JPH039580B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
本発明は、発光輝度の向上や輝度のばらつきを
なくし、かつ温度特性等にすぐれた低速電子線用
けい光体を用いたけい光表示管とその製造方法に
関するものである。 一般に100V以下の電圧で加速された低速電子
線により励起され、かつ発光するけい光体とし
て、従来よりZnO：Znけい光体が知られている。
このZnO：Znけい光体は、発光しきい値電圧が
１〜2V程度と低く、また十数Ｖの電圧で十分な
発光輝度が得られることから、例えばけい光表示
管用のけい光体として多く用いられている。 特に、この低速電子線けい光体を用いて製作し
たけい光表示管は、駆動電圧が低いとともに、消
費電力も少ないので、LSIでの直接駆動が可能で
あり、また自発光形の表示装置で、かつ緑色の見
やすい表示が得られるために、各種電子機器及び
電気機器の表示装置として多く用いられている。
特に近時、オーデイオ用の表示装置や自動車用の
表示装置として、その応用分野が大きく拡大して
いる。 ところで、低速電子線でけい光体を励起発光さ
せる場合、けい光体に射突する電子はけい光体粒
子中にはほとんど侵入せず、その侵入深さは高々
数Å〜数＋Å程度といわれており、発光の大部分
はけい光体表面で発生する。 したがつて、けい光体の表面状態が発光特性に
大きく影響すると考えられる。 一方、例えばけい光表示管にあつては、その製
造工程中に焼成、封着、排気工程などが含まれる
ので、けい光体が種々の環境に曝され、その表面
が汚染ないしは変質を受けやすい。 このために、製品によつては輝度のばらつきが
でたり、あるいは十分な輝度が得られない、など
の問題点があつた。 特に、前述したようにけい光表示管の応用分野
が拡大し、自動車などの直射日光に照射されるよ
うな場合もある高照度下での使用にあつては、で
きるだけ高い発光輝度が要求されるので、けい光
体表面の汚染等により輝度が低下するのは好まし
くない。 さらに一般に、けい光体自体は高温に長時間放
置した場合には輝度が低下する、という性質があ
り、また高温での動作では、いわゆる温度消光特
性によつて輝度が低下する。 しかしながらこれらの輝度特性は可能な限り少
ないことが望まれ、温度特性のよいけい光体が求
められている。 本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもの
であり、低速電子線けい光体の輝度の低下やばら
つきをなくし、さらに温度特性のよいけい光体を
得べく種々検討した結果、低速電子線により励起
されて緑色に発光するZnO：Znけい光体に、、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）、バナジウ
ム（Ｖ）及びこれらの酸化物のうち少なくとも一
種の含む物質を添加することによつて、発光輝度
が向上し、また輝度のばらつきが少なくなり、か
つ温度特性に優れた低速電子線けい光体が得られ
ることを見出し本発明をなすに至つたものであ
る。 すなわち、本発明は、上述したけい光体を用い
て、発光特性のすぐれたけい光表示管を得ようと
することを目的とするものである。 次に、上記の目的を達成するための手段を説明
する。 すなわち、本願の第１の発明は、上面にけい光
体層の被着された陽極に、フイラメント状の陰極
から放出された電子を射突させて、前記けい光体
層を励起発光させ表示を得るけい光表示管におい
て、前記けい光体層が、低速電子線の射突により
励起発光するZnO：Znけい光体に、Ｗ，Moおよ
びＶの酸化物から選ばれた少なくとも一種を含む
物質を添加した低速電子線用けい光体からなるこ
とを特徴とするけい光表示管にある。 上記のけい光表示管は、上記ZnO：Znけい光
体に対して前記酸化物を0.1重量％〜50重量％添
加する構成とすることが望ましい。 また、上記のけい光表示管は、上記ZnO：Zn
けい光体にＷの酸化物が添加されたけい光体層
が、暗色化された基板部上に配設された構成とす
ることができる。 また、本願の第２の発明は、上面にけい光体層
の被着された陽極に、フイラメント状の陰極から
放出された電子を射突させて、前記けい光体層を
励起発光させ表示を得るけい光表示管の製造方法
において、低速電子線の射突により励起発光する
ZnO：Znけい光体に、Ｗ，MoおよびＶから選ば
れた少なくとも一種の含む物質を添加した低速電
子線用けい光体を被着して前記けい光体層を形成
し、その後加熱させて前記物質を酸化させること
を特徴とするけい光表示管の製造方法にある。 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明
するに、まず、本発明の低速電子線用けい光体に
おける一方の出発物質となるZnO：Znに対する
