JP2003124753A - 光信号増幅回路 - Google Patents
光信号増幅回路Info
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- JP2003124753A JP2003124753A JP2001320326A JP2001320326A JP2003124753A JP 2003124753 A JP2003124753 A JP 2003124753A JP 2001320326 A JP2001320326 A JP 2001320326A JP 2001320326 A JP2001320326 A JP 2001320326A JP 2003124753 A JP2003124753 A JP 2003124753A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大きく変化する光信号を、帯域及び雑音特性
を劣化させずに所望のゲインで増幅可能にした光信号増
幅回路を提供する。 【解決手段】 ＰＤの光電流がベースへ供給され、コレ
クタに抵抗Ｒ１が接続され、エミッタが接地されたトラ
ンジスタＱ１と、トランジスタＱ１のコレクタがベース
に、エミッタに抵抗Ｒ２が、コレクタに電源が接続され
たトランジスタＱ２と、該トランジスタＱ２のエミッタ
と前記トランジスタＱ１のベースの間に設けられ、光電
流を電圧に変換する帰還抵抗Ｒｆ１と、トランジスタＱ
１のコレクタ出力がベースに入力され、エミッタに抵抗
Ｒ３が、コレクタに出力端子１が接続された出力段トラ
ンジスタＱ３と、該トランジスタＱ３のコレクタに接続
された抵抗Ｒ４１及び該抵抗Ｒ４１に並列に接続され
た、抵抗Ｒ４２とスイッチＳＷ１の直列接続回路とから
なる光電流量で抵抗値を変化させる抵抗部２とで、光信
号増幅回路を構成する。
を劣化させずに所望のゲインで増幅可能にした光信号増
幅回路を提供する。 【解決手段】 ＰＤの光電流がベースへ供給され、コレ
クタに抵抗Ｒ１が接続され、エミッタが接地されたトラ
ンジスタＱ１と、トランジスタＱ１のコレクタがベース
に、エミッタに抵抗Ｒ２が、コレクタに電源が接続され
たトランジスタＱ２と、該トランジスタＱ２のエミッタ
と前記トランジスタＱ１のベースの間に設けられ、光電
流を電圧に変換する帰還抵抗Ｒｆ１と、トランジスタＱ
１のコレクタ出力がベースに入力され、エミッタに抵抗
Ｒ３が、コレクタに出力端子１が接続された出力段トラ
ンジスタＱ３と、該トランジスタＱ３のコレクタに接続
された抵抗Ｒ４１及び該抵抗Ｒ４１に並列に接続され
た、抵抗Ｒ４２とスイッチＳＷ１の直列接続回路とから
なる光電流量で抵抗値を変化させる抵抗部２とで、光信
号増幅回路を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、受光素子の光電
流を所望の電圧に変換する光信号増幅回路に関し、特に
光磁気ディスクや光ディスクに記録されたデータを読み
取るための光信号増幅回路に関する。
流を所望の電圧に変換する光信号増幅回路に関し、特に
光磁気ディスクや光ディスクに記録されたデータを読み
取るための光信号増幅回路に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、受光素子の光電流を所望の電圧に変
換する光信号増幅回路としては、図４に示す回路構成の
ものが一般に用いられている。この光信号増幅回路は、
図４に示すように、光磁気ディスク等からの反射光を電
気信号に変換するフォトダイオードＰＤのアノードがベ
ースに接続され、コレクタに負荷抵抗Ｒ１が接続され、
エミッタが接地されたトランジスタＱ１と、トランジス
タＱ１のコレクタ出力がベースに接続され、エミッタに
負荷抵抗Ｒ２が接続され、コレクタが電源ＶＣＣに接続
されたトランジスタＱ２と、トランジスタＱ１の入力と
トランジスタＱ２の出力の間に設けられた帰還抵抗Ｒｆ
１と、帰還抵抗Ｒｆ１と並列に接続された、帰還抵抗Ｒ
ｆ２とスイッチＳＷ１との直列接続回路とで構成されて
いる。
換する光信号増幅回路としては、図４に示す回路構成の
ものが一般に用いられている。この光信号増幅回路は、
図４に示すように、光磁気ディスク等からの反射光を電
気信号に変換するフォトダイオードＰＤのアノードがベ
ースに接続され、コレクタに負荷抵抗Ｒ１が接続され、
エミッタが接地されたトランジスタＱ１と、トランジス
タＱ１のコレクタ出力がベースに接続され、エミッタに
負荷抵抗Ｒ２が接続され、コレクタが電源ＶＣＣに接続
されたトランジスタＱ２と、トランジスタＱ１の入力と
トランジスタＱ２の出力の間に設けられた帰還抵抗Ｒｆ
１と、帰還抵抗Ｒｆ１と並列に接続された、帰還抵抗Ｒ
ｆ２とスイッチＳＷ１との直列接続回路とで構成されて
いる。
【０００３】次に、このように構成された光信号増幅回
路の動作について説明する。光情報記録媒体からデータ
を読み出す再生時には、読み出す部分や記録媒体の種類
で反射率が異なるため、フォトダイオードからの光電流
も反射率に応じて変化する。例えば、光磁気ディスクか
らデータを読み出す再生時において、ディスクによって
はデータ部での反射光に比べ、アドレス部での反射光が
数倍大きくなることがある。この場合、光信号増幅回路
に入力される電流も数倍変化することになる。そこで、
データ部からの反射光をフォトダイオードＰＤが受光
し、光電流Ｉin１が流れたとすると、スイッチＳＷ１を
ＯＦＦにすることで、この光電流Ｉin１は帰還抵抗Ｒｆ
１に供給される。このため光電流は帰還抵抗Ｒｆ１によ
り電圧に変換されて出力される。よって、出力電圧ＶOU
T は、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧をＶ
BEQ1、帰還抵抗Ｒｆ１の値をＲf1、光電流Ｉin１の値を
Ｉin１とすると、次式（１）で表される。 ＶOUT ＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin１ ・・・・・・・・・・（１）
路の動作について説明する。光情報記録媒体からデータ
