KR20050113900A - 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents

전자 방출 소자 및 이의 제조 방법 Download PDF

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KR20050113900A
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Abstract

본 발명은 전자 방출 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 휘도와 전도성이 우수한 발광부를 포함하는 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자는 제2 기판에 형성되는 적어도 하나 이상의 형광층; 상기 형광층의 표면에 형성되는 금속 산화물을 포함하는 표면처리층; 및 상기 표면처리층을 덮으면서 형성되는 하나 이상의 애노드 전극을 포함하는 발광부로 이루어진다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 소자는 제2 기판에 형성되는 적어도 하나 이상의 애노드 전극; 상기 애노드 전극에 형성되는 적어도 하나 이상의 형광층; 상기 형광층의 표면에 형성되는 금속 산화물을 포함하는 표면처리층; 및 상기 표면처리층을 덮으면서 형성되는 하나 이상의 금속 박막을 포함하는 발광부로 이루어진다.

Description

전자 방출 소자 및 이의 제조 방법{FIELD EMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 전자 방출 소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 휘도와 전도성이 우수한 발광부를 포함하는 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전자 방출 소자는 전자원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 이 가운데 냉음극(cold cathode)을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는 FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal-Insulator-Metal) 또는 MIS(Metal-Insulator-Semiconductor)형 및 BSE(Ballistic electron Surface Emitter)형 전자 방출 소자 등이 알려져 있다.
상기한 전자 방출 소자들은 그 종류에 따라 세부적인 구조가 상이하지만, 기본적으로는 진공 용기 내에 전자 방출을 위한 구조물, 즉 전자 방출 유닛을 마련하여 이로부터 방출되는 전자들을 이용하며, 전자 방출 유닛과 대향 배치되도록 진공 용기 내측에 형광막을 구비할 때 소정의 발광 또는 표시 작용을 한다.
전자 방출 소자는 제1 기판 위에는 전자 방출부와 더불어 전자 방출부의 전자 방출을 제어하는 전극들을 구비하며, 제2 기판에는 형광층, 화면의 콘트라스트 향상을 위한 차광층 및 제1 기판에서 방출된 전자들이 형광층을 향해 효율적으로 가속될 수 있도록 높은 애노드 전압이 인가되는 애노드 전극을 구비한다. 애노드 전극은 형광층과 차광층을 덮으면서 형성되는 금속 박막으로 형성될 수 있고, 형광층과 차광층으로 이루어진 발광부와 제2 기판 사이, 즉 진공 용기를 향한 제2 기판의 일표면에 투명 전극으로 형성될 수도 있다.
전자 방출원에서 방출된 전자들이 형광층에 충돌하여 이를 발광시킴으로써 소정의 이미지를 구현하게 된다. 그러나 일부의 전자가 형광층에 축적될 수 있고 축적된 전하는 전자 방출원에서 방출된 전자들이 형광층에 도달하는 것을 방해 하므로 휘도를 저하시킬 수 있다. 따라서 형광체의 표면전도성을 향상시키기 위하여 형광체의 표면에 전도성 물질로 표면처리하거나 형광층의 전도성을 향상시키기 위하여 형광층 표면을 전도성 물질로 코팅하는 방법이 제안되었다. 그러나 이러한 방법은 모두 별도의 공정이 소요되어 번거로운 점이 있고 특히 후자의 방법은 표면처리가 필요하지 않은 차광층에도 전도성 물질을 코팅하게 되어 휘도 향상에 한계가 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 형광층의 표면처리를 단순한 공정에 의하여 실시할 수 있고 형광층에만 선택적으로 표면처리된 전자 방출 소자 및 이의 제조방법을 제공하기 위한 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판; 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛; 및 제2 기판에 제공되는 발광부를 구비한 전자 방출 소자에 있어서, 상기 발광부는 상기 제2 기판에 형성되는 적어도 하나 이상의 형광층; 상기 형광층의 표면에 형성되는 금속 산화물을 포함하는 표면처리층; 및 상기 표면처리층을 덮으면서 형성되는 하나 이상의 애노드 전극을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.
본 발명은 또한 서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판; 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛; 및 제2 기판에 제공되는 발광부를 구비한 전자 방출 소자에 있어서, 상기 발광부는 상기 제2 기판에 형성되는 적어도 하나 이상의 애노드 전극; 상기 애노드 전극에 형성되는 적어도 하나 이상의 형광층; 상기 형광층의 표면에 형성되는 금속 산화물을 포함하는 표면처리층; 및 상기 표면처리층을 덮으면서 형성되는 하나 이상의 금속 박막을 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.
