JP3535029B2 - 受光増幅回路 - Google Patents
受光増幅回路Info
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- JP3535029B2 JP3535029B2 JP01022699A JP1022699A JP3535029B2 JP 3535029 B2 JP3535029 B2 JP 3535029B2 JP 01022699 A JP01022699 A JP 01022699A JP 1022699 A JP1022699 A JP 1022699A JP 3535029 B2 JP3535029 B2 JP 3535029B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＣＤ−ＲＯＭやＤＶ
Ｄ等においてディスク上の記録信号を読み出すためにデ
ィスクで反射した読み出し光に反応するフォトダイオー
ド等の受光素子を有する光ピックアップ装置の受光増幅
回路に関するものである。
Ｄ等においてディスク上の記録信号を読み出すためにデ
ィスクで反射した読み出し光に反応するフォトダイオー
ド等の受光素子を有する光ピックアップ装置の受光増幅
回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来の受光増幅回路を示す。同図
において、Ｑ１はＮＰＮ型の増幅トランジスタであり、
このトランジスタＱ１のベースとグランドＧＮＤ間にフ
ォトダイオード１が接続されている。２は出力端子であ
り、この出力端子とトランジスタＱ１のベース間に抵抗
Ｒが接続されている。３はバイアス電圧供給回路であ
り、その電圧はトランジスタＱ１１，Ｑ１２のベースへ
それぞれ印加される。トランジスタＱ１１のコレクタは
ＰＮＰ型のトランジスタＱ１３、Ｑ１４で構成されたカ
レントミラー回路に接続されている。
において、Ｑ１はＮＰＮ型の増幅トランジスタであり、
このトランジスタＱ１のベースとグランドＧＮＤ間にフ
ォトダイオード１が接続されている。２は出力端子であ
り、この出力端子とトランジスタＱ１のベース間に抵抗
Ｒが接続されている。３はバイアス電圧供給回路であ
り、その電圧はトランジスタＱ１１，Ｑ１２のベースへ
それぞれ印加される。トランジスタＱ１１のコレクタは
ＰＮＰ型のトランジスタＱ１３、Ｑ１４で構成されたカ
レントミラー回路に接続されている。
【０００３】カレントミラー回路の出力側のトランジス
タＱ１４のコレクタは前記増幅トランジスタＱ１のコレ
クタに接続されるとともに、ＮＰＮ型の出力トランジス
タＱ１５のベースにも接続されている。出力トランジス
タＱ１５のエミッタは出力端子２に接続されるととも
に、トランジスタＱ１２のコレクタにも接続されてい
る。前記トランジスタＱ１３、Ｑ１４のエミッタ、及び
トランジスタＱ１５のコレクタは電源電圧Ｖｃｃに接続
され、トランジスタＱ１１，Ｑ１２及び増幅トランジス
タＱ１のエミッタはグランドＧＮＤに接続されている。
タＱ１４のコレクタは前記増幅トランジスタＱ１のコレ
クタに接続されるとともに、ＮＰＮ型の出力トランジス
タＱ１５のベースにも接続されている。出力トランジス
タＱ１５のエミッタは出力端子２に接続されるととも
に、トランジスタＱ１２のコレクタにも接続されてい
る。前記トランジスタＱ１３、Ｑ１４のエミッタ、及び
トランジスタＱ１５のコレクタは電源電圧Ｖｃｃに接続
され、トランジスタＱ１１，Ｑ１２及び増幅トランジス
タＱ１のエミッタはグランドＧＮＤに接続されている。
【０００４】この受光増幅回路によると、増幅トランジ
スタＱ１のコレクタ・エミッタ間にはバイアス電流Ｉ1
が常に流れる。フォトダイオード１に光電流ＩPが発生
すると、この電流ＩPは抵抗Ｒを図示の如く流れ、出力
端子２には電流ＩPに比例した電圧ＶO得られる。
スタＱ１のコレクタ・エミッタ間にはバイアス電流Ｉ1
が常に流れる。フォトダイオード１に光電流ＩPが発生
すると、この電流ＩPは抵抗Ｒを図示の如く流れ、出力
端子２には電流ＩPに比例した電圧ＶO得られる。
【０００５】ところで、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ用の受光
増幅回路では高速化が重要なテーマとなっている。この
