JPH04271182A - 発光素子駆動回路 - Google Patents
発光素子駆動回路Info
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- JPH04271182A JPH04271182A JP3032657A JP3265791A JPH04271182A JP H04271182 A JPH04271182 A JP H04271182A JP 3032657 A JP3032657 A JP 3032657A JP 3265791 A JP3265791 A JP 3265791A JP H04271182 A JPH04271182 A JP H04271182A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は発光素子駆動回路に関
し、特に発光素子に流れる電流量の検出に関する。
し、特に発光素子に流れる電流量の検出に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体発光素子の駆動回
路の回路図である。図において、１はＧＮＤ端子、２は
電源端子である。３は電流源、４，５は電流制御用のＮ
ＰＮトランジスタ、１００は電流源３からの電流をレー
ザーダイオード（以下ＬＤと略す）７に出力する出力回
路である。
路の回路図である。図において、１はＧＮＤ端子、２は
電源端子である。３は電流源、４，５は電流制御用のＮ
ＰＮトランジスタ、１００は電流源３からの電流をレー
ザーダイオード（以下ＬＤと略す）７に出力する出力回
路である。
【０００３】トランジスタ４は、ベースが第１の制御端
子８に、コレクタが抵抗６を介して電源端子２に各々接
続されている。トランジスタ５は、ベ−スが第２の制御
端子９に、コレクタがＬＤ７のカソードに、エミッタが
トランジスタ４のエミッタに各々接続されている。トラ
ンジスタ４，５のエミッタ共通接続点は出力回路１００
を介してＧＮＤ端子１に接続されている。ＬＤ７のアノ
ードは電源端子２に接続されている。第１，第２の制御
端子８，９への信号によりトランジスタ４，５が選択的
にオン，オフしてＬＤ７に流れる電流を制御する。
子８に、コレクタが抵抗６を介して電源端子２に各々接
続されている。トランジスタ５は、ベ−スが第２の制御
端子９に、コレクタがＬＤ７のカソードに、エミッタが
トランジスタ４のエミッタに各々接続されている。トラ
ンジスタ４，５のエミッタ共通接続点は出力回路１００
を介してＧＮＤ端子１に接続されている。ＬＤ７のアノ
ードは電源端子２に接続されている。第１，第２の制御
端子８，９への信号によりトランジスタ４，５が選択的
にオン，オフしてＬＤ７に流れる電流を制御する。
【０００４】出力回路１００は、ＮＰＮトランジスタ４
０，５０より成るカレントミラー回路であり、トランジ
スタ５０を基準トランジスタとしている。なお、カレン
トミラー比は１：１とする。トランジスタ４０は、コレ
クタがトランジスタ４，５のエミッタ共通接続点に、エ
ミッタがＧＮＤ端子１に各々接続されている。トランジ
スタ５０は、ベ−スがトランジスタ４０のベ−スに接続
されると共に電流源３を介して電源端子２にも接続され
、コレクタがトランジスタ４０のベ−スに、エミッタが
ＧＮＤ端子１に各々接続されている。
０，５０より成るカレントミラー回路であり、トランジ
スタ５０を基準トランジスタとしている。なお、カレン
トミラー比は１：１とする。トランジスタ４０は、コレ
クタがトランジスタ４，５のエミッタ共通接続点に、エ
ミッタがＧＮＤ端子１に各々接続されている。トランジ
スタ５０は、ベ−スがトランジスタ４０のベ−スに接続
されると共に電流源３を介して電源端子２にも接続され
、コレクタがトランジスタ４０のベ−スに、エミッタが
ＧＮＤ端子１に各々接続されている。
【０００５】３０はモニタ用のフォトダイオードであり
、カソードが電源端子２に、アノードが抵抗３１を介し
てＧＮＤ端子１に各々接続されている。フォトダイオー
ド３０と抵抗３１の共通接続点は電圧検出端子１２に接
続されている。
、カソードが電源端子２に、アノードが抵抗３１を介し
てＧＮＤ端子１に各々接続されている。フォトダイオー
ド３０と抵抗３１の共通接続点は電圧検出端子１２に接
続されている。
【０００６】次に動作について説明する。出力回路１０
０の出力電流（＝ＬＤ７に流れるべき電流＝電流源３の
出力電流）をＩｓ 、ＧＮＤ端子１の電位を０Ｖとする
。 今、第１の制御端子８に電圧ＶＨ が、第２の制御端子
９に電圧Ｖｒ （ＶＨ ＞Ｖｒ ）が各々入力されたと
する。この時、トランジスタ４がオン、トランジスタ５
