JPS5840746A - けい光表示管とその製造方法 - Google Patents
けい光表示管とその製造方法Info
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- JPS5840746A JPS5840746A JP56138202A JP13820281A JPS5840746A JP S5840746 A JPS5840746 A JP S5840746A JP 56138202 A JP56138202 A JP 56138202A JP 13820281 A JP13820281 A JP 13820281A JP S5840746 A JPS5840746 A JP S5840746A
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- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/67—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
- C09K11/69—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals containing vanadium
- C09K11/691—Chalcogenides
- C09K11/693—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C09K11/68—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals containing chromium, molybdenum or tungsten
- C09K11/681—Chalcogenides
- C09K11/682—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/15—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen with ray or beam selectively directed to luminescent anode segments
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、発光輝度の向上や輝度のばらつきをなくシ、
かつ温変特性等にすぐれた低速電子線用けい光体及びこ
のけい光体を用いたけい光表示管に関するものである。
かつ温変特性等にすぐれた低速電子線用けい光体及びこ
のけい光体を用いたけい光表示管に関するものである。
一般に１００ｖ以下の電圧で加速された低速電子線によ
り励起され、かつ発光するけい光体として、従来よりＺ
ｎＯ：Ｚｎけい光体が知られている。このＺ ｎ Ｏａ
Ｚ ｎけい光体は、発光しきい値電圧が１〜２Ｖ程度
と低く、また十数Ｖの電圧で十分な発光輝度が得られる
ことから、例えばけい光表示管用のけい光体として多く
用いられている。
り励起され、かつ発光するけい光体として、従来よりＺ
ｎＯ：Ｚｎけい光体が知られている。このＺ ｎ Ｏａ
Ｚ ｎけい光体は、発光しきい値電圧が１〜２Ｖ程度
と低く、また十数Ｖの電圧で十分な発光輝度が得られる
ことから、例えばけい光表示管用のけい光体として多く
用いられている。
特に、この低速電子線用のけい光体を用いて製作したけ
い光表示管は、駆動電圧が低いとともに、消費電力も少
ないので、ＬＳＩでの直接駆動が可能であり、また自発
光形の表示装置で、かつ緑色の見やすい表示が得られる
ために、各種電子機器及び電気機器の表示装置として多
く用いられている。特に近時、オーディオ用の表示装置
や自動車用の表示装置として、その応用分野が大きく拡
大している。
い光表示管は、駆動電圧が低いとともに、消費電力も少
ないので、ＬＳＩでの直接駆動が可能であり、また自発
光形の表示装置で、かつ緑色の見やすい表示が得られる
ために、各種電子機器及び電気機器の表示装置として多
く用いられている。特に近時、オーディオ用の表示装置
や自動車用の表示装置として、その応用分野が大きく拡
大している。
ところで、低速電子線でけい光体を励起発光させる場合
、けい光体に射突する電子はけい光体粒子中にはほとん
ど侵入せず、その侵入深さは高々数λ〜数十λ程度とい
われており、発光の大部分はけい光体表面で発生する。
、けい光体に射突する電子はけい光体粒子中にはほとん
ど侵入せず、その侵入深さは高々数λ〜数十λ程度とい
われており、発光の大部分はけい光体表面で発生する。
したがって、けい光体の表面状態が発光！性に大きく影
響すると考えられる。
響すると考えられる。
一方、例えばけい光表示管にあっては、その製造工程中
に焼成、封着、排気工程などが含まれるので、けい光体
が種々の環境に曝され、その表面が汚染ないしは変質を
受けやすい。
に焼成、封着、排気工程などが含まれるので、けい光体
が種々の環境に曝され、その表面が汚染ないしは変質を
