JPH01150821A - フォトダイオード回路 - Google Patents
フォトダイオード回路Info
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- JPH01150821A JPH01150821A JP63270598A JP27059888A JPH01150821A JP H01150821 A JPH01150821 A JP H01150821A JP 63270598 A JP63270598 A JP 63270598A JP 27059888 A JP27059888 A JP 27059888A JP H01150821 A JPH01150821 A JP H01150821A
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
- H03F3/08—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light
- H03F3/087—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only controlled by light with IC amplifier blocks
-
- G—PHYSICS
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- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J2001/4446—Type of detector
- G01J2001/446—Photodiode
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Amplifiers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、フォトダイオード照射感度の電子的補正がな
されたようなフォトダイオード回路ζこ閏する。
されたようなフォトダイオード回路ζこ閏する。
更に詳述すると、本発明は、第１および第２の端子と直
列内部抵抗とを有する半導体フォトダイオードと、第１
および第２の入力端子と出力端子とを有する増幅器とを
具備し、前記フォトダイオードの第１の端子が前記増幅
器の第１の入力端子に接続さ・れ、前記フォトダイオー
ドの第２の端子が前記増幅器の第２の入力端子に接続さ
れ、前記増幅器の出力端子と第１の入力端子との間に負
帰還回路が介挿されているようなフォトダイオード回路
に関する。
列内部抵抗とを有する半導体フォトダイオードと、第１
および第２の入力端子と出力端子とを有する増幅器とを
具備し、前記フォトダイオードの第１の端子が前記増幅
器の第１の入力端子に接続さ・れ、前記フォトダイオー
ドの第２の端子が前記増幅器の第２の入力端子に接続さ
れ、前記増幅器の出力端子と第１の入力端子との間に負
帰還回路が介挿されているようなフォトダイオード回路
に関する。
［従来の技術］
半導イ本フォトダイオードは、電気的感光ダイオードで
ある。このようなフォトダイオードは、入力光の光電力
量の尺度となる信号電流を出力する。
ある。このようなフォトダイオードは、入力光の光電力
量の尺度となる信号電流を出力する。
使用されている多くのフォトダイオードとしては、例え
ば、ゲルマニウムフォトダイオードあるいはｌ ｎＧａ
Ａｓフォトダイオードがあり、これらのフォトダイオー
ドは、近赤外線領域の８００ないしｌ ８００ｎｌ１１
の範囲用の光電力測定装置あるいは光通信システム等に
おいて用いられている。このような応用分野においては
、人力光電力と、フォトダイオードの端子における信号
（すなわち光電′ｆＬ流）との間に線形関係があること
が必要である。しかしながら、特に上述したゲルマニウ
ムフォトダイオードおよびｌ ｎＧａＡｓフォトダイオ
ードにおいては、このことが成り立たない。これは、大
きな拡散暗″ｒＬ流が原因しているからである。この場
合、上記暗電流は信号電流に対して逆に作用する。また
、一定の信号電流に対しては、拡散暗電流は、フォトダ
イオードの活性領域の寸法の増加および温度の上昇に伴
い、急速に増加する。そして、信号電流が拡散暗電流の
一部に過ぎないような条件が急速に達成される結果、フ
ォトダイオードはもはや線形に動作しなくなってしまう
。
ば、ゲルマニウムフォトダイオードあるいはｌ ｎＧａ
Ａｓフォトダイオードがあり、これらのフォトダイオー
ドは、近赤外線領域の８００ないしｌ ８００ｎｌ１１
の範囲用の光電力測定装置あるいは光通信システム等に
おいて用いられている。このような応用分野においては
、人力光電力と、フォトダイオードの端子における信号
（すなわち光電′ｆＬ流）との間に線形関係があること
