JPH04209582A - 発光素子駆動回路 - Google Patents
発光素子駆動回路Info
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- JPH04209582A JPH04209582A JP2400346A JP40034690A JPH04209582A JP H04209582 A JPH04209582 A JP H04209582A JP 2400346 A JP2400346 A JP 2400346A JP 40034690 A JP40034690 A JP 40034690A JP H04209582 A JPH04209582 A JP H04209582A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[00011
【産業上の利用分野]この発明は発光素子駆動回路に関
し、特に発光素子に流れる電流量の検出に関する。 [0002] 【従来の技術】図6は、従来の半導体発光素子の駆動回
路の回路図である。図において、1はGND端子、2は
電源端子である。3は定電流源、4,5は電流制御用の
NPNトランジスタである。トランジスタ4は、ベース
が第1の制御端子8に、コレクタが抵抗6を介して電源
端子2に各々接続されている。トランジスタ5は、ベー
スが第2の制御端子9に、コレクタがレーザーダイオー
ド(以下LDと略す。)7のカソードに、エミッタがト
ランジスタ4のエミッタに各々接続されている。トラン
ジスタ4,5のエミッタ共通接続点は定電流源3を介し
てGND端子1に接続されている。LD7のアノードは
電源端子2に接続されている。第1.第2の制御端子8
.9への信号によりトランジスタ4,5が選択的にオン
、オフしてLD7に流れる電流を制御する。 [0003]30はモニタ用のフォトダイオードであり
、カソードが電源端子2に、アノードが抵抗31を介し
てGND端子1に各々接続されている。フォトダイオー
ド30と抵抗31の共通接続点は電圧検出端子12に接
続されている。 [0004]次に動作について説明する。定電流源3の
出力電流を1. 、GND端子1の電位をOVとする。 今、第1の制御端子8に電圧VIIが、第2の制御端子
9に電圧V、(VII>V、)が各々入力されたとする
。この時、トランジスタ4がオン、トランジスタ5がオ
フするので、LD7には電流は流れない。 [0005]次に、第1の制御端子8に電圧Vtが、第
2の制御端子9に電圧V= (VL <V−)が各々
入力されたとする。この時、トランジスタ5がオンし、
トランジスタ4がオフするので、トランジスタ5のコレ
クタ電流はI5、トランジスタ4のコレクタ電流は0と
なる。 すると、LD7には電流■、が流れ、LD7は発光する
。モニタ用のフォトダイオード30はLD7からの光を
受け、眩光の強度に比例した電流をカソードからアノー
ド方向に出力する。この電流をIy、抵抗31の抵抗値
をRL とすると出力端子12にはIvXRtなる電圧
が生じる。LD7の発光出力は流れる電流に比例して変
化する。フォトダイオード30の出力電流はLD7の発
光出力に比例して変化し、出力端子12の電圧はフォト
ダイオード30の出力電流に比例して変化する。従って
、出力端子12の電圧を監視することによりLD7に流
れる電流、特に過大電流を検出することができる。 [0006]
し、特に発光素子に流れる電流量の検出に関する。 [0002] 【従来の技術】図6は、従来の半導体発光素子の駆動回
路の回路図である。図において、1はGND端子、2は
電源端子である。3は定電流源、4,5は電流制御用の
NPNトランジスタである。トランジスタ4は、ベース
が第1の制御端子8に、コレクタが抵抗6を介して電源
端子2に各々接続されている。トランジスタ5は、ベー
スが第2の制御端子9に、コレクタがレーザーダイオー
ド(以下LDと略す。)7のカソードに、エミッタがト
ランジスタ4のエミッタに各々接続されている。トラン
ジスタ4,5のエミッタ共通接続点は定電流源3を介し
てGND端子1に接続されている。LD7のアノードは
電源端子2に接続されている。第1.第2の制御端子8
.9への信号によりトランジスタ4,5が選択的にオン
、オフしてLD7に流れる電流を制御する。 [0003]30はモニタ用のフォトダイオードであり
、カソードが電源端子2に、アノードが抵抗31を介し
てGND端子1に各々接続されている。フォトダイオー
ド30と抵抗31の共通接続点は電圧検出端子12に接
続されている。 [0004]次に動作について説明する。定電流源3の
出力電流を1. 、GND端子1の電位をOVとする。 今、第1の制御端子8に電圧VIIが、第2の制御端子
