JP2009044684A - 増幅回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エミッタが接地されベースがフォトダイオード13に接続されコレクタが第1の定電流源16に接続されるトランジスタ10と、エミッタが第2の定電流源17に接続されベースがトランジスタ10のコレクタと第1の定電流源16との接続点に接続されるトランジスタ11と、一端がトランジスタ10のベースとフォトダイオード13との接続点に他端がトランジスタ11のエミッタと第2の定電流源17との接続点に接続される第1の抵抗14と、エミッタが接地されベースが出力端子に接続されコレクタが第3の定電流源20に接続されるトランジスタ12と、一端がトランジスタ11のエミッタと第2の定電流源17との接続点に他端がトランジスタ12のベースに接続される第2の抵抗15とを具備する。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る増幅回路の回路図である。この増幅回路は、第1のNPNトランジスタ10と、第2のNPNトランジスタ11と、第3のNPNトランジスタ12と、フォトダイオード13と、抵抗値R1の第1の抵抗14と、抵抗値R2の第2の抵抗15と、第1の定電流源16と、第2の定電流源17と、第3の定電流源20とを備える。
本発明の第2の実施形態の増幅回路では、第1の実施形態の増幅回路と比較して、さらにノイズ特性および周波数特性を向上させることが可能な増幅回路について説明する。第1の実施形態の増幅回路では、フォトダイオード13のバイアスは第1のNPNトランジスタ10のVbeなので0.7〜0.8V程度と小さい。従って、フォトダイオード13の両端にかかる逆バイアス電圧が小さくなり、寄生容量18の容量値Csは大きくなる。その結果、ポール周波数f2が低域になり、ノイズ特性および周波数特性が悪化する。この悪化を解消するため、本実施形態の増幅回路では、フォトダイオード13のバイアスを制御し、フォトダイオード13の寄生容量18の容量値Csを小さくすることによりポール周波数f2を高域にしている。
本発明の第3の実施形態では、周波数特性を向上させると同時に利得を大きくすることが可能な増幅回路について説明する。第1の実施形態の増幅回路では、電流増幅率はR1/R2であるため、R1を小さくすると電流増幅率が低下する。この低下を解消するため、本実施形態の増幅回路は、後段に電流を電圧に変換し、変換された電圧を増幅する演算増幅器を備えることを特徴とする。
本発明の第4の実施形態では、演算増幅器23の正入力端子と負入力端子の電位差で生じるオフセット電圧を低減することが可能な増幅回路について説明する。
11 第2のNPNトランジスタ
12 第3のNPNトランジスタ
13、100 フォトダイオード
14 第1の抵抗
15 第2の抵抗
16 第1の定電流源
17 第2の定電流源
18、140 寄生容量
19 電源ライン
20 第3の定電流源
21 第3の抵抗
22 第4の抵抗
23、110 演算増幅器
31 第1の電圧源
32 第2の電圧源
41 ダイオード
42 第4の定電流源
120 帰還抵抗
130 抵抗
Claims (4)
- エミッタが接地され、ベースがフォトダイオードに接続され、コレクタが第1の定電流源に接続されている第1のトランジスタと、
エミッタが第2の定電流源に接続され、ベースが前記第1のトランジスタのコレクタと前記第1の定電流源との接続点に接続されている第2のトランジスタと、
一端が前記第1のトランジスタのベースと前記フォトダイオードとの接続点に接続され、他端が前記第2のトランジスタのエミッタと前記第2の定電流源との接続点に接続されている第1の抵抗と、
エミッタが接地され、ベースが該増幅回路の出力端子に接続され、コレクタが第3の定電流源に接続されている第3のトランジスタと、
一端が前記第2のトランジスタのエミッタと前記第2の定電流源との接続点に接続され、他端が前記第3のトランジスタのベースに接続されている第2の抵抗とを具備する
ことを特徴とする増幅回路。 - 前記増幅回路は、さらに、
前記第1のトランジスタのエミッタに接続されている第1の電圧源と、
前記第3のトランジスタのエミッタに接続されている第2の電圧源とを具備する
ことを特徴とする請求項1記載の増幅回路。 - 前記増幅回路は、さらに、
前記出力端子と前記第3のトランジスタのベースとの間に挿入されている演算増幅器であって、負入力端子が前記第3のトランジスタのベースに接続され、該演算増幅器の出力端子である演算出力端子が前記出力端子に接続されている前記演算増幅器と、
前記負入力端子と前記演算出力端子との間に挿入されている第3の抵抗とを具備する
ことを特徴とする請求項1記載の増幅回路。 - 前記増幅回路は、さらに、
前記第1のトランジスタのエミッタおよび前記第3のトランジスタのエミッタとは接続され、当該接続点と前記演算増幅器の正入力端子との間に挿入されたダイオードを具備する
ことを特徴とする請求項3記載の増幅回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007210304A JP2009044684A (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 増幅回路 |
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JP2007210304A Ceased JP2009044684A (ja) | 2007-08-10 | 2007-08-10 | 増幅回路 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9159848B2 (en) | 2013-03-22 | 2015-10-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light receiving circuit |
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2007
- 2007-08-10 JP JP2007210304A patent/JP2009044684A/ja not_active Ceased
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