が必要である。しかしながら、特に上述したゲルマニウ
ムフォトダイオードおよびｌ ｎＧａＡｓフォトダイオ
ードにおいては、このことが成り立たない。これは、大
きな拡散暗″ｒＬ流が原因しているからである。この場
合、上記暗電流は信号電流に対して逆に作用する。また
、一定の信号電流に対しては、拡散暗電流は、フォトダ
イオードの活性領域の寸法の増加および温度の上昇に伴
い、急速に増加する。そして、信号電流が拡散暗電流の
一部に過ぎないような条件が急速に達成される結果、フ
ォトダイオードはもはや線形に動作しなくなってしまう
。
従来のフォトダイオード回路は、例えばＪｕｄｓｏｎの
ｒＧｅｒｍａｎｉｕｍ Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎ Ｎｏｔｅ ＃５０」に述べられてい
る。この従来のフォトダイオード回路においては、フォ
トダイオードの第１の端子が増幅器の第１の入力端子に
接続されている。
ｒＧｅｒｍａｎｉｕｍ Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ Ａｐｐ
ｌｉｃａｔｉｏｎ Ｎｏｔｅ ＃５０」に述べられてい
る。この従来のフォトダイオード回路においては、フォ
トダイオードの第１の端子が増幅器の第１の入力端子に
接続されている。
上記フォトダイオードの第２の端子と上記増幅器の第２
の入力端子とは固定電位点に接続されている。また、こ
の増幅器の出力端子と第１の入力端子との間には、負帰
還路が介挿されている。そして、上記の負帰還によって
前記増幅器の極めて低い入力インピーダンスが実現され
るから、フォトダイオードの前記第１の端子と第２の端
子との間の電圧は略零となる。かくして、フォトダイオ
ードの短絡電流は、広い範囲においてかなり線形な出力
電圧に変換される。
の入力端子とは固定電位点に接続されている。また、こ
の増幅器の出力端子と第１の入力端子との間には、負帰
還路が介挿されている。そして、上記の負帰還によって
前記増幅器の極めて低い入力インピーダンスが実現され
るから、フォトダイオードの前記第１の端子と第２の端
子との間の電圧は略零となる。かくして、フォトダイオ
ードの短絡電流は、広い範囲においてかなり線形な出力
電圧に変換される。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、上記の回路には、フォトダイオードの前
記第１の端子と第２の端子との間の電圧は確かに略零と
なるが、フォトダイオードの直列内部抵抗が発生する結
果、内部のダイオード自体の両端間の電圧が零に等しく
ならないという欠点が有る。この欠点のため、上記のよ
うな回路は、例えば光伝送システムの様に半導体レーザ
のトラッキング誤差に関する要求の厳しい用途にはあま
り好ましくない。この場合、上記のトラッキング誤差は
、レーザによって照射された光電力と、組み込まれた監
視用フォトダイオードの電流との比の広い温度範囲にわ
たる変化が尺度となる。
記第１の端子と第２の端子との間の電圧は確かに略零と
なるが、フォトダイオードの直列内部抵抗が発生する結
果、内部のダイオード自体の両端間の電圧が零に等しく
ならないという欠点が有る。この欠点のため、上記のよ
うな回路は、例えば光伝送システムの様に半導体レーザ
のトラッキング誤差に関する要求の厳しい用途にはあま
り好ましくない。この場合、上記のトラッキング誤差は
、レーザによって照射された光電力と、組み込まれた監
視用フォトダイオードの電流との比の広い温度範囲にわ
たる変化が尺度となる。
したがって、本発明の目的は、半導体フォトダイオード
を有し、そのフォトダイオード自身の短絡電流と増幅器
の出力電圧との間の関係が極めて線形であり、かつ温度
による影響が顕著に低減されたフォトダイオード回路を
提供することにある。
を有し、そのフォトダイオード自身の短絡電流と増幅器
の出力電圧との間の関係が極めて線形であり、かつ温度
による影響が顕著に低減されたフォトダイオード回路を
提供することにある。
［課題を解決するための手段及び作用コ本発明によるフ
ォトダイオード回路は、本明細書の冒頭で述べたような
回路において、増幅器の出力端子と第３の入力端子との
間に結合回路を設け、これにより増幅器の第２の入力端
子とフォトダイオードの第２の端子との間に電圧を発生
させ、この電圧が、ブオトダイオードの直列内部抵抗と
この抵抗に流れる信号電流との積にたいして反対方向で
（逆極性で）値が等しくなるように構成したことを特徴
としている。
ォトダイオード回路は、本明細書の冒頭で述べたような
回路において、増幅器の出力端子と第３の入力端子との
間に結合回路を設け、これにより増幅器の第２の入力端
子とフォトダイオードの第２の端子との間に電圧を発生
