JPH02215885A - 低速電子線励起蛍光体 - Google Patents
低速電子線励起蛍光体Info
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- JPH02215885A JPH02215885A JP1038596A JP3859689A JPH02215885A JP H02215885 A JPH02215885 A JP H02215885A JP 1038596 A JP1038596 A JP 1038596A JP 3859689 A JP3859689 A JP 3859689A JP H02215885 A JPH02215885 A JP H02215885A
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、蛍光表示管等に用いられる低速電子線励起蛍
光体に関する。
光体に関する。
さらに詳しくは、導電性物質混合形の低速電子線励起蛍
光体に関する。
光体に関する。
従来の技術
低速電子線励起蛍光体は、適度の導電性を具備している
必要があり、この導電性の付与の仕方により従来より低
速電子線励起蛍光体（は３種類に分類されてき友。
必要があり、この導電性の付与の仕方により従来より低
速電子線励起蛍光体（は３種類に分類されてき友。
その第１は、蛍光体の母体として導電性物質を使用する
低抵抗母体形で、ＺｎＯ： Ｚｎ 、 ５ｎ０２ ：
ｍｕ”等があった。
低抵抗母体形で、ＺｎＯ： Ｚｎ 、 ５ｎ０２ ：
ｍｕ”等があった。
その＠２は、絶縁性の蛍光体に導電性物質を混合する導
電性物質混合形で、Ｚｎ８：ムＩ！ｉ＋Ｘｎ２０ｓ＊Ｚ
ｎＳ ： Ｃｕ ＋Ｚｎ０ 、７２０２８ ： Ｋｕ
＋５ｎ０２等があった。
電性物質混合形で、Ｚｎ８：ムＩ！ｉ＋Ｘｎ２０ｓ＊Ｚ
ｎＳ ： Ｃｕ ＋Ｚｎ０ 、７２０２８ ： Ｋｕ
＋５ｎ０２等があった。
その第３は、通常は絶縁性の蛍光体に不純物をドーグし
て導電性を付与する不純物ドーグ形で。
て導電性を付与する不純物ドーグ形で。
ＺｎＳ ：ムｆ ＊ Ｃｕ＊ムｊ、（Ｚｎ １−２ Ｃ
ｄｚ ） Ｓ：Ａｇ 、 ＡＮ等があった。
ｄｚ ） Ｓ：Ａｇ 、 ＡＮ等があった。
このうち、第２の導電性物質混合形蛍光体は、カラーＴ
Ｖ用ブラウン管などに使用されている高抵抗の蛍光体Ｚ
ｎＳ ＨＡｇ（青）、ｚｎｓ ： ｃｕ 、ムｌ（黄緑
） 、 ！２０２Ｓ ： ＩＣｕ （赤）などに５ｎ
０２１１ｎ２０５ 、 ＺｎＯなどの粉末状導電性物質
を混合し、全体として低抵抗化したもめであった。この
場合、導電性物質の混合機は蛍光体により異なるが通常
６〜６０％の範囲であり、また、発光効率の点から混合
する導電性物質はもっばらＩｎ２Ｏ３であった。
Ｖ用ブラウン管などに使用されている高抵抗の蛍光体Ｚ
ｎＳ ＨＡｇ（青）、ｚｎｓ ： ｃｕ 、ムｌ（黄緑
） 、 ！２０２Ｓ ： ＩＣｕ （赤）などに５ｎ
０２１１ｎ２０５ 、 ＺｎＯなどの粉末状導電性物質
を混合し、全体として低抵抗化したもめであった。この
場合、導電性物質の混合機は蛍光体により異なるが通常
６〜６０％の範囲であり、また、発光効率の点から混合
する導電性物質はもっばらＩｎ２Ｏ３であった。
発明が解決しようとする課題
しかるに、Ｘｎ２０ｓｈ非常に高価を材料であり、蛍光
体も高価とならざるを得す、このため、発光効率が高く
、低価格なカラー化に適した新唄な導電性付与物質が強
く求められていた。
体も高価とならざるを得す、このため、発光効率が高く
、低価格なカラー化に適した新唄な導電性付与物質が強
く求められていた。
課題を解決するための手段
本発明者らは上記課題に鑑み、鋭意研究した結果、以下
の手段により全く新規で極めて有用な低速電子線励起蛍
光体が提供できることがわかった。
の手段により全く新規で極めて有用な低速電子線励起蛍
