JPH02215885A - 低速電子線励起蛍光体 - Google Patents
低速電子線励起蛍光体Info
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- JPH02215885A JPH02215885A JP1038596A JP3859689A JPH02215885A JP H02215885 A JPH02215885 A JP H02215885A JP 1038596 A JP1038596 A JP 1038596A JP 3859689 A JP3859689 A JP 3859689A JP H02215885 A JPH02215885 A JP H02215885A
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、蛍光表示管等に用いられる低速電子線励起蛍
光体に関する。
光体に関する。
さらに詳しくは、導電性物質混合形の低速電子線励起蛍
光体に関する。
光体に関する。
従来の技術
低速電子線励起蛍光体は、適度の導電性を具備している
必要があり、この導電性の付与の仕方により従来より低
速電子線励起蛍光体(は3種類に分類されてき友。
必要があり、この導電性の付与の仕方により従来より低
速電子線励起蛍光体(は3種類に分類されてき友。
その第1は、蛍光体の母体として導電性物質を使用する
低抵抗母体形で、ZnO: Zn 、 5n02 :
mu”等があった。
低抵抗母体形で、ZnO: Zn 、 5n02 :
mu”等があった。
その@2は、絶縁性の蛍光体に導電性物質を混合する導
電性物質混合形で、Zn8:ムI!i+Xn20s*Z
nS : Cu +Zn0 、72028 : Ku
+5n02等があった。
電性物質混合形で、Zn8:ムI!i+Xn20s*Z
nS : Cu +Zn0 、72028 : Ku
+5n02等があった。
その第3は、通常は絶縁性の蛍光体に不純物をドーグし
て導電性を付与する不純物ドーグ形で。
て導電性を付与する不純物ドーグ形で。
ZnS :ムf * Cu*ムj、(Zn 1−2 C
dz ) S:Ag 、 AN等があった。
dz ) S:Ag 、 AN等があった。
このうち、第2の導電性物質混合形蛍光体は、カラーT
V用ブラウン管などに使用されている高抵抗の蛍光体Z
nS HAg(青)、zns : cu 、ムl(黄緑
) 、 !202S : ICu (赤)などに5n
0211n205 、 ZnOなどの粉末状導電性物質
を混合し、全体として低抵抗化したもめであった。この
場合、導電性物質の混合機は蛍光体により異なるが通常
6〜60%の範囲であり、また、発光効率の点から混合
する導電性物質はもっばらIn2O3であった。
V用ブラウン管などに使用されている高抵抗の蛍光体Z
nS HAg(青)、zns : cu 、ムl(黄緑
) 、 !202S : ICu (赤)などに5n
0211n205 、 ZnOなどの粉末状導電性物質
を混合し、全体として低抵抗化したもめであった。この
場合、導電性物質の混合機は蛍光体により異なるが通常
6〜60%の範囲であり、また、発光効率の点から混合
する導電性物質はもっばらIn2O3であった。
発明が解決しようとする課題
しかるに、Xn20sh非常に高価を材料であり、蛍光
体も高価とならざるを得す、このため、発光効率が高く
、低価格なカラー化に適した新唄な導電性付与物質が強
く求められていた。
体も高価とならざるを得す、このため、発光効率が高く
、低価格なカラー化に適した新唄な導電性付与物質が強
く求められていた。
課題を解決するための手段
本発明者らは上記課題に鑑み、鋭意研究した結果、以下
の手段により全く新規で極めて有用な低速電子線励起蛍
光体が提供できることがわかった。
の手段により全く新規で極めて有用な低速電子線励起蛍
光体が提供できることがわかった。
すなわち、核部とこの核部から異なる複数軸方向に伸び
た針状結晶部からなる酸化亜鉛ウィスカーと絶縁性蛍光
体を混合してなる低速電子線励起蛍光体である。
た針状結晶部からなる酸化亜鉛ウィスカーと絶縁性蛍光
体を混合してなる低速電子線励起蛍光体である。
また、針状結晶部の基部の径が0.1〜14μ■であり
、前記針状結晶部の基部から先端までの長さが6〜20
0μmである上記低速電子線励起蛍光体である。
、前記針状結晶部の基部から先端までの長さが6〜20
0μmである上記低速電子線励起蛍光体である。
さらに、前記複数軸方向の軸数が4なる酸化亜鉛ウィス
カーを主体にした上記低速電子線励起蛍光体である。
カーを主体にした上記低速電子線励起蛍光体である。
作用
本発明に用いる酸化亜鉛(以下ZnOと略記する)ウィ
スカーは第1図に示す通り、3次元のテトラポット状構
造をした導電性ウィスカーであり、曲の蛍光体と混合し
