JPH11172240A - 発光組成物および蛍光表示管 - Google Patents
発光組成物および蛍光表示管Info
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- JPH11172240A JPH11172240A JP34117897A JP34117897A JPH11172240A JP H11172240 A JPH11172240 A JP H11172240A JP 34117897 A JP34117897 A JP 34117897A JP 34117897 A JP34117897 A JP 34117897A JP H11172240 A JPH11172240 A JP H11172240A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 輝度を落とすことなく、蛍光表示管の陽極等
に対して強力に付着させる。 【解決手段】 発光組成物を、蛍光体とひげ結晶とから
形成する。また、蛍光表示管にこのような発光組成物を
用いる。
に対して強力に付着させる。 【解決手段】 発光組成物を、蛍光体とひげ結晶とから
形成する。また、蛍光表示管にこのような発光組成物を
用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子の衝突によっ
て発光光を生じる発光組成物および蛍光表示管に関する
ものである。
て発光光を生じる発光組成物および蛍光表示管に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、自動車用の計器、ラジオ、ステレ
オ等においては、電子表示デバイスの一つである蛍光表
示管が用いられている。この蛍光表示管とは、蛍光体の
付着された陽極と、この陽極と対向した位置にある陰極
とが真空ガラス容器内に設置され、陰極から照射した電
子をこの蛍光体に衝突させることによって発光光を得る
ものである。
オ等においては、電子表示デバイスの一つである蛍光表
示管が用いられている。この蛍光表示管とは、蛍光体の
付着された陽極と、この陽極と対向した位置にある陰極
とが真空ガラス容器内に設置され、陰極から照射した電
子をこの蛍光体に衝突させることによって発光光を得る
ものである。
【０００３】さて、このような蛍光表示管で使用されて
いる蛍光体のうち、特に低速電子線励起蛍光体として
は、従来より主に酸化物系蛍光体と硫化物系蛍光体との
２種類の組成からなるものが用いられている。次に、こ
れら２種類の蛍光体の性質の違いについて説明する。
いる蛍光体のうち、特に低速電子線励起蛍光体として
は、従来より主に酸化物系蛍光体と硫化物系蛍光体との
２種類の組成からなるものが用いられている。次に、こ
れら２種類の蛍光体の性質の違いについて説明する。
【０００４】一般的に、酸化物は化学的に安定している
ため、下地の陽極材料と反応しにくいという性質があ
る。そのため、酸化物系蛍光体は、陽極に対する付着力
が弱く、衝撃等が加わると容易に剥離してしまう問題点
がある。特に、蛍光表示管の製造時においては、脱バイ
ンダー工程（蛍光体をペースト化する際に添加した有機
バインダーを燃焼・飛散させる工程）における軽い焼結
（凝集）により、蛍光体同士に収縮応力が発生するた
め、衝撃等が加わると陽極との界面から鱗片状に剥がれ
てしまう。
ため、下地の陽極材料と反応しにくいという性質があ
る。そのため、酸化物系蛍光体は、陽極に対する付着力
が弱く、衝撃等が加わると容易に剥離してしまう問題点
がある。特に、蛍光表示管の製造時においては、脱バイ
ンダー工程（蛍光体をペースト化する際に添加した有機
バインダーを燃焼・飛散させる工程）における軽い焼結
（凝集）により、蛍光体同士に収縮応力が発生するた
め、衝撃等が加わると陽極との界面から鱗片状に剥がれ
てしまう。
【０００５】それに対して、ＺｎＳや（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ
等の硫化物は、基本的に管球化工程における熱処理でＳ
が脱離し易く、化学量論的に不安定な組成物になりやす
い。そのため、反応性という観点からすると硫化物の方
が酸化物よりも高く、蛍光体粒子同士のみならず下地の
陽極材料との付着力も強力である。したがって、このよ
うな硫化物系蛍光体は、酸化物系蛍光体のときのように
鱗片状に大きく剥がれてしまうことはなく、部分的に削
られるようにして剥離する程度である。また、落下衝撃
高さも酸化物系蛍光体に比べて２０〜３０ｃｍ高いもの
となる。
等の硫化物は、基本的に管球化工程における熱処理でＳ
が脱離し易く、化学量論的に不安定な組成物になりやす
い。そのため、反応性という観点からすると硫化物の方
が酸化物よりも高く、蛍光体粒子同士のみならず下地の
陽極材料との付着力も強力である。したがって、このよ
うな硫化物系蛍光体は、酸化物系蛍光体のときのように
鱗片状に大きく剥がれてしまうことはなく、部分的に削
られるようにして剥離する程度である。また、落下衝撃
高さも酸化物系蛍光体に比べて２０〜３０ｃｍ高いもの
となる。
【０００６】また、以上のような酸化物系蛍光体と硫化
