JPH0449585Y2 - - Google Patents

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JPH0449585Y2
JPH0449585Y2 JP6622585U JP6622585U JPH0449585Y2 JP H0449585 Y2 JPH0449585 Y2 JP H0449585Y2 JP 6622585 U JP6622585 U JP 6622585U JP 6622585 U JP6622585 U JP 6622585U JP H0449585 Y2 JPH0449585 Y2 JP H0449585Y2
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diode
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resistor
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Description

【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は被測定抵抗体に既知の一定電流を流
し、そこに発生する電圧を測定して被測定抵抗体
の抵抗値を測定する抵抗測定回路に関するもの
で、特に被測定抵抗体に一定の電流を与える定電
流回路を、外部から誤まつて与えられる高電圧か
ら保護するための保護装置の改良に関するもので
ある。
「従来技術」 第2図に従来の回路を示す。図中1は被測定抵
抗体を示す。この被測定抵抗体1は電圧測定装置
2の入力端子LとHの間に接続される。
入力端子LとHの一方は回路の共通電位点3に
接続され、他方の端子Hは保護回路4を通じて定
電流源5に接続される。
定電流源5は演算増幅器5Aと、基準電圧源5
Bと、バイアス電圧源5Cと、基準抵抗器5D
と、電流制御素子として動作する電界効果トラン
ジスタ5Eとによつて構成することができる。
この定電流源5は基準抵抗器5Dの抵抗値を
RS、基準電圧源5Bの基準電圧をVSとした場合、
電界効果トランジスタ5Eに流れる電流ISは IS=VS/RS ……(1) で与えられ、一定の電流ISをこの例では吸込む動
作をする。被測定抵抗体1の抵抗値RXは電圧測
定装置2によつて被測定抵抗体1に発生する電圧
VXによつて測定することができる。
保護回路4は入力端子LとHの一方、例えば入
力端子Hと定電流源5の間に直列に接続され、入
力端子Hに誤まつて正又は負の高い電圧を印加し
た場合に、その高電圧により定電流源5が破損さ
れることを阻止する動作を行なう。
つまり入力端子Hに第1のダイオード4Aの一
端を接続する。この例では定電流源5が吸込形で
あるため第1のダイオード4Aはアノードを入力
端子Hに接続し、カソードにNPN形トランジス
タ4Bのコレクタを接続する。NPN形トランジ
スタ4Bのエミツタは定電流源5の電流出力端子
5Fに接続する。
トランジスタ4Bのコレクタとベースの間には
バイアス供給用抵抗器4Cを接続し、トランジス
タ4Bのベースと回路の共通電位点3との間に第
2のダイオード4Dを接続する。このダイオード
4Dの接続の極性はこの例ではトランジスタ4B
のベース側をアノードとし、カソードを共通電位
点3に接続する。
「保護回路の動作説明」 入力端子L及びHは一般にプローブ等に接続さ
れ、電圧測定モードでは被試験回路の所望の部分
に接触させ、その部分の電圧を測定できる構造と
なつている。
抵抗測定モードでもプローブを介して被測定抵
抗体を接続するのが普通である。このため抵抗測
定モードにおいてプローブが誤まつて電圧が印加
されている部分に接触することがある。
入力端子Hに負電圧が印加された場合は第1の
ダイオード4Aがオフとなり、定電流源5を保護
する。
一方入力端子Hに正極性の電圧が印加されたと
すると第1のダイオード4Aはオンとなりバイア
ス供給用抵抗器4Cを通じて第2のダイオード4
Dに電流が供給される。第2のダイオード4Dは
オンの状態となりトランジスタ4Bのベース電圧
を0.7〜0.8ボルト程度の電圧にクランプする。
この結果トランジスタ4Bのエミツタ電圧も回
路の共通電位点3の電位近くに保持され定電流源
5を保護する。
トランジスタ4Bとしてパイポーラトランジス
タを用いることによつて高耐電圧のものが比較的
容易に入手でき、必要に応じてさらに複数のトラ
ンジスタを直列接続することにより、充分な耐電
圧特性を持たせることができる。