させ、この電圧が、ブオトダイオードの直列内部抵抗と
この抵抗に流れる信号電流との積にたいして反対方向で
（逆極性で）値が等しくなるように構成したことを特徴
としている。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
第１図に示す本発明によるフォトダイオード回路におい
て、符号Ｆは半導体フォトダイオードを示し、このフォ
トダイオードは第１の端子７と第２の端子８とを有して
いる。上記フォトダイオードＦの第１の端子７は、増幅
器Ａの第１の入力端子９に接続されている。また、フォ
トダイオードＦの第２の端子８は、第１の抵抗５を介し
て前記増幅器Ａの第２の入力端子ＩＯに接続されている
。
て、符号Ｆは半導体フォトダイオードを示し、このフォ
トダイオードは第１の端子７と第２の端子８とを有して
いる。上記フォトダイオードＦの第１の端子７は、増幅
器Ａの第１の入力端子９に接続されている。また、フォ
トダイオードＦの第２の端子８は、第１の抵抗５を介し
て前記増幅器Ａの第２の入力端子ＩＯに接続されている
。
この増幅器への第２の入力端子１０と出力端子１１との
間には、第２の抵抗６が介挿されている。また、増幅器
への第１の入力端子９と出力端子１１との間には、第３
の抵抗１２が介挿されている。半導体物理学に言及する
までもなく、フォトダイオードＦは、入射光電力Ｐに比
例した電流１（ｐ）を供給する電流源２として表すこと
が出来る。この場合、上記電流源２と並列に、ダイオー
ド１で示すｐｎ接合と、抵抗３でしめす並列内部抵抗が
存在する。また、電流源２と第１の端子７との間には、
抵抗４で示した直列内部抵抗が存在する。
間には、第２の抵抗６が介挿されている。また、増幅器
への第１の入力端子９と出力端子１１との間には、第３
の抵抗１２が介挿されている。半導体物理学に言及する
までもなく、フォトダイオードＦは、入射光電力Ｐに比
例した電流１（ｐ）を供給する電流源２として表すこと
が出来る。この場合、上記電流源２と並列に、ダイオー
ド１で示すｐｎ接合と、抵抗３でしめす並列内部抵抗が
存在する。また、電流源２と第１の端子７との間には、
抵抗４で示した直列内部抵抗が存在する。
端子７と８との間に電圧ｖ（１）が発生すると、入射光
電力Ｐに依存して、電流１（Ｓ）が流れ始める。
電力Ｐに依存して、電流１（Ｓ）が流れ始める。
しかしながら、この電流１（Ｓ）は電流源２により発生
される光電電流１（ｐ）とは異なる。なぜなら、電流が
図に矢印で示すように、内部ｐｎ接合１および並列内部
抵抗３を各々介して漏洩するからである。
される光電電流１（ｐ）とは異なる。なぜなら、電流が
図に矢印で示すように、内部ｐｎ接合１および並列内部
抵抗３を各々介して漏洩するからである。
これらの漏れ電流のもとどなる駆動力は、電流源２の両
端間に発生する内部電圧Ｖである。これらの漏れ電流は
著しく温度に依存し、一方ｐｎ接合ｌは強い非線形電圧
−電流特性を持つ。もし、前記内部電圧Ｖが零ボルトに
等しいとすると、面記の漏れ電流の元となる駆動力はも
はや存在しなくなり、従って、これらの漏れ電流もなく
なる。このような状況下では、前記光電電流１（ｐ）の
全てをフォトダイオードＦの端子７および８において利
用することができるようになり、従って１（ｓ）＝ １
（ｐ）となる。この場合、フォトダイオードＦは入射光
電力Ｐに線形比例した電流１（Ｓ）を出力する。結果と
して、前述した分路要素】および３の形状依存、温度依
存および露光依存性、ならびにこれら要素の電圧−電流
特性は、全く関係のないものとなる。
端間に発生する内部電圧Ｖである。これらの漏れ電流は
著しく温度に依存し、一方ｐｎ接合ｌは強い非線形電圧
−電流特性を持つ。もし、前記内部電圧Ｖが零ボルトに
等しいとすると、面記の漏れ電流の元となる駆動力はも
はや存在しなくなり、従って、これらの漏れ電流もなく
なる。このような状況下では、前記光電電流１（ｐ）の
全てをフォトダイオードＦの端子７および８において利
用することができるようになり、従って１（ｓ）＝ １
（ｐ）となる。この場合、フォトダイオードＦは入射光
電力Ｐに線形比例した電流１（Ｓ）を出力する。結果と
して、前述した分路要素】および３の形状依存、温度依
存および露光依存性、ならびにこれら要素の電圧−電流
特性は、全く関係のないものとなる。
第１図の回路においては、前記第１の抵抗５の両端間の
電圧降下がフォトダイオードＦの直列内部抵抗４の両端
間の電圧降下と反対方向く逆極性）で値が等しければ、
前記内部電圧Ｖ Ｃ，を零ボルトに等しくなる。単純に
計算すれば、この条件は下記が成り立つ場合に満たされ
る。
電圧降下がフォトダイオードＦの直列内部抵抗４の両端
間の電圧降下と反対方向く逆極性）で値が等しければ、
前記内部電圧Ｖ Ｃ，を零ボルトに等しくなる。単純に
