JP2811083B2 - 低速電子線用発光組成物 - Google Patents
低速電子線用発光組成物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は蛍光体と酸化インジウム（In2O3）との混合
物から成り、特に加速電圧1KV以下の低速電子線励起下
で高輝度の発光を示す低速電子線用発光組成物（以下、
単に「発光組成物」という）の改良に関する。
物から成り、特に加速電圧1KV以下の低速電子線励起下
で高輝度の発光を示す低速電子線用発光組成物（以下、
単に「発光組成物」という）の改良に関する。
（従来の技術） 組成式（Zn1-x,Cdx）Ｓ（但し、ｘは０≦ｘ≦１なる
条件を満たす数である）で表わされる硫化物を母体と
し、これに亜鉛（Zn），銀（Ag），金（Au），銅（C
u），マンガン（Mn）等を付活し、さらに必要に応じて
ハロゲン，アルミニウム（Al），ガリウム（Ga），イン
ジウム（In）等を共付活してなる一連の硫化物系蛍光体
をはじめ、セリウム（Ce）付活アルミン酸・ガリウム酸
イットリウム蛍光体｛Y3（Al,Ga）5O12:Ce｝、ユーロピ
ウム（Eu）付活アルミン酸バリウム・マグネシウム蛍光
体｛（Ba,Mg）Ｏ・6Al2O3:Eu｝等の酸素酸塩系蛍光体、
ユーロピウム（Eu）付活酸化イットリウム蛍光体（Y
2O3:Eu）等の酸化物系蛍光体等の、加速電圧1KVより大
の高速電子線励起下では良く発光するものの低速電子線
励起下ではほとんど発光しない高抵抗の蛍光体に、酸化
インジウム（In2O3）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化錫（Sn
O2）等の導電性物質を混合してなる発光組成物は、加速
電圧が1KV以下の低速電子線励起により、その発光組成
物の主成分である高抵抗の蛍光体に固有の青色〜赤色に
わたる高輝度の可視発光を呈する（特公昭59−33153
号、特公昭59−33155号、特公昭62−44035号、特公昭62
−53554号等参照）ところから、緑白色発光を示す蛍光
体として古くから実用されているZnO:Znと組合わせて、
多色表示ができる、車載用（クロック，カーオーディ
オ，速度メーター，タコメーター等の表示用）、オーデ
ィオ用、VTR用等の蛍光表示管の蛍光膜として近年多用
されるようになってきた。
条件を満たす数である）で表わされる硫化物を母体と
し、これに亜鉛（Zn），銀（Ag），金（Au），銅（C
u），マンガン（Mn）等を付活し、さらに必要に応じて
ハロゲン，アルミニウム（Al），ガリウム（Ga），イン
ジウム（In）等を共付活してなる一連の硫化物系蛍光体
をはじめ、セリウム（Ce）付活アルミン酸・ガリウム酸
イットリウム蛍光体｛Y3（Al,Ga）5O12:Ce｝、ユーロピ
ウム（Eu）付活アルミン酸バリウム・マグネシウム蛍光
体｛（Ba,Mg）Ｏ・6Al2O3:Eu｝等の酸素酸塩系蛍光体、
ユーロピウム（Eu）付活酸化イットリウム蛍光体（Y
2O3:Eu）等の酸化物系蛍光体等の、加速電圧1KVより大
の高速電子線励起下では良く発光するものの低速電子線
励起下ではほとんど発光しない高抵抗の蛍光体に、酸化
インジウム（In2O3）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化錫（Sn
O2）等の導電性物質を混合してなる発光組成物は、加速
電圧が1KV以下の低速電子線励起により、その発光組成
物の主成分である高抵抗の蛍光体に固有の青色〜赤色に
わたる高輝度の可視発光を呈する（特公昭59−33153
号、特公昭59−33155号、特公昭62−44035号、特公昭62
−53554号等参照）ところから、緑白色発光を示す蛍光
体として古くから実用されているZnO:Znと組合わせて、
多色表示ができる、車載用（クロック，カーオーディ
オ，速度メーター，タコメーター等の表示用）、オーデ
ィオ用、VTR用等の蛍光表示管の蛍光膜として近年多用
されるようになってきた。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、特に車載用蛍光表示管の場合、使用さ
れる電源の関係から蛍光表示管の加速電圧に制限がある
ため、従来の技術では蛍光表示管の発光輝度が不十分で
特に昼間の外光下での視認性に欠け、車の運転上の安全
性という面から問題があるというのが現状である。
れる電源の関係から蛍光表示管の加速電圧に制限がある
ため、従来の技術では蛍光表示管の発光輝度が不十分で
特に昼間の外光下での視認性に欠け、車の運転上の安全
性という面から問題があるというのが現状である。
本発明は上述のような状況に鑑みてなされたものであ
