JP2923169B2 - 受光増幅装置 - Google Patents
受光増幅装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光磁気ディスクプレ
ーヤやミニディスクプレーヤ等のピックアップに使用さ
れる受光増幅装置に関する。
ーヤやミニディスクプレーヤ等のピックアップに使用さ
れる受光増幅装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、受光増幅装置としては、図３に示
すように、カソードが電源ＶCCに接続されたフォトダイ
オードＰＤA，ＰＤB，ＰＤC，ＰＤDと、上記フォトダイ
オードＰＤA，ＰＤB，ＰＤC，ＰＤDのアノードに入力が
夫々接続された増幅回路ＡＭＰA，ＡＭＰB，ＡＭＰC，
ＡＭＰDとを備えたものがある。なお、上記フォトダイ
オードＰＤA〜ＰＤDのカソードとカソードが共通接続さ
れた寄生のフォトダイオードＰＤEのアノードをグラン
ドＧＮＤに接続している。そして、上記フォトダイオー
ドＰＤA〜ＰＤDが入射光を受けると、それらに受光電流
ＩＰＤA〜ＩＰＤDが発生し、各増幅回路ＡＭＰA〜ＡＭ
ＰDは夫々の受光電流ＩＰＤA〜ＩＰＤDを電圧に変換し
て増幅して、電圧出力ＶA，ＶB，ＶC，ＶDを出力する。
すように、カソードが電源ＶCCに接続されたフォトダイ
オードＰＤA，ＰＤB，ＰＤC，ＰＤDと、上記フォトダイ
オードＰＤA，ＰＤB，ＰＤC，ＰＤDのアノードに入力が
夫々接続された増幅回路ＡＭＰA，ＡＭＰB，ＡＭＰC，
ＡＭＰDとを備えたものがある。なお、上記フォトダイ
オードＰＤA〜ＰＤDのカソードとカソードが共通接続さ
れた寄生のフォトダイオードＰＤEのアノードをグラン
ドＧＮＤに接続している。そして、上記フォトダイオー
ドＰＤA〜ＰＤDが入射光を受けると、それらに受光電流
ＩＰＤA〜ＩＰＤDが発生し、各増幅回路ＡＭＰA〜ＡＭ
ＰDは夫々の受光電流ＩＰＤA〜ＩＰＤDを電圧に変換し
て増幅して、電圧出力ＶA，ＶB，ＶC，ＶDを出力する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、録音再生両
用のミニディスクプレーヤでは、録音時と再生時に上記
フォトダイオードＰＤA〜ＰＤDの入射光量が大きく変化
し、録音時の入射光量に対して再生時の入射光量は約１
／１０となる。もし、再生時の少ない入射光量に合わせ
て、上記増幅回路ＡＭＰA〜ＡＭＰDのゲインを一定にす
ると、録音時に入射光量が多くなって増幅回路ＡＭＰA
〜ＡＭＰDの出力信号ＶA〜ＶDが飽和してしまうことが
ある。一方、録音時の入射光量に合わせて、上記増幅回
路ＡＭＰA〜ＡＭＰDのゲインを再生時より小さくする
と、入射光量が少ない再生時に増幅回路ＡＭＰA〜ＡＭ
ＰDの出力信号ＶA〜ＶDが小さくなり、Ｓ／Ｎ（信号対
雑音比）が悪化して、読取エラー等が発生する。
用のミニディスクプレーヤでは、録音時と再生時に上記
フォトダイオードＰＤA〜ＰＤDの入射光量が大きく変化
し、録音時の入射光量に対して再生時の入射光量は約１
／１０となる。もし、再生時の少ない入射光量に合わせ
て、上記増幅回路ＡＭＰA〜ＡＭＰDのゲインを一定にす
ると、録音時に入射光量が多くなって増幅回路ＡＭＰA
〜ＡＭＰDの出力信号ＶA〜ＶDが飽和してしまうことが
ある。一方、録音時の入射光量に合わせて、上記増幅回
路ＡＭＰA〜ＡＭＰDのゲインを再生時より小さくする
と、入射光量が少ない再生時に増幅回路ＡＭＰA〜ＡＭ
ＰDの出力信号ＶA〜ＶDが小さくなり、Ｓ／Ｎ（信号対
雑音比）が悪化して、読取エラー等が発生する。
【０００４】そこで、上記受光増幅装置にゲイン切替回
路を設けて、録音時と再生時でこの受光増幅装置のゲイ
ンを切り替えて、出力信号ＶA〜ＶDが飽和するのを防
ぎ、Ｓ／Ｎが悪化するのを防止することが考えられる。
なお、このゲイン切替回路を用いた受光増幅装置は、こ
の発明を理解しやすくするために説明するものであっ
て、公知技術ではなく、従来技術ではない。
路を設けて、録音時と再生時でこの受光増幅装置のゲイ
ンを切り替えて、出力信号ＶA〜ＶDが飽和するのを防
ぎ、Ｓ／Ｎが悪化するのを防止することが考えられる。
なお、このゲイン切替回路を用いた受光増幅装置は、こ
の発明を理解しやすくするために説明するものであっ
て、公知技術ではなく、従来技術ではない。
【０００５】この受光増幅器として、図４に示すよう
に、フォトダイオードＰＤの出力を、増幅回路ＡＭＰと
ゲイン切替回路１０からなる増幅器１１によって増幅す
るようにしている。上記フォトダイオードＰＤのカソー
ドは電源ＶCCに接続する一方、このフォトダイオードＰ
Ｄのアノードには増幅回路ＡＭＰの入力を接続してい
る。そして、このフォトダイオードＰＤに流れる受光電
流を増幅回路ＡＭＰに入力している。上記ゲイン切替回
路１０は、増幅回路ＡＭＰの入力と出力との間に接続し
た帰還回路であって、上記増幅回路ＡＭＰの入力と出力
との間に接続した抵抗Ｒ１１と、上記増幅回路ＡＭＰの
入力と出力との間に直列に接続された抵抗Ｒ１２とスイ
ッチＳＷとからなる。上記スイッチＳＷは選択信号Ｍに
より制御するようにしており、選択信号ＭがＬレベルの
とき、スイッチＳＷがオフし、選択信号ＭがＨレベルの
とき、スイッチＳＷがオンする。こうして、上記ゲイン
切替回路１０の帰還抵抗を変えて、増幅回路ＡＭＰとゲ
イン切替回路１０からなる増幅器１１のゲインを切り替
えるようにしている。
に、フォトダイオードＰＤの出力を、増幅回路ＡＭＰと
ゲイン切替回路１０からなる増幅器１１によって増幅す
るようにしている。上記フォトダイオードＰＤのカソー
ドは電源ＶCCに接続する一方、このフォトダイオードＰ
Ｄのアノードには増幅回路ＡＭＰの入力を接続してい
る。そして、このフォトダイオードＰＤに流れる受光電
流を増幅回路ＡＭＰに入力している。上記ゲイン切替回
路１０は、増幅回路ＡＭＰの入力と出力との間に接続し
た帰還回路であって、上記増幅回路ＡＭＰの入力と出力
との間に接続した抵抗Ｒ１１と、上記増幅回路ＡＭＰの
入力と出力との間に直列に接続された抵抗Ｒ１２とスイ
ッチＳＷとからなる。上記スイッチＳＷは選択信号Ｍに
より制御するようにしており、選択信号ＭがＬレベルの