添加物の作用について説明する。 前述したように、低速電子線によりけい光体を
励起する場合、その発光は大部分けい光体粒子表
面で発生する。 したがつてけい光体表面の汚染、あるいは変質
は、発光特性の悪影響を及ぼすものと考えられる
ので、けい光体表面は可能なかぎり清浄化されて
いることが望ましい。 一方このけい光体を、例えばけい光表示管など
の表示装置に組込んだ場合、表示装置の製造工程
において汚染ないしは変質を受ける可能性があ
る。 しかしながら、表示装置の製造工程中で一旦汚
染を受けても、最終的にこれらの汚染物質を除去
できれば、けい光体表面は清浄化される。 そこで、ZnO：Znけい光体の汚染物質を除去
する物質として、種々の物質を検討した結果、
Ｗ，Mo，Ｖを含む化合物、特にこれらの酸化物
が有効であることが見出された。 これらの物質が、けい光体表面の清浄化に対し
て有効である理由は下記の通りである。 まず、けい光体表面の汚染は、表示装置の製造
工程中、あるいは外部環境から侵入する水分
（H2O）や炭酸ガス（CO2）等がけい光体表面で
化学的に結合したものといえる。そこで、ZnO：
Znけい光体に、例えばＷの酸化物の一つである
WO3（そのほか、Ｗの酸化物としては、WO，
WO2，W2O5等が考えられる。）を添加すると、
このWO3はH2Oに対して一種のゲツターとして
作用し、H2Oを吸収し、またCO2等に対してはよ
り活性に作用してZzに化学的に結合しているCO2
等を分解除去し、結果としてけい光体表面が清浄
化されるものと考えられる。 このけい光体に対する清浄化作用は、他の物質
Ｗ及びMo，Ｖの酸化物についても同様に生ずる
ことが、実験の結果判明した。 したがつて、ZnO：Znを一方の出発材料とし、
これに他方の出発材料となるＷ，Mo，Ｖの酸化
物のうち少なくともいずれか一種を含む物質を添
加して、低速電子線用けい光体とすれば、本発明
のけい光表示管に使用するけい光体が得られるこ
とになる。 この場合、けい光体に添加する物質は、最初か
らＷ，Mo及ぼＶの酸化物として添加する必要は
なく、最初はＷ，Mo及びＶの元素単体として添
加したけい光体を用い最終的に、例えばけい光表
示管の加熱処理の製造工程を通してＷ，Mo及び
Ｖの酸化物としてけい光体中に存在すればよく、
また、Ｗ等の物質の添加時間も、表示装置の任意
の工程を選駄択できるものである。 一方、けい光体に対するＷ等の物質の添加量
は、その添加方法や添加する物質の形状等によつ
て最適値が異なる。 例えば、第１図ａに示すように、化学的ないし
は物理的手段によつてけい光体粒子Ｐの表面に、
例えばWO3の皮膜S1を被着させる場合は、けい
光体粒子Ｐに対する重量比でWO3を0.1％程度添
加すれば輝度改善の効果が現われ始め、0.5％〜
１％の添加量で最大の輝度値が得られた。 また、３％以上添加するとけい光体層が暗色化
し、輝度の低下がみられるので、0.1〜３％の範
囲で添加量を選定するのが好ましい。 次に、第１図ｂに示すように、けい光体粒子Ｐ
の表面に、例えば、1μm以下の微粒子状のWO3
の粉末S2を混合付着させる場合は、0.3〜５重量
％の添加量で輝度の改善がみられた。この場合
は、WO3の粉末の添加量が５重量％を超えると
暗色を呈し、輝度の低下がみられる。また、0.5
重量％以下では、輝度改善の効果が少ない。 したがつて、1μm以下のWO3の微粒子を添加
する場合は、その添加量を0.3〜５重量％以内に
おさえるのが好ましい。 さらに第１図ｃに示すように、例えば平均5μm
程度の粒径のWO3の粉末S3を添加する場合は、
１〜20重量％程度で輝度の向上がみられた。この
場合も、添加量が20重量％ぎ超えると発光に寄与
しないWO3の粉末S3の表面積が大きくなり、輝
度改善の効果は少なくなる。 要するに、WO3の添加量は、粒子や付着方法
によつて異なるので、ZnO：Znけい光体に対す
る添加量としては、好ましくは0.1〜20重量％の
範囲である。 しかしながら、添加量が30〜50重量％になつて
も、後述する温度特性の改善に関しては十分その
効果が得られる。また、前述したように、WO3
の添加量を多くしてゆくと、けい光体粒子表面が
暗色化してゆくので、この性質を利用すれば、コ
ントラストの改善を図ることが可能となる。 すなわち、WO3の添加量を、発光輝度が大き
く劣化しない範囲、一般に50重量％の範囲で多目
に選定し、けい光体表面を暗色化する。そして、
けい光体層が配設される基板部表面の色彩をけい
光体表面と同様に暗色化しておけば、発光しない
けい光体層部分は、周囲の色彩に埋れ、しかも暗
色化されているので観察者の眼に認識されること
はない。したがつて発光するけい光体層とのコン
トラストを大きくとれ、視認性の改善が図れる。 このように、WO3を多量に添加することによ
つて多少発光輝度が低下しても、使用目的によつ
て適用可能である。したがつて、本発明では、Ｗ