物系蛍光体とにおける付着力の差は、通常用いられるカ
ーボン陽極のみならず、Ａｌ薄膜やＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）薄膜陽極上においても、酸化物系蛍光体の方が
付着力が弱いことがわかっている。特に、従来のフリッ
トガラス（ＰｂＯ系低融点ガラス）を含有したカーボン
電極に代わって登場したフリットレスカーボン電極にお
いては、管球化工程でフリットガラスによるカソード能
力の劣化を避けるためにその組成中からフリットガラス
を完全に除去しており、上記付着力の低下は顕著なもの
である。
物系蛍光体とにおける付着力の差は、通常用いられるカ
ーボン陽極のみならず、Ａｌ薄膜やＩＴＯ（Indium Tin
Oxide）薄膜陽極上においても、酸化物系蛍光体の方が
付着力が弱いことがわかっている。特に、従来のフリッ
トガラス（ＰｂＯ系低融点ガラス）を含有したカーボン
電極に代わって登場したフリットレスカーボン電極にお
いては、管球化工程でフリットガラスによるカソード能
力の劣化を避けるためにその組成中からフリットガラス
を完全に除去しており、上記付着力の低下は顕著なもの
である。
【０００７】すなわち、フリットガラス（低融点ガラ
ス）は、カーボン粒子の結着剤（無機バインダー）とし
て使用されるだけでなく、蛍光体の付着力を高める効果
も同時に備えているため、フリットレスにすることによ
ってカソード能力を向上できるものの、蛍光体に対する
付着力は低下してしまうのである。
ス）は、カーボン粒子の結着剤（無機バインダー）とし
て使用されるだけでなく、蛍光体の付着力を高める効果
も同時に備えているため、フリットレスにすることによ
ってカソード能力を向上できるものの、蛍光体に対する
付着力は低下してしまうのである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の酸
化物系蛍光体等の発光組成物は、優れた発光特性を有す
るにもかかわらず陽極に対する付着力が弱く、衝撃等に
よって簡単に剥がれてしまうため、蛍光表示管への使用
が困難であるという問題点があった。本発明は、このよ
うな課題を解決するためのものであり、輝度を落とすこ
となく、蛍光表示管の陽極等に対して強力に付着させる
ことができる発光組成物および蛍光表示管を提供するこ
とを目的とする。
化物系蛍光体等の発光組成物は、優れた発光特性を有す
るにもかかわらず陽極に対する付着力が弱く、衝撃等に
よって簡単に剥がれてしまうため、蛍光表示管への使用
が困難であるという問題点があった。本発明は、このよ
うな課題を解決するためのものであり、輝度を落とすこ
となく、蛍光表示管の陽極等に対して強力に付着させる
ことができる発光組成物および蛍光表示管を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る発光組成物は、蛍光体とひげ結
晶とから形成されている。また、本発明に係る蛍光表示
管は、真空容器内に、発光組成物の付着された陽極と陰
極とが設置され、上記発光組成物に対して上記陰極から
照射された電子を衝突させることによって発光光を得る
蛍光表示管において、上記発光組成物が蛍光体とひげ結
晶とから形成されたものである。このように構成するこ
とにより、本発明は、ひげ結晶が蛍光体粒子同士の間に
入り込み、陽極等に対する付着力を向上させることがで
きる。
るために、本発明に係る発光組成物は、蛍光体とひげ結
晶とから形成されている。また、本発明に係る蛍光表示
管は、真空容器内に、発光組成物の付着された陽極と陰
極とが設置され、上記発光組成物に対して上記陰極から
照射された電子を衝突させることによって発光光を得る
蛍光表示管において、上記発光組成物が蛍光体とひげ結
晶とから形成されたものである。このように構成するこ
とにより、本発明は、ひげ結晶が蛍光体粒子同士の間に
入り込み、陽極等に対する付着力を向上させることがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一つの実施の形態
について図を用いて説明する。図１は本発明で使用され
る蛍光体の一例を示す顕微鏡写真であり、図２は本発明
で使用されるひげ結晶（以下、ウイスカーという）の一
例を示す顕微鏡写真である。これら両図は、いずれも５
０００倍に拡大された写真である。図１，２から明らか
なように、ウイスカーはその形状が針状で蛍光体よりも
細長く、またウイスカーのほとんどはその繊維長が蛍光
体の粒子径以下である。
について図を用いて説明する。図１は本発明で使用され
る蛍光体の一例を示す顕微鏡写真であり、図２は本発明
で使用されるひげ結晶（以下、ウイスカーという）の一
例を示す顕微鏡写真である。これら両図は、いずれも５
０００倍に拡大された写真である。図１，２から明らか
なように、ウイスカーはその形状が針状で蛍光体よりも
細長く、またウイスカーのほとんどはその繊維長が蛍光
体の粒子径以下である。
【００１１】ここで、ウイスカーの繊維長と剥離の発生
する高さおよび相対輝度との関係について説明する。現
在、実用的な蛍光体の粒子径は大体１〜１０μｍの範囲
にある。そして、ウイスカーの繊維長がこの粒子径より