た場合にも均一に分散・分布して3次元メツシュ構造を
構成するため、混合形蛍光体に極めて効率的に導電性を
付与する結果となり、絶縁性蛍光体に少量のテトラポッ
ト状ZnOウィスカーを混合するだけで有用な低速電子
線励起蛍光体を実現することができる。またとのZnO
ウィスカーは後述する如く、極めて量産性があるため、
コスト的にも極めて有利である。
スカーは第1図に示す通り、3次元のテトラポット状構
造をした導電性ウィスカーであり、曲の蛍光体と混合し
た場合にも均一に分散・分布して3次元メツシュ構造を
構成するため、混合形蛍光体に極めて効率的に導電性を
付与する結果となり、絶縁性蛍光体に少量のテトラポッ
ト状ZnOウィスカーを混合するだけで有用な低速電子
線励起蛍光体を実現することができる。またとのZnO
ウィスカーは後述する如く、極めて量産性があるため、
コスト的にも極めて有利である。
さらに、このZnOウィスカーは、それ自体ZnO:z
n の低速電子線励起蛍光体であるため、これを添加す
ることが、発光面からの不純物となることはなく、発光
効率の点からも極めて有利な蛍光体である。
n の低速電子線励起蛍光体であるため、これを添加す
ることが、発光面からの不純物となることはなく、発光
効率の点からも極めて有利な蛍光体である。
さらに、すべてのZnOウィスカーが形の整ったテトラ
ポット状単結晶で、無色透明な結晶であるため透光性が
良く、重なり深部の発光が表面までよく届くため、この
観点からも、発光効率と輝度の高い蛍光体上なる。
ポット状単結晶で、無色透明な結晶であるため透光性が
良く、重なり深部の発光が表面までよく届くため、この
観点からも、発光効率と輝度の高い蛍光体上なる。
実施例
以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
本発明では、混合する導電性物質として全く新規な形状
のZnOを用いる。即ち、テトラポット状ZnOウィス
カーであるが、このZnOウィスカーは表面に酸化皮膜
を有する金属亜鉛粉本を酸素を含む雰囲気下で加熱処理
して生成することかできる。
のZnOを用いる。即ち、テトラポット状ZnOウィス
カーであるが、このZnOウィスカーは表面に酸化皮膜
を有する金属亜鉛粉本を酸素を含む雰囲気下で加熱処理
して生成することかできる。
得られたZnOウィスカーはみかけの嵩比重0.02〜
0.1を有し、70wt%以上の高収率で極めて塩産的
である。第1図はその電子顕微境写真を示すが、これに
よると、前記の形状的1寸法的特長が明確に認められる
(テトラポット構造)。
0.1を有し、70wt%以上の高収率で極めて塩産的
である。第1図はその電子顕微境写真を示すが、これに
よると、前記の形状的1寸法的特長が明確に認められる
(テトラポット構造)。
ところで、ZnOウィスカーの針状結晶部が3軸、ある
いは、2軸、さらには1軸のものが混入する場合がある
が、これは、元来4軸の結晶の一部が折損したものであ
る。
いは、2軸、さらには1軸のものが混入する場合がある
が、これは、元来4軸の結晶の一部が折損したものであ
る。
このZnOウィスカーのX線回折図をとると、すべてZ
nOのピークを示し、また、電子線回折分析の結果も、
転移、格子欠陥の少ない単結晶性を示した。また、不純
物の含有量も少なく、原子吸光分析の結果−ZnOが9
9.98%であった。
nOのピークを示し、また、電子線回折分析の結果も、
転移、格子欠陥の少ない単結晶性を示した。また、不純
物の含有量も少なく、原子吸光分析の結果−ZnOが9
9.98%であった。
本発明のZnOウィスカーの通常生成品の抵抗値は、バ
ルク値で1〜6oΩ−口、圧粉状態(skgJ )で1
0〜10Ω−(7)であるが、ムl 、 Li 、 C
u等をドープすることにより、バルク値で1Q〜10Ω
−口まで変えることができ、適切な抵抗値のものが選ば
れる。
ルク値で1〜6oΩ−口、圧粉状態(skgJ )で1
0〜10Ω−(7)であるが、ムl 、 Li 、 C
u等をドープすることにより、バルク値で1Q〜10Ω
−口まで変えることができ、適切な抵抗値のものが選ば
れる。
次に、大きなウィスカー(長さ200μm より大で、
径が14μmより大)が大きな割合(例えばa o w
t%以上)を占める系では、蛍光面の生地が粗となり好
ましくない。一方、小さなウィスカー(長さが6μmよ
り小さく、径が0.1μ諺より小)が大きな割合を占め
る系では、導電性を付与するための混合量が急だ増大し
、不適切なのと発光効率、輝度それに寿命特性の低下が
著しくなり好ましくない。また、特性的には、長さ6〜
10μm+市品より10〜.16μ鳳分市品の方が優れ
。
径が14μmより大)が大きな割合(例えばa o w
t%以上)を占める系では、蛍光面の生地が粗となり好