光体が提供できることがわかった。
すなわち、核部とこの核部から異なる複数軸方向に伸び
た針状結晶部からなる酸化亜鉛ウィスカーと絶縁性蛍光
体を混合してなる低速電子線励起蛍光体である。
た針状結晶部からなる酸化亜鉛ウィスカーと絶縁性蛍光
体を混合してなる低速電子線励起蛍光体である。
また、針状結晶部の基部の径が０．１〜１４μ■であり
、前記針状結晶部の基部から先端までの長さが６〜２０
０μｍである上記低速電子線励起蛍光体である。
、前記針状結晶部の基部から先端までの長さが６〜２０
０μｍである上記低速電子線励起蛍光体である。
さらに、前記複数軸方向の軸数が４なる酸化亜鉛ウィス
カーを主体にした上記低速電子線励起蛍光体である。
カーを主体にした上記低速電子線励起蛍光体である。
作用
本発明に用いる酸化亜鉛（以下ＺｎＯと略記する）ウィ
スカーは第１図に示す通り、３次元のテトラポット状構
造をした導電性ウィスカーであり、曲の蛍光体と混合し
た場合にも均一に分散・分布して３次元メツシュ構造を
構成するため、混合形蛍光体に極めて効率的に導電性を
付与する結果となり、絶縁性蛍光体に少量のテトラポッ
ト状ＺｎＯウィスカーを混合するだけで有用な低速電子
線励起蛍光体を実現することができる。またとのＺｎＯ
ウィスカーは後述する如く、極めて量産性があるため、
コスト的にも極めて有利である。
スカーは第１図に示す通り、３次元のテトラポット状構
造をした導電性ウィスカーであり、曲の蛍光体と混合し
た場合にも均一に分散・分布して３次元メツシュ構造を
構成するため、混合形蛍光体に極めて効率的に導電性を
付与する結果となり、絶縁性蛍光体に少量のテトラポッ
ト状ＺｎＯウィスカーを混合するだけで有用な低速電子
線励起蛍光体を実現することができる。またとのＺｎＯ
ウィスカーは後述する如く、極めて量産性があるため、
コスト的にも極めて有利である。
さらに、このＺｎＯウィスカーは、それ自体ＺｎＯ：ｚ
ｎ の低速電子線励起蛍光体であるため、これを添加す
ることが、発光面からの不純物となることはなく、発光
効率の点からも極めて有利な蛍光体である。
ｎ の低速電子線励起蛍光体であるため、これを添加す
ることが、発光面からの不純物となることはなく、発光
効率の点からも極めて有利な蛍光体である。
さらに、すべてのＺｎＯウィスカーが形の整ったテトラ
ポット状単結晶で、無色透明な結晶であるため透光性が
良く、重なり深部の発光が表面までよく届くため、この
観点からも、発光効率と輝度の高い蛍光体上なる。
ポット状単結晶で、無色透明な結晶であるため透光性が
良く、重なり深部の発光が表面までよく届くため、この
観点からも、発光効率と輝度の高い蛍光体上なる。
実施例
以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
本発明では、混合する導電性物質として全く新規な形状
のＺｎＯを用いる。即ち、テトラポット状ＺｎＯウィス
カーであるが、このＺｎＯウィスカーは表面に酸化皮膜
を有する金属亜鉛粉本を酸素を含む雰囲気下で加熱処理
して生成することかできる。
のＺｎＯを用いる。即ち、テトラポット状ＺｎＯウィス
カーであるが、このＺｎＯウィスカーは表面に酸化皮膜
を有する金属亜鉛粉本を酸素を含む雰囲気下で加熱処理
して生成することかできる。
得られたＺｎＯウィスカーはみかけの嵩比重０．０２〜
０．１を有し、７０ｗｔ％以上の高収率で極めて塩産的
である。第１図はその電子顕微境写真を示すが、これに
よると、前記の形状的１寸法的特長が明確に認められる
（テトラポット構造）。
０．１を有し、７０ｗｔ％以上の高収率で極めて塩産的
である。第１図はその電子顕微境写真を示すが、これに
よると、前記の形状的１寸法的特長が明確に認められる
（テトラポット構造）。
ところで、ＺｎＯウィスカーの針状結晶部が３軸、ある