また通常の測定時において、トランジスタ4B
のエミツタ接地電流増幅率が不足すると定電流源
が正常に動作しなくなるので、トランジスタ4B
をダーリントン接続して用いる場合もある。
第2のダイオード4Dは小信号用のダイオード
で良いが、その逆方向リーク電流が定電流源5の
出力電流ISに比べて充分小さい低リーク電流のダ
イオードを用い、定電流源5の出力電流ISに誤差
を与えないようにするのが一般的である。
「考案が解決しようとする問題点」 入力端子Hに正の過電圧VHが印加されたとき、
トランジスタ4Bのコレクタ電流ICは、ほぼIS
等しい状態に維持される。これに対しトランジス
タ4Bのコレクタ−エミツタ間の電圧VCEは入力
電圧VHに等しい状態となる。この状態における
トランジスタ4Bのコレクタ損失PHは PC=IC×VCE≒IS×VC ……(2) となる。
IS,VHが大きい場合はトランジスタ4Bとして
大容量のトランジスタを用いなければならない。
また放熱器等を付設しておく必要もあり、この部
分に掛るコストが高くなる欠点がある。また放熱
器のため形状が大形になる欠点もある。
「問題点を解決するための手段」 この考案では入力端子Hに順方向の過電圧か印
加されたことを検出する手段と、この大電圧検出
手段が順方向の過電圧の印加を検出したとき定電
流源を構成する電界効果トランジスタ5Eをオフ
に制御する手段とを設けた構造としたものであ
る。
この構造としたことにより逆方向の過大電圧に
対しては第1のダイオードがオフとなり回路を保
護する動作は従来と同じであるが、順方向の過大
電圧に対しては電界効果トランジスタ5Eをオフ
に制御することによつて保護回路4を構成するト
ランジスタ4Bの電流を遮断し、トランジスタ4
Bのコレクタ損失をゼロの状態にする。
このようにこの考案では順方向の過大電圧が印
加されたとき定電流源5を構成する電界効果トラ
ンジスタ5Eをオフに制御するため、トランジス
タ4Bのコレクタ損失はほぼゼロの状態となる。
よつて保護回路4を構成するトランジスタ4Bと
しては小容量のものでよく、また放熱器等を付設
する必要もない。この結果保護回路を安価に、ま
た小形に作ることができる。
「実施例」 第1図にこの考案の一実施例を示す。第1図に
おいて第2図と対応する部分には同一符号を付し
て示す。
この考案によつて付加された部分について説明
する。この考案においては入力端子Hに第1のダ
イオード4Aに対して順方向となる過大電圧が印
加された場合、この順方向過大電圧を検出する手
段6を設けると共に、この順方向過大電圧が印加
されたことを検出したとき定電流源5を構成する
電界効果トランジスタ5Eをオフに制御する手段
8を設けた構造を特徴とするものである。
順方向の過大電圧を検出する手段6としては、
例えば第2のダイオード4Dのカソードと共通電
位点3との間に直列接続した第3のダイオード6
Aと、この第3のダイオード6Aに並列接続した
分圧用抵抗器6Bと、過大電圧であることを判定
する比較参照用電圧源6Cと、分圧用抵抗器6B
に発生する電圧が比較参照用電圧源6Cの電圧よ
り大きくなつたことを検出する電圧比較器6Dと
によつて構成することができる。比較参照用電圧
源6Cの電圧は例えばダイオード6Aの電圧0.7
ボルトの約1/2の電圧に設定する。
電圧比較器6Dの出力形式が例えば電源間に2
本のトランジスタを直列接続し、この2本のトラ
ンジスタを相補動作させる形式の場合には電圧比
較器6Dの出力端子をダイオード7と接続回路8
を通じて定電流源5を構成する電界効果トランジ
スタ5Eのゲートに接続する。この接続回路8は
順方向電圧検出回路6が順方向の過大電圧の印加
を検出したとき電界効果トランジスタ5Eに逆方
向バイアス電圧を与え、電界効果トランジスタ5
Eをオフに制御する手段を構成している。尚定電
流源5を構成する演算増幅器5Aの出力端子と電
界効果トランジスタ5Eのゲートとの間には電圧
比較器6Dの出力が増幅器5Aの出力より優先し
て電界効果トランジスタ5Eに作用させるための
減結合用抵抗器5Gを直列に挿入している。
「実施例の動作説明」 第1図に示した回路構造によれば入力端子Hに
負極性の過大電圧が印加された場合は、第1のダ
イオード4Aがオフとなり、これは従来と同様に
回路を保護する。
一方入力端子Hに正極性の電圧、つまり第1の
ダイオード4Aに対して順方向の過大電圧が印加
されたとすると抵抗器4Cを通じて第2のダイオ
ード4D及び第3のダイオード6Aにバイアス電
流が与えられ、これら第2及び第3のダイオード
4D及び6Aがオンとなる。よつてトランジスタ