等の添加物の限度を、けい光体に対して0.1重量
％〜50重量％の範囲とした。 また、第１図に示す例では、あらかじめけい光
体粒子に例ええばWO3等の物質を添加する例で
ある。しかしながらこの添加時期は、前述したよ
うに表示装置の他の製造工程中に行なうことも可
能であり、例えば第２図に示すように、基板ない
しは電極上にけい光体層Ｌを形成した後、その表
面にWO3の粉末S4を添加するようにしてもよい。 次に、上述したところにより得られた本発明の
低速電子線けい光体を用いたけい光表示管につい
て説明する。 第３図ａは、本発明によるけい光表示管の一実
施例の一部を破断して示す要部平面図、同図ｂ
は、同要部拡大断面図である。 ここで１は、ガラス、セラミツクスなどの絶縁
材料からなる基板であり、、この基板１上に配線
導体２を被着する。さらに、この配線導体２を所
定位置にスルホール３ａの形成された絶縁層３に
より覆い、この絶縁層３上に、前記スルホール３
ａを介して所定の配線導体２と電気的に接続され
る陽極導体４を積層する。この場合、前述したよ
うにけい光体にWO3を50重量％以下で多量に添
加して、コントラストの改善を図ろうとするなら
ば、前記絶縁層３に対しても適宜な顔料を混合し
て、暗色化しておく必要がある。 なお、図示実施例では発光を後述する陰極側か
らみるタイプのけい光表示管について述べている
が、発光を基板１側から観察するタイプのけい光
表示管にあつては、前記配線導体２及び陽極導体
４を透明導電膜で形成し、かつ絶縁層３に、陽極
導体４の形状に合せた透孔部を形成するようにす
ればよい。 また陽極導体４は、例えば日字形に形成され、
この陽極導体４上に、ZnO：Znけい光体にＷ等
の物質を添加した本発明の低速電子線用けい光体
からなるけい光体層５が被着されて陽極６が形成
され、さらにこの陽極６が例えば図示するように
７個日字形に配列されて一けた分のパターン表示
部７が形成される。 さらに８は、前記パターン表示部６に対面する
上方に配設されたメツシユ状の制御電極、９は、
加熱されて電子を放出するフイラメント状の陰
極、１０は、例えば平底舟形状に成形されて、前
記基板１の周辺部に封着され、基板１とともに外
囲器を構成する前囲器であり、１１は外部端子で
ある。 しかして、次に上述した構造のけい光表示管の
陽極部６の具体的な実施例及び得られたけい光表
示管の輝度及び温度特性の一つである高温放置特
性を、従来のけい光表示管との比較で示す。 実施例 １ ZnO：Znけい光体粉末に、WO3の粉末（平均
粒径3μm）を７重量％混合したものを60重量％と
り、これにエチルセルロース３％をブチルカルビ
トールに溶解させたビークル40重量％加え、よく
混練してけい光体ペーストとした。このけい光体
ペーストをスクリーン印刷法により第３図に示す
陽極導体４上に被着させ、本発明の々けい光表示
管を作成した。 このけい光表示管と、WO3を添加しないけい
光体を用いた従来のけい光表示管の輝度及び高温
放置特性を第１表に示す。
なくし、かつ温度特性等にすぐれた低速電子線用
けい光体を用いたけい光表示管とその製造方法に
関するものである。 一般に100V以下の電圧で加速された低速電子
線により励起され、かつ発光するけい光体とし
て、従来よりZnO：Znけい光体が知られている。
このZnO：Znけい光体は、発光しきい値電圧が
１〜2V程度と低く、また十数Ｖの電圧で十分な
発光輝度が得られることから、例えばけい光表示
管用のけい光体として多く用いられている。 特に、この低速電子線けい光体を用いて製作し
たけい光表示管は、駆動電圧が低いとともに、消
費電力も少ないので、LSIでの直接駆動が可能で
あり、また自発光形の表示装置で、かつ緑色の見
やすい表示が得られるために、各種電子機器及び
電気機器の表示装置として多く用いられている。
特に近時、オーデイオ用の表示装置や自動車用の
表示装置として、その応用分野が大きく拡大して
いる。 ところで、低速電子線でけい光体を励起発光さ
せる場合、けい光体に射突する電子はけい光体粒
子中にはほとんど侵入せず、その侵入深さは高々
数Å〜数＋Å程度といわれており、発光の大部分
はけい光体表面で発生する。 したがつて、けい光体の表面状態が発光特性に
大きく影響すると考えられる。 一方、例えばけい光表示管にあつては、その製
造工程中に焼成、封着、排気工程などが含まれる
ので、けい光体が種々の環境に曝され、その表面
が汚染ないしは変質を受けやすい。 このために、製品によつては輝度のばらつきが
でたり、あるいは十分な輝度が得られない、など
の問題点があつた。 特に、前述したようにけい光表示管の応用分野
が拡大し、自動車などの直射日光に照射されるよ
うな場合もある高照度下での使用にあつては、で
きるだけ高い発光輝度が要求されるので、けい光
体表面の汚染等により輝度が低下するのは好まし