を読み出す再生時には、読み出す部分や記録媒体の種類
で反射率が異なるため、フォトダイオードからの光電流
も反射率に応じて変化する。例えば、光磁気ディスクか
らデータを読み出す再生時において、ディスクによって
はデータ部での反射光に比べ、アドレス部での反射光が
数倍大きくなることがある。この場合、光信号増幅回路
に入力される電流も数倍変化することになる。そこで、
データ部からの反射光をフォトダイオードＰＤが受光
し、光電流Ｉin１が流れたとすると、スイッチＳＷ１を
ＯＦＦにすることで、この光電流Ｉin１は帰還抵抗Ｒｆ
１に供給される。このため光電流は帰還抵抗Ｒｆ１によ
り電圧に変換されて出力される。よって、出力電圧ＶOU
T は、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧をＶ
BEQ1、帰還抵抗Ｒｆ１の値をＲf1、光電流Ｉin１の値を
Ｉin１とすると、次式（１）で表される。 ＶOUT ＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin１ ・・・・・・・・・・（１）
【０００４】次に、アドレス部からの反射光をフォトダ
イオードＰＤが受光し、光電流Ｉin２が流れたとする
と、スイッチＳＷ１をＯＮにすることで、この光電流Ｉ
in２は帰還抵抗Ｒｆ１と帰還抵抗Ｒｆ２に供給される。
このため、光電流は帰還抵抗Ｒｆ１、Ｒｆ２により電圧
に変換されて出力される。よって、出力電圧ＶOUT は、
帰還抵抗Ｒｆ２の値をＲf2、光電流Ｉin２の値をＩin２
とすると、次式（２）で表される。 ＶOUT ＝ＶBEQ1−｛Ｒf1・Ｒf2／（Ｒf1＋Ｒf2）｝・Ｉin２ ・・・（２）
イオードＰＤが受光し、光電流Ｉin２が流れたとする
と、スイッチＳＷ１をＯＮにすることで、この光電流Ｉ
in２は帰還抵抗Ｒｆ１と帰還抵抗Ｒｆ２に供給される。
このため、光電流は帰還抵抗Ｒｆ１、Ｒｆ２により電圧
に変換されて出力される。よって、出力電圧ＶOUT は、
帰還抵抗Ｒｆ２の値をＲf2、光電流Ｉin２の値をＩin２
とすると、次式（２）で表される。 ＶOUT ＝ＶBEQ1−｛Ｒf1・Ｒf2／（Ｒf1＋Ｒf2）｝・Ｉin２ ・・・（２）
【０００５】ここで、光電流Ｉin１とＩin２の関係が、
Ｉin２＝Ｉin１・３となる場合は、帰還抵抗Ｒｆ２の値
Ｒf2を、Ｒf2＝Ｒf1／２とすると、（２）式は次式
（３）で表される。 ＶOUT ＝ＶBEQ1−｛Ｒf1・（Ｒf1／２）／（Ｒf1＋Ｒf1／２）｝・Ｉin１・３ ＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin１ ・・・・・・・・・・（３） これは、（１）式と同様であり、光電流が大きい部分で
も光電流が小さい部分での出力電圧と同等の電圧が出力
されることになる。
Ｉin２＝Ｉin１・３となる場合は、帰還抵抗Ｒｆ２の値
Ｒf2を、Ｒf2＝Ｒf1／２とすると、（２）式は次式
（３）で表される。 ＶOUT ＝ＶBEQ1−｛Ｒf1・（Ｒf1／２）／（Ｒf1＋Ｒf1／２）｝・Ｉin１・３ ＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin１ ・・・・・・・・・・（３） これは、（１）式と同様であり、光電流が大きい部分で
も光電流が小さい部分での出力電圧と同等の電圧が出力
されることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図４に示す光
信号増幅回路の雑音は、入力換算雑音電流密度（単位：
Ａ／√Ｈｚ）で表わされるが、この雑音は帰還抵抗Ｒｆ
１、Ｒｆ２できまる帰還抵抗による熱雑音と、トランジ
スタＱ１のショット雑音で支配され、帰還抵抗による熱
雑音ＩnRF2は、次式（４）、（５）で表される。 ＩnRF2＝４ｋＴΔｆ／Ｒf1 （スイッチSW1:OFF ） ・・・・・・・（４） ＩnRF2＝４ｋＴΔｆ／｛Ｒf1・Ｒf2／（Ｒf1＋Ｒf2）｝（スイッチSW1 ：ON） ・・・・・・・・（５） ここで、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Δｆ：雑
音帯域幅である。帰還抵抗の値を、Ｒf2＝Ｒf1／２とす
ると、（５）式は次式（６）で表される。 ＩnRF2＝４ｋＴΔｆ／Ｒf1・３ （スイッチSW1:ON） ・・・・・・（６）
信号増幅回路の雑音は、入力換算雑音電流密度（単位：
Ａ／√Ｈｚ）で表わされるが、この雑音は帰還抵抗Ｒｆ
１、Ｒｆ２できまる帰還抵抗による熱雑音と、トランジ
スタＱ１のショット雑音で支配され、帰還抵抗による熱
雑音ＩnRF2は、次式（４）、（５）で表される。 ＩnRF2＝４ｋＴΔｆ／Ｒf1 （スイッチSW1:OFF ） ・・・・・・・（４） ＩnRF2＝４ｋＴΔｆ／｛Ｒf1・Ｒf2／（Ｒf1＋Ｒf2）｝（スイッチSW1 ：ON） ・・・・・・・・（５） ここで、ｋ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度、Δｆ：雑
音帯域幅である。帰還抵抗の値を、Ｒf2＝Ｒf1／２とす
ると、（５）式は次式（６）で表される。 ＩnRF2＝４ｋＴΔｆ／Ｒf1・３ （スイッチSW1:ON） ・・・・・・（６）
【０００７】また、この回路の−３ｄＢ帯域ｆ-3dBは、
次式（７），（８）で表される。 ｆ-3dB＝Ａ／（２π・Ｃin・Ｒf1） （スイッチSW1:OFF ）・・・・（７） ｆ-3dB＝Ａ／（２π・Ｃin・［Ｒf1・Ｒf2／（Ｒf1＋Ｒf2）］） （スイッチSW1:ON） ・・・・・・・・・・（８） ここで、Ａ：光信号増幅回路のオープンループ利得、Ｃ
in：フォトダイオードＰＤの接合容量等の寄生容量であ
る。更に、帰還抵抗の値を、Ｒf2＝Ｒf1／２とすると、
（８）式は次式（９）で表される。 ｆ-3dB＝Ａ・３／（２π・Ｃin・Ｒf1） （スイッチSW1:ON） ・・・・・・・・（９）
次式（７），（８）で表される。 ｆ-3dB＝Ａ／（２π・Ｃin・Ｒf1） （スイッチSW1:OFF ）・・・・（７） ｆ-3dB＝Ａ／（２π・Ｃin・［Ｒf1・Ｒf2／（Ｒf1＋Ｒf2）］） （スイッチSW1:ON） ・・・・・・・・・・（８） ここで、Ａ：光信号増幅回路のオープンループ利得、Ｃ