計算すれば、この条件は下記が成り立つ場合に満たされ
る。
Ｒ３Ｒ２
ここで、Ｒは抵抗４の抵抗値、Ｒ１は第１の抵抗５の抵
抗値、Ｒ２は第２の抵抗６の抵抗値、Ｒ３は第３の抵抗
Ｉ２の抵抗値である。
抗値、Ｒ２は第２の抵抗６の抵抗値、Ｒ３は第３の抵抗
Ｉ２の抵抗値である。
次に、第２ａ図は、外部印加電圧Ｖ（１）を零ボルトに
等しく（すなわち、フォトアンペリツクモード（ｐｈｏ
ｔｏ ａｍｐｅｒｉｃ ｍｏｄｅ）に）した場合のフォ
トダイオードにおいて、種々の温度に関し光電電流１（
ｐ）に対してプロットされた信号電流１（Ｓ）を示して
いる。この図においては、限定された電圧までの駆動範
囲では、各曲線は略直線となっているが、温度の上昇に
伴い、内部漏洩の結果信号電流が低下することが解る。
等しく（すなわち、フォトアンペリツクモード（ｐｈｏ
ｔｏ ａｍｐｅｒｉｃ ｍｏｄｅ）に）した場合のフォ
トダイオードにおいて、種々の温度に関し光電電流１（
ｐ）に対してプロットされた信号電流１（Ｓ）を示して
いる。この図においては、限定された電圧までの駆動範
囲では、各曲線は略直線となっているが、温度の上昇に
伴い、内部漏洩の結果信号電流が低下することが解る。
一方、第２ｈ図は、フォトダイオードＦの７．３５Ωの
直列内部抵抗が補正されているような第１図の回路にお
いて光電電流１（ｐ）に対し信号電流１（ｓ）をプロッ
トしたものである。この場合は、測定温度範囲の３００
ＣないしＩ ００’ Ｃにわたり特性は一致し、また線
形性も改善されている。
直列内部抵抗が補正されているような第１図の回路にお
いて光電電流１（ｐ）に対し信号電流１（ｓ）をプロッ
トしたものである。この場合は、測定温度範囲の３００
ＣないしＩ ００’ Ｃにわたり特性は一致し、また線
形性も改善されている。
第１図は、本発明によるフォトダイオード回路の一実施
例の回路図、 第２ａ図は、電圧Ｖ（１）を零ボルトにしたフォトダイ
オードＦにおける光電電流１（ｐ）と信号電流１（ｓ）
との関係を示す特性図、 第２ｂ図は、本発明による回路における光電電流１（ｐ
）と信号電流１（ｓ）との関係を示す特性図である。 １・・・ｐｎ接合、２・・・電流源、３・・・並列内部
抵抗、４・・・直列内部抵抗、５・・・第１の抵抗、６
・・・第２の抵抗、７・・・フォトダイオードの第１の
端子、８・・・フォトダイオードの第２の端子、９・・
・増幅器の第ｌの入力端子、ｌＯ・・・増幅器の第２の
入力端子、１１・・・増幅器の出力端子、１２・・・第
３の抵抗、Ａ・・・増幅器、Ｆ・・・フォトダイオード
、１（ｐ）・・・光電電流、１（Ｓ）・・・信号電流。 出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペ
ンファブリケン 代理人 弁理士 沢 １）雅 男
例の回路図、 第２ａ図は、電圧Ｖ（１）を零ボルトにしたフォトダイ
オードＦにおける光電電流１（ｐ）と信号電流１（ｓ）
との関係を示す特性図、 第２ｂ図は、本発明による回路における光電電流１（ｐ
）と信号電流１（ｓ）との関係を示す特性図である。 １・・・ｐｎ接合、２・・・電流源、３・・・並列内部
抵抗、４・・・直列内部抵抗、５・・・第１の抵抗、６
・・・第２の抵抗、７・・・フォトダイオードの第１の
端子、８・・・フォトダイオードの第２の端子、９・・
・増幅器の第ｌの入力端子、ｌＯ・・・増幅器の第２の
入力端子、１１・・・増幅器の出力端子、１２・・・第
３の抵抗、Ａ・・・増幅器、Ｆ・・・フォトダイオード
、１（ｐ）・・・光電電流、１（Ｓ）・・・信号電流。 出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペ
ンファブリケン 代理人 弁理士 沢 １）雅 男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の端子と第２の端子と直列内部抵抗とを有する
半導体フォトダイオードと、第１の入力端子と第２の入
力端子と出力端子とを有する増幅器とを具備し、前記フ
ォトダイオードの第１の端子が前記増幅器の第１の入力
端子に接続される一方、前記フォトダイオードの第２の
端子が前記増幅器の第２の入力端子に接続され、かつ前
記増幅器の出力端子と第１の入力端子との間に負帰還路
が介挿されたフォトダイオード回路において、 前記増幅器の出力端子と第２の入力端子と の間に結合回路を介挿し、この結合回路によって前記増
幅器の第２の入力端子と前記フォトダイオードの第２の
端子との間に電圧を発生させ、かつこの電圧が前記直列
内部抵抗と該抵抗に流れる信号電流との積に逆極性で値
が等しくなるように構成したことを特徴とするフォトダ
イオード回路。 ２、前記フォトダイオードの第２の端子と前記増幅器の
第２の入力端子との間に第１の抵抗を介挿し、前記増幅
器の第２の入力端子と出力端子との間に第２の抵抗を介