본 발명은 또한 제2 기판 상에 설정된 발광 영역에 대응하여 상기 기판 상에 적어도 하나 이상의 형광층을 형성하고; 상기 형광층의 표면에 금속 산화물을 포함하는 중간막 형성용 조성물을 코팅하여 표면처리하고; 표면처리된 형광층의 표면에 금속 박막으로 이루어진 하나 이상의 애노드 전극을 형성하고; 상기 제2 기판을 소성하여 표면처리층을 형성하는 공정을 포함하는 전자 방출 소자의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 또한 제2 기판 상에 설정된 발광 영역에 대응하여 상기 기판 상에 투명산화물을 코팅하여 애노드 전극을 형성하고; 상기 애노드 전극에 적어도 하나 이상의 형광층을 형성하고; 상기 형광층의 표면에 금속 산화물을 포함하는 중간막 형성용 조성물을 코팅하여 표면처리하고; 표면처리된 형광층의 표면에 금속 박막을 형성하고; 상기 제2 기판을 소성하여 표면처리층을 형성하는 공정을 포함하는 전자 방출 소자의 제조방법을 제공한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자의 단면도이다. 도면을 참고하면, 전자 방출 소자는 제1 기판(2)과 제2 기판(4)을 임의의 간격을 두고 실질적으로 평행하게 배치하고, 이들을 하나로 접합시킴으로써 진공 용기를 구성한다.
제1 기판(2)에는 전자 방출 유닛(100)이 제공되어 제2 기판(4)을 향해 전자를 방출하며, 제2 기판(4)에는 전자에 의해 가시광을 방출하는 발광부(200)가 제공되어 이미지를 구현한다.
상기 전자 방출 유닛(100)은 알려진 전자 방출 소자의 어느 구성이 적용될 수 있으며, 도 1에는 일례로 FEA형 전자 방출 소자의 일 실시예가 도시되어 있다.
도시한 FEA형 전자 방출 소자의 일 구조는, 제1 기판(2) 위에는 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상의 캐소드 전극들(6)이 서로간에 임의의 간격을 두고 제1 기판(2)에 복수로 형성되고, 캐소드 전극들(6)을 덮으면서 절연층(8)이 형성된다. 절연층(8) 위에는 소정의 패턴, 가령 스트라이프 형상의 게이트 전극들(10)이 서로간에 임의의 간격을 두고 캐소드 전극들(6)과 직교하는 방향으로 복수로 형성된다.
도 1에서 캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10)의 교차 영역을 화소 영역으로 정의하면, 절연층(8)과 게이트 전극(10)에는 각각의 화소 영역마다 적어도 하나의 개구부(8a, 10a)가 형성되어 캐소드 전극(6)의 일부 표면을 노출시키며, 노출된 캐소드 전극(6) 위로 전자 방출부(12)가 형성된다.
상기 전자 방출부(12)는 전계가 가해지면 전자를 방출하는 물질들, 예를 들어 카본 나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 다이아몬드상 카본, C60(fulleren), 실리콘 나노와이어 중 어느 하나 또는 이들의 조합 물질, 또는 몰리브덴과 같은 금속재로 이루어진다. 상기 전자 방출부는 스크린 인쇄, 포토리소그래피 공정, 화학기상증착(CVD) 또는 스퍼터링 등의 방법으로 형성될 수 있다.
캐소드 전극(6)과 게이트 전극(10) 중 어느 하나의 전극에 스캔 신호를 인가하고, 다른 하나의 전극에 데이터 신호를 인가하면, 두 전극간 전압 차가 임계치 이상인 화소들에서 전자 방출부(12) 주위에 전계가 형성되어 이로부터 전자가 방출된다.
한편, 본 발명에 있어서, 상기 전자 방출 유닛(100)의 구성이 상기한 예로 한정되는 것은 아니다. 가령, 제1 기판 위로 게이트 전극이 먼저 형성되고, 이 게이트 전극 위로 절연층을 사이에 두고 캐소드 전극이 형성된 다음, 이 캐소드 전극에 전자 방출부가 전기적으로 연결된 구조를 가질 수도 있다.
도 1에는 전자 방출 유닛의 일례로 FEA형 전자 방출 소자를 도시하였으나, 전자 방출 유닛(100)은 여기에 한정되지 않고 SCE형, MIM형 또는 MIS형 및 BSE형 등 의 전자 방출 소자들의 구성이 모두 적용될 수 있다.