in：フォトダイオードＰＤの接合容量等の寄生容量であ
る。更に、帰還抵抗の値を、Ｒf2＝Ｒf1／２とすると、
（８）式は次式（９）で表される。 ｆ-3dB＝Ａ・３／（２π・Ｃin・Ｒf1） （スイッチSW1:ON） ・・・・・・・・（９）
【０００８】これらの式より、雑音特性を向上するには
帰還抵抗Ｒｆ１及びＲｆ２の値を大きくし、帯域特性を
向上するにはＲｆ１及びＲｆ２の値を小さくするとよい
ことが分かる。しかしながら、データ部からの信号に合
わせて帰還抵抗Ｒｆ１及びＲｆ２の値を大きく設定する
と、アドレス部からの信号に対する帯域特性が劣化して
しまう。また、アドレス部からの信号に合わせて帰還抵
抗Ｒｆ１及びＲｆ２の値を小さく設定すると、データ部
からの信号に対する雑音が大きくなり、雑音特性が劣化
してしまう。
帰還抵抗Ｒｆ１及びＲｆ２の値を大きくし、帯域特性を
向上するにはＲｆ１及びＲｆ２の値を小さくするとよい
ことが分かる。しかしながら、データ部からの信号に合
わせて帰還抵抗Ｒｆ１及びＲｆ２の値を大きく設定する
と、アドレス部からの信号に対する帯域特性が劣化して
しまう。また、アドレス部からの信号に合わせて帰還抵
抗Ｒｆ１及びＲｆ２の値を小さく設定すると、データ部
からの信号に対する雑音が大きくなり、雑音特性が劣化
してしまう。
【０００９】このように、図４に示す従来の光信号増幅
回路では、光情報記録媒体からデータを読み出す再生時
に、読み出す部分で反射率が異なり光電流が大きく変わ
る信号や、記録媒体の種類により反射率が異なり光電流
が変わる信号を、帯域特性及び雑音特性を劣化させるこ
となく所望のゲインで増幅するという観点については考
慮されていない。
回路では、光情報記録媒体からデータを読み出す再生時
に、読み出す部分で反射率が異なり光電流が大きく変わ
る信号や、記録媒体の種類により反射率が異なり光電流
が変わる信号を、帯域特性及び雑音特性を劣化させるこ
となく所望のゲインで増幅するという観点については考
慮されていない。
【００１０】本発明は、上記観点に着目してなされたも
ので、光情報記録媒体からデータを読み出す再生時に、
読み出す部分で反射率が異なり光電流が大きく変わる信
号や記録媒体の種類により反射率が異なり光電流が変わ
る信号を、帯域特性及び雑音特性を劣化させることなく
所望のゲインで増幅できる光信号増幅回路を提供するこ
とを目的とする。
ので、光情報記録媒体からデータを読み出す再生時に、
読み出す部分で反射率が異なり光電流が大きく変わる信
号や記録媒体の種類により反射率が異なり光電流が変わ
る信号を、帯域特性及び雑音特性を劣化させることなく
所望のゲインで増幅できる光信号増幅回路を提供するこ
とを目的とする。
【００１１】
【課題を解決する手段】上記課題を解決するため、請求
項１に係る発明は、受光素子からの光電流を電圧に変換
する光信号増幅回路において、前記受光素子からの光電
流がベースへ供給される第１のトランジスタと、前記第
１のトランジスタのコレクタ出力がベースに入力され、
エミッタに第１の負荷抵抗が接続された第２のトランジ
スタと、前記第２のトランジスタのエミッタと前記第１
のトランジスタのベースの間に設けられた光電流を電圧
に変換する帰還抵抗と、前記第１のトランジスタのコレ
クタ出力がベースに入力され、エミッタに第２の負荷抵
抗が接続され、コレクタが出力端子に接続された出力段
トランジスタと、前記出力段トランジスタのコレクタに
接続された、前記受光素子からの光電流量に応じて抵抗
値を変化させる抵抗部とで構成するものである。
項１に係る発明は、受光素子からの光電流を電圧に変換
する光信号増幅回路において、前記受光素子からの光電
流がベースへ供給される第１のトランジスタと、前記第
１のトランジスタのコレクタ出力がベースに入力され、
エミッタに第１の負荷抵抗が接続された第２のトランジ
スタと、前記第２のトランジスタのエミッタと前記第１
のトランジスタのベースの間に設けられた光電流を電圧
に変換する帰還抵抗と、前記第１のトランジスタのコレ
クタ出力がベースに入力され、エミッタに第２の負荷抵
抗が接続され、コレクタが出力端子に接続された出力段
トランジスタと、前記出力段トランジスタのコレクタに
接続された、前記受光素子からの光電流量に応じて抵抗
値を変化させる抵抗部とで構成するものである。
【００１２】このように構成された光信号増幅回路にお
いては、受光素子からの光電流は帰還抵抗よって電圧に
変換され、第２のトランジスタのエミッタに出力され
る。そして、この出力電圧と同等の電圧が出力段トラン
ジスタのエミッタ与えられ、エミッタに接続された第２
の負荷抵抗により電流に変換される。この電流が光電流
量に応じて抵抗値を変化させる抵抗部に与えられ、電圧
に変換されて出力される。したがって、光電流量に応じ
て抵抗値が切り替わる抵抗部によりゲインを変えること
ができるので、帰還抵抗、及び光電流量に応じて抵抗値
を変化させる抵抗部の抵抗値を最適化することにより、
光情報記録媒体からデータを読み出す再生時に、読み出
す部分で反射率が異なり光電流が大きく変わる信号や、
記録媒体の種類により反射率が異なり光電流が変わる信
号を、帯域特性及び雑音特性を劣化させることなく、所
望のゲインで増幅することが可能となる。
いては、受光素子からの光電流は帰還抵抗よって電圧に
変換され、第２のトランジスタのエミッタに出力され
る。そして、この出力電圧と同等の電圧が出力段トラン
ジスタのエミッタ与えられ、エミッタに接続された第２
の負荷抵抗により電流に変換される。この電流が光電流
量に応じて抵抗値を変化させる抵抗部に与えられ、電圧
に変換されて出力される。したがって、光電流量に応じ
て抵抗値が切り替わる抵抗部によりゲインを変えること
ができるので、帰還抵抗、及び光電流量に応じて抵抗値
を変化させる抵抗部の抵抗値を最適化することにより、
光情報記録媒体からデータを読み出す再生時に、読み出
す部分で反射率が異なり光電流が大きく変わる信号や、
記録媒体の種類により反射率が異なり光電流が変わる信