り、特に加速電圧1KV以下の低速電子線で励起した時、
より高輝度の発光を示す発光組成物を提供することを目
的とする。
り、特に加速電圧1KV以下の低速電子線で励起した時、
より高輝度の発光を示す発光組成物を提供することを目
的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明者等は上記目的を達成するため、現在、多色表
示の可能な蛍光表示管用として使用されている、蛍光体
と導電性物質との混合物から成る発光組成物の一構成部
分である導電性物質について、その種類，物性等と、得
られる発光組成物の発光輝度との関係について鋭意研究
した結果、用いられる導電性物質の結晶性の違いによっ
て得られる発光組成物の発光輝度が大きく変化し、導電
性物質として特定の結晶化度を有する酸化インジウム
（In2O3）を用いた時、特に高輝度の発光組成物が得ら
れることを発見した。即ち、結晶体の回折Ｘ線スペクト
ル｛結晶体にＸ線を照射した時の、結晶によるＸ線の回
折角（θ）の２倍角（２θ）と回折線の強度との関係を
示す｝における回折線の半価幅（２θ）とその結晶体の
結晶化の度合いとの間には相関がある（半価幅が狭いほ
ど結晶化の度合いが大である）ため、種々のIn2O3につ
いて回折Ｘ線スペクトルを測定し、夫々の最強回折線
（In2O3の場合、面指数［2,2,2］面での回折線）の半価
幅を求めるとともに、これらのIn2O3を用いた各発光組
成物との相関を調べたところ、回折Ｘ線スペクトルにお
ける最強回折線の半価幅（２θ）が0.10゜〜0.25゜の範
囲にあるIn2O3を用いた時、特に高輝度の発光組成物が
得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
示の可能な蛍光表示管用として使用されている、蛍光体
と導電性物質との混合物から成る発光組成物の一構成部
分である導電性物質について、その種類，物性等と、得
られる発光組成物の発光輝度との関係について鋭意研究
した結果、用いられる導電性物質の結晶性の違いによっ
て得られる発光組成物の発光輝度が大きく変化し、導電
性物質として特定の結晶化度を有する酸化インジウム
（In2O3）を用いた時、特に高輝度の発光組成物が得ら
れることを発見した。即ち、結晶体の回折Ｘ線スペクト
ル｛結晶体にＸ線を照射した時の、結晶によるＸ線の回
折角（θ）の２倍角（２θ）と回折線の強度との関係を
示す｝における回折線の半価幅（２θ）とその結晶体の
結晶化の度合いとの間には相関がある（半価幅が狭いほ
ど結晶化の度合いが大である）ため、種々のIn2O3につ
いて回折Ｘ線スペクトルを測定し、夫々の最強回折線
（In2O3の場合、面指数［2,2,2］面での回折線）の半価
幅を求めるとともに、これらのIn2O3を用いた各発光組
成物との相関を調べたところ、回折Ｘ線スペクトルにお
ける最強回折線の半価幅（２θ）が0.10゜〜0.25゜の範
囲にあるIn2O3を用いた時、特に高輝度の発光組成物が
得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
本発明の発光組成物は高速電子線により発光し得る蛍
光体とIn2O3とを混合または互いに付着させてなる発光
組成物であって、上記In2O3の回折Ｘ線スペクトルにお
ける最強回折線の半価幅（２θ）が0.10゜乃至0.25゜の
範囲にあることを特徴とする。
光体とIn2O3とを混合または互いに付着させてなる発光
組成物であって、上記In2O3の回折Ｘ線スペクトルにお
ける最強回折線の半価幅（２θ）が0.10゜乃至0.25゜の
範囲にあることを特徴とする。
以下本発明の発光組成物の製造方法について説明す
る。
る。
本発明の発光組成物の一方の構成成分として用いられ
るIn2O3は市販のIn2O3試薬やIn（NO3）3,InCl3等のIn塩
を焼成して得たIn2O3の他に、例えば特開昭55−110181
号等に開示されている、Eu,Ce等の希土類で付活されたI
n2O3,In2O3とSnO2との固溶体等（本願明細書ではこれら
を総称して「In2O3」と言うことにする）の中から、こ
れらの回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅
（２θ）が0.10゜〜0.25゜の範囲にあるIn2O3が選択的
に用いられるが、その中でもこの半価幅が0.13゜〜0.20
゜の範囲にあるIn2O3を用いた時、特に高輝度の発光組
成物が得られる。なお、この時用いられるIn2O3を、そ
の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅が0.
