら
れるが、この時、発光素子３を流れる電流ＩＦは、 Ｉ Ｆ ＝ （Ｖｃｃ−ＶＦ ） ／ （Ｒ１＋ＲＬ
） ・・（３）で与えられ、電源電圧ＶＣＣの使用範
囲が広い場合、発光素子３の順方向電圧ＶＦはほぼ一定
であるが、発光素子３を流れる電流ＩＦが大きく変化す
ることか分かる。数値例をあげると、 ＶＰ−２Ｖ、Ｒ，＝１ ｋΩ、ＲＬ−３００Ωとすると
、（３）式より、 Ｖｃｃ−５Ｖの時、 ＩＰ−２，３１ｍＡＶｃｃ−２
４Ｖの時、ＩＦ−１６，９ｍＡとなり、電源電圧ＶＣＣ
が約５倍変化した場合に、発光素子電流ＩＦが約７倍も
変化してしまう。
下に述べるような理由により電源電圧ＶＣＣの使用範囲
が限られていた。即ち、発光素子３と受光素子４との間
に物体がある場合に、出力電圧ＶＯは（２）式で与えら
れるが、この時、発光素子３を流れる電流ＩＦは、 Ｉ Ｆ ＝ （Ｖｃｃ−ＶＦ ） ／ （Ｒ１＋ＲＬ
） ・・（３）で与えられ、電源電圧ＶＣＣの使用範
囲が広い場合、発光素子３の順方向電圧ＶＦはほぼ一定
であるが、発光素子３を流れる電流ＩＦが大きく変化す
ることか分かる。数値例をあげると、 ＶＰ−２Ｖ、Ｒ，＝１ ｋΩ、ＲＬ−３００Ωとすると
、（３）式より、 Ｖｃｃ−５Ｖの時、 ＩＰ−２，３１ｍＡＶｃｃ−２
４Ｖの時、ＩＦ−１６，９ｍＡとなり、電源電圧ＶＣＣ
が約５倍変化した場合に、発光素子電流ＩＦが約７倍も
変化してしまう。
従って、使用電源電圧によっては発光素子電流ＩＦが大
きくなるので、発光素子３に負荷がかかり過ぎ、その特
性の劣化を起こしたり、逆に、発光素子電流ＩＦが小さ
くなる場合には、発光素子・受光素子間の光結合か弱く
なって物体検出の正常動作が難しくなる等の問題があっ
た。
きくなるので、発光素子３に負荷がかかり過ぎ、その特
性の劣化を起こしたり、逆に、発光素子電流ＩＦが小さ
くなる場合には、発光素子・受光素子間の光結合か弱く
なって物体検出の正常動作が難しくなる等の問題があっ
た。
（発明が解決しようとする課題）
上記したように従来の光結合検出装置は、電源電圧使用
範囲が広い場合に発光素子電流が大きく変化し、発光素
子電流が大きくなる場合には発光素子に負荷かかかり過
ぎてその特性の劣化を起こし、発光素子電流が小さくな
る場合には発光素子・受光素子間の光結合が弱くなって
物体検出の正常動作が難しくなる等の問題があるので、
電源電圧の使用範囲が限られていた。
範囲が広い場合に発光素子電流が大きく変化し、発光素
子電流が大きくなる場合には発光素子に負荷かかかり過
ぎてその特性の劣化を起こし、発光素子電流が小さくな
る場合には発光素子・受光素子間の光結合が弱くなって
物体検出の正常動作が難しくなる等の問題があるので、
電源電圧の使用範囲が限られていた。
本発明は、上記問題点を解決すべくなされたものて、そ
の目的は、発光素子に適度で一定の順方向電流を流すこ
とか可能になり、電源電圧の大小にかかわらす動作か可
能になり、電源電圧の使用範囲を拡大し得る光結合検出
装置を提供することにある。
の目的は、発光素子に適度で一定の順方向電流を流すこ
とか可能になり、電源電圧の大小にかかわらす動作か可
能になり、電源電圧の使用範囲を拡大し得る光結合検出
装置を提供することにある。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
第１の発明は、発光素子上受光素子との光結合の有無に
応じて物体検出を行うだめの光結合検出装置において、
電源端子と出力端子との間で前記発光素子に直列に接続
された定電流回路と、この定電流回路に並列に接続され
、前記光結合の有無に応じて受光素子の光電変換出力信
号によりスイッチング制御されるスイッチ素子とを具備
することを特徴とする。
応じて物体検出を行うだめの光結合検出装置において、
電源端子と出力端子との間で前記発光素子に直列に接続
された定電流回路と、この定電流回路に並列に接続され
、前記光結合の有無に応じて受光素子の光電変換出力信
号によりスイッチング制御されるスイッチ素子とを具備
することを特徴とする。
第２の発明は、発光素子と受光素子との光結合の有無に
応じて物体検出を行うための光結合検出装置において、
電源端子と出力端子との間に直列に接続された少なくと
も１個以上のダイオードおよび定電流口路と、この定電
流回路に並列に接続され、前記光結合の有無に応じて受
光素子の光電変換出力信号によりスイッチング制御され
るスイッチ素子と、前記発光素子の両端側にそれぞれ接
続された一対の駆動電流印加端子とを具備することを特
徴とする。
応じて物体検出を行うための光結合検出装置において、
電源端子と出力端子との間に直列に接続された少なくと
も１個以上のダイオードおよび定電流口路と、この定電
流回路に並列に接続され、前記光結合の有無に応じて受
光素子の光電変換出力信号によりスイッチング制御され
るスイッチ素子と、前記発光素子の両端側にそれぞれ接