高速化は主に回路構成と受光素子であるフォトダイオー
ドによって決まるが、そのうちフォトダイオードについ
てはフォトダイオードの寄生容量を低減すればよい。そ
のため半導体基板として比抵抗の高い基板が使用されて
いる。
増幅回路では高速化が重要なテーマとなっている。この
高速化は主に回路構成と受光素子であるフォトダイオー
ドによって決まるが、そのうちフォトダイオードについ
てはフォトダイオードの寄生容量を低減すればよい。そ
のため半導体基板として比抵抗の高い基板が使用されて
いる。
【０００６】図４は横軸に周波数、縦軸にゲインをとっ
て示す受光増幅回路のゲインー周波数特性図であり、こ
のうちＡはフォトダイオード１自体の特性、Ｂはフォト
ダイオードを除く増幅回路の特性、Ｃはそれらを合成し
た総合特性である。
て示す受光増幅回路のゲインー周波数特性図であり、こ
のうちＡはフォトダイオード１自体の特性、Ｂはフォト
ダイオードを除く増幅回路の特性、Ｃはそれらを合成し
た総合特性である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一方、受光増幅回路の
他の特性として重要な項目はノイズレベルの問題であ
る。つまり、低いレベルの入射信号を良好に読み取るた
めには、ノイズレベルを低減する必要がある。このノイ
ズレベルの一部はショットノイズであり、ショットノイ
ズは増幅トランジスタＱ１のバイアス電流Ｉ1が大きけ
れば大きくなる。しかし、比抵抗の高い半導体基板を用
いてフォトダイオードを作成すると、大光量入射時にフ
ォトダイオードの能力が著しく増大し、その出力を増幅
するトランジスタが飽和してしまい、結果として図４に
示す周波数特性が悪化してしまう。このため増幅器の能
力を大きくするためバイアス電流を大きめに設定してい
る。
他の特性として重要な項目はノイズレベルの問題であ
る。つまり、低いレベルの入射信号を良好に読み取るた
めには、ノイズレベルを低減する必要がある。このノイ
ズレベルの一部はショットノイズであり、ショットノイ
ズは増幅トランジスタＱ１のバイアス電流Ｉ1が大きけ
れば大きくなる。しかし、比抵抗の高い半導体基板を用
いてフォトダイオードを作成すると、大光量入射時にフ
ォトダイオードの能力が著しく増大し、その出力を増幅
するトランジスタが飽和してしまい、結果として図４に
示す周波数特性が悪化してしまう。このため増幅器の能
力を大きくするためバイアス電流を大きめに設定してい
る。
【０００８】図３の従来回路はバイアス電流Ｉ1が一定
であるが、このバイアス電流を大光量信号入射時のゲイ
ン-周波数特性を確保するために大きめに設定しておく
と、低い入射光量のときにＳ／Ｎが悪化し、信号が読み
取れなくなる。特に上述のＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等にお
いては、５μＷ〜３００μＷの広範囲の光量信号が入力
されるので、上記従来の回路では、これらの範囲におい
て全て良好な出力を得るのが困難にあった。
であるが、このバイアス電流を大光量信号入射時のゲイ
ン-周波数特性を確保するために大きめに設定しておく
と、低い入射光量のときにＳ／Ｎが悪化し、信号が読み
取れなくなる。特に上述のＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等にお
いては、５μＷ〜３００μＷの広範囲の光量信号が入力
されるので、上記従来の回路では、これらの範囲におい
て全て良好な出力を得るのが困難にあった。
【０００９】本発明はこのような点に鑑みなされたもの
であって、広範囲の入射光量条件において、ノイズが少
なく良好なゲイン-周波数特性を得ることができるよう
にした受光増幅回路を提供することを目的とする。
であって、広範囲の入射光量条件において、ノイズが少
なく良好なゲイン-周波数特性を得ることができるよう
にした受光増幅回路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１の発明では、増幅トランジスタの入力電極と基
準電位点間に受光素子を接続するとともに、その増幅ト
ランジスタの出力電極を出力トランジスタ及び抵抗を介
して前記入力電極に接続し、且つバイアス回路により増
幅トランジスタの出力電極と残りの電極間にバイアス電