とき、スイッチＳＷがオフし、選択信号ＭがＨレベルの
とき、スイッチＳＷがオンする。こうして、上記ゲイン
切替回路１０の帰還抵抗を変えて、増幅回路ＡＭＰとゲ
イン切替回路１０からなる増幅器１１のゲインを切り替
えるようにしている。
【０００６】上記構成の受光増幅装置のフォトダイオー
ドＰＤは、ディスクに記録された信号等の入射光を受け
て、受光電流を生じる。このフォトダイオードＰＤの受
光電流を増幅回路ＡＭＰによって電圧に変換して増幅し
て、出力信号ＶOUTを出力する。そして、光磁気ディス
クプレーヤやミニディスクプレーヤ等のピックアップに
は、この増幅回路を４個ほど用い、これらの電圧出力に
基づいて演算等の信号処理を行って、ディスクに記録さ
れた信号を再生する。
ドＰＤは、ディスクに記録された信号等の入射光を受け
て、受光電流を生じる。このフォトダイオードＰＤの受
光電流を増幅回路ＡＭＰによって電圧に変換して増幅し
て、出力信号ＶOUTを出力する。そして、光磁気ディス
クプレーヤやミニディスクプレーヤ等のピックアップに
は、この増幅回路を４個ほど用い、これらの電圧出力に
基づいて演算等の信号処理を行って、ディスクに記録さ
れた信号を再生する。
【０００７】しかしながら、録音再生の切り替えを頻繁
に行うような場合、録音再生の切替時間すなわちゲイン
切替の応答時間ができるだけ短いことが望まれている。
ところが、上記ゲイン切替回路１０のスイッチＳＷは、
スイッチング素子としてトランジスタが用いられてお
り、このトランジスタのスイッチング特性から、ゲイン
切替回路１０の切替時間を短くできないという問題があ
る。すなわち、ディスクの反射率等の違いによりフォト
ダイオードＰＤの入射光量が変化し、それに伴ってフォ
トダイオードＰＤの受光電流が変化すると、上記ゲイン
切替回路１０に流れる電流すなわちスイッチＳＷを構成
するトランジスタのコレクタ電流は、この受光電流に比
例して変化する。そして、上記スイッチＳＷを構成する
トランジスタは、その受光電流が大きくなるとコレクタ
電流が大きくなり、このコレクタ電流が大きいとスイッ
チング時間が長くなる一方、受光電流が小さくなるとコ
レクタ電流が小さくなり、スイッチング時間が短くな
る。また、上記トランジスタの制御入力端子としてのベ
ースに流れる電流が小さいとき、スイッチング時間が長
くなり、トランジスタのベース電流が大きいとき、スイ
ッチング時間が短くなる。このように、上記フォトダイ
オードＰＤの受光電流のバラツキやスイッチＳＷのトラ
ンジスタのベース電流のバラツキによって、また、上記
スイッチＳＷを集積回路で構成した場合の各デバイスの
特性バラツキにより、スイッチング時間が一定せず、長
くなることがある。したがって、上記受光増幅装置を用
いたピックアップは、ゲインの切替時間が一定せず、ゲ
インの切り替えを高速に行うことができないという問題
がある。
に行うような場合、録音再生の切替時間すなわちゲイン
切替の応答時間ができるだけ短いことが望まれている。
ところが、上記ゲイン切替回路１０のスイッチＳＷは、
スイッチング素子としてトランジスタが用いられてお
り、このトランジスタのスイッチング特性から、ゲイン
切替回路１０の切替時間を短くできないという問題があ
る。すなわち、ディスクの反射率等の違いによりフォト
ダイオードＰＤの入射光量が変化し、それに伴ってフォ
トダイオードＰＤの受光電流が変化すると、上記ゲイン
切替回路１０に流れる電流すなわちスイッチＳＷを構成
するトランジスタのコレクタ電流は、この受光電流に比
例して変化する。そして、上記スイッチＳＷを構成する
トランジスタは、その受光電流が大きくなるとコレクタ
電流が大きくなり、このコレクタ電流が大きいとスイッ
チング時間が長くなる一方、受光電流が小さくなるとコ
レクタ電流が小さくなり、スイッチング時間が短くな
る。また、上記トランジスタの制御入力端子としてのベ
ースに流れる電流が小さいとき、スイッチング時間が長
くなり、トランジスタのベース電流が大きいとき、スイ
ッチング時間が短くなる。このように、上記フォトダイ
オードＰＤの受光電流のバラツキやスイッチＳＷのトラ
ンジスタのベース電流のバラツキによって、また、上記
スイッチＳＷを集積回路で構成した場合の各デバイスの
特性バラツキにより、スイッチング時間が一定せず、長
くなることがある。したがって、上記受光増幅装置を用
いたピックアップは、ゲインの切替時間が一定せず、ゲ
インの切り替えを高速に行うことができないという問題
がある。
【０００８】そこで、この発明の目的は、ゲイン切替回
路の切替時間をできるだけ短くして、ゲインを高速に切
り替えることができる受光増幅装置を提供することにあ
る。
路の切替時間をできるだけ短くして、ゲインを高速に切
り替えることができる受光増幅装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の請求項１の受光増幅装置は、フォトダイ
オードと、上記フォトダイオードの受光電流を電流電圧
変換して増幅する増幅回路とを備えた受光増幅装置にお
いて、上記フォトダイオードの上記受光電流に基づい
て、この受光電流と略同じ大きさの電流の制御信号を出
力するカレントミラー回路と、上記増幅回路の入出力間
を接続する少なくとも一組の直列接続された抵抗とスイ
ッチング素子を有し、外部からの選択信号により選択さ
れた上記スイッチング素子の制御入力端子に上記カレン
トミラー回路から出力された上記制御信号が入力される
ゲイン切替回路とを備え、上記外部からの選択信号によ
り選択された上記スイッチング素子のスイッチング時間
を上記カレントミラー回路からの上記制御信号に基づい
て制御することを特徴としている。また、この発明の請
求項２の受光増幅装置は、請求項１の受光増幅装置にお
いて、上記スイッチング素子はトランジスタであって、
上記外部からの上記選択信号に基づいて、上記カレント
ミラー回路からの上記制御信号を上記トランジスタのベ
ースに入力するか否かを選択する選択回路を備えたこと
を特徴としている。
め、この発明の請求項１の受光増幅装置は、フォトダイ
オードと、上記フォトダイオードの受光電流を電流電圧
変換して増幅する増幅回路とを備えた受光増幅装置にお
いて、上記フォトダイオードの上記受光電流に基づい