も極端に長いと、付着力は低下するものと考えられる。
なぜなら、蛍光体の間に入り込んだウイスカーが焼結時
において蛍光体粒子同士の発生する応力を緩和するから
である。したがって、ウイスカーの蛍光体粒子中への分
散状態は、適度に蛍光体粒子間に針状粒子が入り込んだ
形状であることが望ましく、あまり繊維長が長すぎると
このような構造にならず、付着力を向上させることはで
きない。
する高さおよび相対輝度との関係について説明する。現
在、実用的な蛍光体の粒子径は大体１〜１０μｍの範囲
にある。そして、ウイスカーの繊維長がこの粒子径より
も極端に長いと、付着力は低下するものと考えられる。
なぜなら、蛍光体の間に入り込んだウイスカーが焼結時
において蛍光体粒子同士の発生する応力を緩和するから
である。したがって、ウイスカーの蛍光体粒子中への分
散状態は、適度に蛍光体粒子間に針状粒子が入り込んだ
形状であることが望ましく、あまり繊維長が長すぎると
このような構造にならず、付着力を向上させることはで
きない。
【００１２】また、絶縁性のウイスカーでも輝度レベル
は改善される。なぜなら、蛍光体粒子間にウイスカーが
充填されると電子線励起によって蛍光体で発生した熱
が、ウイスカーと蛍光体粒子によって形成された熱伝導
回路によって基板面に効率よく逃がされ、蛍光体の温度
消光特性が改善されることによるからである。
は改善される。なぜなら、蛍光体粒子間にウイスカーが
充填されると電子線励起によって蛍光体で発生した熱
が、ウイスカーと蛍光体粒子によって形成された熱伝導
回路によって基板面に効率よく逃がされ、蛍光体の温度
消光特性が改善されることによるからである。
【００１３】ここで、ウイスカーの繊維長と蛍光体の剥
がれの生じる高さとの関係についての具体的な数値を提
示する。表１は、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体（中央
粒径６μｍ）へのウイスカーの添加量を示す表である。
がれの生じる高さとの関係についての具体的な数値を提
示する。表１は、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体（中央
粒径６μｍ）へのウイスカーの添加量を示す表である。
【００１４】
【表１】 *1,*2：9Al2O3・2B2O3の短繊維長のものは、繊維長１１．３７μｍのウイスカ ーをボールミルを使って粉砕処理したものである。
【００１５】表１に示すように、ウイスカーが無添加の
ときは２０ｃｍの高さで剥離が生じるのに対して、繊維
長が１．６８μｍのＴｉＯ2 ウイスカーを添加すると剥
離の生じる高さは６５ｃｍとなり、その他の繊維長のと
きと比べて最も高いことがわかる。また、ウイスカーと
して9Al2O3・2B2O3 を用いたときは、繊維長が４．０１
μｍのときに最も剥離の生じる高さは高くなり、繊維長
を蛍光体の粒子径よりも長くすると無添加のときの高さ
と変わらないことがわかる。
ときは２０ｃｍの高さで剥離が生じるのに対して、繊維
長が１．６８μｍのＴｉＯ2 ウイスカーを添加すると剥
離の生じる高さは６５ｃｍとなり、その他の繊維長のと
きと比べて最も高いことがわかる。また、ウイスカーと
して9Al2O3・2B2O3 を用いたときは、繊維長が４．０１
μｍのときに最も剥離の生じる高さは高くなり、繊維長
を蛍光体の粒子径よりも長くすると無添加のときの高さ
と変わらないことがわかる。
【００１６】表２は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体（中央粒径４
μｍ）へのウイスカーの添加量を示す表である。
μｍ）へのウイスカーの添加量を示す表である。
【００１７】
【表２】 *1,*2：9Al2O3・2B2O3の短繊維長のものは、繊維長１１．３７μｍのウイスカ ーをボールミルを使って粉砕処理したものである。
【００１８】表２においては、表１で示したのと同様に
ウイスカーの組成によって剥離の生じる高さが変化して
いることがわかる。
ウイスカーの組成によって剥離の生じる高さが変化して
いることがわかる。
【００１９】次に、ウイスカーの添加量と輝度および剥
離の生じる高さとの関係について、実験結果をもとに説
明する。図３，４は、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体に
ＷＯ3とＩｎ2Ｏ3 とウイスカーを共添加したときのグラ
フである。また、図５，６は、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ
蛍光体にウイスカーを単独添加したときのグラフであ
る。
離の生じる高さとの関係について、実験結果をもとに説
明する。図３，４は、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体に
ＷＯ3とＩｎ2Ｏ3 とウイスカーを共添加したときのグラ
フである。また、図５，６は、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ
蛍光体にウイスカーを単独添加したときのグラフであ
る。
【００２０】図３，５に示すように、１ｗｔ％程度の少
