JP2002352727A

JP2002352727A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002352727A
Application number: JP2001158711A
Authority: JP
Inventors: Katsutoshi Shindo; 勝利真銅; Shigeyuki Okumura; 茂行奥村; Takatsugu Kurata; 隆次倉田; Akira Shiokawa; 塩川　　晃; Tetsuya Imai; 徹也今井; Koji Akiyama; 浩二秋山
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-05-28
Filing date: 2001-05-28
Publication date: 2002-12-06
Anticipated expiration: 2021-05-28
Also published as: JP4631213B2

Abstract

(57)【要約】【課題】書き込み期間による書き込み不良を低減し、
アドレス放電の安定な駆動を実現するプラズマディスプ
レイパネルを提供する。【解決手段】放電空間を介して対向する一対の基板の
内、少なくとも一方の基板上に導電性電極と蛍光体層を
順次積層した構造を有し、前記蛍光体層に不純物原子が
含まれたウィスカーが混合されていることを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネル、特に対向３電極面放電型ＡＣプラズマディス
プレイパネル及びその製造方法に関わり、動作特性の安
定化および低電圧化の改善を図るため、特に蛍光体層に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プラズマディスプレイパネルは、ガス放
電によって発生した紫外線によって蛍光体を励起発光さ
せ、画像表示するディスプレイである。その放電の形成
手法から交流（ＡＣ）型と直流（ＤＣ）型に分類するこ
とが出来る。ＡＣ型の特徴は、輝度、発光効率、寿命の
点でＤＣ型より優れている点である。さらに、ＡＣ型の
中でも反射型面放電タイプは輝度、発光効率の点で特に
際だっているため、このタイプが最も一般的である。

【０００３】従来の一例として、ＡＣ型プラズマディス
プレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）の概略を示す斜視
図を図２に示す。このように、ＰＤＰは、Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の各色を発光するセルが多数配列され
て構成されている。

【０００４】以下に、この構造及び動作について説明す
る。まず、フロントパネルＦＰ側から説明する。フロン
トパネルガラス２１（最も一般的にはガラス板が使用さ
れる）上に透明電極３４（ＩＴＯやＳｎＯ₂が使用され
る）が複数本形成されている。ただし、この透明電極３
４ではシート抵抗が高く、大型パネルにおいては全画素
に十分な電力を供給することが出来ないため、透明電極
３４上に銀の厚膜やアルミニウム薄膜やクロム／銅／ク
ロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）の積層薄膜によるバス電極３
５が形成されている。このバス電極３５によって、見か
け上透明電極３４のシート抵抗が下がる。これらの電極
上に透明な誘電体層２４（低融点ガラスが使用される）
および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層２５
が形成されている。誘電体層２４は、ＡＣ型プラズマデ
ィスプレイ特有の電流制限機能を有しており、ＤＣ型に
比べて長寿命にできる要因となっている。保護層２５
は、放電によって誘電体層２４がスパッタされて削られ
ないように保護するためのもので、耐スパッタ性に優
れ、高い２次電子放出係数（γ）を有して放電開始電圧
を低減する働きをもつ。

【０００５】もう一方のバックパネルＢＰ側について説
明する。バックパネルガラス２６上には画像データを書
き込むデータ電極２７、下地誘電体層３３、隔壁２８お
よび蛍光体層３０（Ｒ）、３１（Ｇ）、３２（Ｂ）が形
成されている。ここで、データ電極２７および隔壁２８
は、透明電極３４と互いに直交するよう配置されてお
り、また２本の隔壁２８で囲まれた空間でもって放電空
間２９を形成しており、放電空間２９内には放電ガスと
してネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスがお
よそ６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）の圧力で充填さ
れている。さらに隔壁２８、隣接する放電セル間を仕切
り、誤放電や光学的クロストークを防ぐ役割をしてい
る。

【０００６】この透明電極３４間に、数十ｋＨｚ〜数百
ｋＨｚのＡＣ電圧を印加して放電空間２９に放電を発生
させ、励起されたＸｅ原子からの紫外線によって蛍光体
層３０、３１、３２を励起し可視光を発生させて表示動
作を行う。