いは、２軸、さらには１軸のものが混入する場合がある
が、これは、元来４軸の結晶の一部が折損したものであ
る。
いは、２軸、さらには１軸のものが混入する場合がある
が、これは、元来４軸の結晶の一部が折損したものであ
る。
このＺｎＯウィスカーのＸ線回折図をとると、すべてＺ
ｎＯのピークを示し、また、電子線回折分析の結果も、
転移、格子欠陥の少ない単結晶性を示した。また、不純
物の含有量も少なく、原子吸光分析の結果−ＺｎＯが９
９．９８％であった。
ｎＯのピークを示し、また、電子線回折分析の結果も、
転移、格子欠陥の少ない単結晶性を示した。また、不純
物の含有量も少なく、原子吸光分析の結果−ＺｎＯが９
９．９８％であった。
本発明のＺｎＯウィスカーの通常生成品の抵抗値は、バ
ルク値で１〜６ｏΩ−口、圧粉状態（ｓｋｇＪ ）で１
０〜１０Ω−（７）であるが、ムｌ 、 Ｌｉ 、 Ｃ
ｕ等をドープすることにより、バルク値で１Ｑ〜１０Ω
−口まで変えることができ、適切な抵抗値のものが選ば
れる。
ルク値で１〜６ｏΩ−口、圧粉状態（ｓｋｇＪ ）で１
０〜１０Ω−（７）であるが、ムｌ 、 Ｌｉ 、 Ｃ
ｕ等をドープすることにより、バルク値で１Ｑ〜１０Ω
−口まで変えることができ、適切な抵抗値のものが選ば
れる。
次に、大きなウィスカー（長さ２００μｍ より大で、
径が１４μｍより大）が大きな割合（例えばａ ｏ ｗ
ｔ％以上）を占める系では、蛍光面の生地が粗となり好
ましくない。一方、小さなウィスカー（長さが６μｍよ
り小さく、径が０．１μ諺より小）が大きな割合を占め
る系では、導電性を付与するための混合量が急だ増大し
、不適切なのと発光効率、輝度それに寿命特性の低下が
著しくなり好ましくない。また、特性的には、長さ６〜
１０μｍ＋市品より１０〜．１６μ鳳分市品の方が優れ
。
径が１４μｍより大）が大きな割合（例えばａ ｏ ｗ
ｔ％以上）を占める系では、蛍光面の生地が粗となり好
ましくない。一方、小さなウィスカー（長さが６μｍよ
り小さく、径が０．１μ諺より小）が大きな割合を占め
る系では、導電性を付与するための混合量が急だ増大し
、不適切なのと発光効率、輝度それに寿命特性の低下が
著しくなり好ましくない。また、特性的には、長さ６〜
１０μｍ＋市品より１０〜．１６μ鳳分市品の方が優れ
。
１０〜１６μｍ分市品より１６〜６０μｍ分市品の方が
優れ、１００〜２００μ１分市品より６０〜１００μｍ
分市品の方が優れる。
優れ、１００〜２００μ１分市品より６０〜１００μｍ
分市品の方が優れる。
本発明に用いる絶縁性蛍光体としては、一般にカラーＴ
Ｖ用ブラウン管などに使用される高抵抗の蛍光体が使用
されるが、例えば、ＺｎＳ：ムＣ１ＺｎＳ ： Ｃｕ
、ムｌ 、 Ｙ２Ｏ２Ｓ ： Ｅｕ 、 ＺｎＳ
： （Ｚｎ）、ＺｎＳ ：ムＵ、ムｌ、（ＺｎＯＬ９．
Ｃ（！ｃＬ１ ）Ｓ ：ムＵ、ムｌ、（ＺｎｕｓＣ（
ｌｃ２）Ｓ ：ムＵ、ムｌ 、 （Ｚｎ（Ｌ５ 、 （
Ａａｙ ）Ｓ ：五ｇ 、 ＣＩ、（ＺｎＳ２．０ｄａ
ａ ’）Ｓ ：ムｇ 、 Ｃ４、ＺｎＳ ： Ｍｎ”な
どがある。
Ｖ用ブラウン管などに使用される高抵抗の蛍光体が使用
されるが、例えば、ＺｎＳ：ムＣ１ＺｎＳ ： Ｃｕ
、ムｌ 、 Ｙ２Ｏ２Ｓ ： Ｅｕ 、 ＺｎＳ
： （Ｚｎ）、ＺｎＳ ：ムＵ、ムｌ、（ＺｎＯＬ９．
Ｃ（！ｃＬ１ ）Ｓ ：ムＵ、ムｌ、（ＺｎｕｓＣ（
ｌｃ２）Ｓ ：ムＵ、ムｌ 、 （Ｚｎ（Ｌ５ 、 （
Ａａｙ ）Ｓ ：五ｇ 、 ＣＩ、（ＺｎＳ２．０ｄａ
ａ ’）Ｓ ：ムｇ 、 Ｃ４、ＺｎＳ ： Ｍｎ”な
どがある。
また、ＺｎＯウィスカーの混合量は、一般の導電物質に
比べて少なくて済みウィスカーの大きさにも依存するが
、最低４宵ｔ％程度から導電性の効果が発揮されはじめ
る。
比べて少なくて済みウィスカーの大きさにも依存するが
、最低４宵ｔ％程度から導電性の効果が発揮されはじめ
る。
（実施例１）