10゜〜0.25゜の範囲からはずれない程度に結晶化の度合
いをコントロールしながら予め空気中、酸素ガス雰囲気
中またはアルゴンガス，窒素ガス等の中性ガス雰囲気中
において900℃〜1200℃の温度で再焼成しておけば、得
られる発光組成物の発光輝度をより向上させることがで
きる。
るIn2O3は市販のIn2O3試薬やIn（NO3）3,InCl3等のIn塩
を焼成して得たIn2O3の他に、例えば特開昭55−110181
号等に開示されている、Eu,Ce等の希土類で付活されたI
n2O3,In2O3とSnO2との固溶体等（本願明細書ではこれら
を総称して「In2O3」と言うことにする）の中から、こ
れらの回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅
（２θ）が0.10゜〜0.25゜の範囲にあるIn2O3が選択的
に用いられるが、その中でもこの半価幅が0.13゜〜0.20
゜の範囲にあるIn2O3を用いた時、特に高輝度の発光組
成物が得られる。なお、この時用いられるIn2O3を、そ
の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅が0.
10゜〜0.25゜の範囲からはずれない程度に結晶化の度合
いをコントロールしながら予め空気中、酸素ガス雰囲気
中またはアルゴンガス，窒素ガス等の中性ガス雰囲気中
において900℃〜1200℃の温度で再焼成しておけば、得
られる発光組成物の発光輝度をより向上させることがで
きる。
また、本発明の発光組成物のもう一方の構成成分とし
て用いられる蛍光体としては特に制限は無く、高速電子
線励起により発光し得る蛍光体であればいずれも用いら
れ得るが、低速電子線で励起した時の発光輝度の点でこ
れらの蛍光体の中でも特にZnS:［Zn］、ZnS:Ag,Cl、Zn
S:Ag,Cl,Li、ZnS:Ag,Al、ZnS:Mn,Cl、（Zn,Cd）S:Cu,A
l、（Zn,Cd）S:Au,Al、（Zn,Cd）S:Au,Cu,Al、CdS:Ag等
をはじめとする、組成式が（Zn1-x,Cdx）Ｓで表わされ
る硫化物母体を亜鉛（Zn）、銀（Ag）、金（Au）、銅
（Cu）、マンガン（Mn）等の付活剤で付活し、さらに、
必要に応じてこれにアルミニウム（Al）、ハロゲン元素
（Cl,Br,IまたはＦ）等の第１の共付活剤並びにアルカ
リ金属元素（Li,Na,K,Rb,またはCs）、ガリウム（G
a）、インジウム（In）等の第２の共付活剤で共付活し
てなる硫化物系蛍光体および亜鉛付活酸化亜鉛蛍光体
（ZnO:Zn）を用いるのがより好ましい。
て用いられる蛍光体としては特に制限は無く、高速電子
線励起により発光し得る蛍光体であればいずれも用いら
れ得るが、低速電子線で励起した時の発光輝度の点でこ
れらの蛍光体の中でも特にZnS:［Zn］、ZnS:Ag,Cl、Zn
S:Ag,Cl,Li、ZnS:Ag,Al、ZnS:Mn,Cl、（Zn,Cd）S:Cu,A
l、（Zn,Cd）S:Au,Al、（Zn,Cd）S:Au,Cu,Al、CdS:Ag等
をはじめとする、組成式が（Zn1-x,Cdx）Ｓで表わされ
る硫化物母体を亜鉛（Zn）、銀（Ag）、金（Au）、銅
（Cu）、マンガン（Mn）等の付活剤で付活し、さらに、
必要に応じてこれにアルミニウム（Al）、ハロゲン元素
（Cl,Br,IまたはＦ）等の第１の共付活剤並びにアルカ
リ金属元素（Li,Na,K,Rb,またはCs）、ガリウム（G
a）、インジウム（In）等の第２の共付活剤で共付活し
てなる硫化物系蛍光体および亜鉛付活酸化亜鉛蛍光体
（ZnO:Zn）を用いるのがより好ましい。
本発明の発光組成物を製造するには、所定の割合で秤
取された上述のIn2O3と所望の蛍光体とを乳鉢，ボール
ミル，ミキサーミル等を使用したり、篩にかける等の方
法により充分に混合するか、あるいは上述の蛍光体粒子
の表面に例えば接着剤としてゼラチンとアラビアゴムを
用いる方法（特公昭54−3677号公報参照）、静電塗布法
（特公昭54−44275号公報参照）、エチレンセルロー
ス、ニトロセルロース等の有機バイダーを用いる方法
（特公昭62−33266号公報参照）等の公知の方法で上述
のIn2O3を付着させることにより本発明の発光組成物を