て、この受光電流と略同じ大きさの電流の制御信号を出
力するカレントミラー回路と、上記増幅回路の入出力間
を接続する少なくとも一組の直列接続された抵抗とスイ
ッチング素子を有し、外部からの選択信号により選択さ
れた上記スイッチング素子の制御入力端子に上記カレン
トミラー回路から出力された上記制御信号が入力される
ゲイン切替回路とを備え、上記外部からの選択信号によ
り選択された上記スイッチング素子のスイッチング時間
を上記カレントミラー回路からの上記制御信号に基づい
て制御することを特徴としている。また、この発明の請
求項２の受光増幅装置は、請求項１の受光増幅装置にお
いて、上記スイッチング素子はトランジスタであって、
上記外部からの上記選択信号に基づいて、上記カレント
ミラー回路からの上記制御信号を上記トランジスタのベ
ースに入力するか否かを選択する選択回路を備えたこと
を特徴としている。
【００１０】
【作用】上記請求項１の構成の受光増幅装置は、上記フ
ォトダイオードの受光電流を増幅回路により電圧に変換
して増幅する。一方、上記カレントミラー回路は、上記
フォトダイオードの受光電流と略同じ大きさの電流の制
御信号を出力する。そして、上記ゲイン切替回路は、外
部からの選択信号に従ってスイッチング素子を選択し
て、その選択されたスイッチング素子の制御入力端子に
上記制御信号を入力する。この選択されたスイッチング
素子がオンして、上記増幅回路の入出力間にスイッチン
グ素子と直列接続された抵抗による帰還抵抗によって、
この受光増幅装置のゲインが切り替わる。
ォトダイオードの受光電流を増幅回路により電圧に変換
して増幅する。一方、上記カレントミラー回路は、上記
フォトダイオードの受光電流と略同じ大きさの電流の制
御信号を出力する。そして、上記ゲイン切替回路は、外
部からの選択信号に従ってスイッチング素子を選択し
て、その選択されたスイッチング素子の制御入力端子に
上記制御信号を入力する。この選択されたスイッチング
素子がオンして、上記増幅回路の入出力間にスイッチン
グ素子と直列接続された抵抗による帰還抵抗によって、
この受光増幅装置のゲインが切り替わる。
【００１１】このように、上記ゲイン切替回路の選択さ
れたスイッチング素子の制御入力端子に流れる電流は、
上記フォトダイオードの受光電流と略同じ大きさとな
る。一方、このスイッチング素子の帰還電流は、このス
イッチング素子の制御入力端子に流れる電流と略比例す
る。このため、上記フォトダイオードの受光電流によっ
て、上記スイッチング素子の帰還電流が増減しても、そ
の増減に略比例して制御入力端子に流れる電流が増減す
るから、スイッチング時間が略一定となり、バラツキが
なくなる。したがって、上記フォトダイオードの入射光
量の変化やスイッチング素子の制御入力端子に流れる電
流のバラツキに関係なく、スイッチング素子のスイッチ
ング時間を略一定にでき、かつ高速にできる。したがっ
て、上記ゲイン切替回路の切替時間を短くできるから、
上記受光増幅装置のゲインを高速に切り替えできる。ま
た、請求項２の受光増幅器によれば、カレントミラー回
路からの制御信号を有効に利用して、簡素な回路構成で
受光増幅装置を容易に実現できる。
れたスイッチング素子の制御入力端子に流れる電流は、
上記フォトダイオードの受光電流と略同じ大きさとな
る。一方、このスイッチング素子の帰還電流は、このス
イッチング素子の制御入力端子に流れる電流と略比例す
る。このため、上記フォトダイオードの受光電流によっ
て、上記スイッチング素子の帰還電流が増減しても、そ
の増減に略比例して制御入力端子に流れる電流が増減す
るから、スイッチング時間が略一定となり、バラツキが
なくなる。したがって、上記フォトダイオードの入射光
量の変化やスイッチング素子の制御入力端子に流れる電
流のバラツキに関係なく、スイッチング素子のスイッチ
ング時間を略一定にでき、かつ高速にできる。したがっ
て、上記ゲイン切替回路の切替時間を短くできるから、
上記受光増幅装置のゲインを高速に切り替えできる。ま
た、請求項２の受光増幅器によれば、カレントミラー回
路からの制御信号を有効に利用して、簡素な回路構成で
受光増幅装置を容易に実現できる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の受光増幅装置を一実施例に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００１３】図１はこの発明の一実施例の受光増幅装置
の等価回路図を示しており、ＰＤはフォトダイオード、
ＡＭＰは上記フォトダイオードＰＤのアノードに入力が
接続され、上記フォトダイオードＰＤの受光電流を電圧
に変換して増幅して、出力信号ＶOUTを出力する増幅回
路、１は電源ＶCCと上記フォトダイオードＰＤのカソー
ドとの間に接続され、受光電流と同じ大きさの電流の制
御信号を出力するカレントミラー回路、２は上記増幅回
路ＡＭＰの入出力間に接続された帰還回路であるゲイン
切替回路である。上記増幅回路ＡＭＰとゲイン切替回路
２は増幅器３を構成している。また、上記フォトダイオ
ードＰＤのカソードは、外部に引き出されている。
の等価回路図を示しており、ＰＤはフォトダイオード、
ＡＭＰは上記フォトダイオードＰＤのアノードに入力が
接続され、上記フォトダイオードＰＤの受光電流を電圧
に変換して増幅して、出力信号ＶOUTを出力する増幅回
路、１は電源ＶCCと上記フォトダイオードＰＤのカソー
ドとの間に接続され、受光電流と同じ大きさの電流の制
御信号を出力するカレントミラー回路、２は上記増幅回
路ＡＭＰの入出力間に接続された帰還回路であるゲイン
切替回路である。上記増幅回路ＡＭＰとゲイン切替回路
２は増幅器３を構成している。また、上記フォトダイオ
ードＰＤのカソードは、外部に引き出されている。
【００１４】上記カレントミラー回路１は、夫々のエミ
ッタが電源ＶCCに接続され、ベースが互いに接続された
ＰＮＰトランジスタＱ1，Ｑ2で構成している。このＰＮ
ＰトランジスタＱ1のベースとコレクタを接続するとと
もに、このコレクタをフォトダイオードＰＤのカソード
に接続している。一方、上記ＰＮＰトランジスタＱ2の
コレクタは、上記ゲイン切替回路２の制御入力端子（図
示せず）に接続している。