流Ｉｂを流すようにした受光増幅回路において、受光時
に前記バイアス電流Ｉｂに前記受光素子から出力される
光電流Ｉｐを加えた電流Ｉｂ＋Ｉｐを前記増幅トランジ
スタのバイアス電流とするようにしている。
請求項１の発明では、増幅トランジスタの入力電極と基
準電位点間に受光素子を接続するとともに、その増幅ト
ランジスタの出力電極を出力トランジスタ及び抵抗を介
して前記入力電極に接続し、且つバイアス回路により増
幅トランジスタの出力電極と残りの電極間にバイアス電
流Ｉｂを流すようにした受光増幅回路において、受光時
に前記バイアス電流Ｉｂに前記受光素子から出力される
光電流Ｉｐを加えた電流Ｉｂ＋Ｉｐを前記増幅トランジ
スタのバイアス電流とするようにしている。
【００１１】また、請求項２の発明に係る受光増幅回路
は、増幅トランジスタのベースと基準電位点との間に接
続されたフォトダイオードと、前記増幅トランジスタの
エミッタを前記基準電位点に接続するする手段と、前記
増幅トランジスタのベースと出力端子間に接続された抵
抗と、前記抵抗と出力端子との接続点に定電流を供給す
るバイアス回路と、前記出力端子にエミッタが接続され
た出力トランジスタと、前記出力トランジスタのコレク
タに接続され該出力トランジスタのコレクタ電流を入力
する第１カレントミラー回路と、第１カレントミラー回
路の出力電流を入力するとともに第１カレントミラー回
路のトランジスタとは逆導電型のトランジスタで構成さ
れた第２カレントミラー回路と、第２カレントミラー回
路の出力を入力するとともに第１カレントミラー回路の
トランジスタと同じ導電型のトランジスタで構成された
第３カレントミラー回路と、第３カレントミラー回路の
出力を前記増幅トランジスタのコレクタと出力トランジ
スタのベースに接続する手段と、から成っている。
は、増幅トランジスタのベースと基準電位点との間に接
続されたフォトダイオードと、前記増幅トランジスタの
エミッタを前記基準電位点に接続するする手段と、前記
増幅トランジスタのベースと出力端子間に接続された抵
抗と、前記抵抗と出力端子との接続点に定電流を供給す
るバイアス回路と、前記出力端子にエミッタが接続され
た出力トランジスタと、前記出力トランジスタのコレク
タに接続され該出力トランジスタのコレクタ電流を入力
する第１カレントミラー回路と、第１カレントミラー回
路の出力電流を入力するとともに第１カレントミラー回
路のトランジスタとは逆導電型のトランジスタで構成さ
れた第２カレントミラー回路と、第２カレントミラー回
路の出力を入力するとともに第１カレントミラー回路の
トランジスタと同じ導電型のトランジスタで構成された
第３カレントミラー回路と、第３カレントミラー回路の
出力を前記増幅トランジスタのコレクタと出力トランジ
スタのベースに接続する手段と、から成っている。
【００１２】また、請求項３の発明は、請求項１又は２
の受光回路において、上記抵抗として複数の抵抗を設け
るとともに、その抵抗を切り換える切換え手段を設けた
ことを特徴としている。
の受光回路において、上記抵抗として複数の抵抗を設け
るとともに、その抵抗を切り換える切換え手段を設けた
ことを特徴としている。
【００１３】また、請求項４の発明は、請求項３の受光
回路において、前記切換え手段がスイッチングトランジ
スタを含んでおり、このトランジスタのＯＮ／ＯＦＦを
受光増幅回路の外部から制御できるようにしたことを特
徴とする。
回路において、前記切換え手段がスイッチングトランジ
スタを含んでおり、このトランジスタのＯＮ／ＯＦＦを
受光増幅回路の外部から制御できるようにしたことを特
徴とする。
【００１４】また、請求項５の発明は、請求項１〜４の
いずれかに記載の受光増幅回路において、少なくとも前
記フォトダイオードが比抵抗の高い半導体基板に形成さ
れていることを特徴としている。
いずれかに記載の受光増幅回路において、少なくとも前
記フォトダイオードが比抵抗の高い半導体基板に形成さ
れていることを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明を実施した図１において、
Ｑ１はそのエミッタがグランドＧＮＤに接続されたＮＰ
Ｎ型の増幅トランジスタであり、後述するトランジスタ
Ｑ６とともに信号の増幅を行う。１はトランジスタＱ１
のベースにカソードが接続され、グランドＧＮＤにアノ