量のウイスカーを添加した場合、無添加の場合よりも輝
度が向上していることがわかる。これは、ウイスカーの
添加によって熱伝導性が改善され、温度消光が緩和され
たものと思われる。しかし、１ｗｔ％を越えてさらに多
量のウイスカーを添加すると、非発光物の増加により、
結局輝度は低下してしまう。
量のウイスカーを添加した場合、無添加の場合よりも輝
度が向上していることがわかる。これは、ウイスカーの
添加によって熱伝導性が改善され、温度消光が緩和され
たものと思われる。しかし、１ｗｔ％を越えてさらに多
量のウイスカーを添加すると、非発光物の増加により、
結局輝度は低下してしまう。
【００２１】また、図４，６に示すように、９Ａｌ2Ｏ3
・２Ｂ2Ｏ3のウイスカーを添加したときはほとんど剥離
を生じる高さは変化しないが、ＴｉＯ2 のウイスカーを
添加すると飛躍的に剥離の高さも高くなっていることが
わかる。通常、実用上の信頼性に要する落下高さは、３
０ｃｍをクリアする必要があると考えられているが、両
図から明らかなように１ｗｔ％のウイスカーの添加によ
って４０ｃｍをクリアしており、要求特性は十分満足し
ている。
・２Ｂ2Ｏ3のウイスカーを添加したときはほとんど剥離
を生じる高さは変化しないが、ＴｉＯ2 のウイスカーを
添加すると飛躍的に剥離の高さも高くなっていることが
わかる。通常、実用上の信頼性に要する落下高さは、３
０ｃｍをクリアする必要があると考えられているが、両
図から明らかなように１ｗｔ％のウイスカーの添加によ
って４０ｃｍをクリアしており、要求特性は十分満足し
ている。
【００２２】なお、これらの効果はウイスカーの組成と
添加する蛍光体の物性によって異なるが、少なくとも白
色で繊維長が蛍光体の粒子径以下のものについては、何
らかの効果があるものと考えられる。したがって、実験
によって調べたＴｉＯ2 や９Ａｌ2Ｏ3・２Ｂ2Ｏ3以外に
も同様の条件に適合する組成物では、付着力の改善およ
び輝度の向上の何れかの効果があるものと考えられる。
添加する蛍光体の物性によって異なるが、少なくとも白
色で繊維長が蛍光体の粒子径以下のものについては、何
らかの効果があるものと考えられる。したがって、実験
によって調べたＴｉＯ2 や９Ａｌ2Ｏ3・２Ｂ2Ｏ3以外に
も同様の条件に適合する組成物では、付着力の改善およ
び輝度の向上の何れかの効果があるものと考えられる。
【００２３】例えば、炭化珪素、窒化珪素、チタン酸カ
リウム、塩基性硫酸マグネシウム、酸化亜鉛、グラファ
イト、マグネシア、硫酸カルシウム、Ｎａ2Ｃａ2Ｐ2Ｏ
18 、ホウ酸マグネシウム、二ホウ化チタン、α−アル
ミナ、クリソタイル、ワラストナイト等がある。
リウム、塩基性硫酸マグネシウム、酸化亜鉛、グラファ
イト、マグネシア、硫酸カルシウム、Ｎａ2Ｃａ2Ｐ2Ｏ
18 、ホウ酸マグネシウム、二ホウ化チタン、α−アル
ミナ、クリソタイル、ワラストナイト等がある。
【００２４】また、添加量が多くなると蛍光体の付着力
は増すものの、輝度低下も大きくなるので、１ｗｔ％程
度の添加量で十分要求特性は満足できると考えられる。
しかし、輝度の代わりに強い耐衝撃力を優先するような
用途においては、添加量をさらに増やしても良い。次
に、上記発光組成物を利用した蛍光表示管の実施例につ
いて説明する。
は増すものの、輝度低下も大きくなるので、１ｗｔ％程
度の添加量で十分要求特性は満足できると考えられる。
しかし、輝度の代わりに強い耐衝撃力を優先するような
用途においては、添加量をさらに増やしても良い。次
に、上記発光組成物を利用した蛍光表示管の実施例につ
いて説明する。
【００２５】
【実施例】［実施例１］図７は、蛍光表示管の実施例を
示す断面図である。同図に示すように、ガラス基板１上
にスクリーン印刷法により、Ａｇぺーストからなる配線
層２と低融点ガラスを主成分とする絶縁層３とを順次形
成した後、カーボン（グラファイト）とバインダービー
クルとを主成分とするカーボンペーストによって陽極層
４を形成した。そして、この陽極層４上にＺｎＯ：Ｚｎ
蛍光体にＴｉＯ2 ウイスカー（繊維長２．８６μｍ）を
１ｗｔ％混合したものをぺースト化して印刷し、約５０
０℃の下で焼成して蛍光体層５を形成した。
示す断面図である。同図に示すように、ガラス基板１上
にスクリーン印刷法により、Ａｇぺーストからなる配線
層２と低融点ガラスを主成分とする絶縁層３とを順次形
成した後、カーボン（グラファイト）とバインダービー
クルとを主成分とするカーボンペーストによって陽極層
４を形成した。そして、この陽極層４上にＺｎＯ：Ｚｎ
蛍光体にＴｉＯ2 ウイスカー（繊維長２．８６μｍ）を
１ｗｔ％混合したものをぺースト化して印刷し、約５０
０℃の下で焼成して蛍光体層５を形成した。
【００２６】さらにその後、グリッド６とカソード７と
をガラス基板１上に設け、フェースガラス８とガラス基
板１とを封着してガラス容器を形成してから、その内部
を真空排気することにより、蛍光表示管が作製される。
この蛍光表示管について実験をした結果、落下衝撃高さ
４０ｃｍをクリアし、実用上十分な信頼性を確保するこ
とができた。また、輝度レベルは、無添加の状態よりも
２８％向上した。
をガラス基板１上に設け、フェースガラス８とガラス基