がオフするので、ＬＤ７には電流は流れない。
０の出力電流（＝ＬＤ７に流れるべき電流＝電流源３の
出力電流）をＩｓ 、ＧＮＤ端子１の電位を０Ｖとする
。 今、第１の制御端子８に電圧ＶＨ が、第２の制御端子
９に電圧Ｖｒ （ＶＨ ＞Ｖｒ ）が各々入力されたと
する。この時、トランジスタ４がオン、トランジスタ５
がオフするので、ＬＤ７には電流は流れない。
【０００７】次に、第１の制御端子８に電圧ＶＬ が、
第２の制御端子９に電圧Ｖｒ （ＶＬ ＜Ｖｒ ）が各
々入力されたとする。この時、トランジスタ５がオンし
、トランジスタ４がオフするので、トランジスタ５のコ
レクタ電流はＩｓ 、トランジスタ４のコレクタ電流は
０となる。 すると、ＬＤ７には電流Ｉｓ が流れ、ＬＤ７は発光す
る。モニタ用のフォトダイオード３０はＬＤ７からの光
を受け、該光の強度に比例した電流をカソードからアノ
ード方向に出力する。この電流をＩＭ 、抵抗３１の抵
抗値をＲＬ とすると出力端子１２にはＩＭ ×ＲＬ
なる電圧が生じる。ＬＤ７の発光出力は流れる電流に比
例して変化する。フォトダイオード３０の出力電流はＬ
Ｄ７の発光出力に比例して変化し、出力端子１２の電圧
はフォトダイオード３０の出力電流に比例して変化する
。従って、出力端子１２の電圧を監視することによりＬ
Ｄ７に流れる電流、特に過大電流を検出することができ
る。
第２の制御端子９に電圧Ｖｒ （ＶＬ ＜Ｖｒ ）が各
々入力されたとする。この時、トランジスタ５がオンし
、トランジスタ４がオフするので、トランジスタ５のコ
レクタ電流はＩｓ 、トランジスタ４のコレクタ電流は
０となる。 すると、ＬＤ７には電流Ｉｓ が流れ、ＬＤ７は発光す
る。モニタ用のフォトダイオード３０はＬＤ７からの光
を受け、該光の強度に比例した電流をカソードからアノ
ード方向に出力する。この電流をＩＭ 、抵抗３１の抵
抗値をＲＬ とすると出力端子１２にはＩＭ ×ＲＬ
なる電圧が生じる。ＬＤ７の発光出力は流れる電流に比
例して変化する。フォトダイオード３０の出力電流はＬ
Ｄ７の発光出力に比例して変化し、出力端子１２の電圧
はフォトダイオード３０の出力電流に比例して変化する
。従って、出力端子１２の電圧を監視することによりＬ
Ｄ７に流れる電流、特に過大電流を検出することができ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＬＤ７
の劣化が進むと、劣化前と同一の発光出力を得るために
劣化前の駆動電流よりも大きな電流をＬＤ７に流さなけ
ればならず、劣化が進んで破壊に至ったならば駆動電流
をいくら増大させても発光出力は０である。一方、フォ
トダイオード３０はＬＤ７の発光出力を得て始めて電流
を出力する。そのため、ＬＤ７が劣化あるいは破壊され
ている場合、ＬＤ７に過大電流が流れていてもフォトダ
イオード３０の出力電流はＬＤ７に流れている電流に応
じた電流にはならず、出力端子１２の出力電圧は大きく
ならない。その結果、ＬＤ７が劣化等した場合の電流を
正確に検出できず、ＬＤ７，電流源３あるいはトランジ
スタ４，５が過大電流のために劣化，破壊されてしまう
ことがあるという問題点があった。
の劣化が進むと、劣化前と同一の発光出力を得るために
劣化前の駆動電流よりも大きな電流をＬＤ７に流さなけ
ればならず、劣化が進んで破壊に至ったならば駆動電流
をいくら増大させても発光出力は０である。一方、フォ
トダイオード３０はＬＤ７の発光出力を得て始めて電流
を出力する。そのため、ＬＤ７が劣化あるいは破壊され
ている場合、ＬＤ７に過大電流が流れていてもフォトダ
イオード３０の出力電流はＬＤ７に流れている電流に応
じた電流にはならず、出力端子１２の出力電圧は大きく
ならない。その結果、ＬＤ７が劣化等した場合の電流を
正確に検出できず、ＬＤ７，電流源３あるいはトランジ
スタ４，５が過大電流のために劣化，破壊されてしまう
ことがあるという問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、発光素子が劣化あるいは破壊さ
れていても発光素子に流れる電流を正確に検出すること
ができる発光素子駆動回路を得ることを目的とする。
ためになされたもので、発光素子が劣化あるいは破壊さ
れていても発光素子に流れる電流を正確に検出すること
ができる発光素子駆動回路を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、発光素子と
、前記発光素子の駆動電流を供給する電流源と、前記電
流源からの電流を前記発光素子に出力する出力回路と、
制御信号に応じてオン／オフし、前記出力回路からの電
流を前記発光素子に選択的に供給するスイッチング手段