号を、帯域特性及び雑音特性を劣化させることなく、所
望のゲインで増幅することが可能となる。
【００１３】請求項２に係る発明は、請求項１に係る光
信号処理回路において、前記受光素子と前記第１のトラ
ンジスタとの間に、受光素子からの光電流がベースに供
給され、エミッタに第３の負荷抵抗と第１のトランジス
タのベースが接続され、コレクタが電源に接続された第
３トランジスタを備えていることを特徴とするものであ
る。
信号処理回路において、前記受光素子と前記第１のトラ
ンジスタとの間に、受光素子からの光電流がベースに供
給され、エミッタに第３の負荷抵抗と第１のトランジス
タのベースが接続され、コレクタが電源に接続された第
３トランジスタを備えていることを特徴とするものであ
る。
【００１４】このように構成された光信号増幅回路にお
いては、請求項１に係る光信号増幅回路と同様の動作を
すると共に、第３のトランジスタのベース−エミッタ間
電圧分だけ入力電圧を上昇させる。したがって、光電流
量に応じて抵抗値が切り替わる抵抗部によりゲインを変
えることができるので、帰還抵抗、及び光電流量に応じ
て抵抗値が切り替わる抵抗部の抵抗値を最適化すること
により、光情報記録媒体からデータを読み出す再生時
に、読み出す部分で反射率が異なり光電流が大きく変わ
る信号や、記録媒体の種類により反射率が異なり光電流
が変わる信号を、帯域特性及び雑音特性を劣化させるこ
となく、所望のゲインで増幅することが可能となる。ま
た、第１のトランジスタの利得つまり光信号増幅回路の
オープンループ利得を変えることなく、出力ダイナミッ
クレンジの拡大を図ることができる。
いては、請求項１に係る光信号増幅回路と同様の動作を
すると共に、第３のトランジスタのベース−エミッタ間
電圧分だけ入力電圧を上昇させる。したがって、光電流
量に応じて抵抗値が切り替わる抵抗部によりゲインを変
えることができるので、帰還抵抗、及び光電流量に応じ
て抵抗値が切り替わる抵抗部の抵抗値を最適化すること
により、光情報記録媒体からデータを読み出す再生時
に、読み出す部分で反射率が異なり光電流が大きく変わ
る信号や、記録媒体の種類により反射率が異なり光電流
が変わる信号を、帯域特性及び雑音特性を劣化させるこ
となく、所望のゲインで増幅することが可能となる。ま
た、第１のトランジスタの利得つまり光信号増幅回路の
オープンループ利得を変えることなく、出力ダイナミッ
クレンジの拡大を図ることができる。
【００１５】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る光信号処理回路において、前記抵抗値を変化させる
抵抗部は、一端が前記出力段トランジスタのコレクタに
接続され他端が電源に接続された第１の抵抗と、該第１
の抵抗に並列に接続された、第２の抵抗とＭＯＳトラン
ジスタの直列接続回路とで構成されていることを特徴と
するものである。
係る光信号処理回路において、前記抵抗値を変化させる
抵抗部は、一端が前記出力段トランジスタのコレクタに
接続され他端が電源に接続された第１の抵抗と、該第１
の抵抗に並列に接続された、第２の抵抗とＭＯＳトラン
ジスタの直列接続回路とで構成されていることを特徴と
するものである。
【００１６】このように構成された光信号増幅回路にお
いては、請求項１に係る光信号増幅回路と同様の動作を
すると共に、ＭＯＳトランジスタをＯＮ／ＯＦＦするこ
とで、抵抗部の抵抗値を変化させることができる。これ
により、請求項１及び請求項２と同様の効果が得られ、
且つ抵抗部を容易に集積化することが可能になる。
いては、請求項１に係る光信号増幅回路と同様の動作を
すると共に、ＭＯＳトランジスタをＯＮ／ＯＦＦするこ
とで、抵抗部の抵抗値を変化させることができる。これ
により、請求項１及び請求項２と同様の効果が得られ、
且つ抵抗部を容易に集積化することが可能になる。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図１は、本発明に係る光信号増幅回路の第１の実施
の形態を示す回路構成図である。この実施の形態に係る
光信号増幅回路は、フォトダイオードＰＤからの光電流
がベースへ供給され、コレクタに一端が電源ＶＣＣに接
続された負荷抵抗Ｒ１が接続され、エミッタが接地され
たトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のコレクタ出
力がベースに入力され、エミッタに一端が接地された負
荷抵抗Ｒ２が接続され、コレクタが電源ＶＣＣに接続さ
れたトランジスタＱ２と、前記トランジスタＱ２のエミ
ッタと前記トランジスタＱ１のベースの間に設けられ、
光電流を電圧に変換する帰還抵抗Ｒｆ１と、前記トラン
ジスタＱ１のコレクタ出力がベースに入力され、エミッ
タに一端が接地された負荷抵抗Ｒ３が接続され、コレク
タが出力端子１に接続された出力段トランジスタＱ３
と、該出力段トランジスタＱ３のコレクタに接続され、
一端が電源ＶＣＣに接続された抵抗Ｒ４１、及び前記抵
抗Ｒ４１に並列に接続された、抵抗Ｒ４２とスイッチＳ
Ｗ１の直列接続回路とで構成された光電流量に応じて抵
抗値を変化させる抵抗部２とで、構成されている。
る。図１は、本発明に係る光信号増幅回路の第１の実施
の形態を示す回路構成図である。この実施の形態に係る
光信号増幅回路は、フォトダイオードＰＤからの光電流
がベースへ供給され、コレクタに一端が電源ＶＣＣに接
続された負荷抵抗Ｒ１が接続され、エミッタが接地され
たトランジスタＱ１と、トランジスタＱ１のコレクタ出
力がベースに入力され、エミッタに一端が接地された負
荷抵抗Ｒ２が接続され、コレクタが電源ＶＣＣに接続さ
れたトランジスタＱ２と、前記トランジスタＱ２のエミ
ッタと前記トランジスタＱ１のベースの間に設けられ、
光電流を電圧に変換する帰還抵抗Ｒｆ１と、前記トラン
ジスタＱ１のコレクタ出力がベースに入力され、エミッ
タに一端が接地された負荷抵抗Ｒ３が接続され、コレク
タが出力端子１に接続された出力段トランジスタＱ３
と、該出力段トランジスタＱ３のコレクタに接続され、
一端が電源ＶＣＣに接続された抵抗Ｒ４１、及び前記抵