板１とを封着してガラス容器を形成してから、その内部
を真空排気することにより、蛍光表示管が作製される。
この蛍光表示管について実験をした結果、落下衝撃高さ
４０ｃｍをクリアし、実用上十分な信頼性を確保するこ
とができた。また、輝度レベルは、無添加の状態よりも
２８％向上した。
【００２７】［実施例２］上記実施例１の蛍光面として
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に、１ｗｔ％のＴｉＯ2 ウイスカー
（繊維長２．８６μｍ）と１ｗｔ％のＷＯ3 とを添加し
て蛍光体層５を形成し、以下実施例１と同様にして蛍光
表示管を作製した。この蛍光表示管は、落下衝撃高さ５
０ｃｍをクリアする上に、発光特性を無添加のＺｎＯ：
Ｚｎ蛍光体と比べて約６６％改善させることができた。
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に、１ｗｔ％のＴｉＯ2 ウイスカー
（繊維長２．８６μｍ）と１ｗｔ％のＷＯ3 とを添加し
て蛍光体層５を形成し、以下実施例１と同様にして蛍光
表示管を作製した。この蛍光表示管は、落下衝撃高さ５
０ｃｍをクリアする上に、発光特性を無添加のＺｎＯ：
Ｚｎ蛍光体と比べて約６６％改善させることができた。
【００２８】［実施例３］上記の実施例１の蛍光面とし
て（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体に、１ｗｔ％のＴｉＯ
2ウイスカー（繊維長２．８６μｍ）と１ｗｔ％のＷＯ
3 と１ｗｔ％のＩｎ2Ｏ3 とを添加して蛍光体層５を形
成し、以下上記と同様にして蛍光表示管を作製した。こ
の蛍光表示管は、落下衝撃高さ４５ｃｍをクリアする上
に、発光特性を無添加の状態と比べて約３４０％改善さ
せることができた。
て（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体に、１ｗｔ％のＴｉＯ
2ウイスカー（繊維長２．８６μｍ）と１ｗｔ％のＷＯ
3 と１ｗｔ％のＩｎ2Ｏ3 とを添加して蛍光体層５を形
成し、以下上記と同様にして蛍光表示管を作製した。こ
の蛍光表示管は、落下衝撃高さ４５ｃｍをクリアする上
に、発光特性を無添加の状態と比べて約３４０％改善さ
せることができた。
【００２９】［実施例４］図８は、蛍光表示管の実施例
を示す断面図である。上記実施例１におけるＡｇからな
る配線層２とカーボン（グラファイト）からなる陽極層
４の代わりに、Ａｌからなる配線層２ａとＡｌ薄膜のフ
ォトエッチングによる透光性の陽極層４ａとを形成し、
以下上記と同様にして蛍光表示管を作製した。この蛍光
表示管は、Ａｌ薄膜からなる陽極層４ａ上でも落下衝撃
高さ３５ｃｍをクリアすることができ、優れた付着カの
改善効果が得られた。また、輝度レベルは無添加の状態
よりも１７％向上した。
を示す断面図である。上記実施例１におけるＡｇからな
る配線層２とカーボン（グラファイト）からなる陽極層
４の代わりに、Ａｌからなる配線層２ａとＡｌ薄膜のフ
ォトエッチングによる透光性の陽極層４ａとを形成し、
以下上記と同様にして蛍光表示管を作製した。この蛍光
表示管は、Ａｌ薄膜からなる陽極層４ａ上でも落下衝撃
高さ３５ｃｍをクリアすることができ、優れた付着カの
改善効果が得られた。また、輝度レベルは無添加の状態
よりも１７％向上した。
【００３０】［実施例５］図９は、蛍光表示管の実施例
を示す断面図である。上記実施例１のＡｇからなる配線
層２とカーボン（グラファイト）からなる陽極層４の代
わりに、ＩＴＯ薄膜からなる配線層２ｂと透光性の陽極
層４ｂとを形成し、以下上記と同様にして蛍光表示管を
作製した。この蛍光表示管は、ＩＴＯ薄膜からなる陽極
層４ｂ上でも落下衝撃高さ３０ｃｍをクリアすることが
でき、優れた付着力の改善効果が得られた。また、輝度
レベルは無添加の状態よりも８％向上した。
を示す断面図である。上記実施例１のＡｇからなる配線
層２とカーボン（グラファイト）からなる陽極層４の代
わりに、ＩＴＯ薄膜からなる配線層２ｂと透光性の陽極
層４ｂとを形成し、以下上記と同様にして蛍光表示管を
作製した。この蛍光表示管は、ＩＴＯ薄膜からなる陽極
層４ｂ上でも落下衝撃高さ３０ｃｍをクリアすることが
でき、優れた付着力の改善効果が得られた。また、輝度
レベルは無添加の状態よりも８％向上した。
【００３１】［実施例６］上記実施例１の蛍光体層５と
してＺｎＧａ2Ｏ4：Ｍｎ蛍光体に１０ｗｔ％のＩｎ2Ｏ3
と１ｗｔ％のＴｉＯ2 ウイスカー（繊維長２．８６μ
ｍ）とを添加して蛍光体層５を形成し、以下上記と同様
にして蛍光表示管を作製した。この蛍光表示管は、落下
衝撃高さ６０ｃｍをクリアする上に、無添加のＺｎＧａ
2Ｏ4：Ｍｎ蛍光体と比べて輝度レベルを約１６％改善さ
せることができた。
してＺｎＧａ2Ｏ4：Ｍｎ蛍光体に１０ｗｔ％のＩｎ2Ｏ3
と１ｗｔ％のＴｉＯ2 ウイスカー（繊維長２．８６μ
ｍ）とを添加して蛍光体層５を形成し、以下上記と同様
にして蛍光表示管を作製した。この蛍光表示管は、落下
衝撃高さ６０ｃｍをクリアする上に、無添加のＺｎＧａ
2Ｏ4：Ｍｎ蛍光体と比べて輝度レベルを約１６％改善さ
せることができた。