제1 기판(2)에 대응되는 제2 기판(4)에는 제2 기판(4)의 일면에 적어도 하나 이상의 형광층(14)이 형성되고, 상기 형광층(14) 표면에 형광층의 휘도와 전도성을 향상시키기 위하여 금속 산화물로 이루어진 표면처리층(16)이 형성되어 있고, 상기 표면처리층(16)의 전면에는 적어도 하나 이상의 애노드 전극(18)이 형성되어 발광부(200)을 구성한다.
본 발명에서 화면의 콘트라스트를 향상시키기 위하여 형광층(14) 사이의 비발광 영역에 차광층(20)이 위치하는 것이 바람직하다. 상기 차광층(20)은 크롬 산화막과 같은 박막 또는 흑연과 같은 탄소계열 성분의 후막으로 이루어질 수 있다.
상기 애노드 전극(18)은 금속을 증기증착 또는 스퍼터링하여 형성된 금속 박막으로 이루어지는 것이 바람직하며, 알루미늄 박막인 것이 가장 바람직하다. 이 금속 박막은 전자빔 가속에 필요한 고전압이 인가되어 애노드 전극으로 사용될 수 있다.
형광층(14)의 표면에 존재하는 표면처리층(16)은 In2O3, WO3, SiO 2, MgO, Y2(SiO3)3, Al2O3 또는 이들의 혼합물 등의 금속 산화물을 포함한다. 상기 표면처리층(16)은 애노드 전극(18)인 금속 박막 형성시 표면을 평탄화하기 위한 중간막 형성용 조성물에 금속 산화물을 첨가한 후 이를 형광층(14)에 도포하고, 이 위에 금속 박막(18)을 형성한 후 소성하여 형성한다. 소성 후에는 금속 산화물만 형광층(14)의 표면에 남게 된다.
상기 중간막 형성용 조성물의 도포공정은 스크린 인쇄, 스핀 코팅, 등의 방법에 의하여 실시할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다. 중간막 형성용 조성물의 도포 후 건조공정을 실시하는 것이 바람직하다. 상기 소성공정은 200 내지 500도 범위에서 실시하는 것이 바람직하다.
상기 중간막 형성용 조성물은 통상 표면 평탄화층 형성을 위한 필르밍(filming) 액에 금속 산화물을 첨가하여 제조한다. 상기 필르밍 액으로는 셀룰로오스계 수지 또는 아크릴계 수지와 유기용매를 혼합하여 사용한다. 중간막 형성용 조성물에 첨가되는 금속 산화물의 양은 형광체 100 중량부에 대하여 0.001 내지 20 중량부, 바람직하게는 0.01 내지 10 중량부, 더 바람직하게는 0.1 내지 5 중량부, 보다 더 바람직하게는 0.1 내지 1 중량부이다. 상기 금속 산화물의 첨가량이 0.001 중량부 미만인 경우에는 표면처리 효과를 기대할 수 없으며, 20 중량부를 초과하는 경우에는 가시광 투과를 저해하여 휘도가 오히려 저하될 수 있어 바람직하지 않다. 본 발명에서는 표면 평탄화층을 형성하기 위한 중간막 형성용 조성물에 금속 산화물만 첨가하여 표면처리층을 형성하므로 표면 평탄화층 형성공정과 표면처리층 형성공정을 동시에 실시할 수 있어 별도로 표면처리층을 형성하기 위한 공정을 실시할 필요가 없다. 또한 형광층에만 선택적으로 표면처리층을 형성할 수 있으며, 매우 얇은 박막으로 표면처리층을 형성할 수 있어 경제적이다. 본 발명에 따라 제조된 표면처리층의 두께는 1nm 내지 10 ㎛의 범위에 있는 것이 바람직하다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자의 단면도이다. 상기 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자는 전술한 제1 실시예에 따른 전자 방출 소자와 전자 방출 유닛(100) 구조는 동일하며, 애노드 전극을 제외한 동일한 발광부(200) 구조를 가지므로 동일한 구성요소는 동일한 부재번호를 사용한다.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자의 발광부(300)는 제2 기판(4)에 형성되는 적어도 하나 이상의 투명 전극(22); 상기 애노드 전극(22)에 형성되는 적어도 하나 이상의 형광층(14); 상기 형광층(14)의 표면에 형성되는 금속 산화물을 포함하는 표면처리층(16); 및 상기 표면처리층(16)을 덮으면서 형성되는 하나 이상의 금속 박막(24)을 포함할 수 있다.
