JPH10290127A - 電流／電圧変換ｉｃ及び光電気変換ｉｃ - Google Patents
電流／電圧変換ｉｃ及び光電気変換ｉｃInfo
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G5/00—Tone control or bandwidth control in amplifiers
- H03G5/16—Automatic control
- H03G5/18—Automatic control in untuned amplifiers
- H03G5/22—Automatic control in untuned amplifiers having semiconductor devices
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/561—Voltage to current converters
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- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/34—Negative-feedback-circuit arrangements with or without positive feedback
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- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 変換ゲインを上昇させても、周波数帯域が悪
化しない電流／電圧変換ＩＣ及び光電気変換ＩＣを提供
する。 【解決手段】 抵抗３、４、５、６からなる負帰還抵抗
が接続された増幅器１を有し、増幅器１の入力端子ＩＮ
に光電変換素子であるフォトダイオードＰＤを接続し
て、フォトダイオードＰＤの出力電流を負帰還抵抗によ
って電圧に変換する電流／電圧変換ＩＣにおいて、負帰
還抵抗の抵抗値と増幅器１の位相補償要素である容量の
容量値とを端子ＣＯＮＴから入力する外部の信号によっ
て連動して変化させる。
化しない電流／電圧変換ＩＣ及び光電気変換ＩＣを提供
する。 【解決手段】 抵抗３、４、５、６からなる負帰還抵抗
が接続された増幅器１を有し、増幅器１の入力端子ＩＮ
に光電変換素子であるフォトダイオードＰＤを接続し
て、フォトダイオードＰＤの出力電流を負帰還抵抗によ
って電圧に変換する電流／電圧変換ＩＣにおいて、負帰
還抵抗の抵抗値と増幅器１の位相補償要素である容量の
容量値とを端子ＣＯＮＴから入力する外部の信号によっ
て連動して変化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、ＭＤ、Ｃ
Ｄ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどのプレーヤに
搭載されるピックアップを構成する、光電変換素子であ
るフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する電流／
電圧変換ＩＣ（フォトダイオードは別体）及び光電気変
換ＩＣ、いわゆる、ＯＥＩＣ（フォトダイオードも内
蔵）に関するものである。
Ｄ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどのプレーヤに
搭載されるピックアップを構成する、光電変換素子であ
るフォトダイオードの出力電流を電圧に変換する電流／
電圧変換ＩＣ（フォトダイオードは別体）及び光電気変
換ＩＣ、いわゆる、ＯＥＩＣ（フォトダイオードも内
蔵）に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】第１従来例の電流／電圧変換ＩＣの回路
ブロック図を図５に示す。同図において、１は差動型ア
ンプ（演算増幅器）、２はアナログスイッチ、５１、５
２は抵抗であって、差動型アンプ１の非反転入力端子
（＋）には基準電圧Ｖrefが印加されており、一方、反
転入力端子（−）には、当該電流／電圧変換ＩＣの出力
端子ＯＵＴが接続されている差動型アンプ１の出力が、
抵抗５１を介して接続されているとともに、直列に接続
された抵抗５２とアナログスイッチ２を介して差動型ア
ンプ１の出力が接続されており、また、当該電流／電圧
変換ＩＣの入力端子ＩＮが接続されている。尚、アナロ
グスイッチ２は端子ＣＯＮＴから入力する外部の信号に
よりＯＮ／ＯＦＦ制御されるようになっている。
ブロック図を図５に示す。同図において、１は差動型ア
ンプ（演算増幅器）、２はアナログスイッチ、５１、５
２は抵抗であって、差動型アンプ１の非反転入力端子
（＋）には基準電圧Ｖrefが印加されており、一方、反
転入力端子（−）には、当該電流／電圧変換ＩＣの出力
端子ＯＵＴが接続されている差動型アンプ１の出力が、
抵抗５１を介して接続されているとともに、直列に接続
された抵抗５２とアナログスイッチ２を介して差動型ア
ンプ１の出力が接続されており、また、当該電流／電圧
変換ＩＣの入力端子ＩＮが接続されている。尚、アナロ
グスイッチ２は端子ＣＯＮＴから入力する外部の信号に
よりＯＮ／ＯＦＦ制御されるようになっている。
【０００３】以上の構成により、入力端子ＩＮに接続さ
れた光電変換素子であるフォトダイオードＰＤに光が照
射されていない場合は、帰還抵抗（アナログスイッチ２
がＯＦＦであるときは抵抗５１、一方、アナログスイッ
チ２がＯＮであるときは並列接続された抵抗５１、５
２）に電流は流れず、出力端子ＯＵＴから出力される電
圧はＶrefであるが、フォトダイオードＰＤに光が照射
されると、その光量に応じた電流Ｉが発生し、この電流
Ｉは差動型アンプ１の出力側から帰還抵抗を通して流
れ、出力端子ＯＵＴから出力される電圧はＩ×ＲF（ＲF
は帰還抵抗の抵抗値）だけ上昇する。このようにして、
フォトダイオードＰＤの出力電流Ｉが電圧に変換され
る。
れた光電変換素子であるフォトダイオードＰＤに光が照
射されていない場合は、帰還抵抗（アナログスイッチ２
がＯＦＦであるときは抵抗５１、一方、アナログスイッ
チ２がＯＮであるときは並列接続された抵抗５１、５
２）に電流は流れず、出力端子ＯＵＴから出力される電
圧はＶrefであるが、フォトダイオードＰＤに光が照射
されると、その光量に応じた電流Ｉが発生し、この電流
Ｉは差動型アンプ１の出力側から帰還抵抗を通して流