ッタが電源ＶCCに接続され、ベースが互いに接続された
ＰＮＰトランジスタＱ1，Ｑ2で構成している。このＰＮ
ＰトランジスタＱ1のベースとコレクタを接続するとと
もに、このコレクタをフォトダイオードＰＤのカソード
に接続している。一方、上記ＰＮＰトランジスタＱ2の
コレクタは、上記ゲイン切替回路２の制御入力端子（図
示せず）に接続している。
【００１５】また、上記ゲイン切替回路２は、抵抗Ｒｆ
1，抵抗Ｒｆ2，スイッチＳＷからなり、上記抵抗Ｒｆ1
を増幅回路ＡＭＰの入出力間に接続するとともに、直列
接続された抵抗Ｒｆ2とスイッチＳＷとを増幅回路ＡＭ
Ｐの入出力間に接続している。こうして、上記増幅回路
ＡＭＰとゲイン切替回路２とからなる増幅器３は、フォ
トダイオードＰＤからの受光電流を電圧に変換するとと
もに、ゲイン切替回路２によって設定されるゲインに基
づいて増幅して、出力信号ＶOUTを出力する。
1，抵抗Ｒｆ2，スイッチＳＷからなり、上記抵抗Ｒｆ1
を増幅回路ＡＭＰの入出力間に接続するとともに、直列
接続された抵抗Ｒｆ2とスイッチＳＷとを増幅回路ＡＭ
Ｐの入出力間に接続している。こうして、上記増幅回路
ＡＭＰとゲイン切替回路２とからなる増幅器３は、フォ
トダイオードＰＤからの受光電流を電圧に変換するとと
もに、ゲイン切替回路２によって設定されるゲインに基
づいて増幅して、出力信号ＶOUTを出力する。
【００１６】図２は図１に示した実施例の受光増幅装置
の回路図であり、図１と同一構成部は同一参照番号を付
している。ＰＤはフォトダイオード、ＡＭＰは上記フォ
トダイオードＰＤのアノードに入力が接続された増幅回
路、１は電源ＶCCとフォトダイオードＰＤのカソードと
の間に接続されたカレントミラー回路、２はゲイン切替
回路、３は上記増幅回路ＡＭＰとゲイン切替回路２から
なる増幅器、２０は上記カレントミラー回路１からの制
御信号と外部からの選択信号Ｍとを受けて、上記ゲイン
切替回路２を制御する選択回路である。なお、上記フォ
トダイオードＰＤのカソードから外部への引き出し線は
省略している。
の回路図であり、図１と同一構成部は同一参照番号を付
している。ＰＤはフォトダイオード、ＡＭＰは上記フォ
トダイオードＰＤのアノードに入力が接続された増幅回
路、１は電源ＶCCとフォトダイオードＰＤのカソードと
の間に接続されたカレントミラー回路、２はゲイン切替
回路、３は上記増幅回路ＡＭＰとゲイン切替回路２から
なる増幅器、２０は上記カレントミラー回路１からの制
御信号と外部からの選択信号Ｍとを受けて、上記ゲイン
切替回路２を制御する選択回路である。なお、上記フォ
トダイオードＰＤのカソードから外部への引き出し線は
省略している。
【００１７】上記増幅回路ＡＭＰは、上記フォトダイオ
ードＰＤのアノードはＮＰＮトランジスタＱ7のベース
に入力として接続され、定電流源Ｉ1を介して電源ＶCC
にコレクタが接続されたＮＰＮトランジスタＱ7と、こ
のＮＰＮトランジスタＱ7のエミッタにコレクタが接続
され、コレクタとベースとが接続され、グランドＧＮＤ
にエミッタが接続されているダイオードとしてのＮＰＮ
トランジスタＱ8と、上記ＮＰＮトランジスタＱ7のコレ
クタにベースが接続され、電源ＶCCにコレクタが接続さ
れて、負荷としての定電流源Ｉ2を介してグランドＧＮ
Ｄにエミッタが接続されたＰＮＰトランジスタＱ10とか
らなる。上記ＰＮＰトランジスタＱ10はエミッタフォロ
ア回路を構成して、このＮＰＮトランジスタＱ10のエミ
ッタから出力信号ＶOUTを出力する。なお、上記定電流
源Ｉ1は、電源ＶCC側からＰＮＰトランジスタＱ7側に電
流を流し、定電流源Ｉ2は、ＮＰＮトランジスタＱ10側
からグランドＧＮＤ側に電流を流すものである。
ードＰＤのアノードはＮＰＮトランジスタＱ7のベース
に入力として接続され、定電流源Ｉ1を介して電源ＶCC
にコレクタが接続されたＮＰＮトランジスタＱ7と、こ
のＮＰＮトランジスタＱ7のエミッタにコレクタが接続
され、コレクタとベースとが接続され、グランドＧＮＤ
にエミッタが接続されているダイオードとしてのＮＰＮ
トランジスタＱ8と、上記ＮＰＮトランジスタＱ7のコレ
クタにベースが接続され、電源ＶCCにコレクタが接続さ
れて、負荷としての定電流源Ｉ2を介してグランドＧＮ
Ｄにエミッタが接続されたＰＮＰトランジスタＱ10とか
らなる。上記ＰＮＰトランジスタＱ10はエミッタフォロ
ア回路を構成して、このＮＰＮトランジスタＱ10のエミ
ッタから出力信号ＶOUTを出力する。なお、上記定電流
源Ｉ1は、電源ＶCC側からＰＮＰトランジスタＱ7側に電
流を流し、定電流源Ｉ2は、ＮＰＮトランジスタＱ10側
からグランドＧＮＤ側に電流を流すものである。
【００１８】また、上記ゲイン切替回路２は、ＮＰＮト
ランジスタＱ7のベースとＰＮＰトランジスタＱ10のエ
ミッタとの間に接続された抵抗Ｒｆ1と、ＮＰＮトラン
ジスタＱ7のベースとＰＮＰトランジスタＱ10のエミッ
タとの間にＮＰＮトランジスタＱ7のベースから順に直
列に接続された抵抗Ｒｆ2とＮＰＮトランジスタＱ9と、
このＮＰＮトランジスタＱ9のベースとエミッタとの間
に接続された抵抗Ｒ3とからなる。上記ＮＰＮトランジ
スタＱ9のコレクタは抵抗Ｒｆ2の一端と接続する一方、
ＮＰＮトランジスタＱ9のエミッタはＮＰＮトランジス
タＱ10のエミッタと接続している。なお、上記抵抗Ｒ3
は、ＮＰＮトランジスタＱ9のスイッチング時間を短く
する働きをする。
ランジスタＱ7のベースとＰＮＰトランジスタＱ10のエ
ミッタとの間に接続された抵抗Ｒｆ1と、ＮＰＮトラン
ジスタＱ7のベースとＰＮＰトランジスタＱ10のエミッ
タとの間にＮＰＮトランジスタＱ7のベースから順に直
列に接続された抵抗Ｒｆ2とＮＰＮトランジスタＱ9と、
このＮＰＮトランジスタＱ9のベースとエミッタとの間
に接続された抵抗Ｒ3とからなる。上記ＮＰＮトランジ
スタＱ9のコレクタは抵抗Ｒｆ2の一端と接続する一方、
ＮＰＮトランジスタＱ9のエミッタはＮＰＮトランジス
タＱ10のエミッタと接続している。なお、上記抵抗Ｒ3
は、ＮＰＮトランジスタＱ9のスイッチング時間を短く
する働きをする。
【００１９】また、上記選択回路２０は、ベースとコレ
クタとが接続されたＮＰＮトランジスタＱ3と、このＮ