続された一対の駆動電流印加端子とを具備することを特
徴とする。
（作 用）
発光素子に適度で一定の順方向電流を流すことが可能に
なり、電源電圧の大小に拘らずに正常な動作が可能にな
り、電源電圧の使用範囲を拡大することが可能になる。
なり、電源電圧の大小に拘らずに正常な動作が可能にな
り、電源電圧の使用範囲を拡大することが可能になる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の光結合検出装置の第１一実施例に係
る２端子型検出装置１０を示しており、第４図を参照し
て前述した従来の２端子型検出装置と比べて、抵ＩＬＲ
＋に代えて定電流回路２ｏが接続されている点が異なり
、その他の回路構成とが、全体が一体的に形成されて外
部端子として電源端子１と出力端子２との２端子を有す
る点は同じであるので、第４図中と同一部分には同一符
号を付してその説明を省略する。
る２端子型検出装置１０を示しており、第４図を参照し
て前述した従来の２端子型検出装置と比べて、抵ＩＬＲ
＋に代えて定電流回路２ｏが接続されている点が異なり
、その他の回路構成とが、全体が一体的に形成されて外
部端子として電源端子１と出力端子２との２端子を有す
る点は同じであるので、第４図中と同一部分には同一符
号を付してその説明を省略する。
上記２端子型検出装Ｗ１ｏの使用方法は従来例と同様で
あり、その動作も従来例とほぼ同様であるか、定電流回
路２ｏを接続したことにより、電源電圧ＶＣＣの大きさ
に依存せず（但し、ＶＣＣ≧Ｖ Ｆ ＋ Ｖ ＣＥ（ｓ
ａｔ）とする。）、発光素子３に適度で一定の電流ＩＰ
を流すことが可能になり、電源電圧Ｖｃｃの大小に拘ら
ずに正常な動作が可能になる。
あり、その動作も従来例とほぼ同様であるか、定電流回
路２ｏを接続したことにより、電源電圧ＶＣＣの大きさ
に依存せず（但し、ＶＣＣ≧Ｖ Ｆ ＋ Ｖ ＣＥ（ｓ
ａｔ）とする。）、発光素子３に適度で一定の電流ＩＰ
を流すことが可能になり、電源電圧Ｖｃｃの大小に拘ら
ずに正常な動作が可能になる。
第２図は、第１図中の電源端子１、出力端子２、発光素
子３、スイッチ用トランジスタ６と共に定電流回路２０
の一具体例を示している。定電流回路２０は、エミッタ
が電源端子１に接続され、ベース・コレクタ相互が接続
されたＰＮＰ ）ランジスタＱ１と、エミッタおよびベ
ースが上記トランジスタＱ１と共通接続されたＰＮＰ
トランジスタＱ２と、上記トランジスタＱ１のコレクタ
と前記発光素子３のカソードとの間に接続された抵抗Ｒ
２と、上記トランジスタＱ２とコレクタ同士が接続され
、コレクタ・ベース相互が接続され、エミッタが出力端
子２に接続されたＮＰＮ トランジスタＱ３と、ベース
およびエミッタが上記トランジスタＱ３と接続され、コ
レクタが前記発光素子３のカソードに接続されたＮＰＮ
Ｉ−ランジスタＱ４とからなる。
子３、スイッチ用トランジスタ６と共に定電流回路２０
の一具体例を示している。定電流回路２０は、エミッタ
が電源端子１に接続され、ベース・コレクタ相互が接続
されたＰＮＰ ）ランジスタＱ１と、エミッタおよびベ
ースが上記トランジスタＱ１と共通接続されたＰＮＰ
トランジスタＱ２と、上記トランジスタＱ１のコレクタ
と前記発光素子３のカソードとの間に接続された抵抗Ｒ
２と、上記トランジスタＱ２とコレクタ同士が接続され
、コレクタ・ベース相互が接続され、エミッタが出力端
子２に接続されたＮＰＮ トランジスタＱ３と、ベース
およびエミッタが上記トランジスタＱ３と接続され、コ
レクタが前記発光素子３のカソードに接続されたＮＰＮ
Ｉ−ランジスタＱ４とからなる。
ここで、トランジスタＱ１のベースΦエミッタ間電圧を
ＶＢＥで表わすと、トランジスタＱ１を流れる電流ＩＩ
は、 １ｌ−（ｖＦ−ｖＢＥ）／Ｒ２・・・・・・（４）で与
えられる。この電流１．が基準電流であり、この電流１
１は発光素子３の順方向電圧ＶＦにより決定される。一
方、トランジスタＱ１とＱ２、トランジスタＱ３とＱ４
はそれぞれカレントミラー回路を形成しており、トラン
ジスタＱ１とＱ２のエミツタ面積比を１：ｍ、トランジ
スタＱ３とＱ４のエミツタ面積比を１：ｎとし、それぞ
れのトランジスタの電流増幅率ｈＦＥがエミツタ面積比
ｍ、ｎに比べて十分大きいとすると、トランジスタＱ４
を流れる電流Ｉ４は、 １ ４−ｍＸｎＸ１＋ ＝ｍ −ｎ ・ （ＶＰ ＶＢＥ）／Ｒ２−（
５）であり、これにより発光素子３に一定の電流Ｉ４を
流すことかできる。
ＶＢＥで表わすと、トランジスタＱ１を流れる電流ＩＩ
は、 １ｌ−（ｖＦ−ｖＢＥ）／Ｒ２・・・・・・（４）で与
えられる。この電流１．が基準電流であり、この電流１
１は発光素子３の順方向電圧ＶＦにより決定される。一
方、トランジスタＱ１とＱ２、トランジスタＱ３とＱ４
はそれぞれカレントミラー回路を形成しており、トラン
ジスタＱ１とＱ２のエミツタ面積比を１：ｍ、トランジ