ましくない。一方、小さなウィスカー(長さが6μmよ
り小さく、径が0.1μ諺より小)が大きな割合を占め
る系では、導電性を付与するための混合量が急だ増大し
、不適切なのと発光効率、輝度それに寿命特性の低下が
著しくなり好ましくない。また、特性的には、長さ6〜
10μm+市品より10〜.16μ鳳分市品の方が優れ
。
10〜16μm分市品より16〜60μm分市品の方が
優れ、100〜200μ1分市品より60〜100μm
分市品の方が優れる。
優れ、100〜200μ1分市品より60〜100μm
分市品の方が優れる。
本発明に用いる絶縁性蛍光体としては、一般にカラーT
V用ブラウン管などに使用される高抵抗の蛍光体が使用
されるが、例えば、ZnS:ムC1ZnS : Cu
、ムl 、 Y2O2S : Eu 、 ZnS
: (Zn)、ZnS :ムU、ムl、(ZnOL9.
C(!cL1 )S :ムU、ムl、(ZnusC(
lc2)S :ムU、ムl 、 (Zn(L5 、 (
Aay )S :五g 、 CI、(ZnS2.0da
a ’)S :ムg 、 C4、ZnS : Mn”な
どがある。
V用ブラウン管などに使用される高抵抗の蛍光体が使用
されるが、例えば、ZnS:ムC1ZnS : Cu
、ムl 、 Y2O2S : Eu 、 ZnS
: (Zn)、ZnS :ムU、ムl、(ZnOL9.
C(!cL1 )S :ムU、ムl、(ZnusC(
lc2)S :ムU、ムl 、 (Zn(L5 、 (
Aay )S :五g 、 CI、(ZnS2.0da
a ’)S :ムg 、 C4、ZnS : Mn”な
どがある。
また、ZnOウィスカーの混合量は、一般の導電物質に
比べて少なくて済みウィスカーの大きさにも依存するが
、最低4宵t%程度から導電性の効果が発揮されはじめ
る。
比べて少なくて済みウィスカーの大きさにも依存するが
、最低4宵t%程度から導電性の効果が発揮されはじめ
る。
(実施例1)
水中で摺潰(30分間)し、3日間放置して表面に酸化
皮膜を形成した金属亜鉛粉本を10〜16%の酸素雰囲
気中で1000℃において焼成し、白色のテトラポット
状ZnOウィスカーを得た。このウィスカーの針状結晶
部の基部の径は0.3〜0.8μ墓で、基部から先端ま
での長さは10〜16μmであった。
皮膜を形成した金属亜鉛粉本を10〜16%の酸素雰囲
気中で1000℃において焼成し、白色のテトラポット
状ZnOウィスカーを得た。このウィスカーの針状結晶
部の基部の径は0.3〜0.8μ墓で、基部から先端ま
での長さは10〜16μmであった。
一方、一般的な製法により得たカラーTV用蛍光体Zn
S : Au 、ム2を用意し、前記ZnOウィスカー
を混合して(20wt%)、導電性物質混合形の低速電
子線励起蛍光体を得た。
S : Au 、ム2を用意し、前記ZnOウィスカー
を混合して(20wt%)、導電性物質混合形の低速電
子線励起蛍光体を得た。
この蛍光体を一般的な試、験球に実装して、発光効率と
輝度(アノード電圧=2ov)を測定し、第1表に示し
た。
輝度(アノード電圧=2ov)を測定し、第1表に示し
た。
(実施例2〜3)
実施例1と全く同様に、混合量だけ変えて試験した結果
を第1表に示した。
を第1表に示した。
(実施例4)
水中で1漬(1時間)し、5日間放置して表面に酸化皮
膜を形成し九金属亜鉛粉本を6〜12%の酸素雰囲気中
で、1030℃で焼成し、白色のテトラポット状ウィス
カーを得た。このウィスカーを用いて実施例1と同様に
試験した結果を第1表に示した。
膜を形成し九金属亜鉛粉本を6〜12%の酸素雰囲気中
で、1030℃で焼成し、白色のテトラポット状ウィス
カーを得た。このウィスカーを用いて実施例1と同様に
試験した結果を第1表に示した。
(比較例1)
実施例1.で用いたZnOウィスカーを混合量を変えて
実施例1と同様に試験した結果を第1表に示した。
実施例1と同様に試験した結果を第1表に示した。
(比較例2)
ZnOウィスカーの代わりに従来よりよく用いられるI
n2O3を導電物質として混合した場合の試験結果を第
1表に示した。
n2O3を導電物質として混合した場合の試験結果を第
1表に示した。
(比較例3)
ZnOウィスカー0代わシに亜鉛華(フランス法)を導
電物質として混合した場合の試験結果を第1表に示した
。
電物質として混合した場合の試験結果を第1表に示した
。
上記第1表よシ明らかなように、実施例1,2゜4は比
較例1.2.3に比べて発光効率、輝度が優れ、実施例
3は少量のZnOウィスカーを用いて比較例2と同程度
の発光効率、輝度を示す。
較例1.2.3に比べて発光効率、輝度が優れ、実施例
3は少量のZnOウィスカーを用いて比較例2と同程度
の発光効率、輝度を示す。
発明の効果
本発明は、カラー化に適した高輝度、高発光効率、低価
格な低速電子線励起蛍光体を実現し、昨今、自動車μ空