れ、出力端子ＯＵＴから出力される電圧はＩ×ＲF（ＲF
は帰還抵抗の抵抗値）だけ上昇する。このようにして、
フォトダイオードＰＤの出力電流Ｉが電圧に変換され
る。
【０００４】そして、この第１従来例の電流／電圧変換
ＩＣでは、変換ゲイン＝変換電圧／入力電流＝Ｉ×ＲF
／Ｉ＝ＲFであるが、抵抗５１、５２の抵抗値をそれぞ
れＲ、Ｒ’とすると、帰還抵抗の抵抗値ＲFは、アナロ
グスイッチ２がＯＮであるときはＲF＝Ｒ×Ｒ’／（Ｒ
＋Ｒ’）となり、一方、アナログスイッチ２がＯＦＦで
あるときはＲF＝Ｒとなるので、アナログスイッチ２を
ＯＮからＯＦＦに切り換えることによって、変換ゲイン
を上昇させることができる。
ＩＣでは、変換ゲイン＝変換電圧／入力電流＝Ｉ×ＲF
／Ｉ＝ＲFであるが、抵抗５１、５２の抵抗値をそれぞ
れＲ、Ｒ’とすると、帰還抵抗の抵抗値ＲFは、アナロ
グスイッチ２がＯＮであるときはＲF＝Ｒ×Ｒ’／（Ｒ
＋Ｒ’）となり、一方、アナログスイッチ２がＯＦＦで
あるときはＲF＝Ｒとなるので、アナログスイッチ２を
ＯＮからＯＦＦに切り換えることによって、変換ゲイン
を上昇させることができる。
【０００５】しかしながら、上記第１従来例の電流／電
圧変換ＩＣでは、以下に述べるような不具合があった。
それは、差動型アンプ１単体の極（以下、「ファースト
ポール」と呼ぶ）に続いて、フォトダイオードＰＤや帰
還抵抗の寄生容量に起因して、帰還ループの極（以下、
「セカンドポール」と呼ぶ）が発生するわけであるが、
所定の変換ゲインを得るためには、帰還抵抗の値ＲFを
所定の大きさに設定しなければならないので、セカンド
ポールのポール周波数＝１／２πＣＲF（Ｃは寄生容量
の容量値）が低く、周波数帯域が狭いという問題があっ
た。また、変換ゲインを上昇させるためには帰還抵抗の
値ＲFを大きくしなければならないので、変換ゲインを
上昇させると、セカンドポールが低域へシフトして、周
波数帯域が悪化してしまう（図６参照）。
圧変換ＩＣでは、以下に述べるような不具合があった。
それは、差動型アンプ１単体の極（以下、「ファースト
ポール」と呼ぶ）に続いて、フォトダイオードＰＤや帰
還抵抗の寄生容量に起因して、帰還ループの極（以下、
「セカンドポール」と呼ぶ）が発生するわけであるが、
所定の変換ゲインを得るためには、帰還抵抗の値ＲFを
所定の大きさに設定しなければならないので、セカンド
ポールのポール周波数＝１／２πＣＲF（Ｃは寄生容量
の容量値）が低く、周波数帯域が狭いという問題があっ
た。また、変換ゲインを上昇させるためには帰還抵抗の
値ＲFを大きくしなければならないので、変換ゲインを
上昇させると、セカンドポールが低域へシフトして、周
波数帯域が悪化してしまう（図６参照）。
【０００６】このような問題の対策として考え出され
た、第２従来例の電流／電圧変換ＩＣの回路ブロック図
を図７に示す。同図において、３、４、５、６は抵抗で
あって、抵抗４、５、６は差動型アンプ１の出力と基準
電位Ｖrefとの間に抵抗６、５、４の順に差動型アンプ
１の出力側から直列に接続されており、抵抗４と抵抗５
との接続点が抵抗３を介して差動型アンプ１の反転入力
端子（−）に接続されている。また、抵抗６の両端には
アナログスイッチ２が接続されている。尚、第１従来技
術と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
た、第２従来例の電流／電圧変換ＩＣの回路ブロック図
を図７に示す。同図において、３、４、５、６は抵抗で
あって、抵抗４、５、６は差動型アンプ１の出力と基準
電位Ｖrefとの間に抵抗６、５、４の順に差動型アンプ
１の出力側から直列に接続されており、抵抗４と抵抗５
との接続点が抵抗３を介して差動型アンプ１の反転入力
端子（−）に接続されている。また、抵抗６の両端には
アナログスイッチ２が接続されている。尚、第１従来技
術と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【０００７】以上の構成により、入力端子ＩＮに接続さ
れたフォトダイオードＰＤに光が照射されると、その光
量に応じた電流Ｉが帰還抵抗を通して流れ、出力端子Ｏ
ＵＴから出力される電圧は、アナログスイッチ２がＯＮ
であるときはＩ×（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／
Ｒ2だけ上昇し、一方、アナログスイッチ２がＯＦＦで
あるときはＩ×｛Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×（Ｒ3＋ＲT）＋（Ｒ3
＋ＲT）×Ｒ1｝／Ｒ2だけ上昇する。但し、抵抗３、
４、５、６の値をそれぞれＲ1、Ｒ2、Ｒ3、ＲTとしてい
る。
れたフォトダイオードＰＤに光が照射されると、その光
量に応じた電流Ｉが帰還抵抗を通して流れ、出力端子Ｏ
ＵＴから出力される電圧は、アナログスイッチ２がＯＮ
であるときはＩ×（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／
Ｒ2だけ上昇し、一方、アナログスイッチ２がＯＦＦで
あるときはＩ×｛Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×（Ｒ3＋ＲT）＋（Ｒ3
＋ＲT）×Ｒ1｝／Ｒ2だけ上昇する。但し、抵抗３、
４、５、６の値をそれぞれＲ1、Ｒ2、Ｒ3、ＲTとしてい
る。
【０００８】したがって、第１従来例の電流／電圧変換
ＩＣと同一の変換ゲインを得るためには、アナログスイ
ッチ２が接続されている抵抗がないものとして考える
と、（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／Ｒ2＝Ｒを満
足するように各抵抗の値を設定すればよいわけである。
ＩＣと同一の変換ゲインを得るためには、アナログスイ
ッチ２が接続されている抵抗がないものとして考える
と、（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／Ｒ2＝Ｒを満
足するように各抵抗の値を設定すればよいわけである。
【０００９】一方、第２従来例の電流／電圧変換ＩＣの
帰還抵抗の値ＲFを求めると、ＲF＝（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×
Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ3）＜（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ
3＋Ｒ3×Ｒ1）／Ｒ2＝Ｒとなり、同一の変換ゲインを得
るにあたって、第１従来例の電流／電圧変換ＩＣよりも
帰還抵抗の抵抗値が小さくて済むことがわかる。具体的
な抵抗値の例を挙げてみてみると、Ｒ＝１２ｋΩとした
場合、Ｒ1＝Ｒ3＝２ｋΩ、Ｒ2＝５００Ωとすることで
同一の変換ゲインとなるが、このときの帰還抵抗の抵抗
値ＲFはＲF＝２．４ｋΩとなり、１／５の抵抗値とな
る。
帰還抵抗の値ＲFを求めると、ＲF＝（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×
Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ3）＜（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×Ｒ
3＋Ｒ3×Ｒ1）／Ｒ2＝Ｒとなり、同一の変換ゲインを得
るにあたって、第１従来例の電流／電圧変換ＩＣよりも
帰還抵抗の抵抗値が小さくて済むことがわかる。具体的
な抵抗値の例を挙げてみてみると、Ｒ＝１２ｋΩとした
場合、Ｒ1＝Ｒ3＝２ｋΩ、Ｒ2＝５００Ωとすることで
同一の変換ゲインとなるが、このときの帰還抵抗の抵抗
値ＲFはＲF＝２．４ｋΩとなり、１／５の抵抗値とな
る。
【００１０】これにより、同一の変換ゲインとした場
合、第２従来例の電流／電圧変換ＩＣでは、セカンドポ
ール周波数（１／２πＣＲF）がより高域へシフトする
ので、周波数帯域を広域化することができる。
合、第２従来例の電流／電圧変換ＩＣでは、セカンドポ
ール周波数（１／２πＣＲF）がより高域へシフトする
ので、周波数帯域を広域化することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ここで、第２従来例の
電流／電圧変換ＩＣでは、アナログスイッチ２がＯＮか
らＯＦＦに切り換わることにより、変換ゲインが上昇す
るわけであるが、その際には、帰還抵抗のうちの差動型
アンプ１の出力側、すなわち、ローインピーダンス側に
接続された抵抗の抵抗値を調整することになるので、ル
ープゲインが小さくなりすぎて周波数帯域が余りにも狭
くならない程度内において、抵抗４の抵抗値Ｒ2を十分
小さくしておけば、セカンドポールに対する影響は無視
できる、つまり、セカンドポールの周波数は変わらな
い。
電流／電圧変換ＩＣでは、アナログスイッチ２がＯＮか
らＯＦＦに切り換わることにより、変換ゲインが上昇す
るわけであるが、その際には、帰還抵抗のうちの差動型
アンプ１の出力側、すなわち、ローインピーダンス側に
接続された抵抗の抵抗値を調整することになるので、ル
ープゲインが小さくなりすぎて周波数帯域が余りにも狭
くならない程度内において、抵抗４の抵抗値Ｒ2を十分
小さくしておけば、セカンドポールに対する影響は無視
できる、つまり、セカンドポールの周波数は変わらな
い。
【００１２】しかしながら、アナログスイッチ２をＯＮ
からＯＦＦに切り換えると、帰還量がＲ2／Ｒ2＋Ｒ3か
らＲ2／Ｒ2＋Ｒ3＋ＲTになって、ループゲイン（帰還ル
ープのゲイン）が低下するので、変換ゲインを上昇させ
ると、第１従来例の電流／電圧変換ＩＣと同じく、周波
数帯域が悪化してしまう（図８参照）。
からＯＦＦに切り換えると、帰還量がＲ2／Ｒ2＋Ｒ3か
らＲ2／Ｒ2＋Ｒ3＋ＲTになって、ループゲイン（帰還ル
ープのゲイン）が低下するので、変換ゲインを上昇させ
ると、第１従来例の電流／電圧変換ＩＣと同じく、周波
数帯域が悪化してしまう（図８参照）。
【００１３】そして、ＣＤプレーヤではＣＤ−ＲＯＭと
ＣＤ−Ｒとでの反射率の違いにより、また、ＤＶＤプレ
ーヤではディスクの１層と２層とでの信号レベルの違い
により、それぞれ変換ゲインを変化させるようになって
いるが、以上のように、従来の電流／電圧変換ＩＣでは
変換ゲインが上昇することにより周波数帯域が悪化する
ため、特に、２０倍速以上のＣＤプレーヤ、３倍速のＤ
ＶＤプレーヤなどにおいてはＲＦ信号が３０〜５０ＭＨ
ｚと非常に高域であることから、ＣＤプレーヤにおいて
はＣＤ−ＲＯＭとＣＤ−Ｒとで、ＤＶＤプレーヤにおい
てはディスクの１層と２層とで、それぞれ再生品質が異
なるという問題を招いている。
ＣＤ−Ｒとでの反射率の違いにより、また、ＤＶＤプレ
ーヤではディスクの１層と２層とでの信号レベルの違い
により、それぞれ変換ゲインを変化させるようになって
いるが、以上のように、従来の電流／電圧変換ＩＣでは
変換ゲインが上昇することにより周波数帯域が悪化する
ため、特に、２０倍速以上のＣＤプレーヤ、３倍速のＤ
ＶＤプレーヤなどにおいてはＲＦ信号が３０〜５０ＭＨ
ｚと非常に高域であることから、ＣＤプレーヤにおいて
はＣＤ−ＲＯＭとＣＤ−Ｒとで、ＤＶＤプレーヤにおい
てはディスクの１層と２層とで、それぞれ再生品質が異
なるという問題を招いている。
【００１４】そこで、本発明は、変換ゲインを上昇させ
ても、周波数帯域が悪化しない電流／電圧変換ＩＣ及び
光電気変換ＩＣを提供することを目的とする。
ても、周波数帯域が悪化しない電流／電圧変換ＩＣ及び
光電気変換ＩＣを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の電流／電圧変換ＩＣでは、負帰還抵抗が接
続された増幅器を有し、該増幅器の入力端子に光電変換
素子であるフォトダイオードを接続して、該フォトダイ
オードの出力電流を前記負帰還抵抗によって電圧に変換
する電流／電圧変換ＩＣにおいて、前記負帰還抵抗の抵
抗値と前記増幅器の位相補償要素である容量の容量値と
を外部からの信号により連動して変化させる手段を有し
ている。
め、本発明の電流／電圧変換ＩＣでは、負帰還抵抗が接
続された増幅器を有し、該増幅器の入力端子に光電変換
素子であるフォトダイオードを接続して、該フォトダイ
オードの出力電流を前記負帰還抵抗によって電圧に変換
する電流／電圧変換ＩＣにおいて、前記負帰還抵抗の抵
抗値と前記増幅器の位相補償要素である容量の容量値と
を外部からの信号により連動して変化させる手段を有し
ている。
【００１６】また、本発明の光電気変換ＩＣでは、光電
変換素子であるフォトダイオードと、負帰還抵抗が接続
された増幅器とを有し、前記フォトダイオードの出力電
流を前記負帰還抵抗によって電圧に変換する光電気変換
ＩＣにおいて、前記負帰還抵抗の抵抗値と前記増幅器の