得ることができる。この時、In2O3と蛍光体との混合重
量比は、従来の高抵抗の蛍光体と導電性物質から成る発
光組成物の場合とほぼ同様であって、得られる発光組成
物の発光輝度の点からIn2O3と蛍光体とを単に混合する
場合にはIn2O3/蛍光体の比をおよそ1/99乃至7/13の重量
比とし、蛍光体粒子表面にIn2O3を付着させる場合にはI
n2O3/蛍光体の比を1/199乃至3/7の重量比とするのが特
に好ましい。
取された上述のIn2O3と所望の蛍光体とを乳鉢，ボール
ミル，ミキサーミル等を使用したり、篩にかける等の方
法により充分に混合するか、あるいは上述の蛍光体粒子
の表面に例えば接着剤としてゼラチンとアラビアゴムを
用いる方法（特公昭54−3677号公報参照）、静電塗布法
（特公昭54−44275号公報参照）、エチレンセルロー
ス、ニトロセルロース等の有機バイダーを用いる方法
（特公昭62−33266号公報参照）等の公知の方法で上述
のIn2O3を付着させることにより本発明の発光組成物を
得ることができる。この時、In2O3と蛍光体との混合重
量比は、従来の高抵抗の蛍光体と導電性物質から成る発
光組成物の場合とほぼ同様であって、得られる発光組成
物の発光輝度の点からIn2O3と蛍光体とを単に混合する
場合にはIn2O3/蛍光体の比をおよそ1/99乃至7/13の重量
比とし、蛍光体粒子表面にIn2O3を付着させる場合にはI
n2O3/蛍光体の比を1/199乃至3/7の重量比とするのが特
に好ましい。
第１図は（Zn0.3,Cd0.7S:Ag蛍光体と結晶化度の異な
るIn2O3とをそれぞれ9:1の重量比で混合して成る種々の
発光組成物について、用いられるIn2O3の結晶化度と得
られる発光組成物の低速電子線励起下での発光輝度との
関係を例示したものである。第１図の横軸は用いられる
In2O3の結晶化度の目安となるもので、In2O3の回折Ｘ線
スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）であ
り、縦軸は従来から使用されていた、回折Ｘ線スペクト
ルにおける最強回折線の半価幅（２θ）が0.26゜である
In2O3を用いた発光組成物を標準の発光組成物とし、こ
れの発光輝度を100とした時の、各発光組成物の発光輝
度を相対値で示したものである。第１図からわかるよう
に回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２
θ）がほぼ0.10゜〜0.25゜の範囲にあるIn2O3を用いた
時、標準の発光組成物と同等またはそれ以上の発光輝度
を呈し、これらの中でも最強回折線の半価幅（２θ）が
ほぼ0.13゜〜0.20゜の範囲にあるIn2O3を用いた時、特
に高輝度の発光組成物が得られる。
るIn2O3とをそれぞれ9:1の重量比で混合して成る種々の
発光組成物について、用いられるIn2O3の結晶化度と得
られる発光組成物の低速電子線励起下での発光輝度との
関係を例示したものである。第１図の横軸は用いられる
In2O3の結晶化度の目安となるもので、In2O3の回折Ｘ線
スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）であ
り、縦軸は従来から使用されていた、回折Ｘ線スペクト
ルにおける最強回折線の半価幅（２θ）が0.26゜である
In2O3を用いた発光組成物を標準の発光組成物とし、こ
れの発光輝度を100とした時の、各発光組成物の発光輝
度を相対値で示したものである。第１図からわかるよう
に回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２
θ）がほぼ0.10゜〜0.25゜の範囲にあるIn2O3を用いた
時、標準の発光組成物と同等またはそれ以上の発光輝度
を呈し、これらの中でも最強回折線の半価幅（２θ）が
ほぼ0.13゜〜0.20゜の範囲にあるIn2O3を用いた時、特
に高輝度の発光組成物が得られる。
なお、第１図には（Zn0.3,Cd0.7）S:Ag蛍光体を一方
の構成成分とする発光組成物についてのみ例示したが、
（Zn0.3,Cd0.7）S:Ag蛍光体以外の蛍光体を用いた発光
組成物の場合も、用いられるIn2O3の結晶化度の度合い
と得られる発光組成物の発光輝度との間には第１図と類