受けやすい。
このために、製品によっては輝度のばらつきがでたり、
あるいは十分な輝度が得られない、などの問題点があっ
た。
あるいは十分な輝度が得られない、などの問題点があっ
た。
特に、前述したようにけい光表示管の応用分野が拡大し
、自動車などの直射日光に照射されるような場合もある
高照度下での使用にあっては、できるだけ高い発光輝度
が要求されるので、けい光体表面の汚染等により輝度が
低下するのは好ましくない。
、自動車などの直射日光に照射されるような場合もある
高照度下での使用にあっては、できるだけ高い発光輝度
が要求されるので、けい光体表面の汚染等により輝度が
低下するのは好ましくない。
さらに一般に、けい光体自体は高温に長時間放置した場
合には輝度が低下する、という性質があり、また高温で
の動作では、いわゆる温度消光特性によって輝度が低下
する。
合には輝度が低下する、という性質があり、また高温で
の動作では、いわゆる温度消光特性によって輝度が低下
する。
しかしながらこれらの輝度特性は可能な限り少ないこと
が望まれ、温度特性のよいけい光体が求められている。
が望まれ、温度特性のよいけい光体が求められている。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、
低速電子線用けい光体の輝度の向上やばらつきをなくシ
、さらに温度特性のよいけい光体を得べく種々検討した
結果、低速電子線により励起されて緑色に発光するＺｎ
Ｏ：Ｚｎけい光体に、タングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）及びと・れらの酸化物のう
ち少なくとも一種を含む物質を添加すること罠よって、
発光輝度が向上し、また輝度のばらつきが少なくなり、
かつ温度特性に優れた低速電子線用けい光体が得られる
ことを見出し本発明をなすに至ったものである。
低速電子線用けい光体の輝度の向上やばらつきをなくシ
、さらに温度特性のよいけい光体を得べく種々検討した
結果、低速電子線により励起されて緑色に発光するＺｎ
Ｏ：Ｚｎけい光体に、タングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）、バナジウム（Ｖ）及びと・れらの酸化物のう
ち少なくとも一種を含む物質を添加すること罠よって、
発光輝度が向上し、また輝度のばらつきが少なくなり、
かつ温度特性に優れた低速電子線用けい光体が得られる
ことを見出し本発明をなすに至ったものである。
さらに本発明は、上述したけい光体を用いて、発光特性
のすぐれたけい光表示管を得ようとするものである。
のすぐれたけい光表示管を得ようとするものである。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明するに、
まず、本発明の低速電子線用けい光体における一方の出
発物質となるＺ ｎ Ｏ： Ｚ ｎに対する添加物の作
用について説明する。
まず、本発明の低速電子線用けい光体における一方の出
発物質となるＺ ｎ Ｏ： Ｚ ｎに対する添加物の作
用について説明する。
前述したように、低速電子線によりけい光体を励起する
場合、その発光は大部分けい光体粒子表面で発生する。
場合、その発光は大部分けい光体粒子表面で発生する。
したがってけい光体表面の汚染、あるいは変質は、発光
特性に悪影響を及ぼすものと考えられるので、けい光体
表面は可能なかぎり清浄化されていることが望ましい。
特性に悪影響を及ぼすものと考えられるので、けい光体
表面は可能なかぎり清浄化されていることが望ましい。
一方このけい光体を、例えばけい光表示管などの表示装
置に組込んだ場合、表示装置の製造工程において汚染な
いしは変質を受ける可能性がある。
置に組込んだ場合、表示装置の製造工程において汚染な
いしは変質を受ける可能性がある。
しかしながら、表示装置の製造工程中で一旦汚染を受け
ても、最終的にこれらの汚染物質を除去できれば、けい
光体表面は清浄化される。
ても、最終的にこれらの汚染物質を除去できれば、けい
光体表面は清浄化される。
そこで、ＺｎＯ：ｚｎけい光体の汚染物質を除去する物
質として、種々の物質を検討した結果、Ｗ。
質として、種々の物質を検討した結果、Ｗ。
Ｍｏ、Ｖ及びこれらの酸化物が有効であることが見出さ
れた。
れた。
これらの物質が、けい光体表面の清浄化に対して有効で
ある理由は明らかではないが、本発明者らは、次のよう
に考える。
ある理由は明らかではないが、本発明者らは、次のよう
に考える。
まず、けい光体表面の汚染は、表示装置の製造工程中、
あるいは外部環境から侵入する水分（ＨＩ３）や炭酸ガ
ス（Ｃｏ、）等がけい光体表面で化学的に結合したもの
といえる。そこでＺｎＯ：Ｚｎけい光体に、例えばＷの
酸化物の一つであるｗｏ３ （そのほか、Ｗの酸化物と
しては、 ｗｏ、ｗｏ２．ｗ２ｏ５等が考えられる。）
を添加すると、このＷＯ３はＨ，０に対して−種のゲッ
ターとして作用し、Ｈ２Ｏを吸収し、またＣＯ２尋に対
してはより活性に作用してＺｎＫ化学的に結合している