9に電圧V、(VII>V、)が各々入力されたとする
。この時、トランジスタ4がオン、トランジスタ5がオ
フするので、LD7には電流は流れない。 [0005]次に、第1の制御端子8に電圧Vtが、第
2の制御端子9に電圧V= (VL <V−)が各々
入力されたとする。この時、トランジスタ5がオンし、
トランジスタ4がオフするので、トランジスタ5のコレ
クタ電流はI5、トランジスタ4のコレクタ電流は0と
なる。 すると、LD7には電流■、が流れ、LD7は発光する
。モニタ用のフォトダイオード30はLD7からの光を
受け、眩光の強度に比例した電流をカソードからアノー
ド方向に出力する。この電流をIy、抵抗31の抵抗値
をRL とすると出力端子12にはIvXRtなる電圧
が生じる。LD7の発光出力は流れる電流に比例して変
化する。フォトダイオード30の出力電流はLD7の発
光出力に比例して変化し、出力端子12の電圧はフォト
ダイオード30の出力電流に比例して変化する。従って
、出力端子12の電圧を監視することによりLD7に流
れる電流、特に過大電流を検出することができる。 [0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、LD7
の劣化が進むと、劣化前と同一の発光出力を得るために
劣化前の駆動電流よりも大きな電流をLD7に流さなげ
ればならず、劣化が進んで破壊に至ったならば駆動電流
をいくら増大させても発光出力はOである。一方、フォ
トダイオード30はLD7の発光出力を得て始めて電流
を出力する。そのため、LD7が劣化あるいは破壊され
ている場合、LD7に過大電流が流れていてもフォトダ
イオード30の出力電流はLD7に流れている電流に応
じた電流にはならず、出力端子12の出力電圧は大きく
ならない。その結果、LD7が劣化等した場合の電流を
正確に検出できず、LD 7.定電流源3あるいはトラ
ンジスタ4,5が過大電流のために劣化、破壊されてし
まうことがあるという問題点があった。 [0007]この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、発光素子が劣化あるいは破壊さ
れていても発光素子に流れる電流を正確に検出すること
ができる発光素子駆動回路を得ることを目的とする。 [0008]
の劣化が進むと、劣化前と同一の発光出力を得るために
劣化前の駆動電流よりも大きな電流をLD7に流さなげ
ればならず、劣化が進んで破壊に至ったならば駆動電流
をいくら増大させても発光出力はOである。一方、フォ
トダイオード30はLD7の発光出力を得て始めて電流
を出力する。そのため、LD7が劣化あるいは破壊され
ている場合、LD7に過大電流が流れていてもフォトダ
イオード30の出力電流はLD7に流れている電流に応
じた電流にはならず、出力端子12の出力電圧は大きく
ならない。その結果、LD7が劣化等した場合の電流を
正確に検出できず、LD 7.定電流源3あるいはトラ
ンジスタ4,5が過大電流のために劣化、破壊されてし
まうことがあるという問題点があった。 [0007]この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、発光素子が劣化あるいは破壊さ
れていても発光素子に流れる電流を正確に検出すること
ができる発光素子駆動回路を得ることを目的とする。 [0008]
【課題を解決するための手段】この発明は、発光素子と
、制御信号に応じてオン/オフし前記発光素子に流れる
電流を制御する制御用トランジスタとを備えた発光素子
駆動回路に適用される。この発明に係る発光素子駆動回
路は、前記制御用トランジスタに接続され、前記制御用
トランジスタとカレントミラー回路を構成するトランジ
スタと、前記トランジスタに流れる電流を検出する電流
検出手段とを設けたことを特徴とする。 [0009]
、制御信号に応じてオン/オフし前記発光素子に流れる
電流を制御する制御用トランジスタとを備えた発光素子
駆動回路に適用される。この発明に係る発光素子駆動回
路は、前記制御用トランジスタに接続され、前記制御用
トランジスタとカレントミラー回路を構成するトランジ
スタと、前記トランジスタに流れる電流を検出する電流
検出手段とを設けたことを特徴とする。 [0009]
【作用】この発明におけるトランジスタには、制御用ト
ランジスタに流れる電流に応じた電流が流れる。電流検
出手段は、該電流の電流量を検出する。該電流は、発光
素子に流れる電流に応じたものとなる。 [00101
ランジスタに流れる電流に応じた電流が流れる。電流検
出手段は、該電流の電流量を検出する。該電流は、発光
素子に流れる電流に応じたものとなる。 [00101