とを備えた発光素子駆動回路に適用される。
、前記発光素子の駆動電流を供給する電流源と、前記電
流源からの電流を前記発光素子に出力する出力回路と、
制御信号に応じてオン／オフし、前記出力回路からの電
流を前記発光素子に選択的に供給するスイッチング手段
とを備えた発光素子駆動回路に適用される。
【００１１】この発明に係る発光素子駆動回路は、前記
出力回路とカレントミラー回路を構成するように接続さ
れたトランジスタと、前記トランジスタに流れる電流量
を検出する電流検出手段とを設けたことを特徴とする。
出力回路とカレントミラー回路を構成するように接続さ
れたトランジスタと、前記トランジスタに流れる電流量
を検出する電流検出手段とを設けたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】この発明におけるトランジスタには、出力回路
から出力される電流に応じた電流が流れる。電流検出手
段は、該電流の電流量を検出する。該電流は、発光素子
に流れる電流に応じたものとなる。
から出力される電流に応じた電流が流れる。電流検出手
段は、該電流の電流量を検出する。該電流は、発光素子
に流れる電流に応じたものとなる。
【００１３】
【実施例】図１は、この発明に係る発光素子駆動回路の
一実施例を示す回路図である。図において、図４の従来
回路との相違点は、電流検出回路１１およびＮＰＮトラ
ンジスタ６０を新たに設けたことである。トランジスタ
６０は、ベ−スがトランジスタ４０のベ−スに、コレク
タが電流検出回路１１を介して電源端子２に、エミッタ
がＧＮＤ端子１に各々接続されおり、トランジスタ４０
，５０と共にカレントミラー回路を構成する。
一実施例を示す回路図である。図において、図４の従来
回路との相違点は、電流検出回路１１およびＮＰＮトラ
ンジスタ６０を新たに設けたことである。トランジスタ
６０は、ベ−スがトランジスタ４０のベ−スに、コレク
タが電流検出回路１１を介して電源端子２に、エミッタ
がＧＮＤ端子１に各々接続されおり、トランジスタ４０
，５０と共にカレントミラー回路を構成する。
【００１４】電流検出回路１１は、トランジスタ６０に
流れる電流を検出する。その他の構成は、図４に示した
従来回路と同様である。
流れる電流を検出する。その他の構成は、図４に示した
従来回路と同様である。
【００１５】次に、動作について説明する。第１，第２
の制御端子８，９の電圧レベルに応じてトランジスタ４
，５が選択的にオン／オフし、ＬＤ７に選択的に電流が
供給される動作は従来と同様である。トランジスタ４０
，５０，６０はカレントミラー回路を構成しているので
、トランジスタ６０には出力回路１００を構成するトラ
ンジスタ４０とのカレントミラー比に応じた電流が流れ
、カレントミラー比が１：１の場合にはトランジスタ４
０に流れる電流と等しい電流がトランジスタ６０に流れ
る（なお以下ではトランジスタ４０とトランジスタ６０
のカレントミラー比は１：１であるとする）。トランジ
スタ５がオンのとき、この電流はＬＤ７に流れる電流と
等しい。電流検出回路１１は、トランジスタ６０に流れ
る電流量を検出し、出力端子１２に出力する。ＬＤ７が
劣化して発光出力が小さくなっても、従来のようにＬＤ
７の発光出力に基づきＬＤ７に流れる電流量を検出せず
、出力回路１００を構成するトランジスタ４０を介して
ＬＤ７に流れる電流（トランジスタ６０に流れる電流）
を検出しているので、ＬＤ７に流れる電流を正確に検出
することができる。その結果、ＬＤ７に過大電流が流れ
ても該過大電流を正確に検出することができ、ＬＤ７へ
供給する電流を制限するなどの対策をとることができ、
ＬＤ７，電流源３あるいはトランジスタ４，５が劣化，
破壊されることがなくなる。
の制御端子８，９の電圧レベルに応じてトランジスタ４
，５が選択的にオン／オフし、ＬＤ７に選択的に電流が
供給される動作は従来と同様である。トランジスタ４０
，５０，６０はカレントミラー回路を構成しているので
、トランジスタ６０には出力回路１００を構成するトラ
ンジスタ４０とのカレントミラー比に応じた電流が流れ
、カレントミラー比が１：１の場合にはトランジスタ４
０に流れる電流と等しい電流がトランジスタ６０に流れ
る（なお以下ではトランジスタ４０とトランジスタ６０
のカレントミラー比は１：１であるとする）。トランジ
スタ５がオンのとき、この電流はＬＤ７に流れる電流と
等しい。電流検出回路１１は、トランジスタ６０に流れ
る電流量を検出し、出力端子１２に出力する。ＬＤ７が
劣化して発光出力が小さくなっても、従来のようにＬＤ
７の発光出力に基づきＬＤ７に流れる電流量を検出せず