抗Ｒ４１に並列に接続された、抵抗Ｒ４２とスイッチＳ
Ｗ１の直列接続回路とで構成された光電流量に応じて抵
抗値を変化させる抵抗部２とで、構成されている。
【００１８】次に、このように構成された第１の実施の
形態の動作について説明する。まず、再生時に光電流が
小さい部分（媒体）では、光電流量に応じて抵抗値を変
化させる抵抗部２のスイッチＳＷ１をＯＦＦとし、抵抗
Ｒ４１のみ出力段トランジスタＱ３のコレクタに接続す
る。フォトダイオードＰＤに光電流Ｉin１が流れたとす
ると、この光電流Ｉin１は帰還抵抗Ｒｆ１に供給され
る。このため、光電流は帰還抵抗Ｒｆ１により電圧に変
換される。よって、トランジスタＱ２の出力電圧Ｖ１
は、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧をＶBE
Q1、帰還抵抗Ｒｆ１の値をＲf1、光電流Ｉin１の値をＩ
in1 とすると、次式（14）で表される。 Ｖ１＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin1 ・・・・・・・・・・・（14）
形態の動作について説明する。まず、再生時に光電流が
小さい部分（媒体）では、光電流量に応じて抵抗値を変
化させる抵抗部２のスイッチＳＷ１をＯＦＦとし、抵抗
Ｒ４１のみ出力段トランジスタＱ３のコレクタに接続す
る。フォトダイオードＰＤに光電流Ｉin１が流れたとす
ると、この光電流Ｉin１は帰還抵抗Ｒｆ１に供給され
る。このため、光電流は帰還抵抗Ｒｆ１により電圧に変
換される。よって、トランジスタＱ２の出力電圧Ｖ１
は、トランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧をＶBE
Q1、帰還抵抗Ｒｆ１の値をＲf1、光電流Ｉin１の値をＩ
in1 とすると、次式（14）で表される。 Ｖ１＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin1 ・・・・・・・・・・・（14）
【００１９】出力段トランジスタＱ３のエミッタに出力
される電圧Ｖ２は、第２のトランジスタＱ２のベース−
エミッタ間電圧をＶBEQ2、出力段トランジスタＱ３のベ
ース−エミッタ間電圧をＶBEQ3とすると、次式（14）で
表される。 Ｖ２＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin1 ＋ＶBEQ2−ＶBEQ3 ・・・・・・・・・（14） ここで、トランジスタＱ１、Ｑ２，Ｑ３のベース−エミ
ッタ間電圧がほぼ同じ（ＶBEQ1＝ＶBEQ2＝ＶBEQ3＝ＶB
E）とすると、（14）式は次式（15）となる。 Ｖ２＝ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・・・・・・・・・・・・（15） この電圧Ｖ２が抵抗Ｒ３で電流に変換され、出力段トラ
ンジスタＱ３のエミッタに流れる。出力段トランジスタ
Ｑ３のエミッタに流れる電流ＩeQ3 は、抵抗Ｒ３の抵抗
値をＲ3 とすると、次式（16）で表される。 ＩeQ3 ＝（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ）／Ｒ3 ・・・・・・（16）
される電圧Ｖ２は、第２のトランジスタＱ２のベース−
エミッタ間電圧をＶBEQ2、出力段トランジスタＱ３のベ
ース−エミッタ間電圧をＶBEQ3とすると、次式（14）で
表される。 Ｖ２＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin1 ＋ＶBEQ2−ＶBEQ3 ・・・・・・・・・（14） ここで、トランジスタＱ１、Ｑ２，Ｑ３のベース−エミ
ッタ間電圧がほぼ同じ（ＶBEQ1＝ＶBEQ2＝ＶBEQ3＝ＶB
E）とすると、（14）式は次式（15）となる。 Ｖ２＝ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・・・・・・・・・・・・（15） この電圧Ｖ２が抵抗Ｒ３で電流に変換され、出力段トラ
ンジスタＱ３のエミッタに流れる。出力段トランジスタ
Ｑ３のエミッタに流れる電流ＩeQ3 は、抵抗Ｒ３の抵抗
値をＲ3 とすると、次式（16）で表される。 ＩeQ3 ＝（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ）／Ｒ3 ・・・・・・（16）
【００２０】ここで、出力段トランジスタＱ３のエミッ
タ電流とコレクタ電流がほぼ同じとすると、コレクタ電
流ＩcQ3 は、次式（17）で表される。 ＩcQ3 ＝ＩeQ3 ＝（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ）／Ｒ3 ・・・・・・・・（17） そして、この出力段トランジスタＱ３のコレクタ電流が
抵抗Ｒ41に流れ、電圧に変換されて出力端子１より出力
される。よって、出力電圧ＶOUT は、電源ＶＣＣの電圧
をＶcc，抵抗Ｒ４１の抵抗値をＲ41とすると、次式（1
8）で表される。 ＶOUT ＝Ｖcc−（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ）・Ｒ41／Ｒ3 ・・・・・・（18） したがって、出力端子１には光電流と帰還抵抗及び抵抗
Ｒ３とＲ４１の比で決まる電圧が出力される。
タ電流とコレクタ電流がほぼ同じとすると、コレクタ電
流ＩcQ3 は、次式（17）で表される。 ＩcQ3 ＝ＩeQ3 ＝（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ）／Ｒ3 ・・・・・・・・（17） そして、この出力段トランジスタＱ３のコレクタ電流が
抵抗Ｒ41に流れ、電圧に変換されて出力端子１より出力
される。よって、出力電圧ＶOUT は、電源ＶＣＣの電圧
をＶcc，抵抗Ｒ４１の抵抗値をＲ41とすると、次式（1
8）で表される。 ＶOUT ＝Ｖcc−（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ）・Ｒ41／Ｒ3 ・・・・・・（18） したがって、出力端子１には光電流と帰還抵抗及び抵抗