【実施例]図1は、この発明に係る発光素子駆動回路の
一実施例を示す回路図である。図において、図6の従来
回路との相違点は、NPNトランジスタ10.電流検出
回路11を新たに設けたことである。トランジスタ10
は、ベースが第2の制御端子9に、コレクタが電流検出
回路11を介して電源端子2に、エミッタがトランジス
タ5のエミッタに各々接続されおり、トランジスタ5と
共にカレントミラー回路を構成する。電流検出回路11
は、トランジスタ10に流れる電流を検出する。その他
の構成は、図6に示した従来回路と同様である。 [0011]次に、動作について説明する。第1.第2
の制御端子8,9の電圧レベルに応じてトランジスタ4
.5が選択的にオン/オフし、LD7に選択的に電流が
供給される動作は従来と同様である。トランジスタ5と
hランラスタ10はカレントミラー回路を構成している
ので、トランジスタ5がオンするとトランジスタ10に
もカレントミラー比に応じた電流が流れ、カレントミラ
ー比が1:1の場合にはトランジスタ5に流れる電流と
等しい電流が流れる(なお以下ではカレントミラー比は
1:1であるとする)。この電流はLD7に流れる電流
と等しい。電流検出回路11は、トランジスタ10に流
れる電流量を検出し、出ツノ端子12に出力する。LD
7が劣化して発光出力が小さくなっても、従来のように
LD7の発光出力に基づきLD7に流れる電流量を検出
せず、カレントミラー回路のトランジスタ10を介して
LD7に流れる電流を検出しているのでLD7に流れる
電流を正確に検出することができる。その結果、LD7
に過大電流が流れても該過大電流を正確に検出すること
ができ、LD7へ供給する電流を制限するなどの対策を
とることができ、LD7.定電流源3あるいはトランジ
スタ4,5が劣化、破壊されることがなくなる。 [0012]図2は電流検出回路11の具体的回路構成
の一例を示した回路図である。この回路においては、電
流検出回路11が抵抗13で構成されている場合を示し
ている。抵抗13は電源端子2と出力端子12との間に
接続されている。抵抗13に電流が流れる(トランジス
タ10に流れる電流と等しい)と出力端子12には電源
端子2の電圧より抵抗13の電圧降下分だけ小さい電圧
が出力される。この出力電圧に基づきLD7に流れる電
流を検出することができる。そのため、上記実施例と同
様の効果を得ることができる。 [0013]図3は電流検出回路11他の具体的回路構
成を示した回路図である。この回路においては、電流検
出回路11がPNPトランジスタ14.15よりなるカ
レントミラー回路と抵抗16により構成されている場合
を示している。トランジスタ14は、ベースがコレクタ
に、エミッタが電源端子2に、コレクタがトランジスタ
10のコレクタに各々接続されている。トランジスタ1
5は、ベースがトランジスタ14のベースに、エミッタ
が電源端子2に各々接続され、コレクタが抵抗16を介
してGND端子1に接続されるとともに出力端子12に
も接続されている。その他の構成は、図1の実施例と同
様である。トランジスタ10に流れる電流はトランジス
タ14.15よりなるカレントミラー回路を介して抵抗
16に供給される。出力端子12にはGND電位より抵
抗16での電圧降下分大きい電圧が出力される。この出
力電圧に基づきLD7に流れる電流を検出することがで
き、上記実施例と同様の効果を得ることができる。 [0014]図4は、この発明の他の実施例を示す回路
図である。トランジスタ4は、コレクタが定電流源3を
介して電源端子2に、エミッタがGND端子1に各々接
続されている。NPNトランジスタ18.20はカレン
トミラー回路を構成している。トランジスタ20はコレ
クタがトランジスタ4のコレクタに、エミッタがGND
端子1に、ベースがコレクタに各々接続されている。ト
ランジスタ18は、ベースがトランジスタ20のベース
に、エミッタがGND端子1に各々接続されている。 [0015] PNP トランジスタ21.22はカレ
ントミラー回路を構成する。トランジスタ21は、エミ
ッタが電源端子2に、コレクタがトランジスタ18のコ
レクタに、ベースがコレクタに各々接続されている。ト
ランジスタ22は、エミッタが電源端子2に、ベースが
トランジスタ22のベースに各々接続されている。トラ
ンジスタ23は、ベースが出力端子12に、コレクタが
トランジスタ18のベースに、エミッタがGND端子1
に各々接続されている。LD7は、カソードがGND端
子1に、アノードがトランジスタ22のコレクタに各々
接続されている。トランジスタ17は、ベースがトラン
ジスタ22のベースに、エミッタがトランジスタ22の
エミッタに、コレクタが抵抗16を介してGND端子1