ＣＯ２尋を分解除去し、結果としてけい光体表面が清浄
化されるものと考えられる。
あるいは外部環境から侵入する水分（ＨＩ３）や炭酸ガ
ス（Ｃｏ、）等がけい光体表面で化学的に結合したもの
といえる。そこでＺｎＯ：Ｚｎけい光体に、例えばＷの
酸化物の一つであるｗｏ３ （そのほか、Ｗの酸化物と
しては、 ｗｏ、ｗｏ２．ｗ２ｏ５等が考えられる。）
を添加すると、このＷＯ３はＨ，０に対して−種のゲッ
ターとして作用し、Ｈ２Ｏを吸収し、またＣＯ２尋に対
してはより活性に作用してＺｎＫ化学的に結合している
ＣＯ２尋を分解除去し、結果としてけい光体表面が清浄
化されるものと考えられる。
このけい光体に対する清浄化作用は、他の物質Ｗ及びＭ
ｏ、Ｖとその酸化物についても同様に生ずることが、実
験の結果判明した。
ｏ、Ｖとその酸化物についても同様に生ずることが、実
験の結果判明した。
したがって、ＺｎＯ：Ｚｎを一方の出発材料とし、これ
に他方の出発材料となるＷ 、 Ｍｏ 、 Ｖ及びこれ
らの酸化物のうち少なくともいずれか一種を含む物質を
添加して、低速電子線用けい光体とすれば、本発明の目
的とするけい光体が得られることになる。
に他方の出発材料となるＷ 、 Ｍｏ 、 Ｖ及びこれ
らの酸化物のうち少なくともいずれか一種を含む物質を
添加して、低速電子線用けい光体とすれば、本発明の目
的とするけい光体が得られることになる。
この場合、けい光体に添加するＷ等の物質は、最初から
元素単体、あるいはその酸化物として添加する必要はな
く、最終的に、例えば加熱処理等の工程を通してＷ等の
物質としてけい光体中に存在すればよく、また、Ｗ等の
物質の添加時期も、表示装置の任意の工程を選択できる
ものである。
元素単体、あるいはその酸化物として添加する必要はな
く、最終的に、例えば加熱処理等の工程を通してＷ等の
物質としてけい光体中に存在すればよく、また、Ｗ等の
物質の添加時期も、表示装置の任意の工程を選択できる
ものである。
一方、けい光体に対するＷ等の物質の添加量は、その添
加方法や添加する物質の形状等によって最適値が異なる
。
加方法や添加する物質の形状等によって最適値が異なる
。
例えば、第１図（ａ）に示すように、化学的ないしは物
理的手段によってけい光体粒子Ｐの表面に、例えばＷＯ
３の皮膜ｓ１を被着させる場合は、けい光体粒子Ｐに対
する重量比でＷＯ３を０．１％程度添加すれば輝度改善
の効果が現われ始め、Ｏ，ＳＳ−１チの添加量で最大の
輝度値が得られた。
理的手段によってけい光体粒子Ｐの表面に、例えばＷＯ
３の皮膜ｓ１を被着させる場合は、けい光体粒子Ｐに対
する重量比でＷＯ３を０．１％程度添加すれば輝度改善
の効果が現われ始め、Ｏ，ＳＳ−１チの添加量で最大の
輝度値が得られた。
また、３１以上添加するとけい光体層が暗色化し、輝度
の低下がみられるので、０．１〜３％の範囲で添加量を
選定するのが好ましい。
の低下がみられるので、０．１〜３％の範囲で添加量を
選定するのが好ましい。
次に、第１図（ｂ）に示すように、けい光体粒子Ｐの表
面に、例えば１ ｐｍ以下の微粒子状のＷＯ３の粉末Ｓ
２を混合付着させる場合は、０．５〜５重量％の添加量
で輝度の改善がみられた。この場合は、ＷＯ３の粉末の
添加量が５重量−を超えると暗色を呈し、輝度の低下が
みられる。また、０．５重量以下では、輝度改善の効果
が少ない。
面に、例えば１ ｐｍ以下の微粒子状のＷＯ３の粉末Ｓ
２を混合付着させる場合は、０．５〜５重量％の添加量
で輝度の改善がみられた。この場合は、ＷＯ３の粉末の
添加量が５重量−を超えると暗色を呈し、輝度の低下が
みられる。また、０．５重量以下では、輝度改善の効果
が少ない。
したがって、ＩＦｍ以下のＷＯ３の微粒子を添加する場
合は、その添加量を０．５〜５重量％以内におさえるの
が好ましい。
合は、その添加量を０．５〜５重量％以内におさえるの
が好ましい。
さらに第１図（ｃ）に示すように１例えば平均５煽程度
の粒径のＷＯ３の粉末ｓ３を添加する場合は、１〜２０
重量−程度で輝度の向上がみられ友、この場合も、添加
量が加重量−を超えると発光に寄与しない児りの粉末Ｓ
３の表面積が大きくなり、輝度改善の効果は少なくなる
。
の粒径のＷＯ３の粉末ｓ３を添加する場合は、１〜２０
重量−程度で輝度の向上がみられ友、この場合も、添加
量が加重量−を超えると発光に寄与しない児りの粉末Ｓ
３の表面積が大きくなり、輝度改善の効果は少なくなる
。
要するに、ＷＯ３の添加量は、粒子や付着方法によって
異なるので、ＺｎＯ： Ｚ ｎけい光体に対する添加量
としては、好ましくは０．１〜加重量−の範囲である。
異なるので、ＺｎＯ： Ｚ ｎけい光体に対する添加量
としては、好ましくは０．１〜加重量−の範囲である。
しかしながら、添加量が（資）〜沁重量ｔｓＫなっても
、後述する温度特性の改善に関しては十分その効果が得
られるので、使用目的によっては適用可能である。した
がって、本発明では、Ｗ等の添加物の限度を、けい光体
に対して０．１重量−〜団重量％の範囲とした。
、後述する温度特性の改善に関しては十分その効果が得
