JP3076129B2 - 差動増幅装置 - Google Patents

差動増幅装置

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JP3076129B2 JP04042900A JP4290092A JP3076129B2 JP 3076129 B2 JP3076129 B2 JP 3076129B2 JP 04042900 A JP04042900 A JP 04042900A JP 4290092 A JP4290092 A JP 4290092A JP 3076129 B2 JP3076129 B2 JP 3076129B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、入力がトランジスタ・
トランジスタ・ロジツク・レベルに適合した低電源電圧
動作の差動増幅装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、入出力を要する電気回路の入力
レベルを標準規格化したものとして、トランジスタ・ト
ランジスタ・ロジツク(以下、TTLと称す)レベルが
知られている。これは、入力を2.0V以上とするとき
ハイ出力し、入力を0.8V以下とするときロウ出力す
るものである。
【0003】従来、例えば光フアイバデータリンク送信
ICの低電源電圧動作部等において、一方の入力をTT
Lレベルとして用いる差動増幅装置は、図2の如く、差
動増幅回路1を構成する一対のトランジスタQ,Q
および抵抗R,Rと、基準電圧回路2を構成する抵
抗R よびダイオードD 7 と、入力バイ
アス回路3を構成する抵抗RおよびダイオードD
,D,D,Dとから構成されていた。
【0004】ここで、ダイオードD〜Dの順方向電
圧は全て同値とされ、これによつて、各トランジスタQ
,Qのベース電圧V,Vに差が生じる。この状
態で、ダイオードDに印加されるTTLレベルの制御
入力Vinに基づいて、トランジスタQ,Qは相互
にオン・オフし、出力V01,V02も相互にロウレベ
ル、ハイレベルを出力する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の構成
では、入力バイアス回路3のバイアス電圧が四個のダイ
オードD〜Dの順方向電圧により決定されているた
め、電源電圧Vccが低くなると、Vinがハイレベル
の状態で、トランジスタQのオン状態が不十分にな
り、出力電圧V01が十分なロウレベルにならず、V
02は十分なハイレベルにならない。
【0006】例えば、電源電圧ccとして比較的高い
約5Vのものを使用する場合、抵抗,Rを10k
Ω、各ダイオードD〜Dの順方向電圧Vを約0.
7Vとすると、 V=4×V≒2.8V V=3×V≒2.1V であり、抵抗R ,R に流れる電流I,Iは I=(Vcc−V)/R≒2.2/10=220
μA I=(Vcc−V)/R≒2.9/10=290
μA となる。しかし、電源電圧ccとして比較的低い3V
のものを使用する場合、電流I,Iは、 I=(Vcc−V)/R≒0.2/10=20μ
A I=(Vcc−V)/R≒0.9/10=90μ
A となる。さらに、電源電圧ccとしてこれより低いも
のを用いれば、トランジスタQのオン状態が不十分あ
るいは飽和状態となることになり、低電源電圧Vcc
おいて高周波での安定な動作が不可能になる。
【0007】これに対し、図3の如く、基準電圧回路2
を一対のダイオードD,Dにより構成し、入力バイ
アス回路3のバイアス電圧を三個のダイオードD,D
,Dにより決定する場合、順方向電圧が小となる分
ccを低くできるが、入力VinがTTLレベルに適
用しない。具体的には、V≒0.7、Vcc≒3Vに
おいて、 V=3×V≒2.1V V=2×V≒1.4V であり、各トランジスタQ,QにI/2電流が流
れている状態では、V≒Vであり、したがつて、V
inのスレツシユ電圧は Vin≒V−V≒1.4−0.7=0.7V となり、入力VinがTTLレベルに適合しないことが
わかる。そうすると、差動増幅装置を様々な用途に応じ
て汎用することができなくなり、ごく特殊な入出力とし
てしか使用できなくなつてしまう。
【0008】本発明は、上記課題に鑑み、入力がTTL
レベルに適合し、かつ低い電源電圧においても安定した
差動増幅が可能となる差動増幅装置の提供を目的とす
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、図1の如く、差動増幅回路11と、該差動増幅回
路11の一側に接続され前記差動増幅回路11に基準電