に各々接続されており、トランジスタ17はトランジス
タ21.22と共にカレントミラー回路を構成する。抵
抗16とトランジスタ17の共通接続点は出力端子12
に接続されている。 [00161次に、動作について説明する。第1の制御
端子8への信号に応じてトランジスタ4はオン、オフす
る。トランジスタ4がオフした場合、トランジスタ18
.20およびトランジスタ21.22より成るカレント
ミラー回路を介してLD7に定電流源3の電流が供給さ
れる。トランジスタ17はトランジスタ21.22と共
にカレントミラー回路を構成しているので抵抗16には
LD7に流れる電流と等しい電流が流れる。そのため、
出力端子12にはGND電位より抵抗16での電圧降下
分大きい電圧が出力される。この電圧に基づきLD7に
流れる電流を検出することができ、上記実施例と同様の
効果を得ることができる。なお、LD7に過電流が流れ
、抵抗16での電圧降下がトランジスタ23のベース・
エミッタ間電圧よりも大きくなるとトランジスタ23が
オンし、トランジスタ18.20より成るカレントミラ
ー回路をオフさせ、LD7に過電流が流れないようにし
ている。 [00171図5はこの発明の他の実施例を示す回路図
である。図において、図1に示した実施例との相違点は
、トランジスタ4に流れる電流を検出するようにしたこ
とである。つまり、トランジスタ10をトランジスタ4
とカレン1〜ミラ一回路を構成するように接続したこと
である。トランジスタ4のオン時にトランジスタ4に流
れる電流はトランジスタ5のオン時にLD7に流れる電
流(トランジスタ5に流れる電流)と等しいので、上記
実施例と同様の効果が得られる。 [0018]なお、上記実施例ではレーザーダイオード
を半導体発光素子として用いた場合について説明したが
、その他の半導体素子、例えば発光ダイオードを用いて
も上記実施例と同様の効果が得られる。さらに半導体発
光素子に限らず、電流量に比例した強度の光を出力する
発光素子であれば、上記実施例と同様の効果が得られる
。 [0019] 【発明の効果】以上の様にこの発明によれば、制御用ト
ランジスタと共にカレントミラー回路を構成するトラン
ジスタと、該トランジスタに流れる電流を検出する電流
検出手段を設けたので、発光素子に流れる電流は該トラ
ンジスタを介して電流検出手段に供給され、電流検出手
段は該電流の電流量を検出する。その結果、発光素子が
劣化しても正確に発光素子に流れる電流を検出でき、過
電流による発光素子および付属回路の劣化、破壊を防止
することができるという効果がある。
一実施例を示す回路図である。図において、図6の従来
回路との相違点は、NPNトランジスタ10.電流検出
回路11を新たに設けたことである。トランジスタ10
は、ベースが第2の制御端子9に、コレクタが電流検出
回路11を介して電源端子2に、エミッタがトランジス
タ5のエミッタに各々接続されおり、トランジスタ5と
共にカレントミラー回路を構成する。電流検出回路11
は、トランジスタ10に流れる電流を検出する。その他
の構成は、図6に示した従来回路と同様である。 [0011]次に、動作について説明する。第1.第2
の制御端子8,9の電圧レベルに応じてトランジスタ4
.5が選択的にオン/オフし、LD7に選択的に電流が
供給される動作は従来と同様である。トランジスタ5と
hランラスタ10はカレントミラー回路を構成している
ので、トランジスタ5がオンするとトランジスタ10に
もカレントミラー比に応じた電流が流れ、カレントミラ
ー比が1:1の場合にはトランジスタ5に流れる電流と
等しい電流が流れる(なお以下ではカレントミラー比は
1:1であるとする)。この電流はLD7に流れる電流
と等しい。電流検出回路11は、トランジスタ10に流
れる電流量を検出し、出ツノ端子12に出力する。LD
7が劣化して発光出力が小さくなっても、従来のように
LD7の発光出力に基づきLD7に流れる電流量を検出
せず、カレントミラー回路のトランジスタ10を介して
LD7に流れる電流を検出しているのでLD7に流れる
電流を正確に検出することができる。その結果、LD7
に過大電流が流れても該過大電流を正確に検出すること
ができ、LD7へ供給する電流を制限するなどの対策を
とることができ、LD7.定電流源3あるいはトランジ
スタ4,5が劣化、破壊されることがなくなる。 [0012]図2は電流検出回路11の具体的回路構成
の一例を示した回路図である。この回路においては、電
流検出回路11が抵抗13で構成されている場合を示し
ている。抵抗13は電源端子2と出力端子12との間に
接続されている。抵抗13に電流が流れる(トランジス
タ10に流れる電流と等しい)と出力端子12には電源
端子2の電圧より抵抗13の電圧降下分だけ小さい電圧