スタＱ３とＱ４のエミツタ面積比を１：ｎとし、それぞ
れのトランジスタの電流増幅率ｈＦＥがエミツタ面積比
ｍ、ｎに比べて十分大きいとすると、トランジスタＱ４
を流れる電流Ｉ４は、 １ ４−ｍＸｎＸ１＋ ＝ｍ −ｎ ・ （ＶＰ ＶＢＥ）／Ｒ２−（
５）であり、これにより発光素子３に一定の電流Ｉ４を
流すことかできる。
上記した定電流回路２０のように、定電流回路２０の基
準電流１１を決定させるための基準電圧源に発光素子３
の順方向電圧ＶＦを用いることにより、回路の簡素化、
消費電流の低減化か可能になる。
準電流１１を決定させるための基準電圧源に発光素子３
の順方向電圧ＶＦを用いることにより、回路の簡素化、
消費電流の低減化か可能になる。
第３図は、本発明の第２実施例に係る４端子型検出装置
３０を示しており、第１図を参照して前述した２端子型
検出装置１０と比べて、電源端子１と出力端子２との間
の発光素子３に代えて少なくとも１個以上のダイオード
Ｄか接続され、発光素子３の両端側にそれぞれ接続され
た一対の駆動電流印加端子８．９を有し、外部端子とし
て、電源端子１と出力端子２と上記一対の駆動電流印加
端子８．９との４端子を有する点か異なり、その他は同
しであるので、第１図中と同一部分には同一符号を付し
てその説明を省略する。
３０を示しており、第１図を参照して前述した２端子型
検出装置１０と比べて、電源端子１と出力端子２との間
の発光素子３に代えて少なくとも１個以上のダイオード
Ｄか接続され、発光素子３の両端側にそれぞれ接続され
た一対の駆動電流印加端子８．９を有し、外部端子とし
て、電源端子１と出力端子２と上記一対の駆動電流印加
端子８．９との４端子を有する点か異なり、その他は同
しであるので、第１図中と同一部分には同一符号を付し
てその説明を省略する。
この４端子型検出装置３０の使用方法および動作は、基
本的には、前述した２端子型検出装置１０と同様である
が、発光素子３を独立に駆動することができ、出力電圧
ＶＯの取り得る最大値は、ダイオ−１０部の順方向電圧
をＶＦ’ で表わすと、Ｖｏ −Ｖｃｃ −ＶＦ ’
−ＶＣＥ（ｓａｔ） −（６）である。即ち、前述
した２端子型検出装置１０の出力電圧ＶＯは発光素子３
の順方向電圧ＶＦにより一義的に決定されるのに対して
、上記４端子型検出装置３０では、接続するダイオード
Ｄの個数により順方向電圧ＶＦ’ を変更して８カ電圧
ＶＯの取り得る最大値を変更することができる。但し、
ＶＰ ’ −ＶＣＥ（ｓａｔ）の電圧で増幅回路５が動
作することが前提である。
本的には、前述した２端子型検出装置１０と同様である
が、発光素子３を独立に駆動することができ、出力電圧
ＶＯの取り得る最大値は、ダイオ−１０部の順方向電圧
をＶＦ’ で表わすと、Ｖｏ −Ｖｃｃ −ＶＦ ’
−ＶＣＥ（ｓａｔ） −（６）である。即ち、前述
した２端子型検出装置１０の出力電圧ＶＯは発光素子３
の順方向電圧ＶＦにより一義的に決定されるのに対して
、上記４端子型検出装置３０では、接続するダイオード
Ｄの個数により順方向電圧ＶＦ’ を変更して８カ電圧
ＶＯの取り得る最大値を変更することができる。但し、
ＶＰ ’ −ＶＣＥ（ｓａｔ）の電圧で増幅回路５が動
作することが前提である。
このことを数値例をあげて説明すると、前述した２端子
型検出装置１０では、発光素子３の順方向電圧ＶＦを２
−Ｖ、コレクタ・エミッタ間飽和電圧Ｖ ＣＥ（ｓａｔ
）を仮にＯＶとした場合、電源電圧Ｖｃｃ−５Ｖの時、
出力電圧ＶＯの最大値は３■と一義的に決まるのに対し
て、上記４端子型検出装置３０ては、１個のダイオード
Ｄの順方向電圧を０．７Ｖ（シリコン・ダイオードの場
合）とすると、ダイオードＤを１つ接続した場合には出
力電圧ＶＯの最大値は４．３Ｖであり、ダイオードＤを
２つ接続した場合には出力電圧ＶＯの最大値は３．６Ｖ
となる。
型検出装置１０では、発光素子３の順方向電圧ＶＦを２
−Ｖ、コレクタ・エミッタ間飽和電圧Ｖ ＣＥ（ｓａｔ
）を仮にＯＶとした場合、電源電圧Ｖｃｃ−５Ｖの時、
出力電圧ＶＯの最大値は３■と一義的に決まるのに対し
て、上記４端子型検出装置３０ては、１個のダイオード
Ｄの順方向電圧を０．７Ｖ（シリコン・ダイオードの場
合）とすると、ダイオードＤを１つ接続した場合には出
力電圧ＶＯの最大値は４．３Ｖであり、ダイオードＤを
２つ接続した場合には出力電圧ＶＯの最大値は３．６Ｖ
となる。
なお、第３図中の定電流回路２ｏの一具体例としては、
第２図に示した定電流回路２ｏ中−の発光素子３に代え
て、ダイオードＤを例えば２個直列に接続すればよい。
第２図に示した定電流回路２ｏ中−の発光素子３に代え
て、ダイオードＤを例えば２個直列に接続すればよい。
また、上記各実施例のトランジスタの極性（ＮＰＮ、Ｐ
ＮＰ）を逆にすると共に電源極性を逆にするように変更
したり、あるいは、バイポーラトランジスタに代えて電