圧Vを印加する基準電圧回路12と、前記差動増幅回
路11の他側に接続され前記差動増幅回路11にバイア
ス電圧を印加する入力バイアス回路13とを備えた差動
増幅装置において、基準電圧V を安定化させるための
定電流I 21 を前記差動増幅回路11に供給するととも
に電源電圧V cc の変動に影響されない定電流I 21
安定供給する定電流回路14が設けられ、定電流回路1
4内に、定電流I 21 を調整するための電流調整用抵抗
が設けられたものである。
【0010】また、差動増幅回路11、基準電圧回路1
入力バイアス回路13および定電流回路14は、単
一チツプにモノリシツクに集積され、基準電圧回路12
内に、基準電圧を高水準に確保するための電圧確保用抵
抗R が設けられ、電流調整用抵抗Rおよび電圧確保
用抵抗R、形状、方向および特性が同一とされてい
る。
【0011】そして、差動増幅回路11に流れる電流I
01を安定化するためのカレントミラー回路15が設けら
れ、該カレントミラー回路15は、3つのトランジス
3,Q4,Q7からなり、いずれか1つのトランジスタ
3が前記差動増幅回路11に接続され、他のトランジ
スタQ4,Q7が定電流回路14に接続され、各トランジ
スタQ3,Q4,Q7を結ぶ接続線が基準電圧回路12に
接続されている。
【0012】
【作用】本発明による課題解決手段において、差動増幅
回路11、入力バイアス回路13および定電流回路14
に電源Vccを供給し、差動増幅回路11が入力バイア
ス回路13オンオフにより差動動作をう。
【0013】この際、定電流回路14にて基準電圧回路
12への定電流I21を安定化しているため、低電源
電圧cc が供給された場合でも、基準電圧Vを安定
的にかつ高水準に確保できる。
【0014】また、定電流回路14の電流調整用抵抗R
と、基準電圧回路12の電圧確保用抵抗R
状、方向および特性同一としているため、両抵抗
,Rに特性バラツキが生じても、そのバラツキが
両抵抗R,Rに同様に現れる限り、定電流回路14
の両電流I21,I22への影響は相殺され、故に基準
電圧Vはその影響を受けず、安定した差動動作が得ら
れる。
【0015】そして、カレントミラー回路15により、
差動増幅回路11に流れる電流I01を安定化でき、よ
り正確な差動動作が得られる。
【0016】
【実施例】図1は本発明の一実施例における差動増幅回
路を示す回路図である。
【0017】図示の如く、本実施例の差動増幅装置は、
例えば光フアイバデータリンク送信ICの低電源電圧動
作部等に用いるもので、差動増幅回路11と、該差動増
幅回路11の一側に基準電圧Vを印加する基準電圧回
路12と、前記差動増幅回路11の他側にバイアス電圧
を印加する入力バイアス回路13と、前記基準電圧
回路12に定電流I21を安定供給する定電流回路14
と、前記差動増幅回路11に流れる電流I01を安定化
するカレントミラー回路15とを備えたもので、前記差
動増幅回路11と、入力バイアス回路13と、定電流回
路14および基準電圧回路12とは、互いに並列に接続
され、単一ICチツプにモノリシツクに集積されてい
る。
【0018】前記差動増幅回路11は、互いに差動をな
すNPN形の第一トランジスタQおよび第二トランジ
スタQと、該各トランジスタQ,Qのコレクタ端
子(電源側)に夫々接続された抵抗R,Rとを有す
る一般的なものである。ここで、前記両トランジスタQ
,Qは同特性のものが用いられる。
【0019】前記基準電圧回路12は、電圧確保用抵抗
、ダイオードDおよびトランジスタQが接地端
子GNDに直列接続されたもので、これらは、前記差動
増幅回路11の第二トランジスタQのベース端子に接
続され、該第二トランジスタQのベース端子に印加さ
れる基準電圧Vを高水準に確保する。
【0020】前記入力バイアス回路13は、抵抗R
よびダイオードD,D,Dが前記差動増幅回路1
1に並列接続され、抵抗RとダイオードDの接続点
が前記第一トランジスタQのベース端子およびダイオ
ードDのアノードに接続されてなる図3の従来例と同
一のもので、前記ダイオードDのカソード入力Vin
にて、差動増幅回路11のバイアス電圧Vを制御す
る。
【0021】前記定電流回路14は、互いにベース接続
された一対のPNPトランジスタQ,Qがカレント
ミラー接続され、トランジスタQは、トランジスタ
のベース・エミツタ間PN接合を用いたダイオード
相当するものであり、トランジスタQとトランジスタ
とのエミツタ面積比による電位差と電流調整用抵抗
により電流I21を発生させる。なお、図中D
逆流防止ダイオードである。