Ｒ３とＲ４１の比で決まる電圧が出力される。
【００２１】一方、再生時に光電流が大きい部分（媒
体）では、光電流量に応じて抵抗値を変化させる抵抗部
２のスイッチＳＷ１をＯＮとし、抵抗Ｒ４１とＲ４２を
並列に出力段トランジスタＱ３のコレクタに接続する。
フォトダイオードＰＤに光電流Ｉin２が流れたとする
と、この光電流Ｉin２は帰還抵抗Ｒｆ１に供給される。
このため、光電流は帰還抵抗Ｒｆ１により電圧に変換さ
れる。よって、トランジスタＱ２の出力電圧Ｖ１は、ト
ランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧をＶBEQ1，帰
還抵抗Ｒｆ１の値をＲf1とし、光電流Ｉin２を前記光電
流が小さい場合での光電流の３倍で、その値をＩin1 ×
３とすると、次式（19）で表される。 Ｖ１＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin1 ・３ ・・・・・・・・・（19）
体）では、光電流量に応じて抵抗値を変化させる抵抗部
２のスイッチＳＷ１をＯＮとし、抵抗Ｒ４１とＲ４２を
並列に出力段トランジスタＱ３のコレクタに接続する。
フォトダイオードＰＤに光電流Ｉin２が流れたとする
と、この光電流Ｉin２は帰還抵抗Ｒｆ１に供給される。
このため、光電流は帰還抵抗Ｒｆ１により電圧に変換さ
れる。よって、トランジスタＱ２の出力電圧Ｖ１は、ト
ランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧をＶBEQ1，帰
還抵抗Ｒｆ１の値をＲf1とし、光電流Ｉin２を前記光電
流が小さい場合での光電流の３倍で、その値をＩin1 ×
３とすると、次式（19）で表される。 Ｖ１＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin1 ・３ ・・・・・・・・・（19）
【００２２】出力段トランジスタＱ３のエミッタに出力
される電圧Ｖ２は、トランジスタＱ２のベース−エミッ
タ間電圧をＶBEQ2，出力段トランジスタＱ３のベース−
エミッタ間電圧をＶBEQ3とすると、次式（20）で表され
る。 Ｖ２＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin1 ・３＋ＶBEQ2−ＶBEQ3 ・・・・・・・（20） ここで、トランジスタＱ１、Ｑ２，Ｑ３のベース−エミ
ッタ間電圧がほぼ同じ（ＶBEQ1＝ＶBEQ2＝ＶBEQ3＝ＶB
E）とすると、（20）式は次式（21）となる。 Ｖ２＝ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・３ ・・・・・・・・・・（21） この電圧Ｖ２が抵抗Ｒ３で電流に変換され、出力段トラ
ンジスタＱ３のエミッタに流れる。出力段トランジスタ
Ｑ３のエミッタに流れる電流ＩeQ3 は、抵抗Ｒ３の抵抗
値をＲ3 とすると、次式（22）で表される。 ＩeQ3 ＝（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・３）／Ｒ3 ・・・・・・・・・・（22）
される電圧Ｖ２は、トランジスタＱ２のベース−エミッ
タ間電圧をＶBEQ2，出力段トランジスタＱ３のベース−
エミッタ間電圧をＶBEQ3とすると、次式（20）で表され
る。 Ｖ２＝ＶBEQ1−Ｒf1・Ｉin1 ・３＋ＶBEQ2−ＶBEQ3 ・・・・・・・（20） ここで、トランジスタＱ１、Ｑ２，Ｑ３のベース−エミ
ッタ間電圧がほぼ同じ（ＶBEQ1＝ＶBEQ2＝ＶBEQ3＝ＶB
E）とすると、（20）式は次式（21）となる。 Ｖ２＝ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・３ ・・・・・・・・・・（21） この電圧Ｖ２が抵抗Ｒ３で電流に変換され、出力段トラ
ンジスタＱ３のエミッタに流れる。出力段トランジスタ
Ｑ３のエミッタに流れる電流ＩeQ3 は、抵抗Ｒ３の抵抗
値をＲ3 とすると、次式（22）で表される。 ＩeQ3 ＝（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・３）／Ｒ3 ・・・・・・・・・・（22）
【００２３】ここで、出力段トランジスタＱ３のエミッ
タ電流とコレクタ電流がほぼ同じとすると、コレクタ電
流ＩcQ3 は次式（23）で表される。 ＩcQ3 ＝ＩeQ3 ＝（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・３）／Ｒ3 ・・・・・・（23） そして、この出力段トランジスタＱ３のコレクタ電流が
抵抗Ｒ４１及びＲ４２に流れ、電圧に変換されて出力端
子１より出力される。よって、出力電圧ＶOUT は、電源
ＶＣＣの電圧をＶcc，抵抗Ｒ４１の抵抗値をＲ41，抵抗
Ｒ４２の抵抗値をＲ42とすると、次式（24）で表され
る。 ＶOUT ＝Ｖcc−（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・３）・Ｒ41・Ｒ42 ／｛Ｒ3 ・（Ｒ41＋Ｒ42）｝ ・・・・・・・・・・・・・（24） ここで、抵抗Ｒ４２の値をＲ42＝Ｒ41／２とすると、
（24）式は次式（25）で表される。 ＶOUT ＝Ｖcc−（ＶBE／３−Ｒf1・Ｉin1 ）・Ｒ41／Ｒ3 ・・・・（25） これは、（18）式と同様である。したがって、光電流が
大きい場合でも、光電流が小さい場合とほぼ同等のレベ
ルの電圧が出力される。
タ電流とコレクタ電流がほぼ同じとすると、コレクタ電
流ＩcQ3 は次式（23）で表される。 ＩcQ3 ＝ＩeQ3 ＝（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・３）／Ｒ3 ・・・・・・（23） そして、この出力段トランジスタＱ３のコレクタ電流が
抵抗Ｒ４１及びＲ４２に流れ、電圧に変換されて出力端
子１より出力される。よって、出力電圧ＶOUT は、電源
ＶＣＣの電圧をＶcc，抵抗Ｒ４１の抵抗値をＲ41，抵抗
Ｒ４２の抵抗値をＲ42とすると、次式（24）で表され