くない。 さらに一般に、けい光体自体は高温に長時間放
置した場合には輝度が低下する、という性質があ
り、また高温での動作では、いわゆる温度消光特
性によつて輝度が低下する。 しかしながらこれらの輝度特性は可能な限り少
ないことが望まれ、温度特性のよいけい光体が求
められている。 本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもの
であり、低速電子線けい光体の輝度の低下やばら
つきをなくし、さらに温度特性のよいけい光体を
得べく種々検討した結果、低速電子線により励起
されて緑色に発光するZnO：Znけい光体に、、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Mo）、バナジウ
ム（Ｖ）及びこれらの酸化物のうち少なくとも一
種の含む物質を添加することによつて、発光輝度
が向上し、また輝度のばらつきが少なくなり、か
つ温度特性に優れた低速電子線けい光体が得られ
ることを見出し本発明をなすに至つたものであ
る。 すなわち、本発明は、上述したけい光体を用い
て、発光特性のすぐれたけい光表示管を得ようと
することを目的とするものである。 次に、上記の目的を達成するための手段を説明
する。 すなわち、本願の第１の発明は、上面にけい光
体層の被着された陽極に、フイラメント状の陰極
から放出された電子を射突させて、前記けい光体
層を励起発光させ表示を得るけい光表示管におい
て、前記けい光体層が、低速電子線の射突により
励起発光するZnO：Znけい光体に、Ｗ，Moおよ
びＶの酸化物から選ばれた少なくとも一種を含む
物質を添加した低速電子線用けい光体からなるこ
とを特徴とするけい光表示管にある。 上記のけい光表示管は、上記ZnO：Znけい光
体に対して前記酸化物を0.1重量％〜50重量％添
加する構成とすることが望ましい。 また、上記のけい光表示管は、上記ZnO：Zn
けい光体にＷの酸化物が添加されたけい光体層
が、暗色化された基板部上に配設された構成とす
ることができる。 また、本願の第２の発明は、上面にけい光体層
の被着された陽極に、フイラメント状の陰極から
放出された電子を射突させて、前記けい光体層を
励起発光させ表示を得るけい光表示管の製造方法
において、低速電子線の射突により励起発光する
ZnO：Znけい光体に、Ｗ，MoおよびＶから選ば
れた少なくとも一種の含む物質を添加した低速電
子線用けい光体を被着して前記けい光体層を形成
し、その後加熱させて前記物質を酸化させること
を特徴とするけい光表示管の製造方法にある。 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明
するに、まず、本発明の低速電子線用けい光体に
おける一方の出発物質となるZnO：Znに対する
添加物の作用について説明する。 前述したように、低速電子線によりけい光体を
励起する場合、その発光は大部分けい光体粒子表
面で発生する。 したがつてけい光体表面の汚染、あるいは変質
は、発光特性の悪影響を及ぼすものと考えられる
ので、けい光体表面は可能なかぎり清浄化されて
いることが望ましい。 一方このけい光体を、例えばけい光表示管など
の表示装置に組込んだ場合、表示装置の製造工程
において汚染ないしは変質を受ける可能性があ
る。 しかしながら、表示装置の製造工程中で一旦汚
染を受けても、最終的にこれらの汚染物質を除去
できれば、けい光体表面は清浄化される。 そこで、ZnO：Znけい光体の汚染物質を除去
する物質として、種々の物質を検討した結果、
Ｗ，Mo，Ｖを含む化合物、特にこれらの酸化物
が有効であることが見出された。 これらの物質が、けい光体表面の清浄化に対し
て有効である理由は下記の通りである。 まず、けい光体表面の汚染は、表示装置の製造
工程中、あるいは外部環境から侵入する水分
（H2O）や炭酸ガス（CO2）等がけい光体表面で
化学的に結合したものといえる。そこで、ZnO：
Znけい光体に、例えばＷの酸化物の一つである
WO3（そのほか、Ｗの酸化物としては、WO，
WO2，W2O5等が考えられる。）を添加すると、
このWO3はH2Oに対して一種のゲツターとして
作用し、H2Oを吸収し、またCO2等に対してはよ
り活性に作用してZzに化学的に結合しているCO2
等を分解除去し、結果としてけい光体表面が清浄
化されるものと考えられる。 このけい光体に対する清浄化作用は、他の物質
Ｗ及びMo，Ｖの酸化物についても同様に生ずる
ことが、実験の結果判明した。 したがつて、ZnO：Znを一方の出発材料とし、
これに他方の出発材料となるＷ，Mo，Ｖの酸化
物のうち少なくともいずれか一種を含む物質を添
加して、低速電子線用けい光体とすれば、本発明
のけい光表示管に使用するけい光体が得られるこ
とになる。 この場合、けい光体に添加する物質は、最初か
らＷ，Mo及ぼＶの酸化物として添加する必要は