ＰＮトランジスタＱ3とベースが互いに接続されたＮＰ
ＮトランジスタＱ4とからなり、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ3，Ｑ4の各エミッタがグランドＧＮＤに接続されてい
るカレントミラー回路と、上記ＮＰＮトランジスタＱ4
のコレクタにコレクタが接続され、ベースとコレクタと
が接続されたＰＮＰトランジスタＱ5と、このＰＮＰト
ランジスタＱ5とベースが互いに接続されたＰＮＰトラ
ンジスタＱ6とからなり、ＰＮＰトランジスタＱ5，Ｑ6
の各エミッタが電源ＶCCに接続されているカレントミラ
ー回路と、上記ＮＰＮトランジスタＱ3のコレクタにコ
レクタが接続されたＮＰＮトランジスタＱ11とで構成し
ている。なお、上記ＮＰＮトランジスタＱ11のエミッタ
はグランドＧＮＤに接続する一方、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ11のベースに抵抗Ｒ1を介して選択信号Ｍを入力し、
抵抗Ｒ2を介してグランドＧＮＤに接続している。そし
て、上記選択回路２０のＮＰＮトランジスタＱ3のコレ
クタを上記カレントミラー回路１のＰＮＰトランジスタ
Ｑ2のコレクタに接続し、上記選択回路２０のＰＮＰト
ランジスタＱ6のコレクタをゲイン切替回路２のＮＰＮ
トランジスタＱ9の制御入力端子としてのベースに接続
している。
クタとが接続されたＮＰＮトランジスタＱ3と、このＮ
ＰＮトランジスタＱ3とベースが互いに接続されたＮＰ
ＮトランジスタＱ4とからなり、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ3，Ｑ4の各エミッタがグランドＧＮＤに接続されてい
るカレントミラー回路と、上記ＮＰＮトランジスタＱ4
のコレクタにコレクタが接続され、ベースとコレクタと
が接続されたＰＮＰトランジスタＱ5と、このＰＮＰト
ランジスタＱ5とベースが互いに接続されたＰＮＰトラ
ンジスタＱ6とからなり、ＰＮＰトランジスタＱ5，Ｑ6
の各エミッタが電源ＶCCに接続されているカレントミラ
ー回路と、上記ＮＰＮトランジスタＱ3のコレクタにコ
レクタが接続されたＮＰＮトランジスタＱ11とで構成し
ている。なお、上記ＮＰＮトランジスタＱ11のエミッタ
はグランドＧＮＤに接続する一方、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ11のベースに抵抗Ｒ1を介して選択信号Ｍを入力し、
抵抗Ｒ2を介してグランドＧＮＤに接続している。そし
て、上記選択回路２０のＮＰＮトランジスタＱ3のコレ
クタを上記カレントミラー回路１のＰＮＰトランジスタ
Ｑ2のコレクタに接続し、上記選択回路２０のＰＮＰト
ランジスタＱ6のコレクタをゲイン切替回路２のＮＰＮ
トランジスタＱ9の制御入力端子としてのベースに接続
している。
【００２０】上記構成の受光増幅装置を例えばミニディ
スクプレーヤのピックアップに用いた場合、再生時に受
光電流ＩPDが電源ＶCCからカレントミラー回路１のＰＮ
ＰトランジスタＱ1を介してフォトダイオードＰＤのカ
ソードに流れ、このフォトダイオードＰＤのアノードか
らＮＰＮトランジスタＱ7のベースに流れる。一方、上
記カレントミラー回路１のＰＮＰトランジスタＱ2のコ
レクタからは、上記受光電流ＩPDと略同じ大きさの電流
の制御信号を出力する。そして、上記選択信号ＭをＨレ
ベルとし、抵抗Ｒ1を介してＮＰＮトランジスタＱ11の
ベースに電流を流して、このＮＰＮトランジスタＱ11を
オンにする。このため、上記制御信号の電流はトランジ
スタＱ11を介してグランドＧＮＤに流れ、上記ＮＰＮト
ランジスタＱ3，Ｑ4で構成されるカレントミラー回路に
電流が流れないから、上記ＰＮＰトランジスタＱ5，Ｑ6
で構成されるカレントミラー回路にも電流が流れない。
したがって、上記ＮＰＮトランジスタＱ9の制御入力端
子であるベースに電流が流れないから、ＮＰＮトランジ
スタＱ9はオフとなる。こうして、上記定電流源Ｉ1から
の電流は、一部がＮＰＮトランジスタＱ7とＮＰＮトラ
ンジスタＱ8を介してグランドＧＮＤに流れる一方、残
りはＮＰＮトランジスタＱ10のベースに流れ、電源ＶCC
からＮＰＮトランジスタＱ10と定電流源Ｉ2とを介して
グランドＧＮＤに定電流源Ｉ2で決められた所定の電流
が流れる。なお、上記フォトダイオードＰＤの受光電流
ＩPDの一部は、抵抗Ｒｆ1と定電流源Ｉ2を介してグラン
ドＧＮＤに流れている。したがって、上記ＮＰＮトラン
ジスタＱ10のエミッタには、抵抗Ｒｆ1によって決めら
れた所定のゲインに基づいて、受光電流ＩPDに略比例し
て増幅された出力信号ＶOUTを出力する。
スクプレーヤのピックアップに用いた場合、再生時に受
光電流ＩPDが電源ＶCCからカレントミラー回路１のＰＮ
ＰトランジスタＱ1を介してフォトダイオードＰＤのカ
ソードに流れ、このフォトダイオードＰＤのアノードか
らＮＰＮトランジスタＱ7のベースに流れる。一方、上
記カレントミラー回路１のＰＮＰトランジスタＱ2のコ
レクタからは、上記受光電流ＩPDと略同じ大きさの電流
の制御信号を出力する。そして、上記選択信号ＭをＨレ
ベルとし、抵抗Ｒ1を介してＮＰＮトランジスタＱ11の
ベースに電流を流して、このＮＰＮトランジスタＱ11を
オンにする。このため、上記制御信号の電流はトランジ
スタＱ11を介してグランドＧＮＤに流れ、上記ＮＰＮト
ランジスタＱ3，Ｑ4で構成されるカレントミラー回路に
電流が流れないから、上記ＰＮＰトランジスタＱ5，Ｑ6
で構成されるカレントミラー回路にも電流が流れない。
したがって、上記ＮＰＮトランジスタＱ9の制御入力端
子であるベースに電流が流れないから、ＮＰＮトランジ
スタＱ9はオフとなる。こうして、上記定電流源Ｉ1から
の電流は、一部がＮＰＮトランジスタＱ7とＮＰＮトラ
ンジスタＱ8を介してグランドＧＮＤに流れる一方、残
りはＮＰＮトランジスタＱ10のベースに流れ、電源ＶCC
からＮＰＮトランジスタＱ10と定電流源Ｉ2とを介して
グランドＧＮＤに定電流源Ｉ2で決められた所定の電流
が流れる。なお、上記フォトダイオードＰＤの受光電流
ＩPDの一部は、抵抗Ｒｆ1と定電流源Ｉ2を介してグラン
ドＧＮＤに流れている。したがって、上記ＮＰＮトラン