る。 ＶOUT ＝Ｖcc−（ＶBE−Ｒf1・Ｉin1 ・３）・Ｒ41・Ｒ42 ／｛Ｒ3 ・（Ｒ41＋Ｒ42）｝ ・・・・・・・・・・・・・（24） ここで、抵抗Ｒ４２の値をＲ42＝Ｒ41／２とすると、
（24）式は次式（25）で表される。 ＶOUT ＝Ｖcc−（ＶBE／３−Ｒf1・Ｉin1 ）・Ｒ41／Ｒ3 ・・・・（25） これは、（18）式と同様である。したがって、光電流が
大きい場合でも、光電流が小さい場合とほぼ同等のレベ
ルの電圧が出力される。
【００２４】このように本実施の形態では、光電流を帰
還抵抗Ｒｆ１で電圧に変換した後に、この電圧を電流に
変換し、スイッチＳＷ１を切り替えることで、この電流
を電圧に変換する抵抗を変化させることができる構成と
したので、帰還抵抗Ｒｆ１及び抵抗Ｒ３、Ｒ４１，Ｒ４
２の抵抗値を最適化することにより、光情報記録媒体か
らデータを読み出す再生時に、読み出す部分で反射率が
異なり光電流が大きく変わる信号や、記録媒体の種類に
より反射率が異なり光電流が変わる信号を、帯域特性及
び雑音特性を劣化させることなく、所望のゲインで増幅
することが可能となる。
還抵抗Ｒｆ１で電圧に変換した後に、この電圧を電流に
変換し、スイッチＳＷ１を切り替えることで、この電流
を電圧に変換する抵抗を変化させることができる構成と
したので、帰還抵抗Ｒｆ１及び抵抗Ｒ３、Ｒ４１，Ｒ４
２の抵抗値を最適化することにより、光情報記録媒体か
らデータを読み出す再生時に、読み出す部分で反射率が
異なり光電流が大きく変わる信号や、記録媒体の種類に
より反射率が異なり光電流が変わる信号を、帯域特性及
び雑音特性を劣化させることなく、所望のゲインで増幅
することが可能となる。
【００２５】次に、第２の実施の形態について説明す
る。図２は本発明に係る光信号増幅回路の第２の実施の
形態を示す回路構成図である。この実施の形態は、図１
に示した第１の実施の形態において、トランジスタＱ１
とフォトダイオードＰＤの間に、フォトダイオードＰＤ
からの光電流がベースへ供給され、エミッタに一端が接
地された負荷抵抗Ｒ５とトランジスタＱ１のベースが接
続され、コレクタが電源ＶＣＣに接続されたトランジス
タＱ４を備えた構成とするものである。
る。図２は本発明に係る光信号増幅回路の第２の実施の
形態を示す回路構成図である。この実施の形態は、図１
に示した第１の実施の形態において、トランジスタＱ１
とフォトダイオードＰＤの間に、フォトダイオードＰＤ
からの光電流がベースへ供給され、エミッタに一端が接
地された負荷抵抗Ｒ５とトランジスタＱ１のベースが接
続され、コレクタが電源ＶＣＣに接続されたトランジス
タＱ４を備えた構成とするものである。
【００２６】これにより、第１の実施の形態の光信号増
幅回路と同様の動作をすると共に、トランジスタＱ４の
ベース−エミッタ間電圧分だけ入力電圧を上昇させる。
このため、第１の実施の形態と同様の効果が得られると
共に、トランジスタＱ１の利得つまり光信号増幅回路の
オープンループ利得を変えることなく、出力ダイナミッ
クレンジの拡大を図ることができる。
幅回路と同様の動作をすると共に、トランジスタＱ４の
ベース−エミッタ間電圧分だけ入力電圧を上昇させる。
このため、第１の実施の形態と同様の効果が得られると
共に、トランジスタＱ１の利得つまり光信号増幅回路の
オープンループ利得を変えることなく、出力ダイナミッ
クレンジの拡大を図ることができる。
【００２７】次に、第３の実施の形態について説明す
る。図３は、本発明に係る光信号増幅回路の第３の実施
の形態を示す回路構成図である。この実施の形態は、図
１に示した第１の実施の形態における抵抗部２のスイッ
チＳＷ１を、ゲートにコントロール信号ＶＣが接続され
たＭＯＳトランジスタＱ５で構成するものである。コン
トロール信号ＶＣの電圧を切り替えることで、ＭＯＳト
ランジスタＱ５をＯＮ／ＯＦＦすることができ、抵抗部
２の抵抗値を切り替えろことができる。このため、第１
の実施の形態と同様の効果が得られ、且つ抵抗部２を容
易に集積化することが可能になる。
る。図３は、本発明に係る光信号増幅回路の第３の実施
の形態を示す回路構成図である。この実施の形態は、図
１に示した第１の実施の形態における抵抗部２のスイッ
チＳＷ１を、ゲートにコントロール信号ＶＣが接続され
たＭＯＳトランジスタＱ５で構成するものである。コン
トロール信号ＶＣの電圧を切り替えることで、ＭＯＳト
ランジスタＱ５をＯＮ／ＯＦＦすることができ、抵抗部
２の抵抗値を切り替えろことができる。このため、第１
の実施の形態と同様の効果が得られ、且つ抵抗部２を容
易に集積化することが可能になる。
【００２８】なお、第３の実施の形態は、第２の実施の
形態にも適用可能であり、同様の効果が得られる。ま
た、ＭＯＳトランジスタをｐｎｐトランジスタにするこ
とも可能である。
形態にも適用可能であり、同様の効果が得られる。ま
た、ＭＯＳトランジスタをｐｎｐトランジスタにするこ
とも可能である。
【００２９】更に、第１の実施の形態から第３の実施の
形態において、抵抗部を構成するスイッチＳＷ１と抵抗
Ｒ４２の直列接続回路、又はＭＯＳトランジスタＱ５と
抵抗Ｒ４２の直列接続回路を、それぞれ複数組設けて、
抵抗値を３以上の複数の値に設定することも可能であ
る。
形態において、抵抗部を構成するスイッチＳＷ１と抵抗
Ｒ４２の直列接続回路、又はＭＯＳトランジスタＱ５と
抵抗Ｒ４２の直列接続回路を、それぞれ複数組設けて、
抵抗値を３以上の複数の値に設定することも可能であ
る。
【００３０】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、本発明によれば、光情報記録媒体からデータを読み
出す再生時に、読み出す部分で反射率が異なり光電流が
大きく変わる信号や、記録媒体の種類により反射率が異
なり光電流が変わる信号を、帯域特性及び雑音特性を劣
化させることなく、所望のゲインで増幅することができ
る。
に、本発明によれば、光情報記録媒体からデータを読み
出す再生時に、読み出す部分で反射率が異なり光電流が
大きく変わる信号や、記録媒体の種類により反射率が異
なり光電流が変わる信号を、帯域特性及び雑音特性を劣