られるので、使用目的によっては適用可能である。した
がって、本発明では、Ｗ等の添加物の限度を、けい光体
に対して０．１重量−〜団重量％の範囲とした。
また、第１図に示す例では、あらかじめけい光体粒子に
、例えばＷＯ３等の物質を添加する例である。しかしな
がらこの添加時期は、前述したよりに表示装置の他の製
造工程中に行うことも可能であり、例えば第２図に示す
ように、基板ないしは電極上にけい光体層りを形成し死
後、その表面にａ３の粉末Ｓ４を添加するようにしても
よい。
、例えばＷＯ３等の物質を添加する例である。しかしな
がらこの添加時期は、前述したよりに表示装置の他の製
造工程中に行うことも可能であり、例えば第２図に示す
ように、基板ないしは電極上にけい光体層りを形成し死
後、その表面にａ３の粉末Ｓ４を添加するようにしても
よい。
次に、上述したところにより得られた本発明の低速電子
線用けい光体を用いたけい光表示管について説明する。
線用けい光体を用いたけい光表示管について説明する。
第３図（ａ）は、本発明にょるけい光表示管の一実施例
の一部を破断して示す要部平面図、同図（ｂ）は、同要
部拡大断面図である。
の一部を破断して示す要部平面図、同図（ｂ）は、同要
部拡大断面図である。
ここで１は、ガラス、セラミックスなどの絶縁材料から
なる基板でＴｏシ、この基板１上に配線導体２を被着す
る。さらに、この配線導体２を所定位置にスルホール３
ａの形成された絶縁層３にょシ覆い、この絶縁層３上に
、紡記スルホール３ａを介して所定の配線導体２と電気
的に接続される陽極導体４を積層する。
なる基板でＴｏシ、この基板１上に配線導体２を被着す
る。さらに、この配線導体２を所定位置にスルホール３
ａの形成された絶縁層３にょシ覆い、この絶縁層３上に
、紡記スルホール３ａを介して所定の配線導体２と電気
的に接続される陽極導体４を積層する。
なお、図示実施例では発光を後述する陰極側からみるタ
イプのけい光表示管について述べているが、発光を基板
１側から観察するタイプのけい光表示管にあっては、前
記配線導体２及び陽極導体４を透明導電膜で形成し、か
つ絶縁層３に、陽極導体４の形状に合せた透孔部を形成
するようにすればよい。
イプのけい光表示管について述べているが、発光を基板
１側から観察するタイプのけい光表示管にあっては、前
記配線導体２及び陽極導体４を透明導電膜で形成し、か
つ絶縁層３に、陽極導体４の形状に合せた透孔部を形成
するようにすればよい。
また陽極導体４は、例えば日字形に形成され、この陽極
導体４上に、ＺｎＯ：Ｚｎけい光体にＷ等の物質を添加
した本発明の低速電子線用けい光体からなるけい光体層
５が被着されて陽極６が形成され、さらにこの陽極６が
例えば図示するように７個日字形に配列されて−けた分
のパターン表示部７が形成される。
導体４上に、ＺｎＯ：Ｚｎけい光体にＷ等の物質を添加
した本発明の低速電子線用けい光体からなるけい光体層
５が被着されて陽極６が形成され、さらにこの陽極６が
例えば図示するように７個日字形に配列されて−けた分
のパターン表示部７が形成される。
さらに８は、前記パターン表示部６に対面する上方に配
設されたメツシュ状の制御電極、９は、辺部に封着され
、基板１とともに外囲器を構成する前囲器であり、１１
は外部端子である。
設されたメツシュ状の制御電極、９は、辺部に封着され
、基板１とともに外囲器を構成する前囲器であり、１１
は外部端子である。
しかして、次に上述した構造のけい光表示管の陽極部６
の具体的な実施例及び得られたけい光表示管の輝度及び
温度特性の一つである高温放置特性を、従来のけい光表
示管との比較で示す。
の具体的な実施例及び得られたけい光表示管の輝度及び
温度特性の一つである高温放置特性を、従来のけい光表
示管との比較で示す。
実施例ｌ
ＺｎＯ： Ｚｎけい光体粉末に、ＷＯ３の粉末（平均粒
径３μｍ）を７重量％混合したものを６０重量％とり、
これにエチルセルロース３％ｔ−ブチルカルピトールに
溶解させたビークルω重量％加え、よく混練してけい光
体ペーストとした。このけい光体ペーストをスクリーン
印刷法により第３図に示す陽極導体４上に被着させ、本
発明のけい光表示管を作成した。
径３μｍ）を７重量％混合したものを６０重量％とり、
これにエチルセルロース３％ｔ−ブチルカルピトールに
溶解させたビークルω重量％加え、よく混練してけい光
体ペーストとした。このけい光体ペーストをスクリーン
印刷法により第３図に示す陽極導体４上に被着させ、本
発明のけい光表示管を作成した。
このけい光表示管と、ＷＯ３を添加しないけい光体を用
いた従来のけい光表示管の輝度及び高温放置特性を第１
表に示す。
いた従来のけい光表示管の輝度及び高温放置特性を第１
表に示す。
度及びその劣化率で示しである。また動作条件は、第３
図に示す゛構造で陽極及び制御電極電圧を１２ｖ１陰極
電圧１．７ｖとし、それぞれ１０個のけい光表示管につ
いて測定した。
図に示す゛構造で陽極及び制御電極電圧を１２ｖ１陰極
電圧１．７ｖとし、それぞれ１０個のけい光表示管につ
いて測定した。