ジスタＱ10のエミッタには、抵抗Ｒｆ1によって決めら
れた所定のゲインに基づいて、受光電流ＩPDに略比例し
て増幅された出力信号ＶOUTを出力する。
【００２１】一方、録音時にフォトダイオードＰＤに
は、再生時より大きい受光電流ＩPDが電源ＶCCからカレ
ントミラー回路１のＰＮＰトランジスタＱ1を介してフ
ォトダイオードＰＤのカソードに流れ、このフォトダイ
オードＰＤのアノードからＮＰＮトランジスタＱ７のベ
ースに流れる。一方、上記カレントミラー回路１のＰＮ
ＰトランジスタＱ2のコレクタからは、上記受光電流Ｉ
PDに略同じ大きさの電流の制御信号を出力する。そし
て、上記選択信号ＭをＬレベルとし、このＮＰＮトラン
ジスタＱ11をオフにする。このため、上記ＮＰＮトラン
ジスタＱ3，Ｑ4で構成されるカレントミラー回路に電流
が流れ、上記ＰＮＰトランジスタＱ5，Ｑ6で構成される
カレントミラー回路にも電流が流れる。したがって、上
記ＮＰＮトランジスタＱ9の制御入力端子であるベース
に電流が流れて、ＮＰＮトランジスタＱ9はオンとな
る。こうして、上記電流源Ｉ1からの電流は、一部がＮ
ＰＮトランジスタＱ7とＮＰＮトランジスタＱ8を介して
グランドＧＮＤに流れる一方、残りはＮＰＮトランジス
タＱ10のベースに流れ、電源ＶCCからＮＰＮトランジス
タＱ10と定電流源Ｉ2とを介してグランドＧＮＤに定電
流源Ｉ2で決められた所定の電流が流れる。なお、上記
ＮＰＮトランジスタＱ9がオンするので、フォトダイオ
ードＰＤの受光電流ＩPDの一部は、並列接続された抵抗
Ｒｆ1と抵抗Ｒｆ2との合成抵抗を流れ、定電流源Ｉ2を
介してグランドＧＮＤに流れる。したがって、上記ＮＰ
ＮトランジスタＱ10のエミッタには、抵抗Ｒｆ1と抵抗
Ｒｆ2による再生時より小さいゲインに基づいて、受光
電流ＩPDに略比例して増幅された電圧が出力信号ＶOUT
として出力される。
は、再生時より大きい受光電流ＩPDが電源ＶCCからカレ
ントミラー回路１のＰＮＰトランジスタＱ1を介してフ
ォトダイオードＰＤのカソードに流れ、このフォトダイ
オードＰＤのアノードからＮＰＮトランジスタＱ７のベ
ースに流れる。一方、上記カレントミラー回路１のＰＮ
ＰトランジスタＱ2のコレクタからは、上記受光電流Ｉ
PDに略同じ大きさの電流の制御信号を出力する。そし
て、上記選択信号ＭをＬレベルとし、このＮＰＮトラン
ジスタＱ11をオフにする。このため、上記ＮＰＮトラン
ジスタＱ3，Ｑ4で構成されるカレントミラー回路に電流
が流れ、上記ＰＮＰトランジスタＱ5，Ｑ6で構成される
カレントミラー回路にも電流が流れる。したがって、上
記ＮＰＮトランジスタＱ9の制御入力端子であるベース
に電流が流れて、ＮＰＮトランジスタＱ9はオンとな
る。こうして、上記電流源Ｉ1からの電流は、一部がＮ
ＰＮトランジスタＱ7とＮＰＮトランジスタＱ8を介して
グランドＧＮＤに流れる一方、残りはＮＰＮトランジス
タＱ10のベースに流れ、電源ＶCCからＮＰＮトランジス
タＱ10と定電流源Ｉ2とを介してグランドＧＮＤに定電
流源Ｉ2で決められた所定の電流が流れる。なお、上記
ＮＰＮトランジスタＱ9がオンするので、フォトダイオ
ードＰＤの受光電流ＩPDの一部は、並列接続された抵抗
Ｒｆ1と抵抗Ｒｆ2との合成抵抗を流れ、定電流源Ｉ2を
介してグランドＧＮＤに流れる。したがって、上記ＮＰ
ＮトランジスタＱ10のエミッタには、抵抗Ｒｆ1と抵抗
Ｒｆ2による再生時より小さいゲインに基づいて、受光
電流ＩPDに略比例して増幅された電圧が出力信号ＶOUT
として出力される。
【００２２】ここで、上記ＮＰＮトランジスタＱ9のオ
ーバードライブ係数Ｎは、 Ｎ＝（ＩB×ｈFE）／ＩRf2 ・・・・・（１） ＩB ：ＮＰＮトランジスタＱ9のベース電流 ｈFE ：ＮＰＮトランジスタＱ9の電流増幅率 ＩRf2：抵抗Ｒｆ2に流れる電流 で与えられる。また、抵抗Ｒｆ2に流れる電流ＩRf2は、 ＩRf2＝ＩPD×Ｒｆ1／（Ｒｆ1＋Ｒｆ2） ・・・・・（２） となる。そして、再生時のゲインより録音時のゲインを
例えば１／１０にするので、抵抗Ｒｆ2は抵抗Ｒｆ1より
小さい抵抗値となり、式（２）を近似して、 ＩRf2≒ＩPD ・・・・・（３） とすると、式（１），（３）より、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ9のオーバードライブ係数Ｎは、 Ｎ＝（ＩB×ｈFE）／ＩPD ・・・・・（３） となる。したがって、上記実施例の受光増幅装置のよう
にＮＰＮトランジスタＱ9のベース電流ＩBと受光電流Ｉ
PDとを略同じとした場合、上記オーバードライブ係数Ｎ
はＮＰＮトランジスタＱ9の電流増幅率ｈFEとなる。し
たがって、オーバードライブ係数Ｎは電流増幅率ｈFEの
みによりバラツクこととなり、バラツキは小さくなる。
ーバードライブ係数Ｎは、 Ｎ＝（ＩB×ｈFE）／ＩRf2 ・・・・・（１） ＩB ：ＮＰＮトランジスタＱ9のベース電流 ｈFE ：ＮＰＮトランジスタＱ9の電流増幅率 ＩRf2：抵抗Ｒｆ2に流れる電流 で与えられる。また、抵抗Ｒｆ2に流れる電流ＩRf2は、 ＩRf2＝ＩPD×Ｒｆ1／（Ｒｆ1＋Ｒｆ2） ・・・・・（２） となる。そして、再生時のゲインより録音時のゲインを
例えば１／１０にするので、抵抗Ｒｆ2は抵抗Ｒｆ1より
小さい抵抗値となり、式（２）を近似して、 ＩRf2≒ＩPD ・・・・・（３） とすると、式（１），（３）より、ＮＰＮトランジスタ
Ｑ9のオーバードライブ係数Ｎは、 Ｎ＝（ＩB×ｈFE）／ＩPD ・・・・・（３） となる。したがって、上記実施例の受光増幅装置のよう
にＮＰＮトランジスタＱ9のベース電流ＩBと受光電流Ｉ
PDとを略同じとした場合、上記オーバードライブ係数Ｎ
はＮＰＮトランジスタＱ9の電流増幅率ｈFEとなる。し
たがって、オーバードライブ係数Ｎは電流増幅率ｈFEの
みによりバラツクこととなり、バラツキは小さくなる。
【００２３】このように、上記ゲイン切替回路２のスイ
ッチング素子としてのＮＰＮトランジスタＱ9のベース
に流れる電流をフォトダイオードＰＤの受光電流ＩPDと
略同じ大きさにして、このＮＰＮトランジスタＱ9のコ
レクタ電流がこのベース電流と略比例するようにしてい
る。このため、上記ＮＰＮトランジスタＱ9のコレクタ