ードが接続されたフォトダイオード（受光素子）であ
る。
Ｑ１はそのエミッタがグランドＧＮＤに接続されたＮＰ
Ｎ型の増幅トランジスタであり、後述するトランジスタ
Ｑ６とともに信号の増幅を行う。１はトランジスタＱ１
のベースにカソードが接続され、グランドＧＮＤにアノ
ードが接続されたフォトダイオード（受光素子）であ
る。
【００１６】３はバイアス電圧を供給するバイアス回路
であり、そのバイアス電圧はＮＰＮ型のトランジスタＱ
２のベースに印加される。トランジスタＱ２のエミッタ
はグランドＧＮＤに接続され、コレクタは出力端子２に
接続されている。この出力端子２とトランジスタＱ１の
ベース間には抵抗Ｒが接続されている。出力端子２に
は、またＮＰＮ型の出力トランジスタＱ２のエミッタが
接続されている。
であり、そのバイアス電圧はＮＰＮ型のトランジスタＱ
２のベースに印加される。トランジスタＱ２のエミッタ
はグランドＧＮＤに接続され、コレクタは出力端子２に
接続されている。この出力端子２とトランジスタＱ１の
ベース間には抵抗Ｒが接続されている。出力端子２に
は、またＮＰＮ型の出力トランジスタＱ２のエミッタが
接続されている。
【００１７】前記出力トランジスタＱ２のコレクタには
ＰＮＰ型のトランジスタＱ７，Ｑ８から成る第１カレン
トミラー回路４が接続されていて、出力トランジスタＱ
２のコレクタ電流によって駆動される。第１カレントミ
ラー回路４の出力電流はＮＰＮ型のトランジスタＱ３の
コレクタとベースに流れ込む。トランジスタＱ３はＮＰ
Ｎ型のトランジスタＱ４と共に第２のカレントミラー回
路５を構成している。これらのトランジスタＱ３、Ｑ４
のエミッタはグランドに接続されている。
ＰＮＰ型のトランジスタＱ７，Ｑ８から成る第１カレン
トミラー回路４が接続されていて、出力トランジスタＱ
２のコレクタ電流によって駆動される。第１カレントミ
ラー回路４の出力電流はＮＰＮ型のトランジスタＱ３の
コレクタとベースに流れ込む。トランジスタＱ３はＮＰ
Ｎ型のトランジスタＱ４と共に第２のカレントミラー回
路５を構成している。これらのトランジスタＱ３、Ｑ４
のエミッタはグランドに接続されている。
【００１８】第２カレントミラー回路５の出力電流は第
３カレントミラー回路６に入力される。第３カレントミ
ラー回路６はＰＮＰ型のトランジスタＱ５、Ｑ６で構成
されており、その出力電流Ｉ2はトランジスタＱ６のコ
レクタから増幅トランジスタＱ１のコレクタに流れる。
尚、上記構成において、トランジスタＱ５、Ｑ６、Ｑ
７、Ｑ８のエミッタはいずれも電源電圧Ｖｃｃに接続さ
れている。
３カレントミラー回路６に入力される。第３カレントミ
ラー回路６はＰＮＰ型のトランジスタＱ５、Ｑ６で構成
されており、その出力電流Ｉ2はトランジスタＱ６のコ
レクタから増幅トランジスタＱ１のコレクタに流れる。
尚、上記構成において、トランジスタＱ５、Ｑ６、Ｑ
７、Ｑ８のエミッタはいずれも電源電圧Ｖｃｃに接続さ
れている。
【００１９】次に動作を説明する。まず、フォトダイオ
ード１に対する入射光量が０μＷの場合、第１のカレン
トミラー回路４に流れる電流Ｉ2はバイアス回路から供
給される電流Ｉｂと等しくなり、第２、第３カレントミ
ラー回路５、６にも等しい電流Ｉｂが供給される。次
に、フォトダイオード１に光信号が照射された場合、第
１カレントミラー回路４のバイアス電流Ｉ2に光電流Ｉ
ｐが加わり、Ｉｂ＋Ｉｐの電流がバイアス電流としてカ
レントミラー回路５、６にも流れる。このため、トラン
ジスタＱ６，Ｑ１より成る増幅回路部には、入射光量に
比例したバイアス電流が供給され、周波数特性が改善さ
れる。つまり、入射光量が少ないときは、増幅回路部の
バイアス電流も小さくなり、入射光量が多くなると、前
記バイアス電流も大きくなる。
ード１に対する入射光量が０μＷの場合、第１のカレン
トミラー回路４に流れる電流Ｉ2はバイアス回路から供
給される電流Ｉｂと等しくなり、第２、第３カレントミ
ラー回路５、６にも等しい電流Ｉｂが供給される。次
に、フォトダイオード１に光信号が照射された場合、第
１カレントミラー回路４のバイアス電流Ｉ2に光電流Ｉ
ｐが加わり、Ｉｂ＋Ｉｐの電流がバイアス電流としてカ
レントミラー回路５、６にも流れる。このため、トラン
ジスタＱ６，Ｑ１より成る増幅回路部には、入射光量に
比例したバイアス電流が供給され、周波数特性が改善さ
れる。つまり、入射光量が少ないときは、増幅回路部の
バイアス電流も小さくなり、入射光量が多くなると、前
記バイアス電流も大きくなる。
【００２０】図２は上記抵抗Ｒの値を可変してゲインを
切り換えることができるようにした実施形態であり、抵
抗Ｒ１に対し抵抗Ｒ２を並列に接続し、抵抗Ｒ２を不作
動状態に設置するか作動状態に設定するかによってノー
ドａ、ｂ間の抵抗値（従って、増幅器のゲイン）を可変
できるようにしたものである。
切り換えることができるようにした実施形態であり、抵
抗Ｒ１に対し抵抗Ｒ２を並列に接続し、抵抗Ｒ２を不作
動状態に設置するか作動状態に設定するかによってノー
ドａ、ｂ間の抵抗値（従って、増幅器のゲイン）を可変
できるようにしたものである。
【００２１】ここで、Ｑ９はコレクタがノードａに接続
され、エミッタが抵抗Ｒ２に接続されたＮＰＮ型のスイ
ッチングトランジスタであり、外部から電流ＩBをベー
スに供給するとＯＮし、電流ＩBの供給を断つとＯＦＦ
となる。抵抗Ｒ１，Ｒ２に並列に接続されたコンデンサ
Ｃ１，Ｃ２は平滑用として機能し、トランジスタＱ９の
スイッチング時の過渡電圧を抑制する。図２におけるそ
の他の部分は図１と同一であり、同一の符号を付して説
明を省略する。
され、エミッタが抵抗Ｒ２に接続されたＮＰＮ型のスイ
ッチングトランジスタであり、外部から電流ＩBをベー
スに供給するとＯＮし、電流ＩBの供給を断つとＯＦＦ
となる。抵抗Ｒ１，Ｒ２に並列に接続されたコンデンサ
Ｃ１，Ｃ２は平滑用として機能し、トランジスタＱ９の
スイッチング時の過渡電圧を抑制する。図２におけるそ
の他の部分は図１と同一であり、同一の符号を付して説
明を省略する。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、増
幅回路のバイアス電流が光電流に応じて変化するように
構成しているので、受光素子に対する入射光量が少ない
場合には、自動的にバイアス電流も少なくなるので、ノ
イズが抑制され、Ｓ／Ｎ比を劣化させなくて済むという
効果がある。また、入射光量が多いときは自動的にバイ
アス電流も大きくなって、増幅器の能力を上げるので、
受光素子が比抵抗の高い半導体基板に形成されたもので
あっても、その大光量入射時の受光素子の能力増大とい
う事態に増幅器が好適に対応する形になってゲイン-周
波数特性を悪化させないという効果もある。
幅回路のバイアス電流が光電流に応じて変化するように
構成しているので、受光素子に対する入射光量が少ない
場合には、自動的にバイアス電流も少なくなるので、ノ
イズが抑制され、Ｓ／Ｎ比を劣化させなくて済むという
効果がある。また、入射光量が多いときは自動的にバイ
アス電流も大きくなって、増幅器の能力を上げるので、
受光素子が比抵抗の高い半導体基板に形成されたもので
あっても、その大光量入射時の受光素子の能力増大とい
う事態に増幅器が好適に対応する形になってゲイン-周
波数特性を悪化させないという効果もある。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る受光増幅回路の
回路図
回路図
【図２】本発明の第２の実施形態に係る受光増幅回路の
回路図
回路図
【図３】従来例の回路図
【図４】受光増幅回路のゲイン-周波数特性を説明する
ための図
ための図
１ フォトダイオード
４ 第１カレントミラー回路
５ 第２カレントミラー回路
６ 第３カレントミラー回路
Ｑ１ 増幅トランジスタ
Ｒ 抵抗
Ｒ１、Ｒ２ 複数の抵抗
Ｑ９ スイッチングトランジスタ
Claims (5)
- 【請求項１】増幅トランジスタの入力電極と基準電位点
間に受光素子を接続するとともに、その増幅トランジス
タの出力電極を出力トランジスタ及び抵抗を介して前記
入力電極に接続し、且つバイアス回路により増幅トラン
ジスタの出力電極と残りの電極間にバイアス電流Ｉｂを
流すようにした受光増幅回路において、受光時に 前記バイアス電流Ｉｂに前記受光素子から出力
される光電流Ｉｐを加えた電流Ｉｂ＋Ｉｐを前記増幅ト
ランジスタのバイアス電流とするようにしたことを特徴
とする受光増幅回路。 - 【請求項２】増幅トランジスタのベースと基準電位点と
の間に接続されたフォトダイオードと、 前記増幅トランジスタのエミッタを前記基準電位点に接
続する手段と、 前記増幅トランジスタのベースと出力端子間に接続され
た抵抗と、 前記抵抗と出力端子との接続点に定電流を供給するバイ
アス回路と、 前記出力端子にエミッタが接続された出力トランジスタ
と、 前記出力トランジスタのコレクタに接続され該出力トラ
ンジスタのコレクタ電流を入力する第１カレントミラー
回路と、 第１カレントミラー回路の出力電流を入力するとともに
第１カレントミラー回路のトランジスタとは逆導電型の
トランジスタで構成された第２カレントミラー回路と、 第２カレントミラー回路の出力を入力するとともに第１
カレントミラー回路のトランジスタと同じ導電型のトラ
ンジスタで構成された第３カレントミラー回路と、 第３カレントミラー回路の出力を前記増幅トランジスタ
のコレクタと出力トランジスタのベースに接続する手段
と、 から成る受光増幅回路。 - 【請求項３】上記抵抗として複数の抵抗を設けるととも
に、その抵抗を切り換える切換え手段を設けたことを特
徴とする請求項１又は２に記載の受光増幅回路。 - 【請求項４】前記切換え手段はスイッチングトランジス
タを含んでおり、このトランジスタのＯＮ／ＯＦＦを受
光増幅回路の外部から制御できるようにしたことを特徴
とする請求項３に記載の受光増幅回路。 - 【請求項５】少なくとも前記フォトダイオードが比抵抗
の高い半導体基板に形成されていることを特徴とする請
求項１〜４のいずれかに記載の受光増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01022699A JP3535029B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 受光増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01022699A JP3535029B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 受光増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000209041A JP2000209041A (ja) | 2000-07-28 |
| JP3535029B2 true JP3535029B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=11744378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01022699A Expired - Fee Related JP3535029B2 (ja) | 1999-01-19 | 1999-01-19 | 受光増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3535029B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4713022B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 光ディスクドライブ装置用の増幅回路 |
| JP4566893B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2010-10-20 | シャープ株式会社 | 受光増幅回路、及び、光ピックアップ装置 |
| JP2008306673A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 増幅回路 |
| JP2009044684A (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-26 | Panasonic Corp | 増幅回路 |
-
1999
- 1999-01-19 JP JP01022699A patent/JP3535029B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2000209041A (ja) | 2000-07-28 |
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