、出力回路１００を構成するトランジスタ４０を介して
ＬＤ７に流れる電流（トランジスタ６０に流れる電流）
を検出しているので、ＬＤ７に流れる電流を正確に検出
することができる。その結果、ＬＤ７に過大電流が流れ
ても該過大電流を正確に検出することができ、ＬＤ７へ
供給する電流を制限するなどの対策をとることができ、
ＬＤ７，電流源３あるいはトランジスタ４，５が劣化，
破壊されることがなくなる。
【００１６】図２は電流検出回路１１の具体的回路構成
の一例を示した回路図である。この回路においては、電
流検出回路１１が抵抗１３で構成されている場合を示し
ている。抵抗１３は電源端子２と出力端子１２との間に
接続されている。抵抗１３に電流が流れる（トランジス
タ６０に流れる電流と等しい）と出力端子１２には電源
端子２の電圧より抵抗１３の電圧降下分だけ小さい電圧
が出力される。この出力電圧に基づきＬＤ７に流れる電
流を検出することができる。そのため、上記実施例と同
様の効果を得ることができる。
の一例を示した回路図である。この回路においては、電
流検出回路１１が抵抗１３で構成されている場合を示し
ている。抵抗１３は電源端子２と出力端子１２との間に
接続されている。抵抗１３に電流が流れる（トランジス
タ６０に流れる電流と等しい）と出力端子１２には電源
端子２の電圧より抵抗１３の電圧降下分だけ小さい電圧
が出力される。この出力電圧に基づきＬＤ７に流れる電
流を検出することができる。そのため、上記実施例と同
様の効果を得ることができる。
【００１７】図３は電流検出回路１１の他の具体的回路
構成を示した回路図である。この回路においては、電流
検出回路１１がＰＮＰトランジスタ１４，１５よりなる
カレントミラー回路と抵抗１６により構成されている場
合を示している。トランジスタ１４は、ベ−スがコレク
タに、エミッタが電源端子２に、コレクタがトランジス
タ６０のコレクタに各々接続されている。トランジスタ
１５は、ベ−スがトランジスタ１４のベ−スに、エミッ
タが電源端子２に各々接続され、コレクタが抵抗１６を
介してＧＮＤ端子１に接続されるとともに出力端子１２
にも接続されている。その他の構成は、図１の実施例と
同様である。
構成を示した回路図である。この回路においては、電流
検出回路１１がＰＮＰトランジスタ１４，１５よりなる
カレントミラー回路と抵抗１６により構成されている場
合を示している。トランジスタ１４は、ベ−スがコレク
タに、エミッタが電源端子２に、コレクタがトランジス
タ６０のコレクタに各々接続されている。トランジスタ
１５は、ベ−スがトランジスタ１４のベ−スに、エミッ
タが電源端子２に各々接続され、コレクタが抵抗１６を
介してＧＮＤ端子１に接続されるとともに出力端子１２
にも接続されている。その他の構成は、図１の実施例と
同様である。
【００１８】トランジスタ６０に流れる電流はトランジ
スタ１４，１５よりなるカレントミラー回路を介して抵
抗１６に供給される。出力端子１２にはＧＮＤ電位より
抵抗１６での電圧降下分大きい電圧が出力される。この
出力電圧に基づきＬＤ７に流れる電流を検出することが
でき、上記実施例と同様の効果を得ることができる。
スタ１４，１５よりなるカレントミラー回路を介して抵
抗１６に供給される。出力端子１２にはＧＮＤ電位より
抵抗１６での電圧降下分大きい電圧が出力される。この
出力電圧に基づきＬＤ７に流れる電流を検出することが
でき、上記実施例と同様の効果を得ることができる。
【００１９】なお、上記実施例ではレーザーダイオード
を半導体発光素子として用いた場合について説明したが
、その他の半導体素子、例えば発光ダイオードを用いて
も上記実施例と同様の効果が得られる。
を半導体発光素子として用いた場合について説明したが
、その他の半導体素子、例えば発光ダイオードを用いて
も上記実施例と同様の効果が得られる。
【００２０】
【発明の効果】以上の様にこの発明によれば、電流源か
らの電流を発光素子に出力する出力回路とカレントミラ
ー回路を構成するように接続されたトランジスタと、該
トランジスタに流れる電流量を検出する電流検出手段と
を設けたので、発光素子に流れる電流は該トランジスタ
を介して電流検出手段に供給され、電流検出手段は該電
流の電流量を検出する。その結果、発光素子が劣化して
も正確に発光素子に流れる電流を検出でき、過電流によ
る発光素子および付属回路の劣化，破壊を防止すること
ができるという効果がある。
らの電流を発光素子に出力する出力回路とカレントミラ
ー回路を構成するように接続されたトランジスタと、該
トランジスタに流れる電流量を検出する電流検出手段と
を設けたので、発光素子に流れる電流は該トランジスタ