第 １ 表
上表から明らかなように、本発明によるけい光表示管は
、従来のけい光表示管と比べて輝度の大幅な向上がみら
れ、また輝度のばらつ咎も少なくなっている。さらに高
温放置特性の大幅な改善がみられる。
、従来のけい光表示管と比べて輝度の大幅な向上がみら
れ、また輝度のばらつ咎も少なくなっている。さらに高
温放置特性の大幅な改善がみられる。
実施例２
パラタングステン酸アｙモン１２０吋を純水〃に溶解し
、これにけい光体２０ｆを加えよく混合、攪拌しながら
イソプロピルアルコールを１３０ｃ、ｃ加え、けい光体
表面にパラタングステン酸アンモンを析出させる。この
けい光体をろ過して集め、乾燥、焼成してけい光体表面
にＷＯ３を主体とした物質を被覆する。
、これにけい光体２０ｆを加えよく混合、攪拌しながら
イソプロピルアルコールを１３０ｃ、ｃ加え、けい光体
表面にパラタングステン酸アンモンを析出させる。この
けい光体をろ過して集め、乾燥、焼成してけい光体表面
にＷＯ３を主体とした物質を被覆する。
しかる後、このけい光体を用いてけい光表示管を作製し
、実施例１と同様の条件により輝度及び高温放置特性を
測定した結果を第２表に示す。
、実施例１と同様の条件により輝度及び高温放置特性を
測定した結果を第２表に示す。
第 ２ 表
実施例３
実施例２におけるパラタングステン酸アンモンにかえて
、バラモリブデン酸アンモンを用い、実施例２と同様に
けい光体表面にＭｏＯ３を主体とした物質を被覆した。
、バラモリブデン酸アンモンを用い、実施例２と同様に
けい光体表面にＭｏＯ３を主体とした物質を被覆した。
そして、このけい光体を用いてけい光表示管を作製し、
第２表に示すとほぼ同様の結果が得られた。
第２表に示すとほぼ同様の結果が得られた。
さらに、上述した各実施例では、温度特性として高温放
置特性についてのみ示したが、高温動作特性についても
従来のけい光表示管に比し良好な結果が得られている。
置特性についてのみ示したが、高温動作特性についても
従来のけい光表示管に比し良好な結果が得られている。
またＶ及びその酸化物をＺｎＯ： Ｚｎけい光体に添加
した場合も、Ｗ、Ｍｏ及びその酸化物を添加した場合と
ほぼ同様の結果が得られている。
した場合も、Ｗ、Ｍｏ及びその酸化物を添加した場合と
ほぼ同様の結果が得られている。
ところで、上述した実施例では、本発明の低速電子線用
けい光体をけい光表示管に適用し九例について述べてい
るが１本発明のけい光体は、その他の表示装置、例えば
グツズｉ表示装置などのように、生成されたガスプラズ
マ中において低速電子線が発生する表示装置等に用いて
、カラー表示を行わせるような場合にも適用できるもの
である。
けい光体をけい光表示管に適用し九例について述べてい
るが１本発明のけい光体は、その他の表示装置、例えば
グツズｉ表示装置などのように、生成されたガスプラズ
マ中において低速電子線が発生する表示装置等に用いて
、カラー表示を行わせるような場合にも適用できるもの
である。
そのほか本発明は、上記し、かつ図面に示した実施例に
限定されることなく、その要旨を変更しない範囲で種々
変形して実施できるものである。
限定されることなく、その要旨を変更しない範囲で種々
変形して実施できるものである。
以上述べたように、本発明による低速電子線用けい光体
はｓ ＺｎＯ： Ｚｎけい光体にＷ 、 Ｍｏ 、 Ｖ
及びこれらの酸化物のうち、少なくともいずれか一種を
含む物質を添加した組成になるものである。しかして、
ＺｎＯ： Ｚｎけい光体に添加したＷ等の物質が、けい
光体表面の清浄化作用をなすものと考えられ、これによ
り発光輝度が大幅に向上し、また輝度のばらつ西も少な
くなるとともに、高温時における温度特性も大幅に改善
されるなど、多大の効果が得られるものである。
はｓ ＺｎＯ： Ｚｎけい光体にＷ 、 Ｍｏ 、 Ｖ
及びこれらの酸化物のうち、少なくともいずれか一種を
含む物質を添加した組成になるものである。しかして、
ＺｎＯ： Ｚｎけい光体に添加したＷ等の物質が、けい
光体表面の清浄化作用をなすものと考えられ、これによ
り発光輝度が大幅に向上し、また輝度のばらつ西も少な
くなるとともに、高温時における温度特性も大幅に改善
されるなど、多大の効果が得られるものである。
しかして本発明による低速電子線用けい光体を用いてけ
い光表示管を作成すれば輝度特性や温度特性等にすぐれ
九表示装置が得られ、高照度下での使用や高温に曝され
るような環境での使用が可能となり、けい光表示管の応
用分野を拡大する上から、得られる効果はきわめて大で
ある。
い光表示管を作成すれば輝度特性や温度特性等にすぐれ
九表示装置が得られ、高照度下での使用や高温に曝され
るような環境での使用が可能となり、けい光表示管の応
用分野を拡大する上から、得られる効果はきわめて大で
ある。
第１図（ａ）〜（ｃ）及び第２図は、本発明による低速
電子線用けい光体の製造方法を説明するための図、第３
図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明によるけい光表示管の