4Bのベース電位は約1.6ボルト程度の電圧にク
ランプされ定電流源5の回路を保護する。
これと共に分圧用抵抗器6Bに発生する電圧が
比較参照電圧源6Cの電圧値を越えると電圧比較
器6Dの出力はH論理からL論理の状態に反転す
る。電圧比較器6Dの出力がL論理に反転するこ
とによつてダイオード7がオンとなり接続回路8
を通じて電界効果トランジスタ5EのゲートにL
論理が与えられる。この結果電界効果トランジス
タ5Eはオフに制御され保護回路4を構成するト
ランジスタ4Bの電流をゼロの状態に制御する。
「考案の変形実施例」 尚上述では定電流源5は電流吸込形とした場合
を説明したが、電流吐出形にすることもできる。
定電流源5を電流吐出形にした場合は、第1のダ
イオード4A、第2のダイオード4D、第3のダ
イオード6A及びダイオード7の各々の極性を逆
向に替え、更にトランジスタ4BはPNP形トラ
ンジスタに、また定電流源5を構成する電界効果
トランジスタ5EはPチヤンネル形電界効果トラ
ンジスタに置替えればよい。
また順方向の過大電圧を検出する手段6を構成
する電圧比較器6Dは相補動作出力形式でなく、
オープンコレクタ出力形式の電圧比較器を用いる
こともできる。このオープンコレクタ出力形式の
電圧比較器を用いた場合にはダイオード7は必ず
しも必要としない。
また抵抗器4Cを正特性サーミスタとすること
によつて順方向過大電圧が印加されたとき、その
抵抗値が大となるように制御し、消費電力を小さ
くするように構成することも考えられる。
「考案の効果」 上述したようにこの考案によれば抵抗測定モー
ドにおいて入力端子Hに順方向の過大電圧が印加
された場合には、順方向過大電流検出手段6がそ
の状態を検出し、その検出出力を接続回路8を通
じて電界効果トランジスタ5Eに与える構造とし
たから、電界効果トランジスタ5Eはオフに制御
される。よつて順方向の過大電流が与えられたと
き保護回路4を構成するトランジスタ4Bに電流
が流れることがないため、このトランジスタ4B
のコレクタ損失はゼロの状態となる。よつてトラ
ンジスタ4Bは小容量のものを用いることができ
るため安価に作ることができる。
またトランジスタ4Bに放熱器を付設しなくて
よいためそれだけ安価で、然も小形に作ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例を示す接続図、第
2図は従来の技術を説明するための接続図であ
る。 1……被測定抵抗体、2……電圧測定手段、3
……回路の共通電位点、4……保護回路、4A…
…第1のダイオード、4B……トランジスタ、4
C……バイアス供給用抵抗器、4D……第2のダ
イオード、5……定電流源、5A……演算増幅
器、5B……基準電圧源、5C……バイアス電圧
源、5D……基準抵抗器、6……順方向過大電圧
検出手段、6A……第3のダイオード、6B……
分圧用抵抗器、6C……比較参照電圧源、7……
ダイオード、8……結合回路。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 A 被測定抵抗体に既知の一定電流を与える定電
    流源と上記被測定抵抗体との間に接続され被測
    定抵抗体を接続する一方の入力端子に過大電圧
    が与えられたとき上記定電流源を保護する保護
    回路とから成る抵抗測定回路において、 B 被測定抵抗体を接続する一方の入力端子に一
    端が接続された第1のダイオードと、 C この第1のダイオードの他端にコレクタを接
    続したトランジスタと、 D このトランジスタのコレクタとベース間に接
    続されたバイアス供給用抵抗器と、 E 上記トランジスタのベースに一端が接続され
    た第2のダイオードと、 F この第2のダイオードの他端に一端が接続さ
    れ回路の共通電位点に他端を接続した第3のダ
    イオードと、 G この第3のダイオードと並列に接続された分
    圧用抵抗器と、 H この分圧用抵抗器に発生する電圧が規定され
    電圧を越えたことを検出する順方向過大電圧検
    出手段と、 I この順方向過大電圧検出手段が順方向過大電
    圧を検出したとき上記定電流源を構成する電流
    制御用電界効果トランジスタをオフに制御する
    手段と、 を設けて成る抵抗測定回路。
JP6622585U 1985-05-02 1985-05-02 Expired JPH0449585Y2 (ja)

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