【0022】そして、前記電流調整用抵抗Rは、前記
電圧確保用抵抗Rにモノリシツクに並列接続され、か
つ単一チツプ内で、形状、方向および特性が同一とされ
たものが使用されてる。
【0023】前記カレントミラー回路15は、前記差動
増幅回路11の両トランジスタQ,Qのエミツタ端
子に共通接続されたトランジスタQと、前記定電流回
路14のトランジスタQと電流調整用抵抗Rとの中
間接続点に接続されたトランジスタQとからなり、両
トランジスタQ,Qのベース端子は、常に両コレク
タ電流I01,I22を通電するよう前記基準電圧回路
12のダイオードDとトランジスタQの中間接続点
および抵抗Rを通して電源Vccに接続されている。
なお、図中Rは回路起動用抵抗である。
【0024】上記構成において、差動増幅回路11、入
力バイアス回路13および定電流回路14に電源Vcc
を供給する。
【0025】この際、入力バイアス回路13のダイオー
ドDに小さな制御入力Vin(<0.8V)を印加す
ると、定電流回路14からの定電流I21が基準電圧回
路12に流れ、その基準電圧VよりトランジスタQ
のバイアス電圧Vが低くなり、出力電圧V01がハイ
レベルになり、V02はロウレベルになる。
【0026】また、Dに大きな制御入力Vin(>
2.0V)を印加すると、バイアス電圧Vが基準電圧
より高くなり、出力電圧V02がハイレベルにな
り、V01はロウレベルになる。
【0027】この際、R,D,Qに定電流I21
を流しているので、基準電圧Vを安定的にかつ高水準
に確保できる。
【0028】ここで、定電流回路14による定電流I
21について詳述する。
【0029】まず、ダイオードDおよびトランジスタ
の順方向電圧を、どちらもVとすると、基準電圧
は(1)式のようになる。
【0030】 V≒(2×V)+(R×I21) …(1) また、Qはトランジスタ のベース・エミツタ間P
N接合を用いたトランジスタであり、トランジスタQ
とトランジスタ とのエミツタ面積比を1:Nとする
と、Qの順方向電圧がV(=VBEQ7)であるこ
とから、定電流I21との間で(2)式の関係が成立す
る。
【0031】 I21≒(VBEQ7−VBEQ4)/R =(V・lnN)/R ={(kt/q)・lnN}/R …(2) ここで、VBEQ4はカレントミラー回路15のトラン
ジスタQのベース−エミツタ間の順方向電圧、V
熱電圧、kはボルツマン定数、tは絶対温度(°K)、
qは電子の電荷量を示している。
【0032】(1)(2)式より、Vは(3)式で表
される。
【0033】 V≒(2×V)+(R/R)(kt/q)・lnN …(3) (3)式から、互いに並列接続された両抵抗R,R
の形状、方向および特性をモノリシツクに同一とすれ
ば、単一チツプの製造時に両抵抗R,Rに特性バラ
ツキが生じても、そのバラツキが両抵抗R,Rに同
様に現れる限り相殺され、基準電圧Vはその影響を受
けず、安定した差動動作が得られる。
【0034】また、カレントミラー回路15により、差
増幅回路11に流れる総電流I01は、トランジスタ
とトランジスタQのエミツタ面積比がM:1であ
れば常にI01≒M×I21となる。
【0035】ここで、例えば上記エミツタ面積が等しい
(1:M=1:1)とした場合、(4)式が成立する。
【0036】I01=I22=I21 …(4) そして、Vinをハイレベルとしたとき、 V01=Vcc−R×I01 =Vcc−R×I21 =Vcc−(R/R)(kt/q)・ln1 …(5) となり、RとRと同種で形状・方向が同じ抵抗にす
れば差動増幅器の出力の安定化も図れる。勿論、上述の
トランジスタQ3,Q7のエミツタ面積が異なる場合で
も、同様にR,Rのバラツキを相殺でき、差動動作
を安定できる。
【0037】具体的には、Vcc=5Vの場合、Vin
をハイレベルとし、V≒0.7V、R=10kΩ、
=1.5kΩ、R=300Ω、N=10とする
と、入力バイアス回路13に流れる電流I11は、
(6)式の通りである。
【0038】 V=3×V≒2.1V V=2×V+R×I21≒1.4+0.3=1.7V ∴ I11=(Vcc−V)/R =(5−2.1)/10=290μA …(6) また、Vcc=3Vの場合は、同様に I11=(3−2.1)/10=90μA …(7) となり、Vccとして低電源電圧を用いる場合でも、十
分にQを駆動でき、安定な差動増幅が可能になる。
【0039】また、Vinのオンオフ分岐点は、トラン
ジスタQ,QにI01/2の電流が流れている状態
ではV≒Vであり、 Vin=V−V≒V−V=1.7−0.7=1.0V となるが、これはTTLレベル、すなわち0.8〜2.