界効果トランジスタを使用して構成してもよい。
ＮＰ）を逆にすると共に電源極性を逆にするように変更
したり、あるいは、バイポーラトランジスタに代えて電
界効果トランジスタを使用して構成してもよい。
さらに、上記各実施例の光結合検出装置１０゜３０の使
用方法として、外部抵抗ＲＬを電源端子１側に接続する
と共に出力端子２を接地するように変更して、出力電圧
ＶＯの論理レベルを反転させることが可能である。
用方法として、外部抵抗ＲＬを電源端子１側に接続する
と共に出力端子２を接地するように変更して、出力電圧
ＶＯの論理レベルを反転させることが可能である。
［発明の効果］
上述したように本発明の光結合検出装置によれば、発光
素子に適度で一定の順方向電流を流すことが可能になり
、電源電圧の大小に拘らずに正常な動作が可能になり、
電源電圧の使用範囲を拡大することができる。
素子に適度で一定の順方向電流を流すことが可能になり
、電源電圧の大小に拘らずに正常な動作が可能になり、
電源電圧の使用範囲を拡大することができる。
即ち、２端子型検出装置では、スイッチ素子に並列に定
電流回路を接続することにより、電源電圧の使用範囲が
広い場合にも発光素子に一定の電流を流すことができる
ので、従来の２端子型検出装置のような発光素子電流の
過不足による動作不具合を改善することができる。
電流回路を接続することにより、電源電圧の使用範囲が
広い場合にも発光素子に一定の電流を流すことができる
ので、従来の２端子型検出装置のような発光素子電流の
過不足による動作不具合を改善することができる。
また、発光素子の代わりにダイオードを接続した４端子
型検出装置の場合には、２端子型検出装置に比べて、ダ
イオードを接続する個数の変更により出力電圧の取り得
る最大値を変更することができる。
型検出装置の場合には、２端子型検出装置に比べて、ダ
イオードを接続する個数の変更により出力電圧の取り得
る最大値を変更することができる。
第１図は本発明の一実施例に係る２端子型光結合検出装
置の一例を示す回路図、第２図は第１図中の定電流回路
の一具体例を示す回路図、第３図は本発明の他の実施例
に係る４端子型光結合検出装置の一例を示す回路図、第
４図は従来の２端子型の光結合検出装置を示す回路図で
ある。 １・・電源端子、２・・・出力端子、３・・・発光素子
、４・・・受光素子、５・・・増幅回路、６・・・スイ
ッチ用トランジスタ、８．９・・・駆動電流印加端子、
１０・２端子型検出装置、２０・・・定電流回路、３０
・・４端子型検出装置、Ｄ・・ダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図
置の一例を示す回路図、第２図は第１図中の定電流回路
の一具体例を示す回路図、第３図は本発明の他の実施例
に係る４端子型光結合検出装置の一例を示す回路図、第
４図は従来の２端子型の光結合検出装置を示す回路図で
ある。 １・・電源端子、２・・・出力端子、３・・・発光素子
、４・・・受光素子、５・・・増幅回路、６・・・スイ
ッチ用トランジスタ、８．９・・・駆動電流印加端子、
１０・２端子型検出装置、２０・・・定電流回路、３０
・・４端子型検出装置、Ｄ・・ダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第２図
Claims (6)
- （１）発光素子と受光素子との光結合の有無に応じて物
体検出を行うための光結合検出装置において、 前記光結合の有無に応じて受光素子の光電変換出力信号
によりスイッチング制御されるスイッチ素子と、 このスイッチ素子に並列に接続され、電源端子と出力端
子との間で前記発光素子に直列に接続された定電流回路
と を具備することを特徴とする光結合検出装置。 - （２）請求項１記載の光結合検出装置は、全体が一体的
に形成されており、外部端子として前記電源端子と出力
端子との２端子を有することを特徴とする光結合検出装
置。 - （３）請求項１または２記載の光結合検出装置において
、前記定電流回路の構成要素である基準電圧源として前
記発光素子の順方向電圧が用いられていることを特徴と
する光結合検出装置。 - （４）発光素子と受光素子との光結合の有無に応じて物
体検出を行うための光結合検出装置において、 前記光結合の有無に応じて受光素子の光電変換出力信号
によりスイッチング制御されるスイッチ素子と、 このスイッチ素子に並列に接続された定電流回路と、 電源端子と出力端子との間で上記定電流回路に直列に接
続された少なくとも１個以上のダイオードと、 前記発光素子の両端側にそれぞれ接続された一対の駆動
電流印加端子と を具備することを特徴とする光結合検出装置。 - （５）請求項３記載の光結合検出装置は、全体が一体的
に形成されており、外部端子として前記電源端子と出力
端子と前記一対の駆動電流印加端子との４端子を有する