なく、最初はＷ，Mo及びＶの元素単体として添
加したけい光体を用い最終的に、例えばけい光表
示管の加熱処理の製造工程を通してＷ，Mo及び
Ｖの酸化物としてけい光体中に存在すればよく、
また、Ｗ等の物質の添加時間も、表示装置の任意
の工程を選駄択できるものである。 一方、けい光体に対するＷ等の物質の添加量
は、その添加方法や添加する物質の形状等によつ
て最適値が異なる。 例えば、第１図ａに示すように、化学的ないし
は物理的手段によつてけい光体粒子Ｐの表面に、
例えばWO3の皮膜S1を被着させる場合は、けい
光体粒子Ｐに対する重量比でWO3を0.1％程度添
加すれば輝度改善の効果が現われ始め、0.5％〜
１％の添加量で最大の輝度値が得られた。 また、３％以上添加するとけい光体層が暗色化
し、輝度の低下がみられるので、0.1〜３％の範
囲で添加量を選定するのが好ましい。 次に、第１図ｂに示すように、けい光体粒子Ｐ
の表面に、例えば、1μm以下の微粒子状のWO3
の粉末S2を混合付着させる場合は、0.3〜５重量
％の添加量で輝度の改善がみられた。この場合
は、WO3の粉末の添加量が５重量％を超えると
暗色を呈し、輝度の低下がみられる。また、0.5
重量％以下では、輝度改善の効果が少ない。 したがつて、1μm以下のWO3の微粒子を添加
する場合は、その添加量を0.3〜５重量％以内に
おさえるのが好ましい。 さらに第１図ｃに示すように、例えば平均5μm
程度の粒径のWO3の粉末S3を添加する場合は、
１〜20重量％程度で輝度の向上がみられた。この
場合も、添加量が20重量％ぎ超えると発光に寄与
しないWO3の粉末S3の表面積が大きくなり、輝
度改善の効果は少なくなる。 要するに、WO3の添加量は、粒子や付着方法
によつて異なるので、ZnO：Znけい光体に対す
る添加量としては、好ましくは0.1〜20重量％の
範囲である。 しかしながら、添加量が30〜50重量％になつて
も、後述する温度特性の改善に関しては十分その
効果が得られる。また、前述したように、WO3
の添加量を多くしてゆくと、けい光体粒子表面が
暗色化してゆくので、この性質を利用すれば、コ
ントラストの改善を図ることが可能となる。 すなわち、WO3の添加量を、発光輝度が大き
く劣化しない範囲、一般に50重量％の範囲で多目
に選定し、けい光体表面を暗色化する。そして、
けい光体層が配設される基板部表面の色彩をけい
光体表面と同様に暗色化しておけば、発光しない
けい光体層部分は、周囲の色彩に埋れ、しかも暗
色化されているので観察者の眼に認識されること
はない。したがつて発光するけい光体層とのコン
トラストを大きくとれ、視認性の改善が図れる。 このように、WO3を多量に添加することによ
つて多少発光輝度が低下しても、使用目的によつ
て適用可能である。したがつて、本発明では、Ｗ
等の添加物の限度を、けい光体に対して0.1重量
％〜50重量％の範囲とした。 また、第１図に示す例では、あらかじめけい光
体粒子に例ええばWO3等の物質を添加する例で
ある。しかしながらこの添加時期は、前述したよ
うに表示装置の他の製造工程中に行なうことも可
能であり、例えば第２図に示すように、基板ない
しは電極上にけい光体層Ｌを形成した後、その表
面にWO3の粉末S4を添加するようにしてもよい。 次に、上述したところにより得られた本発明の
低速電子線けい光体を用いたけい光表示管につい
て説明する。 第３図ａは、本発明によるけい光表示管の一実
施例の一部を破断して示す要部平面図、同図ｂ
は、同要部拡大断面図である。 ここで１は、ガラス、セラミツクスなどの絶縁
材料からなる基板であり、、この基板１上に配線
導体２を被着する。さらに、この配線導体２を所
定位置にスルホール３ａの形成された絶縁層３に
より覆い、この絶縁層３上に、前記スルホール３
ａを介して所定の配線導体２と電気的に接続され
る陽極導体４を積層する。この場合、前述したよ
うにけい光体にWO3を50重量％以下で多量に添
加して、コントラストの改善を図ろうとするなら
ば、前記絶縁層３に対しても適宜な顔料を混合し
て、暗色化しておく必要がある。 なお、図示実施例では発光を後述する陰極側か
らみるタイプのけい光表示管について述べている
が、発光を基板１側から観察するタイプのけい光
表示管にあつては、前記配線導体２及び陽極導体
４を透明導電膜で形成し、かつ絶縁層３に、陽極
導体４の形状に合せた透孔部を形成するようにす
ればよい。 また陽極導体４は、例えば日字形に形成され、
この陽極導体４上に、ZnO：Znけい光体にＷ等
の物質を添加した本発明の低速電子線用けい光体
からなるけい光体層５が被着されて陽極６が形成
され、さらにこの陽極６が例えば図示するように
７個日字形に配列されて一けた分のパターン表示
部７が形成される。 さらに８は、前記パターン表示部６に対面する
上方に配設されたメツシユ状の制御電極、９は、