【００３２】［実施例７］上記実施例１の蛍光体層５と
して（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体とボールミルによっ
て粉砕処理した１ｗｔ％の９Ａｌ2Ｏ3・２Ｂ2Ｏ3ウイス
カー（繊維長４．０１μｍ）とを添加して蛍光体層５を
形成し、以下上記と同様にして蛍光表示管を作製した。
この蛍光表示管は、落下衝撃高さ３０ｃｍをクリアする
上に、無添加の（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体のと比べ
て輝度レベルを約５９％向上させることができた。
して（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体とボールミルによっ
て粉砕処理した１ｗｔ％の９Ａｌ2Ｏ3・２Ｂ2Ｏ3ウイス
カー（繊維長４．０１μｍ）とを添加して蛍光体層５を
形成し、以下上記と同様にして蛍光表示管を作製した。
この蛍光表示管は、落下衝撃高さ３０ｃｍをクリアする
上に、無添加の（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体のと比べ
て輝度レベルを約５９％向上させることができた。
【００３３】なお、以上の結果は、実施例の一部を示す
ものであって、これら以外のＺｎＧａ2Ｏ4、Ｙ2Ｏ3、Ｚ
ｎ2ＳｉＯ4、Ｙ2ＳｉＯ5 、ＳｒＴｉＯ3、Ｙ3ＡｌＯ12
等の酸化物を母体とする蛍光体に対しても、本発明は同
様に有効である。この場合のアクチベータの種類として
は、Ｚｎ，Ｍｎ，Ｔｂ，Ｅｒ，Ｐｒ等がある。また、こ
れらの蛍光体にＩｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ等を添加し
て導電処理したものや、ＷＯ3等の発光特性改善の為の
添加剤を添加したものも有効である。さらに、陽極材料
としては、フリットレスカーボン陽極に限らず、Ａｌ薄
膜やＩＴＯ薄膜などの材料でも有効であり、付着力およ
び発光特性の改善が得られる。
ものであって、これら以外のＺｎＧａ2Ｏ4、Ｙ2Ｏ3、Ｚ
ｎ2ＳｉＯ4、Ｙ2ＳｉＯ5 、ＳｒＴｉＯ3、Ｙ3ＡｌＯ12
等の酸化物を母体とする蛍光体に対しても、本発明は同
様に有効である。この場合のアクチベータの種類として
は、Ｚｎ，Ｍｎ，Ｔｂ，Ｅｒ，Ｐｒ等がある。また、こ
れらの蛍光体にＩｎ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ等を添加し
て導電処理したものや、ＷＯ3等の発光特性改善の為の
添加剤を添加したものも有効である。さらに、陽極材料
としては、フリットレスカーボン陽極に限らず、Ａｌ薄
膜やＩＴＯ薄膜などの材料でも有効であり、付着力およ
び発光特性の改善が得られる。
【００３４】一方、ウイスカーの添加量は１ｗｔ％程度
が付着カの向上と輝度レベルの確保の点で適している
が、多少輝度を犠牲にしても付着力を強くしたい用途に
おいては、添加量を３ｗｔ％程度まで増加してやっても
よい。また、輝度向上の目的のみに添加する場合におい
ては、最少で０．１ｗｔ％程度から効果が認められるの
で、ウイスカーの添加によって何らかの効果が認められ
る範囲は、重量比で０．１〜３．０％の範囲と考える。
また、本発明に係る発光組成物を、蛍光表示管だけでな
く画像管等の高圧の陰極線管に用いた場合も効果的であ
ることは明らかである。
が付着カの向上と輝度レベルの確保の点で適している
が、多少輝度を犠牲にしても付着力を強くしたい用途に
おいては、添加量を３ｗｔ％程度まで増加してやっても
よい。また、輝度向上の目的のみに添加する場合におい
ては、最少で０．１ｗｔ％程度から効果が認められるの
で、ウイスカーの添加によって何らかの効果が認められ
る範囲は、重量比で０．１〜３．０％の範囲と考える。
また、本発明に係る発光組成物を、蛍光表示管だけでな
く画像管等の高圧の陰極線管に用いた場合も効果的であ
ることは明らかである。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、蛍光体に
ひげ結晶を添加したことにより、蛍光体の陽極に対する
付着力を飛躍的に高めることができる。一方、その添加
量は少量で済むため、発光特性に対する影響は非常に小
さく、輝度を下げることはほとんどない。
ひげ結晶を添加したことにより、蛍光体の陽極に対する
付着力を飛躍的に高めることができる。一方、その添加
量は少量で済むため、発光特性に対する影響は非常に小
さく、輝度を下げることはほとんどない。
【図１】 本発明に係る蛍光体の顕微鏡写真である。
【図２】 本発明に係るウイスカーの顕微鏡写真であ
る。
る。
【図３】 （Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体に、ＷＯ3と
Ｉｎ2Ｏ3 とウイスカーとを添加した際の、ウイスカー
の添加量と輝度との関係を示すグラフである。
Ｉｎ2Ｏ3 とウイスカーとを添加した際の、ウイスカー
の添加量と輝度との関係を示すグラフである。
【図４】 （Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体に、ＷＯ3と