ことを特徴とする光結合検出装置。 - （６）請求項４または５記載の光結合検出装置において
、前記定電流回路の構成要素である基準電圧源として前
記ダイオードの順方向電圧が用いられていることを特徴
とする光結合検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232357A JP2807323B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 光結合検出装置 |
| US07/753,377 US5200608A (en) | 1990-09-04 | 1991-08-30 | Photo-interrupter operating on wide-ranged power voltage with a constant current means |
| KR1019910015260A KR950001922B1 (ko) | 1990-09-04 | 1991-09-02 | 광결합 검출장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2232357A JP2807323B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 光結合検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04113713A true JPH04113713A (ja) | 1992-04-15 |
| JP2807323B2 JP2807323B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=16937944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2232357A Expired - Fee Related JP2807323B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 光結合検出装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5200608A (ja) |
| JP (1) | JP2807323B2 (ja) |
| KR (1) | KR950001922B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002171163A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Sunx Ltd | 光電センサ |
| US7248800B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical receiver, optical transmitter and optical transceiver |
| US7281854B2 (en) | 2002-10-24 | 2007-10-16 | Taiho Kogyo Co., Ltd. | Oil-feeding device for an engine crankshaft |
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| EP0995605A3 (en) * | 1998-10-22 | 2001-01-10 | Eltron International, Inc. | Label detector |
| US6639238B2 (en) * | 2002-01-23 | 2003-10-28 | Lite-On Technology Corporation | Photo interrupter with dual-direction detection ability |
| US7374163B2 (en) * | 2004-10-21 | 2008-05-20 | Lexmark International, Inc. | Media tray stack height sensor with continuous height feedback and discrete intermediate and limit states |
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| US20070248366A1 (en) * | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Lexmark International, Inc. | Devices for moving a media sheet within an image forming apparatus |