位相補償要素である容量の容量値とを外部からの信号に
より連動して変化させる手段を有している。
変換素子であるフォトダイオードと、負帰還抵抗が接続
された増幅器とを有し、前記フォトダイオードの出力電
流を前記負帰還抵抗によって電圧に変換する光電気変換
ＩＣにおいて、前記負帰還抵抗の抵抗値と前記増幅器の
位相補償要素である容量の容量値とを外部からの信号に
より連動して変化させる手段を有している。
【００１７】ここで、ある回路内における電圧増幅度の
最も大きなポイントに存在する容量値は回路内のポール
周波数を支配しており（いわゆる、ミラー効果）、その
容量値が小さいほどポール周波数は高域に存在すること
になる。このことを利用して、増幅器においては、位相
補償を行うために、電圧増幅度の最も大きなポイントに
容量素子を挿入している。
最も大きなポイントに存在する容量値は回路内のポール
周波数を支配しており（いわゆる、ミラー効果）、その
容量値が小さいほどポール周波数は高域に存在すること
になる。このことを利用して、増幅器においては、位相
補償を行うために、電圧増幅度の最も大きなポイントに
容量素子を挿入している。
【００１８】そして、以上の構成によれば、負帰還抵抗
の抵抗値が大きくなる（これによって、変換ゲインが上
昇する）ときには、上記した増幅器の位相補償要素であ
る容量の容量値が小さくなる（これにより増幅器単体の
ポール周波数が高域へシフトする）ようにするととも
に、そのときの抵抗値の変化率と容量値の変化率との関
係を適切に設定することによって、変換ゲインを上昇さ
せても周波数帯域が悪化することはない。
の抵抗値が大きくなる（これによって、変換ゲインが上
昇する）ときには、上記した増幅器の位相補償要素であ
る容量の容量値が小さくなる（これにより増幅器単体の
ポール周波数が高域へシフトする）ようにするととも
に、そのときの抵抗値の変化率と容量値の変化率との関
係を適切に設定することによって、変換ゲインを上昇さ
せても周波数帯域が悪化することはない。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図面
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施形態で
ある電流／電圧変換ＩＣの回路ブロック図であって、第
２従来例の電流／電圧変換ＩＣにおいて、端子ＣＯＮＴ
から入力する外部の信号により、帰還抵抗の抵抗値と差
動型アンプ１内部の位相補償要素である容量の容量値と
を同時に変化させることによって、出力ゲインを上昇さ
せても周波数帯域が悪化しないようにしたものである。
尚、従来技術と同一部分には同一符号を付して説明を省
略する。
を参照しながら説明する。図１は本発明の一実施形態で
ある電流／電圧変換ＩＣの回路ブロック図であって、第
２従来例の電流／電圧変換ＩＣにおいて、端子ＣＯＮＴ
から入力する外部の信号により、帰還抵抗の抵抗値と差
動型アンプ１内部の位相補償要素である容量の容量値と
を同時に変化させることによって、出力ゲインを上昇さ
せても周波数帯域が悪化しないようにしたものである。
尚、従来技術と同一部分には同一符号を付して説明を省
略する。
【００２０】上記内容を差動型アンプ１の具体例を示し
て説明する。図２は図１の差動型アンプ１の具体例を示
したものであって、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ6はＮＰＮ型トランジ
スタ、Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ7はＰＮＰ型トランジスタ、Ｃ
Ｃ1、ＣＣ2は定電流回路、Ｄ1、Ｄ2はダイオード、
Ｃ1、Ｃ2はコンデンサ、ＳＷはアナログスイッチであ
る。
て説明する。図２は図１の差動型アンプ１の具体例を示
したものであって、Ｑ1、Ｑ2、Ｑ6はＮＰＮ型トランジ
スタ、Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ7はＰＮＰ型トランジスタ、Ｃ
Ｃ1、ＣＣ2は定電流回路、Ｄ1、Ｄ2はダイオード、
Ｃ1、Ｃ2はコンデンサ、ＳＷはアナログスイッチであ
る。
【００２１】トランジスタＱ1、Ｑ2は差動対を形成して
おり、トランジスタＱ1、Ｑ2のベースがそれぞれ非反転
入力端子（＋）、反転入力端子（−）となっており、ト
ランジスタＱ1、Ｑ2のコレクタは、カレントミラー回路
ＣＭを形成する出力側のトランジスタＱ4のコレクタ、
入力側のトランジスタＱ3のコレクタにそれぞれ接続さ
れており、トランジスタＱ1、Ｑ2のエミッタは一端が電
圧が−ＶCCの電源ラインに接続された定電流回路ＣＣ1
の他端に共通に接続されている。
おり、トランジスタＱ1、Ｑ2のベースがそれぞれ非反転
入力端子（＋）、反転入力端子（−）となっており、ト
ランジスタＱ1、Ｑ2のコレクタは、カレントミラー回路
ＣＭを形成する出力側のトランジスタＱ4のコレクタ、
入力側のトランジスタＱ3のコレクタにそれぞれ接続さ
れており、トランジスタＱ1、Ｑ2のエミッタは一端が電
圧が−ＶCCの電源ラインに接続された定電流回路ＣＣ1
の他端に共通に接続されている。
【００２２】トランジスタＱ5のベースはトランジスタ
Ｑ1のコレクタとトランジスタＱ4のコレクタとの接続点
に接続されており、トランジスタＱ5のコレクタは、２
つの直列接続されたダイオードＤ1、Ｄ2を介して、一端
が電圧が−ＶCCの電源ラインに接続された定電流回路Ｃ
Ｃ2の他端に接続されており、トランジスタＱ5のエミッ
タは電圧がＶCCの電源ラインに接続されている。
Ｑ1のコレクタとトランジスタＱ4のコレクタとの接続点
に接続されており、トランジスタＱ5のコレクタは、２
つの直列接続されたダイオードＤ1、Ｄ2を介して、一端
が電圧が−ＶCCの電源ラインに接続された定電流回路Ｃ
Ｃ2の他端に接続されており、トランジスタＱ5のエミッ
タは電圧がＶCCの電源ラインに接続されている。
【００２３】トランジスタＱ6のベースはトランジスタ
Ｑ5のコレクタとダイオードＤ1との接続点に接続されて
おり、トランジスタＱ6のコレクタは電圧がＶCCの電源
ラインに接続されている。トランジスタＱ7のベースは
ダイオードＤ2と定電流回路ＣＣ2との接続点に接続され
ており、トランジスタＱ7のコレクタは電圧が−ＶCCの
電源ラインに接続されている。トランジスタＱ6とトラ
ンジスタＱ7のエミッタ同士が接続されており、この接