Ｉｎ2Ｏ3 とウイスカーとを添加した際の、ウイスカー
の添加量と剥離の発生する高さとの関係を示すグラフで
ある。
Ｉｎ2Ｏ3 とウイスカーとを添加した際の、ウイスカー
の添加量と剥離の発生する高さとの関係を示すグラフで
ある。
【図５】 （Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体に、ウイスカ
ーを単独に添加した際の、ウイスカーの添加量と輝度と
の関係を示すグラフである。
ーを単独に添加した際の、ウイスカーの添加量と輝度と
の関係を示すグラフである。
【図６】 （Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ：Ｚｎ蛍光体に、ウイスカ
ーを単独に添加した際の、ウイスカーの添加量と剥離の
発生する高さとの関係を示すグラフである。
ーを単独に添加した際の、ウイスカーの添加量と剥離の
発生する高さとの関係を示すグラフである。
【図７】 蛍光表示管の実施例を示す断面図である。
【図８】 蛍光表示管の実施例を示す断面図である。
【図９】 蛍光表示管の実施例を示す断面図である。
１…ガラス基板、２，２ａ，２ｂ…配線層、３…絶縁
層、４…陽極、５…蛍光体層、６…グリッド、７…カソ
ード、８…フェースガラス。
層、４…陽極、５…蛍光体層、６…グリッド、７…カソ
ード、８…フェースガラス。
Claims (13)
- 【請求項１】 蛍光体とひげ結晶とから形成されている
ことを特徴とする発光組成物。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記蛍光体は、ＺｎＯ、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ、ＺｎＧａ2
Ｏ4、Ｙ2Ｏ3、Ｚｎ2ＳｉＯ4 、Ｙ2ＳｉＯ5 、ＳｒＴｉ
Ｏ3またはＹ3ＡｌＯ12 の何れか一つを母体とする酸化
物系蛍光体であることを特徴とする発光組成物。 - 【請求項３】 請求項１において、 前記ひげ結晶は、酸化チタンまたはホウ酸アルミニウム
の何れか一つを組成とすることを特徴とする発光組成
物。 - 【請求項４】 請求項１において、 重量比で０．１乃至３．０％の前記ひげ結晶が添加され
ていることを特徴とする発光組成物。 - 【請求項５】 請求項１において、 前記ひげ結晶は、その繊維長が前記蛍光体の粒子径以下
であることを特徴とする発光組成物。 - 【請求項６】 請求項１において、 前記ひげ結晶に加えてＷＯ3およびＩｎ2Ｏ3 の両方また
は何れか一方が添加されていることを特徴とする発光組
成物。 - 【請求項７】 真空容器内に、発光組成物の付着された
陽極と、陰極とが設置され、前記発光組成物に対して前
記陰極から照射された電子を衝突させることによって発
光光を得る蛍光表示管において、 前記発光組成物は、蛍光体とひげ結晶とから形成されて
いることを特徴とする蛍光表示管。 - 【請求項８】 請求項７において、 前記蛍光体は、ＺｎＯ、（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ、ＺｎＧａ2
Ｏ4、Ｙ2Ｏ3、Ｚｎ2ＳｉＯ4 、Ｙ2ＳｉＯ5 、ＳｒＴｉ
Ｏ3またはＹ3ＡｌＯ12 の何れか一つを母体とする酸化
物系蛍光体であることを特徴とする蛍光表示管。 - 【請求項９】 請求項７において、 前記ひげ結晶は、酸化チタンまたはホウ酸アルミニウム
の何れか一つを組成とすることを特徴とする蛍光表示
管。 - 【請求項１０】 請求項７において、 重量比で０．１乃至３．０％の前記ひげ結晶が添加され
ていることを特徴とする蛍光表示管。 - 【請求項１１】 請求項７において、 前記ひげ結晶は、その繊維長が前記蛍光体の粒子径以下
であることを特徴とする蛍光表示管。 - 【請求項１２】 請求項７において、 前記ひげ結晶に加えてＷＯ3およびＩｎ2Ｏ3 の両方また
は何れか一方が添加されていることを特徴とする蛍光表
示管。 - 【請求項１３】 請求項７において、 前記陽極は、フリットレスカーボン、アルミニウムまた
はＩＴＯによって形成されていることを特徴とする蛍光
表示管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34117897A JP3839571B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 発光組成物および蛍光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34117897A JP3839571B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 発光組成物および蛍光表示管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11172240A true JPH11172240A (ja) | 1999-06-29 |
| JP3839571B2 JP3839571B2 (ja) | 2006-11-01 |
Family
ID=18343963