構造例を示す要部平面図及び要部拡大断面図である。 Ｐ ＝＝・ＺｎＯ： Ｚｎけい光体 Ｓｌ−・・・・Ｗ
Ｏ３の皮膜８２〜Ｓ、・・・−ＷＯ３の粉末 ４ ・
・・・・・陽極導体５・・・・・・けい光体層
９・・・・−・陰極特許出願人 双葉電子工業株式会
社 第 １ 図 （Ｃ） 第 ３ 図 （０） （１）） ０ 手 続 補 正 書（自発） 特計庁長官 島 １）春 樹 殿 １ 事件の表示 昭和５６年特許願第１３８２０２号 ２ 発明の名称 低速電子線用けい光体及びけい光表示管３ 補正を゛す
る者 事件との関係 特許出願人 双葉電子工業株式会社 ４代理人〒１０５ 電話 （５９１）３７７３ ５ 補正命令の日付 自 発 ６ 補正により増加する発明の数 ０ ７ 補正の対象 明細書 ８、補正の内容 （１１第８頁第１４行目、同頁第１７行目及び第４行目
ｒ Ｏ，５Ｊとあるを、ｒ Ｏ，３Ｊに訂正する。 （２）第９頁第１４行目から第１５行目「効果が得られ
るので、使用目的によっては適用可能である。」とある
を、［効果が得られる。また、前述したように、ＷＯｓ
の添加量を多くしてゆくと、けい光体粒子表面が暗色化
してゆくので、この性質を利用すれば、コントラストの
改善を図ることが可能となる。 すなわち、ＷＯ３の添加量を、発光輝度が大きく劣化し
ない範囲、一般に５０重量％以下の範囲で条目に選定し
、けい光体表面を暗色化する。 そして、けい光体層が配設される基板部表面の色彩をけ
い光体表面と同様に暗色化しておけば。 発光しないけい光体層部分は、周囲の色彩に埋れ、しか
も暗色化されているので観察者の眼に認識されることは
ない。したがって発光するけい光体層とのコントラスト
を大きくとれ、視認性の改善が図れる。 このように、ＷＯ３を多量に添加することによって多少
発光輝度が低下しても、使用目的によっては適用可能で
ある。」に訂正する。 （３）第１０頁第１６行目から１７行目「陽極導体４を
積層する。」の後に下記の文言を補充する。 「この場合、前述したようにけい光体にＷＯ３を５０重
量％以下で多量に添加して、コントラストの改善を図ろ
うとするならば、前記絶縁層３に対しても適宜な顔料を
混合して、暗色化しておく必要がある。」 （４）第１２頁第１５行目から第１６行目「前後におけ
る輝度及びその劣化率で示しである。」とあるを、「前
後における輝度の測定値及び高温放置後の初期に対する
輝度比（％）で示しである。」に訂正する。 （５）第１３頁の第１表を下記の通シに訂正する。 （６）第１４頁の第２表を下記の通シに訂正する。 （力 第１６頁第４行目「効果が得られるものである。 」の後に下記の文言を補充する。 「さらに、Ｗ等の物質の添加量によっては、けい光体の
表面を暗色化できるので、コントラストを改善する上か
らも効果的である。」＋８＋ｒ２、特許請求の範囲」を
下記の通υに訂正する。 「２、特許請求の範囲 （１）低速電子線の射突により励起発光するＺｎＯ：Ｚ
ｎけい光体に、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ及びこれらの酸化物から選
ばれた少なくとも一種を含む物質を添加したことを特徴
とする低速電子線用けい光体。 （２） 前％ＱＷ、Ｍｏ、Ｖ及びこれらの酸化物から
選ばれた少なくとも一種を含む物質が、ＺｎＯ：Ｚｎけ
い光体に対して帆１重量％〜５０重量％添加されてなる
特許請求の範囲第１項記載の低速電子線用けい光体。 に３） 上面にけい光体層の被着された陽極に、フィ
ラメント状の陰極から放出された電子を射突させて、前
記けい光体層を励起発光させ表示を得るけい光表示管に
おいて、前記けい光体層が、低速電子線の射突によシ励
起発光するＺｎＯ：Ｚｎけい光体に、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ及び
これら酸化物から選ばれた少なくとも一種を含む物質を
添加した低速電子線用けい光体からなることを特徴とす
るけい光表示管。 選ばれた少なくとも一種を含む物質が、ＺｎＯ：Ｚｎけ
い光体に対して０．１重量％〜５０重量％添加されてな
る特許請求の範囲第３項記載のけい光表示管。 （５）前記けい光体層が、暗色化された基板部上に配設
された構成になる特許請求の範囲第３項又は第４項記載
のけい光表示管。」
電子線用けい光体の製造方法を説明するための図、第３
図（ａ） 、 （ｂ）は、本発明によるけい光表示管の
構造例を示す要部平面図及び要部拡大断面図である。 Ｐ ＝＝・ＺｎＯ： Ｚｎけい光体 Ｓｌ−・・・・Ｗ
Ｏ３の皮膜８２〜Ｓ、・・・−ＷＯ３の粉末 ４ ・
・・・・・陽極導体５・・・・・・けい光体層
９・・・・−・陰極特許出願人 双葉電子工業株式会
社 第 １ 図 （Ｃ） 第 ３ 図 （０） （１）） ０ 手 続 補 正 書（自発） 特計庁長官 島 １）春 樹 殿 １ 事件の表示 昭和５６年特許願第１３８２０２号 ２ 発明の名称 低速電子線用けい光体及びけい光表示管３ 補正を゛す