続点が出力点となっている。
Ｑ5のコレクタとダイオードＤ1との接続点に接続されて
おり、トランジスタＱ6のコレクタは電圧がＶCCの電源
ラインに接続されている。トランジスタＱ7のベースは
ダイオードＤ2と定電流回路ＣＣ2との接続点に接続され
ており、トランジスタＱ7のコレクタは電圧が−ＶCCの
電源ラインに接続されている。トランジスタＱ6とトラ
ンジスタＱ7のエミッタ同士が接続されており、この接
続点が出力点となっている。
【００２４】そして、トランジスタＱ5のベース−コレ
クタ間に、コンデンサＣ1及び直列に接続されたコンデ
ンサＣ2とアナログスイッチＳＷが並列に接続されてい
る。尚、アナログスイッチＳＷは端子ＣＯＮＴから入力
する外部の信号によりＯＮ／ＯＦＦ制御されるようにな
っており、また、アナログスイッチ２も端子ＣＯＮＴか
ら入力する外部の信号によりＯＮ／ＯＦＦ制御される
が、アナログスイッチ２がＯＮのときはアナログスイッ
チＳＷもＯＮ、アナログスイッチ２がＯＦＦのときはア
ナログスイッチＳＷもＯＦＦとなるようになっている。
クタ間に、コンデンサＣ1及び直列に接続されたコンデ
ンサＣ2とアナログスイッチＳＷが並列に接続されてい
る。尚、アナログスイッチＳＷは端子ＣＯＮＴから入力
する外部の信号によりＯＮ／ＯＦＦ制御されるようにな
っており、また、アナログスイッチ２も端子ＣＯＮＴか
ら入力する外部の信号によりＯＮ／ＯＦＦ制御される
が、アナログスイッチ２がＯＮのときはアナログスイッ
チＳＷもＯＮ、アナログスイッチ２がＯＦＦのときはア
ナログスイッチＳＷもＯＦＦとなるようになっている。
【００２５】以上の構成により、トランジスタＱ1、Ｑ2
のベース電位が等しくなるように帰還制御が働き、入力
端子ＩＮに接続されたフォトダイオードＰＤに光が照射
されない状態では、出力端子ＯＵＴから出力される電圧
はＶrefとなっており、帰還抵抗に電流は流れていな
い。一方、フォトダイオードＰＤに光が照射されている
状態では、その光量に応じた電流Ｉが電源電圧ＶCCライ
ン→トランジスタＱ6→抵抗ＲTまたはアナログスイッチ
２→抵抗Ｒ3→抵抗Ｒ1→フォトダイオードＰＤの経路で
流れ、出力端子ＯＵＴから出力される電圧は、アナログ
スイッチ２がＯＮのときはＶref＋Ｉ×（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2
×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／Ｒ2、アナログスイッチ２がＯＦＦ
のときはＶref＋Ｉ×｛Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×（Ｒ3＋ＲT）＋
（Ｒ3＋ＲT）×Ｒ1｝／Ｒ2となる。
のベース電位が等しくなるように帰還制御が働き、入力
端子ＩＮに接続されたフォトダイオードＰＤに光が照射
されない状態では、出力端子ＯＵＴから出力される電圧
はＶrefとなっており、帰還抵抗に電流は流れていな
い。一方、フォトダイオードＰＤに光が照射されている
状態では、その光量に応じた電流Ｉが電源電圧ＶCCライ
ン→トランジスタＱ6→抵抗ＲTまたはアナログスイッチ
２→抵抗Ｒ3→抵抗Ｒ1→フォトダイオードＰＤの経路で
流れ、出力端子ＯＵＴから出力される電圧は、アナログ
スイッチ２がＯＮのときはＶref＋Ｉ×（Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2
×Ｒ3＋Ｒ3×Ｒ1）／Ｒ2、アナログスイッチ２がＯＦＦ
のときはＶref＋Ｉ×｛Ｒ1×Ｒ2＋Ｒ2×（Ｒ3＋ＲT）＋
（Ｒ3＋ＲT）×Ｒ1｝／Ｒ2となる。
【００２６】ここで、ある回路内における電圧増幅度の
最も大きなポイントに存在する容量値が回路のポール周
波数を支配している（いわゆる、ミラー効果）ことか
ら、増幅器においては、位相補償を行うために、電圧増
幅度の最も大きなポイントにコンデンサを設けており、
本実施形態の電流／電圧変換ＩＣにおける差動型アンプ
１ではトランジスタＱ5のベース−コレクタ間に接続さ
れているコンデンサＣ1、Ｃ2が位相補償要素に相当し、
トランジスタＱ5のベース−コレクタ間の容量値が小さ
いほど差動型アンプ１単体のポール周波数は高域に存在
することになる。
最も大きなポイントに存在する容量値が回路のポール周
波数を支配している（いわゆる、ミラー効果）ことか
ら、増幅器においては、位相補償を行うために、電圧増
幅度の最も大きなポイントにコンデンサを設けており、
本実施形態の電流／電圧変換ＩＣにおける差動型アンプ
１ではトランジスタＱ5のベース−コレクタ間に接続さ
れているコンデンサＣ1、Ｃ2が位相補償要素に相当し、
トランジスタＱ5のベース−コレクタ間の容量値が小さ
いほど差動型アンプ１単体のポール周波数は高域に存在
することになる。
【００２７】したがって、本実施形態の電流／電圧変換
ＩＣでは、アナログスイッチＳＷがＯＮからＯＦＦに切
り換わると、トランジスタＱ５のベース−コレクタ間の
容量の値は小さくなって、ファーストポール周波数は高
域へシフトすることになり、周波数帯域は向上する。
ＩＣでは、アナログスイッチＳＷがＯＮからＯＦＦに切
り換わると、トランジスタＱ５のベース−コレクタ間の
容量の値は小さくなって、ファーストポール周波数は高
域へシフトすることになり、周波数帯域は向上する。
【００２８】そして、アナログスイッチ２とアナログス
イッチＳＷとは、端子ＣＯＮＴから入力される信号によ
りＯＮ／ＯＦＦ制御され、アナログスイッチ２がＯＮの
ときはアナログスイッチＳＷもＯＮ、アナログスイッチ
２がＯＦＦのときはアナログスイッチＳＷもＯＦＦとな
るように連動して切り換わることから、アナログスイッ
チ２がＯＮからＯＦＦに切り換わって変換ゲインが大き
くなると、帰還量が減少してループゲインが低下する
が、そのときにはアナログスイッチＳＷもＯＮからＯＦ
Ｆに切り換わってファーストポール周波数が高域へシフ
トするので、周波数帯域が悪化することはない（図３参
照）。
イッチＳＷとは、端子ＣＯＮＴから入力される信号によ
りＯＮ／ＯＦＦ制御され、アナログスイッチ２がＯＮの
ときはアナログスイッチＳＷもＯＮ、アナログスイッチ
２がＯＦＦのときはアナログスイッチＳＷもＯＦＦとな
るように連動して切り換わることから、アナログスイッ
チ２がＯＮからＯＦＦに切り換わって変換ゲインが大き
くなると、帰還量が減少してループゲインが低下する
が、そのときにはアナログスイッチＳＷもＯＮからＯＦ