加熱されて電子を放出するフイラメント状の陰
極、１０は、例えば平底舟形状に成形されて、前
記基板１の周辺部に封着され、基板１とともに外
囲器を構成する前囲器であり、１１は外部端子で
ある。 しかして、次に上述した構造のけい光表示管の
陽極部６の具体的な実施例及び得られたけい光表
示管の輝度及び温度特性の一つである高温放置特
性を、従来のけい光表示管との比較で示す。 実施例 １ ZnO：Znけい光体粉末に、WO3の粉末（平均
粒径3μm）を７重量％混合したものを60重量％と
り、これにエチルセルロース３％をブチルカルビ
トールに溶解させたビークル40重量％加え、よく
混練してけい光体ペーストとした。このけい光体
ペーストをスクリーン印刷法により第３図に示す
陽極導体４上に被着させ、本発明の々けい光表示
管を作成した。 このけい光表示管と、WO3を添加しないけい
光体を用いた従来のけい光表示管の輝度及び高温
放置特性を第１表に示す。
【表】
【表】
なおここで、高温放置特性は、80℃の高温中に
72時間非動作状態で放置した場合の前後における
輝度の測定値及び高温放置後の初期に対する輝度
比（％）で示してある。また動作条件は、第３図
に示す構造で陽極電圧及び制御電極電圧12V、陰
極電圧1.7Vとし、それぞれ10個のけい光表示管
について測定した。 上表から明らかなように、本発明によるけい光
表示管は、従来のけい光表示管と比べて輝度の大
幅な向上がみられ、また輝度のばらつきも少なく
なつている。さらに、高温放置特性の大幅な改善
がみられる。 実施例 ２ パラタングステン酸アンモン120mgを純水20g
に溶解し、これにけい光体20gを加えよく混合
し、攪拌しながらイソプロピルアルコール130c.c
加え、けい光体表面にパラタングステン酸アンモ
ンを析出させる。このけい光体をろ過して集め、
乾燥、焼成してけい光体表面にWO3を主体とし
た物質を被覆する。 しかる後、このけい光体を用いてけい光表示管
を作製し、実施例１と同様の条件により輝度及び
高温放置特性を測定した結果を第２表に示す。 実施例 ３ 実施例２におけるパラタングステン酸アンモン
にかえて、パラモリブデン酸アンモンを用い、実
施例２と同様にけい光体表面にMoO3を主体とし
た物質を被覆した。そして、このけい光体を用い
てけい光表示管を作製し、第２表に示すとほぼ同
様の結果が得られた。 さらに、上述した各実施例では、温度特性とし
て高温放置特性についてのみ示したが、高温動作
特性についても従来のけい光表示管に比し良好な
結果が得られている。 またＶの酸化物をZnO：Znけい光体に添加し
た場合も、Ｗ，Moの酸化物を添加した場合とほ
ぼ同様の結果が得られている。 そのほか本発明は、上記し、かつ図面に示した
実施例に限定されることなく、その要旨を変更し
ない範囲で種々変形して実施できるものである。 以上述べたように、本発明によるけい光表示管
に用いる低速電子線用けい光体は、ZnO：Znけ
い光体にＷ，Mo，Ｖ及びこれらの酸化物のう
ち、少なくともいずれか一種を含む物質を添加し
た組成になるものである。しかして、ZnO：Zn
けい光体に添加したＷ，Mo，Ｖの物質の酸化物
が、けい光体表面に清浄化作用をなすものと考え
られ、、これにより発光輝度が大幅に向上し、ま
た輝度のばらつきも少なくなるとともに、高温時
における温度特性も大幅に改善されるなど、多大
の効果が得られるものである。また、ZnO：Zn
けい光体にＷ，Mo，Ｖの物質の元素単体を添加
した場合には、これを用いたけい光表示管の製造
工程中の加熱工程においてＷ等の元素単体が酸化
し、上記と同様の作用効果が得られる。 さらに、Ｗ等の物質の添加量によつては、けい
光体の表面を暗色化できるので、コントラストを
改善する上からも効果的である。 しかして、本発明による低速電子線用けい光体
を用いたけい光表示管により表示装置を作製すれ
ば、輝度特性や温度特性等にすぐれた表示装置が
得られ、高照度下での使用や高温に曝されるよう
な環境での使用が可能となり、けい光表示管の応
用分野を拡大する上から、得られる効果はきわめ
て大である。
72時間非動作状態で放置した場合の前後における
輝度の測定値及び高温放置後の初期に対する輝度
比（％）で示してある。また動作条件は、第３図
に示す構造で陽極電圧及び制御電極電圧12V、陰
極電圧1.7Vとし、それぞれ10個のけい光表示管
について測定した。 上表から明らかなように、本発明によるけい光
表示管は、従来のけい光表示管と比べて輝度の大
幅な向上がみられ、また輝度のばらつきも少なく
なつている。さらに、高温放置特性の大幅な改善
がみられる。 実施例 ２ パラタングステン酸アンモン120mgを純水20g
に溶解し、これにけい光体20gを加えよく混合
し、攪拌しながらイソプロピルアルコール130c.c
加え、けい光体表面にパラタングステン酸アンモ