が出力される。この出力電圧に基づきLD7に流れる電
流を検出することができる。そのため、上記実施例と同
様の効果を得ることができる。 [0013]図3は電流検出回路11他の具体的回路構
成を示した回路図である。この回路においては、電流検
出回路11がPNPトランジスタ14.15よりなるカ
レントミラー回路と抵抗16により構成されている場合
を示している。トランジスタ14は、ベースがコレクタ
に、エミッタが電源端子2に、コレクタがトランジスタ
10のコレクタに各々接続されている。トランジスタ1
5は、ベースがトランジスタ14のベースに、エミッタ
が電源端子2に各々接続され、コレクタが抵抗16を介
してGND端子1に接続されるとともに出力端子12に
も接続されている。その他の構成は、図1の実施例と同
様である。トランジスタ10に流れる電流はトランジス
タ14.15よりなるカレントミラー回路を介して抵抗
16に供給される。出力端子12にはGND電位より抵
抗16での電圧降下分大きい電圧が出力される。この出
力電圧に基づきLD7に流れる電流を検出することがで
き、上記実施例と同様の効果を得ることができる。 [0014]図4は、この発明の他の実施例を示す回路
図である。トランジスタ4は、コレクタが定電流源3を
介して電源端子2に、エミッタがGND端子1に各々接
続されている。NPNトランジスタ18.20はカレン
トミラー回路を構成している。トランジスタ20はコレ
クタがトランジスタ4のコレクタに、エミッタがGND
端子1に、ベースがコレクタに各々接続されている。ト
ランジスタ18は、ベースがトランジスタ20のベース
に、エミッタがGND端子1に各々接続されている。 [0015] PNP トランジスタ21.22はカレ
ントミラー回路を構成する。トランジスタ21は、エミ
ッタが電源端子2に、コレクタがトランジスタ18のコ
レクタに、ベースがコレクタに各々接続されている。ト
ランジスタ22は、エミッタが電源端子2に、ベースが
トランジスタ22のベースに各々接続されている。トラ
ンジスタ23は、ベースが出力端子12に、コレクタが
トランジスタ18のベースに、エミッタがGND端子1
に各々接続されている。LD7は、カソードがGND端
子1に、アノードがトランジスタ22のコレクタに各々
接続されている。トランジスタ17は、ベースがトラン
ジスタ22のベースに、エミッタがトランジスタ22の
エミッタに、コレクタが抵抗16を介してGND端子1
に各々接続されており、トランジスタ17はトランジス
タ21.22と共にカレントミラー回路を構成する。抵
抗16とトランジスタ17の共通接続点は出力端子12
に接続されている。 [00161次に、動作について説明する。第1の制御
端子8への信号に応じてトランジスタ4はオン、オフす
る。トランジスタ4がオフした場合、トランジスタ18
.20およびトランジスタ21.22より成るカレント
ミラー回路を介してLD7に定電流源3の電流が供給さ
れる。トランジスタ17はトランジスタ21.22と共
にカレントミラー回路を構成しているので抵抗16には
LD7に流れる電流と等しい電流が流れる。そのため、
出力端子12にはGND電位より抵抗16での電圧降下
分大きい電圧が出力される。この電圧に基づきLD7に
流れる電流を検出することができ、上記実施例と同様の
効果を得ることができる。なお、LD7に過電流が流れ
、抵抗16での電圧降下がトランジスタ23のベース・
エミッタ間電圧よりも大きくなるとトランジスタ23が
オンし、トランジスタ18.20より成るカレントミラ
ー回路をオフさせ、LD7に過電流が流れないようにし
ている。 [00171図5はこの発明の他の実施例を示す回路図
である。図において、図1に示した実施例との相違点は
、トランジスタ4に流れる電流を検出するようにしたこ
とである。つまり、トランジスタ10をトランジスタ4
とカレン1〜ミラ一回路を構成するように接続したこと
である。トランジスタ4のオン時にトランジスタ4に流
れる電流はトランジスタ5のオン時にLD7に流れる電
流(トランジスタ5に流れる電流)と等しいので、上記
実施例と同様の効果が得られる。 [0018]なお、上記実施例ではレーザーダイオード
を半導体発光素子として用いた場合について説明したが
、その他の半導体素子、例えば発光ダイオードを用いて
も上記実施例と同様の効果が得られる。さらに半導体発
光素子に限らず、電流量に比例した強度の光を出力する
発光素子であれば、上記実施例と同様の効果が得られる
。 [0019] 【発明の効果】以上の様にこの発明によれば、制御用ト
ランジスタと共にカレントミラー回路を構成するトラン
ジスタと、該トランジスタに流れる電流を検出する電流