水中で摺潰（３０分間）し、３日間放置して表面に酸化
皮膜を形成した金属亜鉛粉本を１０〜１６％の酸素雰囲
気中で１０００℃において焼成し、白色のテトラポット
状ＺｎＯウィスカーを得た。このウィスカーの針状結晶
部の基部の径は０．３〜０．８μ墓で、基部から先端ま
での長さは１０〜１６μｍであった。
皮膜を形成した金属亜鉛粉本を１０〜１６％の酸素雰囲
気中で１０００℃において焼成し、白色のテトラポット
状ＺｎＯウィスカーを得た。このウィスカーの針状結晶
部の基部の径は０．３〜０．８μ墓で、基部から先端ま
での長さは１０〜１６μｍであった。
一方、一般的な製法により得たカラーＴＶ用蛍光体Ｚｎ
Ｓ ： Ａｕ 、ム２を用意し、前記ＺｎＯウィスカー
を混合して（２０ｗｔ％）、導電性物質混合形の低速電
子線励起蛍光体を得た。
Ｓ ： Ａｕ 、ム２を用意し、前記ＺｎＯウィスカー
を混合して（２０ｗｔ％）、導電性物質混合形の低速電
子線励起蛍光体を得た。
この蛍光体を一般的な試、験球に実装して、発光効率と
輝度（アノード電圧＝２ｏｖ）を測定し、第１表に示し
た。
輝度（アノード電圧＝２ｏｖ）を測定し、第１表に示し
た。
（実施例２〜３）
実施例１と全く同様に、混合量だけ変えて試験した結果
を第１表に示した。
を第１表に示した。
（実施例４）
水中で１漬（１時間）し、５日間放置して表面に酸化皮
膜を形成し九金属亜鉛粉本を６〜１２％の酸素雰囲気中
で、１０３０℃で焼成し、白色のテトラポット状ウィス
カーを得た。このウィスカーを用いて実施例１と同様に
試験した結果を第１表に示した。
膜を形成し九金属亜鉛粉本を６〜１２％の酸素雰囲気中
で、１０３０℃で焼成し、白色のテトラポット状ウィス
カーを得た。このウィスカーを用いて実施例１と同様に
試験した結果を第１表に示した。
（比較例１）
実施例１．で用いたＺｎＯウィスカーを混合量を変えて
実施例１と同様に試験した結果を第１表に示した。
実施例１と同様に試験した結果を第１表に示した。
（比較例２）
ＺｎＯウィスカーの代わりに従来よりよく用いられるＩ
ｎ２Ｏ３を導電物質として混合した場合の試験結果を第
１表に示した。
ｎ２Ｏ３を導電物質として混合した場合の試験結果を第
１表に示した。
（比較例３）
ＺｎＯウィスカー０代わシに亜鉛華（フランス法）を導
電物質として混合した場合の試験結果を第１表に示した
。
電物質として混合した場合の試験結果を第１表に示した
。
上記第１表よシ明らかなように、実施例１，２゜４は比
較例１．２．３に比べて発光効率、輝度が優れ、実施例
３は少量のＺｎＯウィスカーを用いて比較例２と同程度
の発光効率、輝度を示す。
較例１．２．３に比べて発光効率、輝度が優れ、実施例
３は少量のＺｎＯウィスカーを用いて比較例２と同程度
の発光効率、輝度を示す。
発明の効果
本発明は、カラー化に適した高輝度、高発光効率、低価
格な低速電子線励起蛍光体を実現し、昨今、自動車μ空
機、壁かけテレビ、蛍光表示管等において、低電圧で発
光させる低速電子線励起蛍光体へのニーズが高まる中で
、極めて有効な手段を提供する発明であり、その産業分
野への貢献は計９知れないものがある。
格な低速電子線励起蛍光体を実現し、昨今、自動車μ空
機、壁かけテレビ、蛍光表示管等において、低電圧で発
光させる低速電子線励起蛍光体へのニーズが高まる中で
、極めて有効な手段を提供する発明であり、その産業分
野への貢献は計９知れないものがある。
第１図は本発明の低速電子線励起蛍光体に用いるＺｎＯ
ウィスカーの結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 シ１か１名１
００β仇 ／
ウィスカーの結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 シ１か１名１
００β仇 ／
Claims (3)