ンを析出させる。このけい光体をろ過して集め、
乾燥、焼成してけい光体表面にWO3を主体とし
た物質を被覆する。 しかる後、このけい光体を用いてけい光表示管
を作製し、実施例１と同様の条件により輝度及び
高温放置特性を測定した結果を第２表に示す。 実施例 ３ 実施例２におけるパラタングステン酸アンモン
にかえて、パラモリブデン酸アンモンを用い、実
施例２と同様にけい光体表面にMoO3を主体とし
た物質を被覆した。そして、このけい光体を用い
てけい光表示管を作製し、第２表に示すとほぼ同
様の結果が得られた。 さらに、上述した各実施例では、温度特性とし
て高温放置特性についてのみ示したが、高温動作
特性についても従来のけい光表示管に比し良好な
結果が得られている。 またＶの酸化物をZnO：Znけい光体に添加し
た場合も、Ｗ，Moの酸化物を添加した場合とほ
ぼ同様の結果が得られている。 そのほか本発明は、上記し、かつ図面に示した
実施例に限定されることなく、その要旨を変更し
ない範囲で種々変形して実施できるものである。 以上述べたように、本発明によるけい光表示管
に用いる低速電子線用けい光体は、ZnO：Znけ
い光体にＷ，Mo，Ｖ及びこれらの酸化物のう
ち、少なくともいずれか一種を含む物質を添加し
た組成になるものである。しかして、ZnO：Zn
けい光体に添加したＷ，Mo，Ｖの物質の酸化物
が、けい光体表面に清浄化作用をなすものと考え
られ、、これにより発光輝度が大幅に向上し、ま
た輝度のばらつきも少なくなるとともに、高温時
における温度特性も大幅に改善されるなど、多大
の効果が得られるものである。また、ZnO：Zn
けい光体にＷ，Mo，Ｖの物質の元素単体を添加
した場合には、これを用いたけい光表示管の製造
工程中の加熱工程においてＷ等の元素単体が酸化
し、上記と同様の作用効果が得られる。 さらに、Ｗ等の物質の添加量によつては、けい
光体の表面を暗色化できるので、コントラストを
改善する上からも効果的である。 しかして、本発明による低速電子線用けい光体
を用いたけい光表示管により表示装置を作製すれ
ば、輝度特性や温度特性等にすぐれた表示装置が
得られ、高照度下での使用や高温に曝されるよう
な環境での使用が可能となり、けい光表示管の応
用分野を拡大する上から、得られる効果はきわめ
て大である。
第１図ａ〜ｃ及び第２図は、本発明によるけい
光表示管に用いる低速電子線用けい光体の製造方
法を説明するための図、第３図ａ〜ｂは、本発明
によるけい光表示管の構造例を示す要部平面図及
び要部拡大図である。 Ｐ……ZnO：Znけい光体、S1……WO3の皮膜、
S2〜S4……WO3の粉末、４……陽極導体、５…
…けい光体層、９……陰極。
光表示管に用いる低速電子線用けい光体の製造方
法を説明するための図、第３図ａ〜ｂは、本発明
によるけい光表示管の構造例を示す要部平面図及
び要部拡大図である。 Ｐ……ZnO：Znけい光体、S1……WO3の皮膜、
S2〜S4……WO3の粉末、４……陽極導体、５…
…けい光体層、９……陰極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上面にけい光体層の被着された陽極に、フイ
ラメント状の陰極から放出された電子を射突させ
て、前記けい光体層を励起発光させ表示を得るけ
い光表示管において、前記けい光体層が、低速電
子線の射突により励起発光するZnO：Znけい光
体に、Ｗ，MoおよびＶの酸化物から選ばれた少
なくとも一種を含む物質を添加した低速電子線用
けい光体からなることを特徴とするけい光表示
管。 ２ 前記ZnO：Znけい光体に対して前記酸化物
を0.1重量％〜50重量％添加されてなる特許請求
の範囲第１項記載のけい光表示管。 ３ 前記ZnO：Znけい光体にＷの酸化物が添加
されたけい光体層が、暗色化された基板部上に配
設された構成になる特許請求の範囲第１項又は第
２項記載のけい光表示管。 ４ 上面にけい光体層の被着された陽極に、フイ
ラメント状の陰極から放出された電子を射突させ
て、前記けい光体層を励起発光させ表示を得るけ
い光表示管の製造方法において、低速電子線の射
突により励起発光するZnO：Znけい光体に、Ｗ，
MoおよびＶから選ばれた少なくとも一種を含む
物質を添加した低速電子線用けい光体を被着して
前記けい光体層を形成し、その後加熱させて前記
物質を酸化させることを特徴とするけい光表示管
の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138202A JPS5840746A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | けい光表示管とその製造方法 |