상기 발광부(300)에서 형광층(14)과 제2 기판(4) 사이에 투명 전극(22)이 형성된다. 상기 투명 전극(22)은 일례로 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명산화물로 형성될 수 있다. 투명 전극(22)은 제2 기판(4)의 일표면 전체를 덮으면서 형성되거나 스트라이프 패턴 등 다양한 형상으로 이루어질 수 있다.
상기 제2 실시예에 따른 전자 방출 소자에서는 전술한 제1 실시예와는 달리 투명 전극(22)이 전자빔 가속에 필요한 전압을 인가받아 애노드 전극으로 기능하고, 금속박막(24)은 메탈 백(metal back) 효과에 의해 화면의 휘도를 높이는 역할을 한다.
제2 실시예에서도 화면의 콘트라스트를 향상시키기 위하여 발광영역에 위치한 형광층(14) 사이의 비발광 영역에 차광층(20)이 위치하는 것이 바람직하다. 상기 형광층(14)은 패턴화된 애노드 전극(22) 상에 형성될 수도 있다.
전자 방출 유닛(100)이 형성된 제1 기판(2)과 발광부(200, 300)가 형성된 제2 기판(4)은 절연층(10) 상에 스페이서(26)를 배치한 다음, 밀봉재를 이용하여 제1, 2 기판의 가장자리를 접합시키고, 도시하지 않은 배기구를 통해 제1, 2 기판 내부를 배기시켜 전자 방출 소자를 완성한다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 그러나 하기한 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐 본 발명이 하기한 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1 내지 4)
터피네올에 아크릴 수지를 첨가하여 제조한 필르밍 액에 금속산화물로 In2O3를 하기 표 1에 기재된 양으로 첨가하여 중간막 형성용 조성물을 제조하였다. 표 1에서 In2O3의 양은 형광체 100 중량부를 기준으로 한 것이다. 상기 조성물을 도 1에 도시된 구조를 가지는 제1기판의 형광층 위에 도포하고 이 위에 알루미늄 금속을 증착하여 금속 박막을 형성하였다. 그런 다음 450도에서 소성하여 아크릴 에멀젼을 제거하여 금속산화물 표면처리층을 형성하였다. 여기에 도 1에 도시된 전자 방출 유닛 구성을 가지는 제2 기판과 상기 제1 기판을 밀봉재를 이용하여 접합시키고, 배기구를 통해 제1, 2 기판 내부를 배기시켜 전자 방출 소자를 제조하였다.
(비교예 1)
상기 실시예 1에서 필르밍 액에 금속산화물을 첨가하지 않은 것을 제외하고 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 방출 소자를 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1의 전자 방출 소자의 휘도를 측정하여 표 1에 함께 기재하였다.
[표 1]
In2O3의 첨가량(중량부) 상대휘도(%)
실시예 1 0.01 72
실시예 2 0.05 75
실시예 3 0.1 78
실시예 4 0.5 82
비교예 1 - 63
상기 표 1에 기재된 바와 같이 금속 산화물 표면처리층이 형성된 실시예 1 내지 4의 전자 방출 소자가 비교예 1에 비하여 휘도가 우수함을 알 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
본 발명에서는 금속 박막형성시 표면을 평탄하게 유지하기 위한 중간막 형성용 조성물에 형광층의 휘도와 전도성을 향상시킬 수 있는 금속 산화물을 첨가하여 표면처리층을 형성함으로써 별도의 공정없이 표면처리층을 형성할 수 있어 전자 방출 소자의 제조 공정을 단순화할 수 있고, 선택적으로 발광영역에만 표면처리할 수 있으며, 표면처리층의 두께를 매우 얇게 형성할 수 있어 경제적이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 방출 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전자 방출 소자의 단면도이다.