- （１）核部とこの核部から異なる複数軸方向に伸びた針
状結晶部からなる酸化亜鉛ウィスカーと、絶縁性蛍光体
を混合してなる低速電子線励起蛍光体。 - （２）針状結晶部の基部の径が０．１〜１４μｍであり
、前記針状結晶部の基部から先端までの長さが６〜２０
０μｍである請求項１記載の低速電子線励起蛍光体。 - （３）複数軸方向の軸数が４なる酸化亜鉛ウィスカーを
主体にした請求項１または２記載の低速電子線励起蛍光
体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038596A JPH02215885A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 低速電子線励起蛍光体 |
| DE89115844T DE68906335T2 (de) | 1988-08-29 | 1989-08-28 | Fluoreszente Zinkoxid-Whisker enthaltende Materialien. |
| EP89115844A EP0358078B1 (en) | 1988-08-29 | 1989-08-28 | Fluorescent materials comprising zinc oxide whiskers |
| CA000609706A CA1334563C (en) | 1988-08-29 | 1989-08-29 | Fluorescent materials comprising zinc oxide whiskers |
| KR1019890012348A KR930002557B1 (ko) | 1988-08-29 | 1989-08-29 | 형광체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1038596A JPH02215885A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 低速電子線励起蛍光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02215885A true JPH02215885A (ja) | 1990-08-28 |
| JPH0577717B2 JPH0577717B2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=12529665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1038596A Granted JPH02215885A (ja) | 1988-08-29 | 1989-02-17 | 低速電子線励起蛍光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02215885A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002352727A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038596A patent/JPH02215885A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002352727A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
| JP4631213B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0577717B2 (ja) | 1993-10-27 |
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