【０００７】次に、このパネルの電極配列図を図３に示
す。電極はｍ×ｎのマトリックス構成であり、列方向に
はｍ列のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍが配列されており、行方
向にはｎ行の走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎおよび維持電
極ＳＵＳ１〜ＳＵＳｎが配列されている。

【０００８】このパネルを駆動するための駆動方法の動
作駆動タイミング図を図４に示す。

【０００９】図４に示すように、１フィールド期間は、
少なくとも書き込み期間、維持期間を有する第１ないし
第ｎのサブフィールドで構成されており、各サブフィー
ルドでは、維持パルス数が異なり、このサブフィールド
の組み合わせで階調の表示を行うものである。１フィー
ルドの中には、初期化期間、または消去期間を有するサ
ブフィールドが少なくとも一つはあるものとする。一例
として、図４では、初期化期間と消去期間の両方の期間
を有するサブフィールドを一例として取り上げている。

【００１０】次に、各期間について説明する。

【００１１】まず図３の走査電極ＳＣＮ１〜ＳＣＮｎに
初期化パルスを印加し、パネルの放電セル内の壁電荷を
初期化する。次に、書き込み期間において、１行目の表
示を行うため、１行目の走査電極ＳＣＮ1に走査パルス
電圧を印加し、放電セルに対応するデータ電極群Ｄ１〜
Ｄｍに書き込みパルス電圧を印加し、データ電極群Ｄ１
〜Ｄｍと１行目の走査電極ＳＣＮ1との間に書き込み放
電（アドレス放電）を起こし、誘電体層表面に壁電荷を
蓄積し、１行目の書き込み動作（アドレス動作）を行
う。以上のような動作が順次行われ、Ｎ行目の書き込み
動作が終了し、１画面分の潜像が書き込まれる。次に維
持期間において、データ電極群Ｄ１〜Ｄｍを接地し、ま
ず全ての維持電極群ＳＵＳ1〜ＳＵＳｎに維持パルス電
圧を印加し、続いて全ての走査電極群ＳＣＮ1〜ＳＣＮ
ｎに維持パルス電圧を印加し、続いて交互にこの動作を
継続して維持パルス電圧を印加することにより、書き込
み期間において書き込み動作が行われた放電セルにおい
て維持放電の発光が継続して行われ、画面の表示が行わ
れる。その後、消去期間において、幅の狭い消去パルス
を印加することによって放電が発生し、壁電荷が消滅す
る為、消去動作が行われる。

【００１２】この様に、初期化期間、書き込み期間、維
持期間、消去期間という一連の駆動方法により画像表示
を行っている。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】プラズマディスプレイ
パネルの抱える問題の一つとして、書き込み期間におけ
る書き込み不良が挙げられる。つまり、書き込み期間に
おいて、データ電極に電圧パルスが印加されている時間
内に書き込み放電が起こらないことを意味する。これに
は、放電が形成されるまでの時間（以下、ｔｆと呼
ぶ）、及び放電の統計遅れ時間（以下、ｔｓと呼ぶ）と
電圧パルス幅との関係で決まってくる。例えば、テレビ
ジョン学会技術報告ｖｏl.１９、Ｎｏ.６６、１９５５
年、Ｐ５５〜６６には、パルス幅ｔ_pwに対して放電の発
生する確率Ｎ（ｔ_pw）／Ｎ₀は、Ｎ（ｔ_pw）／Ｎ₀＝１−ｅｘｐ（−（ｔ_pw−ｔｆ）／ｔｓ）（１）で与えられ、放電の起こりやすさは、（１）式からｔ
ｆ、ｔｓを小さくする必要がある。その中でもｔｓを小
さくすることは、特に有効である。

【００１４】ｔｓを小さくするには、印加される書き込
みパルス電圧を高くすることで効果があるが、高価な高
耐圧用出力ドライバーＩＣの使用や、データ電極駆動回
路の消費電力の上昇といった課題を有していた。

【００１５】特に、ＸＧＡパネルの駆動では、短い書き
込みパルス時間内に放電を終わらせることが必要であ
り、その為には、データ電極駆動電圧はＶＧＡ画面表示
の場合に比べて高くなるという課題があった。