電流が受光電流ＩPDに略比例して増減しても、その受光
電流ＩPDと同じようにＮＰＮトランジスタＱ9のベース
電流が増減する。すなわち、上記フォトダイオードの受
光電流ＩPDが大きくなると、ＮＰＮトランジスタのコレ
クタ電流が大きくなり、ＮＰＮトランジスタＱ9のベー
ス電流も大きくなるので、ＮＰＮトランジスタＱ9のス
イッチング時間は受光電流ＩPDが小さいときと略同じと
なり、短くなる。したがって、上記フォトダイオードＰ
Ｄの入射光量の変化やＮＰＮトランジスタＱ9のベース
電流のバラツキに関係なく、ＮＰＮトランジスタＱ9の
スイッチング時間を略一定にでき、かつ高速にすること
ができる。また、上記ＮＰＮトランジスタＱ9に電流増
幅率ｈFEが大きいものを用いることで、容易にスイッチ
ング時間を短くすることできる。したがって、上記ゲイ
ン切替回路２の切替時間を短くできるから、この受光増
幅装置のゲインを高速に切り替えることができる。
ッチング素子としてのＮＰＮトランジスタＱ9のベース
に流れる電流をフォトダイオードＰＤの受光電流ＩPDと
略同じ大きさにして、このＮＰＮトランジスタＱ9のコ
レクタ電流がこのベース電流と略比例するようにしてい
る。このため、上記ＮＰＮトランジスタＱ9のコレクタ
電流が受光電流ＩPDに略比例して増減しても、その受光
電流ＩPDと同じようにＮＰＮトランジスタＱ9のベース
電流が増減する。すなわち、上記フォトダイオードの受
光電流ＩPDが大きくなると、ＮＰＮトランジスタのコレ
クタ電流が大きくなり、ＮＰＮトランジスタＱ9のベー
ス電流も大きくなるので、ＮＰＮトランジスタＱ9のス
イッチング時間は受光電流ＩPDが小さいときと略同じと
なり、短くなる。したがって、上記フォトダイオードＰ
Ｄの入射光量の変化やＮＰＮトランジスタＱ9のベース
電流のバラツキに関係なく、ＮＰＮトランジスタＱ9の
スイッチング時間を略一定にでき、かつ高速にすること
ができる。また、上記ＮＰＮトランジスタＱ9に電流増
幅率ｈFEが大きいものを用いることで、容易にスイッチ
ング時間を短くすることできる。したがって、上記ゲイ
ン切替回路２の切替時間を短くできるから、この受光増
幅装置のゲインを高速に切り替えることができる。
【００２４】上記実施例では、上記ゲイン切替回路２に
一つのスイッチＳＷを用いたが、二つのスイッチを用い
てもよく、スイッチは適宜な数にしてよい。
一つのスイッチＳＷを用いたが、二つのスイッチを用い
てもよく、スイッチは適宜な数にしてよい。
【００２５】また、上記実施例では、スイッチング素子
としてＮＰＮトランジスタＱ9を用いたが、ＰＮＰトラ
ンジスタやこれと同等のスイッチング特性を有するスイ
ッチング素子であればよい。
としてＮＰＮトランジスタＱ9を用いたが、ＰＮＰトラ
ンジスタやこれと同等のスイッチング特性を有するスイ
ッチング素子であればよい。
【００２６】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明の請
求項１の受光増幅装置は、上記フォトダイオードの受光
電流を増幅回路により電流電圧変換して増幅し、上記フ
ォトダイオードの受光電流に基づいて、カレントミラー
回路はこの受光電流と略同じ大きさの電流の制御信号を
出力し、ゲイン切替回路は、上記増幅回路の入出力間を
接続する少なくとも一組の直列接続された抵抗とスイッ
チング素子を有し、外部からの選択信号により選択され
たスイッチング素子の制御入力端子にカレントミラー回
路から出力された制御信号を入力して、上記外部からの
選択信号により選択されたスイッチング素子のスイッチ
ング時間をカレントミラー回路からの制御信号に基づい
て制御するものである。
求項１の受光増幅装置は、上記フォトダイオードの受光
電流を増幅回路により電流電圧変換して増幅し、上記フ
ォトダイオードの受光電流に基づいて、カレントミラー
回路はこの受光電流と略同じ大きさの電流の制御信号を
出力し、ゲイン切替回路は、上記増幅回路の入出力間を
接続する少なくとも一組の直列接続された抵抗とスイッ
チング素子を有し、外部からの選択信号により選択され
たスイッチング素子の制御入力端子にカレントミラー回
路から出力された制御信号を入力して、上記外部からの
選択信号により選択されたスイッチング素子のスイッチ
ング時間をカレントミラー回路からの制御信号に基づい
て制御するものである。
【００２７】したがって、この発明の請求項１の受光増
幅装置によれば、上記ゲイン切替回路の選択されたスイ
ッチング素子の制御入力端子に流れる電流は、上記フォ
トダイオードの受光電流と略同じ大きさとなる。一方、
このスイッチング素子に流れる帰還電流がこのスイッチ
ング素子の制御入力端子の電流と略比例する。このた
め、上記フォトダイオードからの受光電流が大きくなっ
て、スイッチング素子に流れる帰還電流が大きくなる
と、制御入力端子に入力された制御信号の電流が大きく
なるから、上記スイッチング素子のスイッチング時間は
受光電流が小さいときと略同じとなり、短くすることが
できる。したがって、上記フォトダイオードの入射光量
の変化やスイッチング素子の制御入力端子に流れる制御
信号の電流のバラツキに関係なく、スイッチング素子の
スイッチング時間を略一定にでき、かつ高速にできる。
したがって、上記ゲイン切替回路の切替時間を短くでき
るから、ゲインを高速に切り替える受光増幅装置を実現
できる。また、この発明の請求項２の受光増幅装置は、
請求項１の受光増幅装置において、上記スイッチング素
子はトランジスタであって、上記外部からの選択信号に
基づいて、上記カレントミラー回路からの制御信号をト
ランジスタのベースに入力するか否かを選択回路により
選択するので、カレントミラー回路からの制御信号を有
効に利用して、簡素な回路構成で受光増幅装置を容易に
実現できる。
幅装置によれば、上記ゲイン切替回路の選択されたスイ
ッチング素子の制御入力端子に流れる電流は、上記フォ
トダイオードの受光電流と略同じ大きさとなる。一方、
このスイッチング素子に流れる帰還電流がこのスイッチ
ング素子の制御入力端子の電流と略比例する。このた
め、上記フォトダイオードからの受光電流が大きくなっ
て、スイッチング素子に流れる帰還電流が大きくなる
と、制御入力端子に入力された制御信号の電流が大きく