化させることなく、所望のゲインで増幅することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る光信号増幅回路の第１の実施の形
態を示す回路構成図である。
態を示す回路構成図である。
【図２】本発明に係る光信号増幅回路の第２の実施の形
態を示す回路構成図である。
態を示す回路構成図である。
【図３】本発明に係る光信号増幅回路の第３の実施の形
態を示す回路構成図である。
態を示す回路構成図である。
【図４】従来の光信号増幅回路の構成例を示す回路構成
図である。
図である。
【符号の説明】
１ 出力端子
２ 抵抗部
ＰＤ フォトダイオード
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４ トランジスタ
Ｑ５ ＭＯＳトランジスタ
Ｒｆ１ 帰還抵抗
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３ 負荷抵抗
Ｒ４１，Ｒ４２ 抵抗
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5J092 AA01 AA11 AA56 CA41 CA62
FA18 HA02 HA10 HA18 HA19
HA25 HA38 HA44 MA11 MA21
UL02 UR02 UR03
5J500 AA01 AA11 AA56 AC41 AC62
AF18 AH02 AH10 AH18 AH19
AH25 AH38 AH44 AM11 AM21
LU02 RU02 RU03
Claims (3)
- 【請求項１】 受光素子からの光電流を電圧に変換する
光信号増幅回路において、前記受光素子からの光電流が
ベースへ供給される第１のトランジスタと、前記第１の
トランジスタのコレクタ出力がベースに入力され、エミ
ッタに第１の負荷抵抗が接続された第２のトランジスタ
と、前記第２のトランジスタのエミッタと前記第１のト
ランジスタのベースの間に設けられた光電流を電圧に変
換する帰還抵抗と、前記第１のトランジスタのコレクタ
出力がベースに入力され、エミッタに第２の負荷抵抗が
接続され、コレクタが出力端子に接続された出力段トラ
ンジスタと、前記出力段トランジスタのコレクタに接続
された、前記受光素子からの光電流量に応じて抵抗値を
変化させる抵抗部とを具備していることを特徴とする光
信号増幅回路。 - 【請求項２】 前記受光素子と前記第１のトランジスタ
との間に、受光素子からの光電流がベースに供給され、
エミッタに第３の負荷抵抗と第１のトランジスタのベー
スが接続され、コレクタが電源に接続された第３トラン
ジスタを備えていることを特徴とする請求項１に係る光
信号増幅回路。 - 【請求項３】 前記抵抗値を変化させる抵抗部は、一端
が前記出力段トランジスタのコレクタに接続され他端が
電源に接続された第１の抵抗と、該第１の抵抗に並列に
接続された、第２の抵抗とＭＯＳトランジスタの直列接
続回路とで構成されていることを特徴とする請求項１又
は２に係る光信号増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001320326A JP2003124753A (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 光信号増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001320326A JP2003124753A (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 光信号増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003124753A true JP2003124753A (ja) | 2003-04-25 |
Family
ID=19137732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001320326A Pending JP2003124753A (ja) | 2001-10-18 | 2001-10-18 | 光信号増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003124753A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006074086A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 光電流・電圧変換回路 |
| JP2011223268A (ja) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 並列−直列形電流帰還増幅器、光学機器、及び光学ドライブ装置 |
-
2001
- 2001-10-18 JP JP2001320326A patent/JP2003124753A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006074086A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Nec Compound Semiconductor Devices Ltd | 光電流・電圧変換回路 |
| JP2011223268A (ja) * | 2010-04-08 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 並列−直列形電流帰還増幅器、光学機器、及び光学ドライブ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040820 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060530 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070123 |