【００１６】本発明は上記の課題を解決し、書き込み期
間による書き込み不良を低減し、アドレス放電の安定な
駆動を実現することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達するため、
請求項１の発明のプラズマディスプレイパネルは、放電
空間を介して対向する一対の基板の内、少なくとも一方
の基板上に導電性電極と蛍光体層を順次積層した構造を
有し、前記蛍光体層に不純物原子が含まれたウィスカー
が混合されていることを特徴とするものであり、初期化
期間及び消去期間下り傾斜電圧印加時に、不純物原子が
含まれたウィスカーによるイオンの二次電子放出（γ係
数）が促進され、放電の規模が大きくなり、プライミン
グによる放電の統計遅れ時間（ｔｓ）を小さくすること
ができる。

【００１８】請求項２の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、ウィスカーがＺｎＯまたはＴｉＯ₂またはＳｉ
Ｃを主成分とすることを特徴とする。

【００１９】請求項３の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、不純物原子が窒素イオンまたは金属であること
を特徴とする。

【００２０】請求項４の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、ウィスカーが０．１重量％以上６０重量％以下
含まれていることを特徴とする。

【００２１】請求項５の発明のプラズマディスプレイパ
ネルは、ウィスカーが針状またはテトラポット状または
メッシュ状であることを特徴とする。

【００２２】請求項６の発明のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法は、基板上に導電性電極を形成し、前記
導電性電極と平行に前記基板上に隔壁を形成し、前記隔
壁間にウィスカーと蛍光体粉末を混合し、インク吐出法
によって塗布することによって蛍光体層を形成すること
を特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明のいくつかの実施形
態を添付の図面を参照して説明する。

【００２４】（実施の形態１）本発明の実施の形態に係
わるプラズマディスプレイパネルは、従来のプラズマデ
ィスプレイパネルと蛍光体層の材料のみ違い、他の構成
要素は同じである。以下に図２に沿って製法について説
明する。

【００２５】（ＰＤＰの全体的な製法）（フロントパネルの作製）フロントパネルＦＰは、フロ
ントパネルガラス２１上にＩＴＯまたは酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ₂）などの透明導電性材料からなる透明電極３４およ
び銀（Ａｇ）厚膜（厚み：２μｍ〜１０μｍ）、アルミ
ニウム（Ａｌ）薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）また
はＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μ
ｍ）で構成したバス電極３５を順次積層し、さらに酸化
鉛（ＰｂＯ）または酸化ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）または酸
化燐（ＰＯ₄）を主成分（一例として、酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ）７０重量％、酸化硼素（Ｂ₂Ｏ₃）１５重量％、酸化
珪素（ＳｉＯ₂）１５重量％）とする低融点ガラス（厚
み２０μｍ〜５０μｍ）からなる誘電体層２４をスクリ
ーン印刷（ダイコート印刷またはフィルムラミネート法
でも形成可能）によって形成されている。一例として銀
電極の場合、紫外線感光性樹脂を含んだ銀電極用インク
をスクリーン印刷法によりフロントパネルガラス２１上
に均一塗布して乾燥した後、露光現像によるパターニン
グと焼成によって形成する。次に、誘電体層２４をプラ
ズマによる損傷から保護するＭｇＯからなる保護層２５
（厚み：１００ｎｍ〜１０００ｎｍ）が電子ビーム蒸着
法または、スパッタリング法により形成され積層されて
いる。

【００２６】（背面パネルの作製）一方、バックパネル
ＢＰ側はバックパネルガラス２６上には銀（Ａｇ）厚膜
（厚み：２μｍ〜１０μｍ）、アルミニウム（Ａｌ）薄
膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）またはＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ積層薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）からなるデー
タ電極２７、酸化鉛（ＰｂＯ）または酸化ビスマス（Ｂ
ｉ₂Ｏ₃）または酸化燐（ＰＯ₄）を主成分とする低融点
ガラス（厚み５μｍ〜２０μｍ）からなる下地誘電体層
３３を形成する。さらに、ガラスを主成分とする隔壁２
８を所定のピッチで形成し、更に隔壁２８によって挟ま
れた各空間に赤色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体によ
る蛍光体層３０、３１、３２を形成することにより、バ
ックパネルＢＰ側が作製されている。ここで、下地誘電
体層３３は、隔壁２８との密着性を改善するためのもの
であり、無いとプラズマディスプレイパネルが動作しな
いというものではない。また、蛍光体は、赤色蛍光体、
緑色蛍光体、青色蛍光体をそれぞれインク吐出法によっ
て塗布することにより蛍光体層３０、３１、３２を形成
する。各色の蛍光体としては、一般的にプラズマディス
プレイパネルに用いられる蛍光体材料を以下に示す。こ
こではこれらの蛍光体を通常の蛍光体として用いてい
る。赤色蛍光体：（Ｙ_XＧｄ_1-X）ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺あるいはＹ
ＢＯ₃：Ｅｕ³⁺ 緑色蛍光体：ＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：ＭｎあるいはＺｎ₂Ｓｉ
Ｏ₄：Ｍｎ青色蛍光体：ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺ 各色蛍光体は、以下のようにして作製される。

【００２７】青色蛍光体は、まず、原料として炭酸バリ
ウム（ＢａＣＯ₃），炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ₃），
酸化アルミニウム（α−Ａｌ₂Ｏ₃）をモル比で１対１対
５に配合する。次に、この混合物に対して、所定量の酸
化ユーロピウム（Ｅｕ₂Ｏ₃）を添加する。そして、適量
のフラックス（ＡｌＦ₂、ＢａＣｌ₂）と共にボールミル
で混合し、１０００℃〜１２００℃で所定時間（例え
ば、５時間）、弱還元性雰囲気（Ｈ₂，Ｎ₂中）で焼成
後、これをふるい分けして得る。

【００２８】赤色蛍光体は、原料として酸化イットリウ
ム（Ｙ₂Ｏ₃）と硼酸（Ｈ₃ＢＯ₃）とをモル比で０．５対
１に配合する。次に、この混合物に対して、所定量の酸
化ユーロピウム（Ｅｕ₂Ｏ₃）を添加し、適量のフラック
スと共にボールミルで混合し、空気中９５０℃〜１２０
０℃で所定時間（例えば、５時間）焼成した後、これを
ふるい分けして上記粉体が得る。

【００２９】緑色蛍光体は、原料として酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ），酸化硅素（ＳｉＯ₂）をモル比で２対１に配合す
る。次に、この混合物に対して所定量の酸化マンガン
（Ｍｎ ₂Ｏ₃）を添加し、ボールミルで混合後、空気中９
５０℃〜１２００℃で所定時間（例えば、５時間）焼成
し、これをふるい分けして得る。

【００３０】また、本発明の実施の形態で使用した蛍光
体は上記の蛍光体に不純物原子が含まれたウィスカーで
あるＺｎＯを０．１重量％〜６０重量％混合したもので
ある。

【００３１】熱ＣＶＤ法で作製されたテトラポット形状
の酸化亜鉛（ＺｎＯ）ウィスカー（ウィスカー１本の足
の長さ：１〜２００μｍ、核部の足の太さ：０．０１〜
１０μｍ、典型的には１本の足の長さ：５〜５０μｍ、
核部の足の太さ：０．０５〜５μｍ）を市販のプラズマ
ドーピング装置内に配置し、装置内にＮ₂ガスを導入し
て窒素プラズマを発生させる。この時、第１の電極に負
のバイアス（−５Ｖ〜−１０００Ｖ）を印加すると、プ
ラズマ中のＮ⁺イオンがこのバイアス分加速されてウィ
スカー内に注入される。窒素イオンはＺｎＯウィスカー
の表面近傍に注入され、２次イオン質量分析（ＳＩＭ
Ｓ）によってＺｎＯウィスカーに注入した窒素原子量を
測定したところ、その深さは０．１ｎｍ〜１００ｎｍ
（ナノ・メートル）である。

【００３２】エタノールやイソプロピルアルコールやア
セトンやトルエンや酢酸ブチルや酢酸イソアミルなどの
揮発性有機溶剤中に上記の窒素イオン原子を含むＺｎＯ
ウィスカーを上記の割合で蛍光体粉末と混合し分散す
る。その後、インク吐出法によって塗布することで赤、
緑、青の蛍光体（３０，３１，３２）を形成する。

【００３３】（パネル張り合わせによるＰＤＰの作製）
次に、このようにして作製したフロントパネルとバック
パネルとを封着用ガラスを用いて張り合わせると共に、
隔壁２８で仕切られた放電空間２９内を高真空（１×１
０^-4Ｐa）に排気した後、所定の組成の放電ガスを、所
定の圧力で封入することによってプラズマディスプレイ
パネルを作製する。一例として、ネオンガスとキセノン
ガスの混合ガスを体積％でそれぞれ、９５％、５％と
し、圧力を６６．５ｋＰａ（５００Ｔｏｒｒ）としてい
る。

【００３４】（ＰＤＰの駆動方法）本発明の実施の形態
に係わるプラズマディスプレイパネルにおける駆動方法
は、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法と同
じ設定とし、通常の蛍光体の材料と本発明の蛍光体の材
料の比較を行った。

【００３５】パネルの構造として、誘電体層２４の厚さ
が３０〜４２μｍ、ＭｇＯ保護層２５の厚さが、０．５
μｍ〜０．８μｍ、走査電極２２と維持電極２３間ギャ
ップが４０μm〜１２０μｍ、隔壁２８の高さが８０μ
ｍ〜１２０μmの条件で実験を行った。

【００３６】ＶＧＡ表示（画素数８５３×４８０）のパ
ネルでは、一例として、隔壁間ピッチ３６０μｍ、誘電
体層２４の厚さが４２μｍ、ＭｇＯ保護層２５の厚さ
が、０．８μｍ、走査電極２２と維持電極２３間ギャッ
プが８０μｍ、隔壁２８の高さが１２０μm構成のパネ
ルにおいて図４の電圧設定値をＶａ＝４００Ｖ、Ｖｂ＝
−１００Ｖ、Ｖｃ＝−２０Ｖ、Ｖｄ＝１４０Ｖ、Ｖｅ＝
１５０Ｖ、Ｖｓ＝１８０Ｖ、Ｖｄａｔ＝６７Ｖとしてい
る。

【００３７】４２インチクラスのＸＧＡ表示（画素数が
１０２４×７６８）のパネルでは、一例として、隔壁間
ピッチは３００μｍ、誘電体層２４の厚さが３５μｍ、
ＭｇＯ保護層２５の厚さが、０．８μｍ、走査電極２３
と維持電極２２間ギャップが８０μｍ、隔壁２８の高さ
が１２０μm構成のパネルにおいて図４の電圧設定値を
Ｖａ＝４００Ｖ、Ｖｂ＝−９０Ｖ、Ｖｃ＝−１０Ｖ、Ｖ
ｄ＝１４０Ｖ、Ｖｅ＝１５０Ｖ、Ｖｓ＝１６０Ｖ、Ｖｄ
ａｔ＝６７Ｖとしている。

【００３８】ｔｓの測定には、以下の条件で行った。上
記の設定電圧で、第７サブフィールドのみ、斜めパター
ンで各色単色のみ点灯した状態で、アドレス放電の放電
の統計遅れ時間（ｔｓ）を測定した。

【００３９】通常の蛍光体と本発明の実施の形態で使用
した窒素イオン原子が含まれたＺｎＯウィスカー混合蛍
光体におけるｔｓの結果を図１に示す。ここでは、上記
に記載したＶＧＡ用パネルを使用した。通常の蛍光体
（ＺｎＯ重量％＝０）に比較して、０．１重量％〜６０
重量％でｔｓがＲ、Ｂで３割近く減少し、Ｇにいたって
は、半分以下になっていることが確かめられた。

【００４０】このように、蛍光体層に窒素イオン原子を
含むＺｎＯウィスカーでｔｓが小さくなった理由として
は、以下のように考えている。ＺｎＯウィスカー中に注
入された窒素イオンは、ＺｎＯ結晶格子の格子位置より
も格子間に存在し、ドナーとして働く。そのため元々、
自然に存在する酸素空孔によって弱いｎ型を示す半導体
であるＺｎＯウィスカーの表面およびその近傍領域が、
窒素イオンの存在によってより強いｎ型を示す。表面が
強いｎ型になったことにより表面近傍に内部電界が生
じ、電子がウィスカー表面に集められる。このことによ
り、初期化期間及び消去期間下り傾斜電圧印加時に、局
所的に電界が集中し、ウィスカーのイオン衝撃による二
次電子放出（γ係数）が促進され、放電の規模が大きく
なり、プライミングにって放電の統計遅れ時間（ｔｓ）
を小さくできたと考えられる。

【００４１】また、６０重量％より大きくするとｔｓは
小さくなるが、放電発光効率が低下し、実際に使用でき
るのは、０．１重量％〜６０重量％の範囲である。より
望ましくは、Ｇ以外の蛍光体にＺｎＯを塗布する場合、
色度がＧに近くなるため０．１重量％〜３０重量％の範
囲である。テトラポット形状ＺｎＯを使用しているが、
針状ＺｎＯやメッシュ状ＺｎＯを使用しても同様に効果
があった。

【００４２】また、ＸＧＡ用のパネルにおいても同様の
効果があった。

【００４３】プラズマドーピング時にドーピング量を制
御し、窒素原子密度のピーク値を１０¹⁴〜１０¹⁹個／ｃ
ｍ³変化させたウィスカーを作製したが、上記と同様な
効果を得た。

【００４４】プラズマドーピング時に窒素ガスの代わり
に、ＮＯ，ＮＯ₂，Ｎ₂Ｏ，Ｎ₂Ｏ₃，Ｎ₂Ｏ₄，Ｎ₂Ｏ₅，Ｎ
Ｏ₃，Ｈ₂ＮＮＨ₂，ＨＮ₃，ＮＨ₄Ｎ₃，ＮＨ₃，ＮＦ₃など
他の窒素原子を含むガスを使用しても同様な効果を得
た。

【００４５】また、ウィスカーへの不純物原子の注入
は、市販のイオン注入装置を用いても、ウィスカーを加
熱して不純物の熱拡散を使用してもよい。

【００４６】（実施の形態２）本発明の第２の実施形態
では、第１の実施形態で使用した蛍光体中に金属コート
したＴｉＯ₂ウィスカーを用い、その他の各構成要素は
第１の実施形態で説明したものと同様であり、それらの
説明はここでは省略する。

【００４７】チタンアルコキシドを熱ＣＶＤでメッシュ
形状ＴｉＯ₂ウィスカーを作製し、真空蒸着、スパッ
タ、ＣＶＤ法によって、Ｎｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｍｇ，
Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ金属を１０ｎｍ〜
８００ｎｍコートした。

【００４８】エタノールやイソプロピルアルコールやア
セトンやトルエンや酢酸ブチルや酢酸イソアミルなどの
揮発性有機溶剤中にメッシュ形状の金属コート酸化チタ
ン（ＴｉＯ₂）ウィスカー（ウィスカー１本の足の長
さ：０．１〜１０μｍ、核部の足の太さ：０．０１〜１
０μｍ、典型的には１本の足の長さ：０．３〜３μｍ、
核部の足の太さ：０．０３〜３μｍ）を蛍光体と一緒に
分散した。

【００４９】上記の蛍光体を用いてｔｓを計測した。

【００５０】通常の蛍光体に比較して、０．１重量％〜
６０重量％でｔｓがＲ、Ｂで４割近く減少し、Ｇにいた
っては、６割以下になっていることが確かめられた。蛍
光体層に金属コートしたＴｉＯ₂ウィスカーでｔｓが小
さくなった理由としては、ウィスカーの先端は鋭利で局
所的な電界が強く、その先にコートされた金属の仕事関
数が小さいのでイオン衝撃による電子放出能力が更に向
上したためと考えられる。

【００５１】また、針状ＴｉＯ₂やテトラポット状Ｔｉ
Ｏ₂を使用しても同様に効果があった。また、ＸＧＡ用
のパネルにおいても同様の効果があった。また、ＺｎＯ
またはＳｉＣまたはＳｉ₃Ｎ₄またはＡｌＮまたはＢＮま
たはＴｉＣウィスカーにおいても同様に効果があった。

【００５２】（実施の形態３）本発明の第３の実施形態
では、第１及び第２の実施形態で使用した蛍光体中に熱
ＣＶＤで針状ＳｉＣウィスカーを作製し、真空蒸着、ス
パッタ、ＣＶＤ法によって、Ｎｉ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｍ
ｇ，Ａｌ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ金属を１０ｎ
ｍ〜８００ｎｍコートした。その他の各構成要素は第１
及び第２の実施形態で説明したものと同様であり、それ
らの説明はここでは省略する。

【００５３】エタノールやイソプロピルアルコールやア
セトンやトルエンや酢酸ブチルや酢酸イソアミルなどの
揮発性有機溶剤中に針状形状の炭化珪素（ＳｉＣ）ウィ
スカー（ウィスカー１本の足の長さ：０．１〜２０μ
ｍ、核部の足の太さ：０．０１〜２０μｍ、典型的には
１本の足の長さ：０．３〜５μｍ、核部の足の太さ：
０．０３〜５μｍ）を分散した液を上記の割合で蛍光体
粉末と混合した。

【００５４】上記の蛍光体を用いてｔｓを計測した。

【００５５】通常の蛍光体に比較して、０．１重量％〜
６０重量％でｔｓがＲ、Ｂで２割近く減少し、Ｇにいた
っては、３割以下になっていることが確かめられた。

【００５６】また、ＳｉＣまたはＳｉ₃Ｎ₄またはＡｌＮ
またはＢＮまたはＴｉＣウィスカーにおいても同様に効
果があった。また、メッシュ状ＴｉＯ₂やテトラポット
状ＴｉＯ₂を使用しても同様に効果があった。また、Ｘ
ＧＡ用のパネルにおいても同様の効果があった。

【００５７】以上から分かるように、本発明のプラズマ
ディスプレイパネルはｔｓが小さく安定なアドレス放電
が実現できている。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、書き込み期間による書
き込み不良を低減し、アドレス放電の安定な駆動を実現
するプラズマディスプレイパネルを提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】通常の蛍光体と本発明の実施の形態で使用した
窒素イオン原子が含まれたＺｎＯウィスカー混合蛍光体
におけるｔｓの実験結果グラフ

【図２】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの概略を示
す斜視図

【図３】電極配列図

【図４】ＡＣ型プラズマディスプレイの駆動波形を示す
図

【符号の説明】

ＦＰフロントパネルＢＰバックパネル２１フロントパネルガラス２２維持電極２３走査電極２４誘電体層２５保護層２６バックパネルガラス２７データ電極２８隔壁２９放電空間３０蛍光体（Ｒ）３１蛍光体（Ｇ）３２蛍光体（Ｂ）３３誘電体層３４透明電極３５バス電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者倉田隆次大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者塩川晃大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者今井徹也大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者秋山浩二大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 5C028 FF04 FF11 5C040 FA01 GB03 GB14 GG07 GG09 MA16 5C058 AA11 AB01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放電空間を介して対向する一対の基板の
内、少なくとも一方の基板上に導電性電極と蛍光体層を
順次積層した構造を有し、前記蛍光体層に不純物原子が
含まれたウィスカーが混合されていることを特徴とする
プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】前記ウィスカーがＺｎＯまたはＴｉＯ₂
またはＳｉＣを主成分とすることを特徴とする請求項１
に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】前記不純物原子が窒素イオンまたは金属
であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディ
スプレイパネル。
【請求項４】前記ウィスカーが０．１重量％以上６０
重量％以下含まれていることを特徴とする請求項１に記
載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】前記ウィスカーが針状粒子またはテトラ
ポット状粒子またはメッシュ状粒子であることを特徴と
する請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】請求項１に記載のプラズマディスプレイ
の製造方法において、基板上に導電性電極を形成し、前
記導電性電極と平行に前記基板上に隔壁を形成し、前記
隔壁間に不純物原子を含むウィスカーと蛍光体粉末を混
合し、インク吐出法によって塗布することによって蛍光
体層を形成することを特徴とするプラズマディスプレイ
の製造方法。