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| JPS62110390A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-21 | Nec Corp | 電話交換装置の局線回路の直流終端回路 |
| JPS63308410A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-15 | Toshiba Corp | 二端子網の光センサ |
Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS61199328A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Omron Tateisi Electronics Co | 近接スイツチ |
| US4730108A (en) * | 1986-04-11 | 1988-03-08 | Ampex Corporation | Ambient light insensitive circuit with frequency matching |
| US5077467A (en) * | 1990-09-12 | 1991-12-31 | Triad Controls, Inc. | Photoelectric switch and relay system with disabling fail-safe monitoring circuitry |
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1990
- 1990-09-04 JP JP2232357A patent/JP2807323B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-08-30 US US07/753,377 patent/US5200608A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-02 KR KR1019910015260A patent/KR950001922B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
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| US4270046A (en) * | 1978-11-02 | 1981-05-26 | Texas Instruments Incorporated | Two-terminal optical sensor |
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| JP2002171163A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-14 | Sunx Ltd | 光電センサ |
| JP4610723B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2011-01-12 | パナソニック電工Ｓｕｎｘ株式会社 | 光電センサ |
| US7281854B2 (en) | 2002-10-24 | 2007-10-16 | Taiho Kogyo Co., Ltd. | Oil-feeding device for an engine crankshaft |
| US7248800B2 (en) | 2003-05-30 | 2007-07-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical receiver, optical transmitter and optical transceiver |
| US7509052B2 (en) | 2003-05-30 | 2009-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical receiver, optical transmitter and optical transceiver |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5200608A (en) | 1993-04-06 |
| KR950001922B1 (ko) | 1995-03-06 |
| KR920007247A (ko) | 1992-04-28 |
| JP2807323B2 (ja) | 1998-10-08 |
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