る者 事件との関係 特許出願人 双葉電子工業株式会社 ４代理人〒１０５ 電話 （５９１）３７７３ ５ 補正命令の日付 自 発 ６ 補正により増加する発明の数 ０ ７ 補正の対象 明細書 ８、補正の内容 （１１第８頁第１４行目、同頁第１７行目及び第４行目
ｒ Ｏ，５Ｊとあるを、ｒ Ｏ，３Ｊに訂正する。 （２）第９頁第１４行目から第１５行目「効果が得られ
るので、使用目的によっては適用可能である。」とある
を、［効果が得られる。また、前述したように、ＷＯｓ
の添加量を多くしてゆくと、けい光体粒子表面が暗色化
してゆくので、この性質を利用すれば、コントラストの
改善を図ることが可能となる。 すなわち、ＷＯ３の添加量を、発光輝度が大きく劣化し
ない範囲、一般に５０重量％以下の範囲で条目に選定し
、けい光体表面を暗色化する。 そして、けい光体層が配設される基板部表面の色彩をけ
い光体表面と同様に暗色化しておけば。 発光しないけい光体層部分は、周囲の色彩に埋れ、しか
も暗色化されているので観察者の眼に認識されることは
ない。したがって発光するけい光体層とのコントラスト
を大きくとれ、視認性の改善が図れる。 このように、ＷＯ３を多量に添加することによって多少
発光輝度が低下しても、使用目的によっては適用可能で
ある。」に訂正する。 （３）第１０頁第１６行目から１７行目「陽極導体４を
積層する。」の後に下記の文言を補充する。 「この場合、前述したようにけい光体にＷＯ３を５０重
量％以下で多量に添加して、コントラストの改善を図ろ
うとするならば、前記絶縁層３に対しても適宜な顔料を
混合して、暗色化しておく必要がある。」 （４）第１２頁第１５行目から第１６行目「前後におけ
る輝度及びその劣化率で示しである。」とあるを、「前
後における輝度の測定値及び高温放置後の初期に対する
輝度比（％）で示しである。」に訂正する。 （５）第１３頁の第１表を下記の通シに訂正する。 （６）第１４頁の第２表を下記の通シに訂正する。 （力 第１６頁第４行目「効果が得られるものである。 」の後に下記の文言を補充する。 「さらに、Ｗ等の物質の添加量によっては、けい光体の
表面を暗色化できるので、コントラストを改善する上か
らも効果的である。」＋８＋ｒ２、特許請求の範囲」を
下記の通υに訂正する。 「２、特許請求の範囲 （１）低速電子線の射突により励起発光するＺｎＯ：Ｚ
ｎけい光体に、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ及びこれらの酸化物から選
ばれた少なくとも一種を含む物質を添加したことを特徴
とする低速電子線用けい光体。 （２） 前％ＱＷ、Ｍｏ、Ｖ及びこれらの酸化物から
選ばれた少なくとも一種を含む物質が、ＺｎＯ：Ｚｎけ
い光体に対して帆１重量％〜５０重量％添加されてなる
特許請求の範囲第１項記載の低速電子線用けい光体。 に３） 上面にけい光体層の被着された陽極に、フィ
ラメント状の陰極から放出された電子を射突させて、前
記けい光体層を励起発光させ表示を得るけい光表示管に
おいて、前記けい光体層が、低速電子線の射突によシ励
起発光するＺｎＯ：Ｚｎけい光体に、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ及び
これら酸化物から選ばれた少なくとも一種を含む物質を
添加した低速電子線用けい光体からなることを特徴とす
るけい光表示管。 選ばれた少なくとも一種を含む物質が、ＺｎＯ：Ｚｎけ
い光体に対して０．１重量％〜５０重量％添加されてな
る特許請求の範囲第３項記載のけい光表示管。 （５）前記けい光体層が、暗色化された基板部上に配設
された構成になる特許請求の範囲第３項又は第４項記載
のけい光表示管。」
Claims (4)
- （１）低速電子線の射突により励起発光するＺｎＯ：ｚ
ｎけい光体に、Ｗ 、Ｍｏ 、 Ｖ及びこれらの酸化物
から選ばれ九少なくとも一種を含む物質を添加し九こと
を特徴とする低速電子線用けい光体。 - （２）前記Ｗ 、Ｍｏ 、 Ｖ及びこれらの酸化物から
選ばれた少なくとも一種を含む物質が、ＺｎＯ：Ｚｎけ
い光体に対して０．１重量％〜聞重量％添加されてなる
特許請求の範囲第１項記載の低速電子線用けい光体。 - （３）上面にけい光体層の被着され九陽極に、フィラメ
ント状の陰極から放出された電子を射突させて、前記け
い光体層を励起発光させ表示を得るけい光表示管におい
て、前記けい光体層が、低速電子線の射突によシ励起発
光するＺｎ Ｏ＊ Ｚｎけい光体に、Ｗ 、Ｍｏ 、
Ｖ及びこれら酸化物から選ばれた少なくとも一種を含む
物質を添加した低速電子線用けい光体からなることを特
徴とするけい光表示管。 - （４）前記Ｗ 、Ｍｏ 、 Ｖ及びこれらの酸化物から
選ばれた少なくとも一種を含む物質が％ Ｚ ｎ Ｏ：
Ｚ ｎけい光体に対して０．１１重量−〜閃重量嗟添
加されてなる特許請求の範囲第３項記載のけい光表示管
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138202A JPS5840746A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | けい光表示管とその製造方法 |