Ｆに切り換わってファーストポール周波数が高域へシフ
トするので、周波数帯域が悪化することはない（図３参
照）。
【００２９】尚、アナログスイッチ２がＯＮからＯＦＦ
に切り換わったときのループゲインの低下による周波数
帯域の悪化と、アナログスイッチＳＷがＯＮからＯＦＦ
に切り換わったときのファーストポール周波数の高域へ
のシフトによる周波数帯域の向上とが相殺するように、
必要な変換ゲインによって決定する抵抗ＲTの抵抗値に
応じてコンデンサＣ2の容量値が設定されている。
に切り換わったときのループゲインの低下による周波数
帯域の悪化と、アナログスイッチＳＷがＯＮからＯＦＦ
に切り換わったときのファーストポール周波数の高域へ
のシフトによる周波数帯域の向上とが相殺するように、
必要な変換ゲインによって決定する抵抗ＲTの抵抗値に
応じてコンデンサＣ2の容量値が設定されている。
【００３０】以上のように、本実施形態の電流／電圧変
換ＩＣでは、変換ゲインを上昇させても周波数帯域が悪
化することはないので、ＲＦ信号が３０〜５０ＭＨｚと
非常に高域となる、２０倍速以上のＣＤプレーヤ、３倍
速のＤＶＤプレーヤなどにおいても、常に安定した再生
品質を得ることができるようになる。
換ＩＣでは、変換ゲインを上昇させても周波数帯域が悪
化することはないので、ＲＦ信号が３０〜５０ＭＨｚと
非常に高域となる、２０倍速以上のＣＤプレーヤ、３倍
速のＤＶＤプレーヤなどにおいても、常に安定した再生
品質を得ることができるようになる。
【００３１】尚、上記実施形態においては、帰還抵抗に
はスイッチング素子が並列に接続された抵抗（ＲT）が
１つ設けられており、変換ゲインの切り換えが２段階で
あって、これに伴い、差動型アンプ１内の位相補償要素
である容量にはスイッチング素子が直列に接続されたコ
ンデンサ（Ｃ2）が１つ設けられており、ファーストポ
ールの切り換えも２段階であるが、この他には、帰還抵
抗にスイッチング素子が並列に接続された抵抗を２つ以
上設けるとともに、差動型アンプ１内の位相補償要素で
ある容量にはスイッチング素子が直列に接続されたコン
デンサを２つ以上設ける、あるいは、外部からの電気信
号によって抵抗値が可変の抵抗、同じく容量値が可変の
コンデンサを、それぞれ、抵抗Ｒ3、ＲT、及び、アナロ
グスイッチ２の代わりに、コンデンサＣ1、Ｃ2、及び、
アナログスイッチＳＷの代わりに設けるなどすることに
よって、所定の周波数帯域を維持しつつ出力ゲインをよ
りきめ細かく切り換えることができるようにしてもよ
い。
はスイッチング素子が並列に接続された抵抗（ＲT）が
１つ設けられており、変換ゲインの切り換えが２段階で
あって、これに伴い、差動型アンプ１内の位相補償要素
である容量にはスイッチング素子が直列に接続されたコ
ンデンサ（Ｃ2）が１つ設けられており、ファーストポ
ールの切り換えも２段階であるが、この他には、帰還抵
抗にスイッチング素子が並列に接続された抵抗を２つ以
上設けるとともに、差動型アンプ１内の位相補償要素で
ある容量にはスイッチング素子が直列に接続されたコン
デンサを２つ以上設ける、あるいは、外部からの電気信
号によって抵抗値が可変の抵抗、同じく容量値が可変の
コンデンサを、それぞれ、抵抗Ｒ3、ＲT、及び、アナロ
グスイッチ２の代わりに、コンデンサＣ1、Ｃ2、及び、
アナログスイッチＳＷの代わりに設けるなどすることに
よって、所定の周波数帯域を維持しつつ出力ゲインをよ
りきめ細かく切り換えることができるようにしてもよ
い。
【００３２】また、本発明の実施形態としては、第２従
来例の電流／電圧変換ＩＣにおいて、変換ゲインの切り
換えとファーストポールのシフトとを同時に行うものを
示したが、第１従来例の電流／電圧変換ＩＣにおいて、
これを行うようにしたものであってもよく、同一の変換
ゲインを想定した場合、上記実施形態よりも周波数帯域
としては劣るが、変換ゲインを切り換えても周波数帯域
が悪化することはない（図４参照）。
来例の電流／電圧変換ＩＣにおいて、変換ゲインの切り
換えとファーストポールのシフトとを同時に行うものを
示したが、第１従来例の電流／電圧変換ＩＣにおいて、
これを行うようにしたものであってもよく、同一の変換
ゲインを想定した場合、上記実施形態よりも周波数帯域
としては劣るが、変換ゲインを切り換えても周波数帯域
が悪化することはない（図４参照）。
【００３３】また、本発明の実施形態として、フォトダ
イオードが別体である電流／電圧変換ＩＣを示したが、
フォトダイオードを内蔵した光電気変換ＩＣ、いわゆ
る、ＯＥＩＣであってもよい。
イオードが別体である電流／電圧変換ＩＣを示したが、
フォトダイオードを内蔵した光電気変換ＩＣ、いわゆ
る、ＯＥＩＣであってもよい。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の電流／電
圧変換ＩＣあるいは光電気変換ＩＣによれば、変換ゲイ
ンを上昇させても周波数帯域が悪化することはなくな
る。これにより、例えば、２０倍速以上のＣＤプレー
ヤ、３倍速のＤＶＤプレーヤなどにおいても、常に安定
した再生品質が得ることができるようになるというよう
に、電流／電圧変換ＩＣあるいは光電気変換ＩＣが組み
込まれる機器の性能を向上させることができる。
圧変換ＩＣあるいは光電気変換ＩＣによれば、変換ゲイ
ンを上昇させても周波数帯域が悪化することはなくな
る。これにより、例えば、２０倍速以上のＣＤプレー
ヤ、３倍速のＤＶＤプレーヤなどにおいても、常に安定
した再生品質が得ることができるようになるというよう
に、電流／電圧変換ＩＣあるいは光電気変換ＩＣが組み
込まれる機器の性能を向上させることができる。
【図１】 本発明の一実施形態である電流／電圧変換Ｉ
Ｃの回路ブロック図である。
Ｃの回路ブロック図である。
【図２】 図１において差動型アンプ１の具体例を示し
た図である。
た図である。
【図３】 図１に示す電流／電圧変換ＩＣの周波数特性
図である。
図である。
【図４】 他の実施形態である電流／電圧変換ＩＣの周
波数特性図である。
波数特性図である。
【図５】 第１従来例の電流／電圧変換ＩＣの回路ブロ
ック図である。
ック図である。
【図６】 第１従来例の電流／電圧変換ＩＣの周波数特
性図である。
性図である。
【図７】 第２従来例の電流／電圧変換ＩＣの回路ブロ
ック図である。
ック図である。
【図８】 第２従来例の電流／電圧変換ＩＣの周波数特
性図である。
性図である。