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34117897A Expired - Fee Related JP3839571B2 (ja) | 1997-12-11 | 1997-12-11 | 発光組成物および蛍光表示管 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3839571B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002352727A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2003064357A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Futaba Corp | 蛍光体、蛍光体層の製造方法及び蛍光表示管 |
| WO2004027818A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Japan Science And Technology Agency | 光放射素子 |
| US7205711B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Futaba Corporation | Fluorescent display device and phosphor paste |
| KR100730122B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전도성 물질을 포함하는 이트륨계 형광체, 그의 제조방법및 이를 채용한 표시소자 |
| CN103311077A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 双叶电子工业株式会社 | 荧光发光装置及其荧光物质层形成方法 |
| CN113652232A (zh) * | 2021-09-22 | 2021-11-16 | 烟台希尔德材料科技有限公司 | 一种高折射率微晶修饰的荧光体化合物及其制备方法和组合物 |
-
1997
- 1997-12-11 JP JP34117897A patent/JP3839571B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4631213B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP2003064357A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Futaba Corp | 蛍光体、蛍光体層の製造方法及び蛍光表示管 |
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| US7537714B2 (en) | 2004-12-24 | 2009-05-26 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Yttrium based phosphors comprising conducting material, process for preparing the yttrium based phosphors and display device using the yttrium based phosphors |
| KR100730122B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전도성 물질을 포함하는 이트륨계 형광체, 그의 제조방법및 이를 채용한 표시소자 |
| CN103311077A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 双叶电子工业株式会社 | 荧光发光装置及其荧光物质层形成方法 |
| JP2013187067A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Futaba Corp | 蛍光発光装置と蛍光発光装置の蛍光体層の形成方法 |
| TWI493589B (zh) * | 2012-03-08 | 2015-07-21 | Futaba Denshi Kogyo Kk | 螢光發光裝置及其螢光物質層形成方法 |
| CN113652232A (zh) * | 2021-09-22 | 2021-11-16 | 烟台希尔德材料科技有限公司 | 一种高折射率微晶修饰的荧光体化合物及其制备方法和组合物 |
| CN113652232B (zh) * | 2021-09-22 | 2023-01-31 | 烟台希尔德材料科技有限公司 | 一种高折射率微晶修饰的荧光体化合物及其制备方法和组合物 |
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| JP3839571B2 (ja) | 2006-11-01 |
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