機、壁かけテレビ、蛍光表示管等において、低電圧で発
光させる低速電子線励起蛍光体へのニーズが高まる中で
、極めて有効な手段を提供する発明であり、その産業分
野への貢献は計9知れないものがある。
格な低速電子線励起蛍光体を実現し、昨今、自動車μ空
機、壁かけテレビ、蛍光表示管等において、低電圧で発
光させる低速電子線励起蛍光体へのニーズが高まる中で
、極めて有効な手段を提供する発明であり、その産業分
野への貢献は計9知れないものがある。
第1図は本発明の低速電子線励起蛍光体に用いるZnO
ウィスカーの結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 シ1か1名1
00β仇 /
ウィスカーの結晶構造を示す電子顕微鏡写真である。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 シ1か1名1
00β仇 /
Claims (3)
- (1)核部とこの核部から異なる複数軸方向に伸びた針
状結晶部からなる酸化亜鉛ウィスカーと、絶縁性蛍光体
を混合してなる低速電子線励起蛍光体。 - (2)針状結晶部の基部の径が0.1〜14μmであり
、前記針状結晶部の基部から先端までの長さが6〜20
0μmである請求項1記載の低速電子線励起蛍光体。 - (3)複数軸方向の軸数が4なる酸化亜鉛ウィスカーを
主体にした請求項1または2記載の低速電子線励起蛍光
体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038596A JPH02215885A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 低速電子線励起蛍光体 |
DE89115844T DE68906335T2 (de) | 1988-08-29 | 1989-08-28 | Fluoreszente Zinkoxid-Whisker enthaltende Materialien. |
EP89115844A EP0358078B1 (en) | 1988-08-29 | 1989-08-28 | Fluorescent materials comprising zinc oxide whiskers |
KR1019890012348A KR930002557B1 (ko) | 1988-08-29 | 1989-08-29 | 형광체 |
CA000609706A CA1334563C (en) | 1988-08-29 | 1989-08-29 | Fluorescent materials comprising zinc oxide whiskers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1038596A JPH02215885A (ja) | 1989-02-17 | 1989-02-17 | 低速電子線励起蛍光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02215885A true JPH02215885A (ja) | 1990-08-28 |
JPH0577717B2 JPH0577717B2 (ja) | 1993-10-27 |
Family
ID=12529665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1038596A Granted JPH02215885A (ja) | 1988-08-29 | 1989-02-17 | 低速電子線励起蛍光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02215885A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002352727A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-02-17 JP JP1038596A patent/JPH02215885A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002352727A (ja) * | 2001-05-28 | 2002-12-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
JP4631213B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0577717B2 (ja) | 1993-10-27 |
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