| US06/407,948 US4468589A (en) | 1981-09-01 | 1982-08-13 | Low speed electron excited fluorescent material and fluorescent display tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138202A JPS5840746A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | けい光表示管とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840746A JPS5840746A (ja) | 1983-03-09 |
| JPH039580B2 true JPH039580B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15216461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56138202A Granted JPS5840746A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | けい光表示管とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4468589A (ja) |
| JP (1) | JPS5840746A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4661743A (en) * | 1983-02-22 | 1987-04-28 | Nec Corporation | Fluorescent display tubes and method of manufacturing the same |
| JPS61269832A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-11-29 | Nec Corp | 蛍光表示管 |
| JPS6247050U (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-23 | ||
| JPH04178489A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管 |
| TW420964B (en) * | 1998-02-25 | 2001-02-01 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescence display substrate, method of manufacturing it and organic electroluminescent display element |
| JP3825431B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2006-09-27 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光表示管 |
| KR20050113900A (ko) * | 2004-05-31 | 2005-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2921201A (en) * | 1955-12-15 | 1960-01-12 | Int Standard Electric Corp | Fluorescent screen for electron-ray tubes operating at low voltage |
| US3846662A (en) * | 1970-06-22 | 1974-11-05 | Gen Electric | Alpha-numberic display type electron discharge device |
| JPS5716157U (ja) * | 1980-06-24 | 1982-01-27 |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP56138202A patent/JPS5840746A/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-13 US US06/407,948 patent/US4468589A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4468589A (en) | 1984-08-28 |
| JPS5840746A (ja) | 1983-03-09 |
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