検出手段を設けたので、発光素子に流れる電流は該トラ
ンジスタを介して電流検出手段に供給され、電流検出手
段は該電流の電流量を検出する。その結果、発光素子が
劣化しても正確に発光素子に流れる電流を検出でき、過
電流による発光素子および付属回路の劣化、破壊を防止
することができるという効果がある。
【図1】この発明に係る発光素子駆動回路の一実施例を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図2】この発明の他の実施例を示す回路図である。
【図3】この発明の他の実施例を示す回路図である。
【図4】この発明の他の実施例を示す回路図である。
【図5】この発明の他の実施例を示す回路図である。
【図6】従来の半導体発光素子の駆動回路を示す回路図
である。
である。
4.5.10 NPNトランジスタ
7 レーザーダイオード
11 @流検出回路
Claims (1)
- 【請求項1】発光素子と、制御信号に応じてオン/オフ
することにより前記発光素子に流れる電流を制御する制
御用トランジスタとを備えた発光素子駆動回路において
、前記制御用トランジスタに接続され、前記制御用トラ
ンジスタとカレントミラー回路を構成するトランジスタ
と、前記トランジスタに流れる電流量を検出する電流検
出手段とを設けたことを特徴とする発光素子駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2400346A JPH04209582A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 発光素子駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2400346A JPH04209582A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 発光素子駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04209582A true JPH04209582A (ja) | 1992-07-30 |
Family
ID=18510263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2400346A Pending JPH04209582A (ja) | 1990-12-04 | 1990-12-04 | 発光素子駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04209582A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013149305A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 検出回路、重畳電流生成回路および光ディスク装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61295683A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動電流のモニタ回路 |
JPS6433976A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Nec Corp | Light output changing circuit |
-
1990
- 1990-12-04 JP JP2400346A patent/JPH04209582A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61295683A (ja) * | 1985-06-25 | 1986-12-26 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動電流のモニタ回路 |
JPS6433976A (en) * | 1987-07-29 | 1989-02-03 | Nec Corp | Light output changing circuit |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013149305A (ja) * | 2012-01-17 | 2013-08-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 検出回路、重畳電流生成回路および光ディスク装置 |
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