なるから、上記スイッチング素子のスイッチング時間は
受光電流が小さいときと略同じとなり、短くすることが
できる。したがって、上記フォトダイオードの入射光量
の変化やスイッチング素子の制御入力端子に流れる制御
信号の電流のバラツキに関係なく、スイッチング素子の
スイッチング時間を略一定にでき、かつ高速にできる。
したがって、上記ゲイン切替回路の切替時間を短くでき
るから、ゲインを高速に切り替える受光増幅装置を実現
できる。また、この発明の請求項２の受光増幅装置は、
請求項１の受光増幅装置において、上記スイッチング素
子はトランジスタであって、上記外部からの選択信号に
基づいて、上記カレントミラー回路からの制御信号をト
ランジスタのベースに入力するか否かを選択回路により
選択するので、カレントミラー回路からの制御信号を有
効に利用して、簡素な回路構成で受光増幅装置を容易に
実現できる。
【図１】 図１はこの発明の一実施例の受光増幅装置の
等価回路図である。
等価回路図である。
【図２】 図２は上記受光増幅装置の回路図である。
【図３】 図３は従来の受光増幅装置の等価回路図であ
る。
る。
【図４】 図４はゲイン切替回路を用いた受光増幅装置
の等価回路図である。
の等価回路図である。
ＰＤ…フォトダイオード、ＡＭＰ…増幅回路、１…カレ
ントミラー回路、２…ゲイン切替回路、Ｒｆ1，Ｒｆ2…
抵抗、ＳＷ…スイッチ、Ｑ1，Ｑ2，Ｑ5，Ｑ6…ＰＮＰト
ランジスタ、Ｑ3，Ｑ4，Ｑ7，Ｑ8，Ｑ9，Ｑ10，Ｑ11…
ＮＰＮトランジスタ。
ントミラー回路、２…ゲイン切替回路、Ｒｆ1，Ｒｆ2…
抵抗、ＳＷ…スイッチ、Ｑ1，Ｑ2，Ｑ5，Ｑ6…ＰＮＰト
ランジスタ、Ｑ3，Ｑ4，Ｑ7，Ｑ8，Ｑ9，Ｑ10，Ｑ11…
ＮＰＮトランジスタ。
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトダイオードと、上記フォトダイオ
ードの受光電流を電流電圧変換して増幅する増幅回路と
を備えた受光増幅装置において、 上記フォトダイオードの上記受光電流に基づいて、この
受光電流と略同じ大きさの電流の制御信号を出力するカ
レントミラー回路と、 上記増幅回路の入出力間を接続する少なくとも一組の直
列接続された抵抗とスイッチング素子を有し、外部から
の選択信号により選択された上記スイッチング素子の制
御入力端子に上記カレントミラー回路から出力された上
記制御信号が入力されるゲイン切替回路とを備え、 上記外部からの選択信号により選択された上記スイッチ
ング素子のスイッチング時間を上記カレントミラー回路
からの上記制御信号に基づいて制御することを特徴とす
る受光増幅装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の受光増幅装置におい
て、 上記スイッチング素子はトランジスタであって、 上記外部からの上記選択信号に基づいて、上記カレント
ミラー回路からの上記制御信号を上記トランジスタのベ
ースに入力するか否かを選択する選択回路を備えたこと
を特徴とする受光増幅装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13761093A JP2923169B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 受光増幅装置 |
| US08/257,741 US5483200A (en) | 1993-06-08 | 1994-06-08 | Light-receiving and amplifying device capable of switching between gain levels at high speed and obtaining a sufficient signal-to-noise ratio over a wide range in quantity of incident light |
| KR1019940013082A KR0156021B1 (ko) | 1993-06-08 | 1994-06-08 | 이득 레벨들간의 고속 스위칭이 가능하고 광범위한 입사광량에 걸쳐 충분한 신호대 잡음비를 얻을 수 있는 수광/증폭 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13761093A JP2923169B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 受光増幅装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06350351A JPH06350351A (ja) | 1994-12-22 |
| JP2923169B2 true JP2923169B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=15202710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13761093A Expired - Fee Related JP2923169B2 (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 受光増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2923169B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3410888B2 (ja) * | 1995-12-20 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | 光受信器 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP13761093A patent/JP2923169B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06350351A (ja) | 1994-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |