JPH10294514A - レーザ駆動装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体レーザに流れる過電流を確実に防止する
ことが可能なレーザ駆動装置を提供する。 【解決手段】半導体レーザ２４の光強度に応じた電圧を
差動増幅器２７の反転入力端子に加え、この電圧と基準
電圧が同じになる様に、半導体レーザ２４に供給される
駆動電流を調節し、半導体レーザ２４の光強度を安定化
させている。過電流検出回路２３によって電流検出用NP
Nトランジスタ１８の過電流を検出したときは、駆動用N
PNトランジスタ２２への過電流を引き起こすベース電流
の供給を遅延回路２１によって遅延させている最中であ
って、この遅延の途中で、過電流検出回路２３からの信
号電圧Ｖfに応答して、遅延回路２１によって駆動用NPN
トランジスタ２２のベース電流を低減するので、駆動用
NPNトランジスタ２２の電流の増大が未然に抑制され、
半導体レーザ２４の破壊を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザを
パルス駆動するためのレーザ駆動装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の装置としては、例えば図６に示
す様なものがある。同図において、３つのPNPトランジ
スタ６１，６２，６３は、カレントミラー回路を構成す
るものであって、各PNPトランジスタ６１，６２のエミ
ッタに電源電圧Ｖccを加え、これらのPNPトランジスタ
６１，６２のコレクタに電流制限抵抗６４及びNPNトラ
ンジスタ６５を接続している。

【０００３】NPNトランジスタ６５は、そのベースに、
ハイレベル及びローレベルのいずれかを示す入力信号Ｖ
inを加えられる。この入力信号Ｖinがハイレベルのとき
には、このNPNトランジスタ６５がオンとなって、PNPト
ランジスタ６２に流れる電流が該NPNトランジスタ６５
に引き込まれる。また、この入力信号Ｖinがローレベル
のときには、このNPNトランジスタ６５がオフとなっ
て、PNPトランジスタ６２の電流がNPNトランジスタ６６
のベースへと流れ、このNPNトランジスタ６６がオンと
なる。

【０００４】NPNトランジスタ６６のコレクタに電源電
圧Ｖccを加えており、入力信号Ｖinに応答して、このNP
Nトランジスタ６６がオンとなったときに、駆動電流がN
PNトランジスタ６６を通じて半導体レーザ６７に供給さ
れ、この半導体レーザ６７が発光する。

【０００５】半導体レーザ６７には、フォトダイオード
６８を並設しおり、この半導体レーザ６７の光をフォト
ダイオード６８に入射させる。このフォトダイオード６
８に電流電圧変換抵抗６９を直列接続し、これらの中点
を差動増幅器７１の反転入力端子に接続している。半導
体レーザ６７の光に応答してフォトダイオード６８に電
流が発生したときに、このフォトダイオード６８の電流
に応じた電圧、つまり半導体レーザ６７の光強度に応じ
た電圧が差動増幅器７１の反転入力端子に加えられる。

【０００６】また、差動増幅器７１の非反転入力端子と
電源電圧Ｖcc間に、定電圧源７２を介在させ、この非反
転入力端子に基準電圧を加えている。

【０００７】差動増幅器７１は、半導体レーザ６７の光
強度に応じた電圧と基準電圧を比較し、これらの電圧の
差をNPNトランジスタ７３のベースに加える。このNPNト
ランジスタ７３は、NPNトランジスタ６６のベースに接
続されており、PNPトランジスタ６２からNPNトランジス
タ６６のベースへと流れる電流の量を調節する。このNP
Nトランジスタ６６のベース電流を調節すると、半導体
レーザ６７に供給される駆動電流が調節され、この半導
体レーザ６７の光強度が調節される。

【０００８】すなわち、半導体レーザ６７の光強度に応
じた電圧を差動増幅器７１の反転入力端子に加え、この
電圧と基準電圧が同じになる様に、半導体レーザ６７に
供給される駆動電流を調節しており、全体としては負帰
還をかけて、半導体レーザ６７の光強度を安定化させて
いる。この様な装置の動作をＡＰＣ（Automatic Power
Control）と称する。

【０００９】なお、コンデンサ７４は、NPNトランジス
タ６６のベース電流の立ち上がり時間を調節するために
設けられ、この立ち上がり時間を大きくすることによっ
て、電源投入時、あるいは入力信号Ｖinの立ち上がり時
に、NPNトランジスタ６６のベース電流に発生するオー
バーシュートを防止し、半導体レーザ６７に過電流が流
れて、この半導体レーザ６７が破壊されることを防止す
る。

【００１０】また、特開平７−２４５４４１号の公報に
も、図６の装置と略同様の構成、あるいは図６の装置に
おけるコンデンサ７４を差動増幅器７１の非反転入力端
子側に移動させてなるものに相当する構成が記載されて
いる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の装置においては、外乱ノイズ等によるフォトダイオ
ード６８の出力の瞬時降下、電流電圧変換抵抗６９の短
絡、あるいは半導体レーザ６７とフォトダイオード６８
間の光損失等を原因として、差動増幅器７１の反転入力
端子の入力レベルが増大し、NPNトランジスタ６６のベ
ース電流が過大となり、半導体レーザ６７に過電流が流
れ、この半導体レーザ６７の破壊を招くと言う問題があ
った。

【００１２】このため、例えば半導体レーザ６７に数十
Ωの抵抗を直列接続したり、コンデンサを並列接続し
て、この半導体レーザ６７の過電流を防止すると言う対
策が考えられるが、この様にすると、損失が大きくなっ
て好ましくない。また、この装置を集積回路に組み込む
場合は、半導体レーザ６７に接続する抵抗やコンデンサ
として、大電流に耐え、かつ高精度のものが要求される
ことから、これらの抵抗やコンデンサを外付けせざるを
得ず、この外付けの設定ミスによる半導体レーザ６７の
破壊が起こった。

【００１３】この様な問題は、先に述べた特開平７−２
４５４４１号の公報に記載の装置にも当てはまる。

【００１４】そこで、この発明は、この様な従来の問題
を解決するものであって、半導体レーザに流れる過電流
を確実に防止することが可能なレーザ駆動装置を提供す
ることを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は、半導体レーザに駆動電流を供給して、
この半導体レーザを駆動し、この半導体レーザの出力を
検出して、この半導体レーザの出力と予め定められた値
を比較し、この比較の結果に基づいて半導体レーザの駆
動電流を調節するレーザ駆動装置において、半導体レー
ザに流れる過電流を検出する過電流検出手段と、この過
電流検出手段の出力に応答して、半導体レーザの駆動電
流を抑制する抑制手段とを備えている。

【００１６】この様な構成によれば、半導体レーザの過
電流が過電流検出手段によって検出されると、この半導
体レーザの駆動電流が抑制手段によって抑制されるの
で、この半導体レーザに過電流が流れ続けることはな
い。

【００１７】請求項２に記載の様に、駆動能力の高い駆
動用トランジスタ及び駆動能力の低い電流検出用トラン
ジスタを並列接続し、これらのトランジスタを通じて駆
動電流を半導体レーザに供給しても良く、この場合、過
電流検出手段は、電流検出用トランジスタに流れる電流
を検出し、抑制手段は、この過電流検出手段の出力に応
答して、駆動用トランジスタに流れる電流を調節する。

【００１８】請求項３に記載の様に、駆動用トランジス
タの応答を電流検出用トランジスタの応答よりも遅くす
る遅延手段を更に備えても構わない。この場合は、電流
検出用トランジスタの過電流を過電流検出手段によって
検出したときに、駆動用トランジスタに過電流が流れる
以前に、この駆動用トランジスタの電流を抑制すること
ができるので、半導体レーザに過電流を流さずに済む。
また、電流検出用トランジスタの電流を半導体レーザに
流してから、駆動用トランジスタの電流を半導体レーザ
に流すので、半導体レーザの駆動電流が２段階で増減す
ることになり、この駆動電流のオーバーシュートを防止
することができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を添
付図面を参照して説明する。図１は、この発明のレーザ
駆動装置の一実施形態を示すブロック図である。同図に
おいて、４つのPNPトランジスタ１１，１２，１３，１
４は、カレントミラー回路を構成するものであって、PN
Pトランジスタ１１に流れる電流と同様のものが他の２
つのPNPトランジスタ１２，１３にも流れる。各PNPトラ
ンジスタ１１，１２，１３のエミッタに電源電圧Ｖccを
加え、これらのPNPトランジスタ１１，１２，１３のコ
レクタに電流制限抵抗１５及び各NPNトランジスタ１
６，１７を接続している。

【００２０】各NPNトランジスタ１６，１７は、それら
のベースに、ハイレベル及びローレベルのいずれかを示
す入力信号Ｖinを加えられる。この入力信号Ｖinがハイ
レベルのときには、これらのNPNトランジスタ１６，１
７がオンとなって、各PNPトランジスタ１２，１３の電
流が該各NPNトランジスタ１６，１７に引き込まれる。
また、この入力信号Ｖinがローレベルのときには、これ
らのNPNトランジスタ１６，１７がオフとなって、PNPト
ランジスタ１２の電流が電流検出用NPNトランジスタ１
８のベースへと流れ、この電流検出用NPNトランジスタ
１８がオンとなると共に、PNPトランジスタ１３の電流
が遅延回路２１を介して駆動用NPNトランジスタ２２の
ベースへと流れ、この駆動用NPNトランジスタ２２がオ
ンとなる。

【００２１】電流検出用NPNトランジスタ１８のコレク
タに過電流検出回路２３を介して電源電圧Ｖccを加える
と共に、駆動用NPNトランジスタ２２のコレクタに電源
電圧Ｖccを加えており、入力信号Ｖinに応答して、これ
らのNPNトランジスタ１８，２２がオンとなったとき
に、駆動電流が該各NPNトランジスタ１８，２２を通じ
て半導体レーザ２４に供給され、この半導体レーザ２４
が発光する。

【００２２】半導体レーザ２４には、フォトダイオード
２５を並設しおり、この半導体レーザ２４の光をフォト
ダイオード２５に入射させる。このフォトダイオード２
５に電流電圧変換抵抗２６を直列接続し、これらの中点
を差動増幅器２７の反転入力端子に接続している。半導
体レーザ２４の光に応答してフォトダイオード２５に電
流が発生したときに、このフォトダイオード２５の電流
に応じた電圧、つまり半導体レーザ２４の光強度に応じ
た電圧を差動増幅器２７の反転入力端子に加える。

【００２３】また、差動増幅器２７の非反転入力端子と
電源電圧Ｖcc間に、定電圧源２８を介在させ、この非反
転入力端子に基準電圧を加えている。

【００２４】差動増幅器２７は、半導体レーザ２４の光
強度に応じた電圧と基準電圧を比較し、これらの電圧の
差を各NPNトランジスタ３１，３２のベースに加える。

【００２５】一方のNPNトランジスタ３１は、電流検出
用NPNトランジスタ１８のベースに接続されており、PNP
トランジスタ１２から電流検出用NPNトランジスタ１８
のベースへと流れる電流の量を調節する。同様に、他方
のNPNトランジスタ３２は、遅延回路２１を介して駆動
用NPNトランジスタ２２のベースに接続されており、PNP
トランジスタ１３から遅延回路２１を介して駆動用NPN
トランジスタ２２のベースへと流れる電流の量を調節す
る。

【００２６】これらのNPNトランジスタ３１，３２のベ
ース電流を調節すると、半導体レーザ２４に供給される
駆動電流が調節され、この半導体レーザ２４の光強度が
調節される。

【００２７】すなわち、半導体レーザ２４の光強度に応
じた電圧を差動増幅器２７の反転入力端子に加え、この
電圧と基準電圧が同じになる様に、半導体レーザ２４に
供給される駆動電流を調節しており、全体としては負帰
還をかけて、半導体レーザ２４の光強度を安定化させて
いる。

【００２８】なお、各コンデンサ３３，３４は、各NPN
トランジスタ１８，２２のベース電流の立ち上がり時間
を調節するために設けられ、この立ち上がり時間を大き
くすることによって、電源投入時、あるいは入力信号Ｖ
inの立ち上がり時に、各NPNトランジスタ１８，２２の
ベース電流に発生するオーバーシュートを防止し、半導
体レーザ２４に過電流が流れて、この半導体レーザ２４
が破壊されることを防止する。

【００２９】さて、この様な構成において、駆動用NPN
トランジスタ２２のエミッタの面積は、電流検出用NPN
トランジスタ１８のものよりも十分に広くされている
（例えば２０倍）。これによって、駆動用NPNトランジ
スタ２２の駆動能力は、電流検出用NPNトランジスタ１
８のものよりも十分に大きく設定され、半導体レーザ２
４の駆動電流の殆どが駆動用NPNトランジスタ２２を通
じて供給され、その一部のみが電流検出用NPNトランジ
スタ１８を通じて供給される。

【００３０】また、電流検出用NPNトランジスタ１８の
ベースには、PNPトランジスタ１２からの電流を直接供
給し、駆動用NPNトランジスタ２２のベースには、PNPト
ランジスタ１３からの電流を遅延回路２１によって増幅
してから供給するので、それぞれのNPNトランジスタ１
８，２２の駆動能力に応じて、それぞれのベース電流が
供給されることになる。これらのベース電流の比は、常
に略一定に保たれるから、電流検出用NPNトランジスタ
１８に流れる電流、及び駆動用NPNトランジスタ２２に
流れる電流の比が常に略一定に保たれ、この状態で、電
流検出用NPNトランジスタ１８及び駆動用NPNトランジス
タ２２を通じて半導体レーザ２４へと駆動電流が供給さ
れる。

【００３１】過電流検出回路２３は、電流検出用NPNト
ランジスタ１８に流れる電流を検出しており、この電流
が予め定められた値に達すると、つまり電流検出用NPN
トランジスタ１８に過電流が流れると、この旨を示す信
号電圧Ｖfを遅延回路２１に送出する。この信号電圧Ｖf
に応答して、遅延回路２１は、PNPトランジスタ１３か
ら駆動用NPNトランジスタ２２へと流れるベース電流を
低減する。これによって、駆動用NPNトランジスタ２２
から半導体レーザ２４へと流れる電流が抑制され、この
半導体レーザ２４の破壊が防止される。

【００３２】一方、遅延回路２１は、PNPトランジスタ
１３からの電流を遅延してから駆動用NPNトランジスタ
２２のベースに供給している。したがって、入力信号Ｖ
inに応答して、各NPNトランジスタ１６，１７が同時に
オフとなっても、先に電流検出用NPNトランジスタ１８
がオンになり、この後に駆動用NPNトランジスタ２２が
オンとなる。

【００３３】このため、過電流検出回路２３によって電
流検出用NPNトランジスタ１８の過電流を検出し、この
過電流を示す信号電圧Ｖfを遅延回路２１に送出したと
きは、駆動用NPNトランジスタ２２への過電流を引き起
こすベース電流の供給を遅延回路２１によって遅延させ
ている最中であって、この遅延の途中で、過電流検出回
路２３からの信号電圧Ｖfに応答して、この遅延回路２
１によって駆動用NPNトランジスタ２２のベース電流を
低減するので、この駆動用NPNトランジスタ２２の電流
の増大が未然に抑制され、半導体レーザ２４の破壊を確
実に防止することができる。

【００３４】図２は、図１の装置をより具体的に示すブ
ロック図である。同図において、遅延回路２１は、２つ
のNPNトランジスタ４１，４２と２つの抵抗４３，４
４、及び２つのNPNトランジスタ４５，４６と２つの抵
抗４７，４８からなる。

【００３５】ここで、入力信号Ｖinがローレベルであっ
て、NPNトランジスタ１７がオフのときには、各NPNトラ
ンジスタ４１，４２にベース電流が流れて、これらのNP
Nトランジスタ４１，４２がオンとなり、PNPトランジス
タ１３の電流がNPNトランジスタ４１に流れる。これに
伴い、NPNトランジスタ４２と、このトランジスタ４２
に直列接続されたNPNトランジスタ４５にも電流が流
れ、更にはNPNトランジスタ４６にも電流が流れ、このN
PNトランジスタ４６の電流が駆動用NPNトランジスタ２
２のベースに供給され、この駆動用NPNトランジスタ２
２がオンとなる。

【００３６】NPNトランジスタ４２のエミッタの面積
は、NPNトランジスタ４１のものの略２０倍に設定され
ているので、NPNトランジスタ４２には、NPNトランジス
タ４１の電流の略２０倍の電流が流れる。これによっ
て、駆動用NPNトランジスタ２２に供給されるべきベー
ス電流として、電流検出用NPNトランジスタ１８のもの
の略２０倍の電流が形成され、この２０倍の電流が各PN
Pトランジスタ４５，４６を介して駆動用NPNトランジス
タ２２のベースに供給される。

【００３７】また、直列接続された各NPNトランジスタ
４２，４５に流れる電流の立ち上がりは、NPNトランジ
スタ４２のコレクタの寄生容量によって、数ｎｓｅｃ程
度遅延される。これによって、駆動用NPNトランジスタ
２２のベース電流の供給が遅延される。

【００３８】一方、過電流検出回路２３は、各NPNトラ
ンジスタ５１，５２、抵抗５３、定電流源５４、定電圧
源５５からなる。

【００３９】抵抗５３には、電流検出用NPNトランジス
タ１８に流れる電流が流れ、この電流は半導体レーザ２
４の駆動電流の１／２０である。NPNトランジスタ５１
は、そのベースに、抵抗５３と電流検出用NPNトランジ
スタ１８間の電圧を加えられる。また、NPNトランジス
タ５２のベースに、定電圧源５５の電圧を加えている。

【００４０】通常の動作状態では、抵抗５３→電流検出
用NPNトランジスタ１８→半導体レーザ２４へと電流が
流れ、抵抗５３と電流検出用NPNトランジスタ１８間の
電圧によって、NPNトランジスタ５１がオンとなり、こ
のNPNトランジスタ５１に定電流源５４の電流の殆どが
流れ、NPNトランジスタ５２の電流が小さい。したがっ
て、遅延回路２１の抵抗４８からNPNトランジスタ５２
へと導かれる電流が小さく、逆に抵抗４８→NPNトラン
ジスタ４６→駆動用NPNトランジスタ２２のベースへと
十分な電流が流れ、半導体レーザ２４への電流供給がな
される。

【００４１】また、電流検出用NPNトランジスタ１８の
ベース電流が急激に大きくなり、この電流検出用NPNト
ランジスタ１８に過電流が流れると、NPNトランジスタ
５１のベース電圧が定電圧源５５の電圧よりも低下し、
このNPNトランジスタ５１に代わって、NPNトランジスタ
５２に定電流源５４の電流の殆どが流れる。このため、
遅延回路２１の抵抗４８からNPNトランジスタ５２へと
導かれる電流が大きくなり、これに伴って抵抗４８→NP
Nトランジスタ４６→駆動用NPNトランジスタ２２のベー
スへと流れる電流が小さくなる。

【００４２】このとき、電流検出用NPNトランジスタ１
８のベース電流に比例する駆動用NPNトランジスタ２２
のベース電流の増大が遅延回路２１によって遅延されて
おり、この遅延の途中で、駆動用NPNトランジスタ２２
のベース電流を小さくするので、半導体レーザ２４に供
給される駆動電流の増大を招かずに済み、この半導体レ
ーザ２４の破壊が防止される。

【００４３】図３は、例えば半導体レーザ２４が時点ｔ
0で故障して短絡したときの図２の装置における各信号
を示すタイミングチャートである。時点ｔ0で、半導体
レーザ２４が短絡すると、フォトダイオード２５の出力
が降下するので、図３（ａ）に示すフォトダイオード２
５と電流電圧変換抵抗２６間の電圧Ｖaが急激に立ち上
がり、これに伴って図３（ｂ）に示す差動増幅器２７の
出力Ｖｂが急激に立ち下がり、各NPNトランジスタ３
１，３２がオフとなる。このため、図３（ｃ）に示すPN
Pトランジスタ１２から電流検出用NPNトランジスタ１８
のベースへと流れる電流Ｉｃが急激に増大すると共に、
図３（ｄ）に示すPNPトランジスタ１３から遅延回路２
１へと流れる電流Ｉｄも急激に増大する。

【００４４】図３（ｃ）の電流Ｉｃの増大に応答して、
電流検出用NPNトランジスタ１８の電流が増大すると、
図３（ｅ）に示すNPNトランジスタ５１のベース電圧Ｖ
ｅが低下し、図３（ｆ）に示す電圧Ｖfが下降し、これ
に応答して抵抗４８→NPNトランジスタ４６→駆動用NPN
トランジスタ２２のベースへと流れる図３（ｇ）に示す
電流Ｉｇが小さくなり、図３（ｈ）に示す半導体レーザ
２４の駆動電流Ｉｈが下降する。

【００４５】図４は、図２の装置における各信号の波形
を示している。入力信号Ｖinが図４（ａ）に示す波形で
あれば、これに応答してPNPトランジスタ１２から電流
検出用NPNトランジスタ１８のベースへと流れる電流Ｉ
ｃが図４（ｂ）に示す波形となり、PNPトランジスタ１
３から遅延回路２１へと流れる電流Ｉｄが図４（ｃ）に
示す波形となる。図４（ｂ）の電流Ｉｃを遅延した増幅
したものが図４（ｄ）に示す駆動用NPNトランジスタ２
２のベースへと流れる電流Ｉｇとなる。

【００４６】ここで、図４（ｅ）に示す半導体レーザ２
４の駆動電流Ｉｈが電流検出用NPNトランジスタ１８か
らの電流と駆動用NPNトランジスタ２２からの電流の和
であるため、この駆動電流Ｉｈの波形は、図４（ｃ）の
電流検出用NPNトランジスタ１８のベース電流Ｉｃと図
４（ｄ）の駆動用NPNトランジスタ２２のベース電流Ｉ
ｇの和を示す波形に相似する。これらのベース電流Ｉ
ｃ，Ｉｇは、相互に異なるタイミングで立ち上がった
り、立ち下がるので、図４（ｅ）の駆動電流Ｉｈの波形
は、その立ち下がり及び立ち上がりで、２段階に変化す
る。このため、この駆動電流Ｉｈの波形にオーバーシュ
ートが現れずに済む。

【００４７】なお、この発明は、上記実施形態に限定さ
れるものでなく、多様に変形することができる。例え
ば、図５に示す様に半導体レーザ２４、フォトダイオー
ド２５及び抵抗３５を直列に接続したレーザ駆動装置に
も、この発明を適用することができる。この場合、フォ
トダイオード２５と抵抗３５間の電圧Ｖa'の極性が図２
の電圧Ｖaとは逆になるので、差動増幅器２７の反転入
力端子に定電圧源３６の電圧を加えると共に、非反転入
力端子に電圧Ｖa'を加える。

【００４８】また、電流検出用NPNトランジスタ１８と
駆動用NPNトランジスタ２２を分割せず、１つのトラン
ジスタに一本化し、このトランジスタの過電流を検出し
て、このトランジスタをオフに切り換えても構わない。
ただし、この場合は、遅延回路２１に相当するものを設
けることができない。また、このトランジスタに直列接
続される過電流検出回路２３の抵抗５３を数Ω程度に設
定せねば、このトランジスタが飽和してしまうが、この
レーザ駆動装置を集積回路に組み込んで、この様な数Ω
程度の抵抗５３を高精度で作製することは困難である。
これに対して、図２の装置においては、電流検出用NPN
トランジスタ１８に大電流を流す必要がなく、過電流検
出回路２３の抵抗５３を数百Ω程度に設定するので、こ
のレーザ駆動装置を集積回路に組み込んでも、この抵抗
５３を高精度で作製することができる。