| US06/407,948 US4468589A (en) | 1981-09-01 | 1982-08-13 | Low speed electron excited fluorescent material and fluorescent display tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56138202A JPS5840746A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | けい光表示管とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5840746A true JPS5840746A (ja) | 1983-03-09 |
| JPH039580B2 JPH039580B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15216461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56138202A Granted JPS5840746A (ja) | 1981-09-01 | 1981-09-01 | けい光表示管とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4468589A (ja) |
| JP (1) | JPS5840746A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4661743A (en) * | 1983-02-22 | 1987-04-28 | Nec Corporation | Fluorescent display tubes and method of manufacturing the same |
| US4788472A (en) * | 1984-12-13 | 1988-11-29 | Nec Corporation | Fluoroescent display panel having indirectly-heated cathode |
| JPS6247050U (ja) * | 1985-09-10 | 1987-03-23 | ||
| JPH04178489A (ja) * | 1990-11-09 | 1992-06-25 | Nec Kagoshima Ltd | 蛍光表示管 |
| TW420964B (en) * | 1998-02-25 | 2001-02-01 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescence display substrate, method of manufacturing it and organic electroluminescent display element |
| JP3825431B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2006-09-27 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光表示管 |
| KR20050113900A (ko) * | 2004-05-31 | 2005-12-05 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 및 이의 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2921201A (en) * | 1955-12-15 | 1960-01-12 | Int Standard Electric Corp | Fluorescent screen for electron-ray tubes operating at low voltage |
| US3846662A (en) * | 1970-06-22 | 1974-11-05 | Gen Electric | Alpha-numberic display type electron discharge device |
| JPS5716157U (ja) * | 1980-06-24 | 1982-01-27 |
-
1981
- 1981-09-01 JP JP56138202A patent/JPS5840746A/ja active Granted
-
1982
- 1982-08-13 US US06/407,948 patent/US4468589A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4468589A (en) | 1984-08-28 |
| JPH039580B2 (ja) | 1991-02-08 |
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