挿し、かつ前記増幅器の第１の入力端子と出力端子との
間に第３の抵抗を介挿したことを特徴とする請求項１に
記載のフォトダイオード回路。 ３、前記直列内部抵抗と前記第３の抵抗との抵抗値の比
が、前記第１の抵抗と前記第２の抵抗との抵抗値の比に
等しいことを特徴とする請求項２に記載のフォトダイオ
ード回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8702608 | 1987-11-02 | ||
| NL8702608A NL8702608A (nl) | 1987-11-02 | 1987-11-02 | Electronische correctie van fotodiode stralingsgevoeligheid. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01150821A true JPH01150821A (ja) | 1989-06-13 |
Family
ID=19850847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63270598A Pending JPH01150821A (ja) | 1987-11-02 | 1988-10-26 | フォトダイオード回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4864120A (ja) |
| EP (1) | EP0315259B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01150821A (ja) |
| DE (1) | DE3878831T2 (ja) |
| NL (1) | NL8702608A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262635A (en) * | 1991-11-20 | 1993-11-16 | Bio-Rad Laboratories, Inc. | Techniques for correcting non-linearity in a photodetector using predefined calibration information |
| DE4428152A1 (de) * | 1994-06-22 | 1996-01-04 | Basf Ag | Neue Amido-chinoxalindione, ihrer Herstellung und Verwendung |
| EP1574862B1 (en) * | 2004-03-09 | 2012-11-14 | Azkoyen, S.A. | Charge-type and current-type sensors amplifying circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278886A (ja) * | 1985-10-01 | 1987-04-11 | Iwatsu Electric Co Ltd | アバランシエ・ホトダイオ−ドのバイアス回路 |
-
1987
- 1987-11-02 NL NL8702608A patent/NL8702608A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-10-26 JP JP63270598A patent/JPH01150821A/ja active Pending
- 1988-10-28 EP EP88202405A patent/EP0315259B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-28 DE DE8888202405T patent/DE3878831T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-31 US US07/264,753 patent/US4864120A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3878831T2 (de) | 1993-08-19 |
| EP0315259B1 (en) | 1993-03-03 |
| NL8702608A (nl) | 1989-06-01 |
| EP0315259A1 (en) | 1989-05-10 |
| DE3878831D1 (de) | 1993-04-08 |
| US4864120A (en) | 1989-09-05 |
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