を介して電流検出手段に供給され、電流検出手段は該電
流の電流量を検出する。その結果、発光素子が劣化して
も正確に発光素子に流れる電流を検出でき、過電流によ
る発光素子および付属回路の劣化，破壊を防止すること
ができるという効果がある。
【図１】この発明に係る発光素子駆動回路の一実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図２】この発明の他の実施例を示す回路図である。
【図３】この発明の他の実施例を示す回路図である。
【図４】従来の半導体発光素子の駆動回路を示す回路図
である。
である。
３ 電流源
５，６０ ＮＰＮトランジスタ
７ レーザーダイオード
１１ 電流検出回路
１００ 出力回路
Claims (1)
- 【請求項１】 発光素子と、前記発光素子を駆動させ
るための電流を供給する電流源と、前記電流源からの電
流を前記発光素子に出力する出力回路と、制御信号に応
じてオン／オフし、前記出力回路からの電流を前記発光
素子に選択的に供給するスイッチング手段とを備えた発
光素子駆動回路において、前記出力回路とカレントミラ
ー回路を構成するように接続されたトランジスタと、前
記トランジスタに流れる電流量を検出する電流検出手段
とを設けたことを特徴とする発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032657A JPH04271182A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3032657A JPH04271182A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 発光素子駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271182A true JPH04271182A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=12364938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3032657A Pending JPH04271182A (ja) | 1991-02-27 | 1991-02-27 | 発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271182A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023037611A1 (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 駆動装置、駆動方法及び発光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212364A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 負荷電流検出回路 |
| JPH0254176A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電流検出器 |
| JPH02275684A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Fujitsu Ltd | 駆動電流測定回路 |
-
1991
- 1991-02-27 JP JP3032657A patent/JPH04271182A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212364A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 負荷電流検出回路 |
| JPH0254176A (ja) * | 1988-08-17 | 1990-02-23 | Mitsubishi Electric Corp | 電流検出器 |
| JPH02275684A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Fujitsu Ltd | 駆動電流測定回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023037611A1 (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 駆動装置、駆動方法及び発光装置 |
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