Claims (24)

  1. 서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판; 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛; 및 제2 기판에 제공되는 발광부를 구비한 전자 방출 소자에 있어서,
    상기 발광부는 상기 제2 기판에 형성되는 적어도 하나 이상의 형광층;
    상기 형광층의 표면에 형성되는 금속 산화물을 포함하는 표면처리층; 및
    상기 표면처리층을 덮으면서 형성되는 하나 이상의 애노드 전극
    을 포함하는 전자 방출 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 형광층 사이의 비발광 영역에 차광층이 형성된 것인 전자 방출 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속 산화물은 In2O3, WO3, SiO2, MgO, Y2(SiO3)3, Al2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 전자 방출 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 표면처리층은 표면 평탄화층 형성을 위한 필르밍(filming) 액에 금속 산화물을 첨가하여 제조한 중간막 형성용 조성물을 형광층에 도포한 후 소성하여 제조되는 것인 전자 방출 소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속산화물은 형광층 100 중량부에 대하여 0.001 내지 20 중량부의 양으로 존재하는 것인 전자 방출 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 금속산화물은 형광층 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부의 양으로 존재하는 것인 전자 방출 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 표면처리층은 1nm 내지 10 ㎛ 두께를 가지는 것인 전자 방출 소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 애노드 전극은 금속 박막으로 형성되는 것인 전자 방출 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 금속 박막은 알루미늄 박막인 전자 방출 소자.
  10. 서로 대향 배치되며 진공 용기를 구성하는 제1 기판 및 제2 기판; 제1 기판에 제공되는 전자 방출 유닛; 및 제2 기판에 제공되는 발광부를 구비한 전자 방출 소자에 있어서,
    상기 발광부는 상기 제2 기판에 형성되는 적어도 하나 이상의 애노드 전극;
    상기 애노드 전극에 형성되는 적어도 하나 이상의 형광층;
    상기 형광층의 표면에 형성되는 금속 산화물을 포함하는 표면처리층; 및
    상기 표면처리층을 덮으면서 형성되는 하나 이상의 금속 박막
    을 포함하는 전자 방출 소자.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 애노드 전극은 투명 전극으로 형성되는 전자 방출 소자.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 투명 전극은 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 전자 방출 소자.
  13. 제10항에 있어서, 상기 형광층 사이의 비발광 영역에 차광층이 형성된 것인 전자 방출 소자.
  14. 제10항에 있어서, 상기 금속 산화물은 In2O3, WO3, SiO2, MgO, Y2(SiO3)3, Al2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 전자 방출 소자.
  15. 제10항에 있어서, 상기 표면처리층은 표면 평탄화층 형성을 위한 필르밍(filming) 액에 금속 산화물을 첨가하여 제조한 중간막 형성용 조성물을 형광층에 도포한 후 소성하여 제조되는 것인 전자 방출 소자.
  16. 제10항에 있어서, 상기 금속산화물은 형광층 100 중량부에 대하여 0.001 내지 20 중량부의 양으로 존재하는 것인 전자 방출 소자.
  17. 제16항에 있어서, 상기 금속산화물은 형광층 100 중량부에 대하여 0.1 내지 1 중량부의 양으로 존재하는 것인 전자 방출 소자.
  18. 제10항에 있어서, 상기 표면처리층은 1nm 내지 10 ㎛ 두께를 가지는 것인 전자 방출 소자.
  19. 제2 기판 상에 설정된 발광 영역에 대응하여 상기 기판 상에 적어도 하나 이상의 형광층을 형성하고;
    상기 형광층의 표면에 금속 산화물을 포함하는 중간막 형성용 조성물을 코팅하여 표면처리하고;
    표면처리된 형광층의 표면에 금속 박막으로 이루어진 하나 이상의 애노드 전극을 형성하고;
    상기 제2 기판을 소성하여 표면처리층을 형성하는 공정을 포함하는 전자 방출 소자의 제조방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 금속 산화물은 In2O3, WO3, SiO2, MgO, Y2(SiO3)3, Al2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 전자 방출 소자의 제조방법.
  21. 제18항에 있어서, 상기 중간막 형성용 조성물은 아크릴 에멀젼에 금속 산화물을 첨가하여 제조되는 것인 전자 방출 소자의 제조방법.
  22. 제2 기판 상에 설정된 발광 영역에 대응하여 상기 기판 상에 투명산화물을 코팅하여 애노드 전극을 형성하고;
    상기 애노드 전극에 적어도 하나 이상의 형광층을 형성하고;
    상기 형광층의 표면에 금속 산화물을 포함하는 중간막 형성용 조성물을 코팅하여 표면처리하고;
    표면처리된 형광층의 표면에 금속 박막을 형성하고;
    상기 제2 기판을 소성하여 표면처리층을 형성하는 공정을 포함하는 전자 방출 소자의 제조방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 금속 산화물은 In2O3, WO3, SiO2, MgO, Y2(SiO3)3, Al2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 전자 방출 소자의 제조방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 중간막 형성용 조성물은 아크릴 에멀젼에 금속 산화물을 첨가하여 제조되는 것인 전자 방출 소자의 제조방법.
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