１ 差動型アンプ（演算増幅器） ２ アナログスイッチ ３、４、５、６、５１、５２ 抵抗 Ｑ1、Ｑ2、Ｑ6 ＮＰＮ型トランジスタ Ｑ3、Ｑ4、Ｑ5、Ｑ7 ＰＮＰ型トランジスタ ＣＣ1、ＣＣ2 定電流回路 Ｄ1、Ｄ2 ダイオード Ｃ1、Ｃ2 コンデンサ ＳＷ アナログスイッチ
Claims (2)
- 【請求項１】 負帰還抵抗が接続された増幅器を有し、
該増幅器の入力端子に光電変換素子であるフォトダイオ
ードを接続して、該フォトダイオードの出力電流を前記
負帰還抵抗によって電圧に変換する電流／電圧変換ＩＣ
において、 前記負帰還抵抗の抵抗値と前記増幅器の位相補償要素で
ある容量の容量値とを外部からの信号により連動して変
化させる手段を有することを特徴とする電流／電圧変換
ＩＣ。 - 【請求項２】 光電変換素子であるフォトダイオード
と、負帰還抵抗が接続された増幅器とを有し、前記フォ
トダイオードの出力電流を前記負帰還抵抗によって電圧
に変換する光電気変換ＩＣにおいて、 前記負帰還抵抗の抵抗値と前記増幅器の位相補償要素で
ある容量の容量値とを外部からの信号により連動して変
化させる手段を有することを特徴とする光電気変換Ｉ
Ｃ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9099985A JPH10290127A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 電流／電圧変換ｉｃ及び光電気変換ｉｃ |
| US09/061,068 US6114686A (en) | 1997-04-17 | 1998-04-16 | Current-to-voltage conversion IC and a photoelectric conversion IC |
| KR1019980013780A KR19980081512A (ko) | 1997-04-17 | 1998-04-17 | 전류－전압변환ｉｃ 및 광－전기변환ｉｃ 및 이것을 이용한 광판독장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9099985A JPH10290127A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 電流／電圧変換ｉｃ及び光電気変換ｉｃ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10290127A true JPH10290127A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14261957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9099985A Pending JPH10290127A (ja) | 1997-04-17 | 1997-04-17 | 電流／電圧変換ｉｃ及び光電気変換ｉｃ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6114686A (ja) |
| JP (1) | JPH10290127A (ja) |
| KR (1) | KR19980081512A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054607A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Sony Corp | 電流電圧変換回路および光検出回路 |
| JP2006345481A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅装置、および光ディスクドライブ装置 |
| JP2015070536A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社エヌエフ回路設計ブロック | 電流帰還型増幅回路 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE59806207D1 (de) * | 1997-08-12 | 2002-12-12 | Klaus Wolter | Vorrichtung zum umsetzen kleiner, von einer nicht-idealen stromquelle an dem eingang der vorrichtung eingeprägter ströme in spannungssignale |
| GB9816529D0 (en) * | 1998-07-29 | 1998-09-30 | Northern Telecom Ltd | A wide dynamic range transimpedance amplifier |
| JP2000151290A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-05-30 | Nec Corp | 初段増幅回路 |
| US6492871B2 (en) * | 2000-12-29 | 2002-12-10 | Silicon Integrated Systems Corp. | Current feedback operational amplifier |
| JP4342111B2 (ja) * | 2001-01-30 | 2009-10-14 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 電流パルス受信回路 |
| JP4713022B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 光ディスクドライブ装置用の増幅回路 |
| US6784750B2 (en) * | 2002-04-09 | 2004-08-31 | Microsemi Corporation | Transimpedance amplifier with selective DC compensation |
| US6803825B2 (en) | 2002-04-09 | 2004-10-12 | Microsemi Corporation | Pseudo-differential transimpedance amplifier |