【００４９】

【発明の効果】以上説明した様に、請求項１のレーザ駆
動装置によれば、半導体レーザの過電流が過電流検出手
段によって検出されると、この半導体レーザの駆動電流
が抑制手段によって抑制されるので、この半導体レーザ
に過電流が流れ続けることはなく、半導体レーザの破壊
を防止することができる。

【００５０】また、請求項２に記載の様に、駆動能力の
高い駆動用トランジスタ及び駆動能力の低い電流検出用
トランジスタを並列接続し、これらのトランジスタを通
じて駆動電流を半導体レーザに供給しても良く、この場
合、過電流検出手段は、電流検出用トランジスタに流れ
る電流を検出し、抑制手段は、この過電流検出手段の出
力に応答して、駆動用トランジスタに流れる電流を調節
する。

【００５１】更に、請求項３に記載の様に、駆動用トラ
ンジスタの応答を電流検出用トランジスタの応答よりも
遅くする遅延手段を更に備えても構わない。この場合
は、電流検出用トランジスタの過電流を過電流検出手段
によって検出したときに、駆動用トランジスタに過電流
が流れる以前に、この駆動用トランジスタの電流を抑制
することができるので、半導体レーザに過電流を流さず
に済む。また、電流検出用トランジスタの電流を半導体
レーザに流してから、駆動用トランジスタの電流を半導
体レーザに流すので、半導体レーザの駆動電流が２段階
で増減することになり、この駆動電流のオーバーシュー
トを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明のレーザ駆動装置の一実施形態を示す
ブロック図

【図２】図１の装置をより具体的に示すブロック図

【図３】半導体レーザが短絡したときの図２の装置にお
ける各信号を示すタイミングチャート

【図４】図２の装置における各信号の波形を示す図

【図５】図１の装置の変形例を示すブロック図

【図６】従来のレーザ駆動装置を示すブロック図

【符号の説明】

１１，１２，１３，１４ PNPトランジスタ １５ 電流制限抵抗 １６，１７，３１，３２ NPNトランジスタ １８ 電流検出用NPNトランジスタ ２１ 遅延回路 ２２ 駆動用NPNトランジスタ ２３ 過電流検出回路 ２４ 半導体レーザ ２５ フォトダイオード ２６ 電流電圧変換抵抗 ２７ 差動増幅器 ２８，３６，５５ 定電圧源 ３３，３４ コンデンサ ３５，４３，４４，４７，４８，５３ 抵抗 ４１，４２，４５，４６，５１，５２ NPNトランジス
タ ５４ 定電流源

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体レーザに駆動電流を供給して、こ
   の半導体レーザを駆動し、この半導体レーザの出力を検
   出して、この半導体レーザの出力と予め定められた値を
   比較し、この比較の結果に基づいて半導体レーザの駆動
   電流を調節するレーザ駆動装置において、 半導体レーザに流れる過電流を検出する過電流検出手段
   と、 この過電流検出手段の出力に応答して、半導体レーザの
   駆動電流を抑制する抑制手段とを備えるレーザ駆動装
   置。
2. 【請求項２】 駆動能力の高い駆動用トランジスタ及び
   駆動能力の低い電流検出用トランジスタを並列接続し、
   これらのトランジスタを通じて駆動電流を半導体レーザ
   に供給しており、 過電流検出手段は、電流検出用トランジスタに流れる電
   流を検出し、 抑制手段は、この過電流検出手段の出力に応答して、駆
   動用トランジスタに流れる電流を調節する請求項１に記
   載のレーザ駆動装置。
3. 【請求項３】 駆動用トランジスタの応答を電流検出用
   トランジスタの応答よりも遅くする遅延手段を更に備え
   る請求項２に記載のレーザ駆動装置。