0Vの範囲内であるため、汎用性のある差動増幅装置を
提供できる。
【0040】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修
正および変更を加え得ることは勿論である。
【0041】例えば、上記実施例では、差動増幅回路1
1の総電流I01を定電流回路14の電流I22に等価
としていたが、入力バイアス回路13のI11や基準電
圧回路12のI21に等価としてもよい。
【0042】また、入力バイアス回路13の抵抗R
代わりに、定電流回路14のQ,Qに対してカレン
トミラー構成とされたトランジスタを設ければ、低電源
電圧Vccでの安定な差動増幅動作をより確実にするこ
とは言うまでもない。
【0043】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、基準電圧回路に定電流回路を接続し、定電流回
路から基準電圧回路に対して定電流を供給しているた
め、差動増幅回路の基準電圧を安定的にかつ入力電圧の
オンオフ分岐点がTTLレベルの範囲内になるような
水準に確保できる。したがつて、3V程度の低電圧の電
源を用いた場合でも、TTLレベルに適した入力バイア
ス設計を行ない得、差動増幅装置の用途範囲を拡大で
き、大量生産に適した差動増幅装置を提供できる。
【0044】また、定電流回路の電流調整用抵抗と基準
電圧回路の電圧確保用抵抗との形状、方向および特性を
同一とするだけで、両抵抗に特性バラツキが生じても、
各抵抗を流れる電流への影響を相殺でき、簡単な回路構
成で基準電圧を安定化して正確な差動動作を得ることが
できる。さらに、電流調整用抵抗と差動増幅回路の抵抗
との形状および方向を同一にすれば、差動増幅回路の出
力の安定化を図れる。
【0045】そして、カレントミラー回路により、差動
増幅回路に流れる電流を安定化でき、より正確な差動動
作が得られるといつた優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例における差動増幅回路を示す
回路図
【図2】従来の一例の差動増幅回路を示す回路図
【図3】従来の他の例の差動増幅回路を示す回路図
【符号の説明】
11 差動増幅回路 12 基準電圧回路 13 入力バイアス回路 14 定電流回路 15 カレントミラー回路 R 電圧確保用抵抗 R 電流調整用抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03F 3/45

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに差動をなす一対のトランジスタを
    有する差動増幅回路と、該差動増幅回路の一側のトラン
    ジスタのベース端子に接続されこれに基準電圧を印加す
    る基準電圧回路と、前記差動増幅回路の他側のトランジ
    スタのベース端子に接続されこれにバイアス電圧を印加
    する入力バイアス回路とを備えた差動増幅装置におい
    て、基準電圧を安定化させるための定電流を前記基準電
    圧回路に供給するとともに該定電流を前記差動増幅回路
    に供給する定電流回路と、前記差動増幅回路に流れる電
    流を安定化するためのカレントミラー回路とが設けら
    れ、該カレントミラー回路は、3つのトランジスタから
    なり、いずれか1つのトランジスタが前記差動増幅回路
    の各トランジスタのエミツタ端子に接続され、他のトラ
    ンジスタが前記定電流回路に接続され、前記3つのトラ
    ンジスタのベース端子が前記基準電圧回路に接続された
    ことを特徴とする差動増幅装置。
  2. 【請求項2】 定電流回路内に、定電流を調整するため
    の電流調整用抵抗が設けられ、該抵抗は、カレントミラ
    ー回路の3つのトランジスタのうち前記定電流回路に接
    続されたトランジスタの前記定電流回路との接続点を該
    トランジスタのコレクタ端子、エミツタ端子を介して接
    地端子に接続することを特徴とする請求項1記載の差動
    増幅装置。
  3. 【請求項3】 差動増幅回路、基準電圧回路、入力バイ
    アス回路および定電流回路は、単一チツプにモノリシツ
    クに集積され、前記基準電圧回路内に、基準電圧を入力
    電圧のオンオフ分岐点がTTLレベルの範囲内になるよ
    うな水準に確保するための電圧確保用抵抗が設けられ、
    該電圧確保用抵抗は、前記差動増幅回路の一側のトラン
    ジスタのベース端子が前記基準電圧回路に接続された接
    続点とカレントミラー回路の3つのトランジスタのベー
    ス端子の共通接続点との間に接続され、前記電流調整用
    抵抗および電圧確保用抵抗は、形状、方向および特性が
    同一とされたことを特徴とする請求項2記載の差動増幅
    装置。
  4. 【請求項4】 差動増幅回路の他側のトランジスタのコ
    レクタ端子と電源との間に抵抗が設けられ、該抵抗は、
    電流調整用抵抗と形状および方向が同一とされたことを
    特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の差動増
    幅装置。
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