| JP2004007085A (ja) * | 2002-05-30 | 2004-01-08 | Nec Corp | 帰還増幅器 |
| EP1501189B1 (en) * | 2003-07-22 | 2009-08-12 | Panasonic Corporation | High frequency variable gain amplification device, control device, high frequency variable gain frequency-conversion device, and communication device |
| JP2008090923A (ja) * | 2006-10-02 | 2008-04-17 | Mitsumi Electric Co Ltd | レーザダイオード・ドライバ及びそれを備えたｎ波長対応光ピックアップ |
| US8612858B2 (en) * | 2009-05-01 | 2013-12-17 | Apple Inc. | Condensing graphical representations of media clips in a composite display area of a media-editing application |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2530144C3 (de) * | 1975-07-05 | 1981-11-19 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verstärker mit veränderbarem Übertragungsmaß |
| DE2707609A1 (de) * | 1977-02-22 | 1978-08-24 | Licentia Gmbh | In seiner verstaerkung steuerbarer wechselspannungsverstaerker |
| US5363055A (en) * | 1993-03-15 | 1994-11-08 | General Electric Company | Photodiode preamplifier with programmable gain amplification |
| US5451904A (en) * | 1993-03-26 | 1995-09-19 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Amplifying circuit in which variable impedance circuit is used in negative feedback circuit |
| US5602511A (en) * | 1995-06-07 | 1997-02-11 | Santa Barbara Research Center | Capacitive transimpedance amplifier having dynamic compression |
| JPH098563A (ja) * | 1995-06-20 | 1997-01-10 | Nec Miyagi Ltd | 光受信前置増幅器 |
| US5805019A (en) * | 1996-09-24 | 1998-09-08 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Voltage gain amplifier for converting a single input to a differential output |
| US5793254A (en) * | 1996-09-24 | 1998-08-11 | Brookhaven Science Associates Llc | Monolithic amplifier with stable, high resistance feedback element and method for fabricating the same |
| US5917379A (en) * | 1997-07-31 | 1999-06-29 | Lucent Technologies Inc. | Broadband linear transconductance amplifier with resistive pole-splitting compensation |
-
1997
- 1997-04-17 JP JP9099985A patent/JPH10290127A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-16 US US09/061,068 patent/US6114686A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-17 KR KR1019980013780A patent/KR19980081512A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006054607A (ja) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Sony Corp | 電流電圧変換回路および光検出回路 |
| JP4507754B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2010-07-21 | ソニー株式会社 | 電流電圧変換回路および光検出回路 |
| JP2006345481A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 増幅装置、および光ディスクドライブ装置 |
| JP2015070536A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 株式会社エヌエフ回路設計ブロック | 電流帰還型増幅回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR19980081512A (ko) | 1998-11-25 |
| US6114686A (en) | 2000-09-05 |
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