似の相関があり、In2O3の結晶化度の目安として、これ
の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２
θ）がおよそ0.10゜〜0.25゜の範囲にあるIn2O3を用い
た時、得られる発光組成物の低速電子線励起下での発光
輝度がより向上することが確認された。
の構成成分とする発光組成物についてのみ例示したが、
（Zn0.3,Cd0.7）S:Ag蛍光体以外の蛍光体を用いた発光
組成物の場合も、用いられるIn2O3の結晶化度の度合い
と得られる発光組成物の発光輝度との間には第１図と類
似の相関があり、In2O3の結晶化度の目安として、これ
の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２
θ）がおよそ0.10゜〜0.25゜の範囲にあるIn2O3を用い
た時、得られる発光組成物の低速電子線励起下での発光
輝度がより向上することが確認された。
（実施例 １） 市販のIn2O3の中から結晶化の度合いの異なる３種類
のIn2O3｛これらをそれぞれIn2O3（Ａ）,In2O3（Ｂ）お
よびIn2O3（Ｄ）とする｝を用意した。さらに、In2O
3（Ａ）の一部を空気中において900℃の温度で１時間焼
成し｛この時得られたIn2O3をIn2O3（Ｃ）とする｝、In
2O3（Ａ）の別の一部を同じく空気中において1300℃の
温度で１時間焼成した｛この時得られたIn2O3をIn2O
3（Ｅ）とする｝。そして、上述の各In2O3について、Ｘ
線回折装置（理学電機株式会社製）を用いて夫々の試料
の回折Ｘ線スペクトルを測定し、それらの各最強回折線
の半価幅（２θ）を求めたところ下表１のような結果が
得られた。
のIn2O3｛これらをそれぞれIn2O3（Ａ）,In2O3（Ｂ）お
よびIn2O3（Ｄ）とする｝を用意した。さらに、In2O
3（Ａ）の一部を空気中において900℃の温度で１時間焼
成し｛この時得られたIn2O3をIn2O3（Ｃ）とする｝、In
2O3（Ａ）の別の一部を同じく空気中において1300℃の
温度で１時間焼成した｛この時得られたIn2O3をIn2O
3（Ｅ）とする｝。そして、上述の各In2O3について、Ｘ
線回折装置（理学電機株式会社製）を用いて夫々の試料
の回折Ｘ線スペクトルを測定し、それらの各最強回折線
の半価幅（２θ）を求めたところ下表１のような結果が
得られた。
次に（Zn0.3,Cd0.7）S:Ag蛍光体90重量部と上記In2O3
（Ａ）10重量部とをボールミルを用いて十分に混合し、
発光組成物［１−Ａ］を製造した。さらに、In2O
3（Ａ）に代えて、それぞれIn2O3（Ｂ）,In2O3（Ｃ）,I
n2O3（Ｄ）およびIn2O3（Ｅ）を用いる以外は発光組成
物［１−Ａ］と同様にして発光組成物［１−Ｂ］，発光
組成物［１−Ｃ］，発光組成物［１−Ｄ］および発光組
成物［１−Ｅ］を製造した。
（Ａ）10重量部とをボールミルを用いて十分に混合し、
発光組成物［１−Ａ］を製造した。さらに、In2O
3（Ａ）に代えて、それぞれIn2O3（Ｂ）,In2O3（Ｃ）,I
n2O3（Ｄ）およびIn2O3（Ｅ）を用いる以外は発光組成
物［１−Ａ］と同様にして発光組成物［１−Ｂ］，発光
組成物［１−Ｃ］，発光組成物［１−Ｄ］および発光組
成物［１−Ｅ］を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧20V
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表１のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）0.20゜および0.18゜であ
るIn2O3を用いた発光組成物［１−Ｃ］および発光組成
物［１−Ｄ］が特に高輝度であった。
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表１のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）0.20゜および0.18゜であ
るIn2O3を用いた発光組成物［１−Ｃ］および発光組成
物［１−Ｄ］が特に高輝度であった。
（実施例 ２） ゼラチン0.6重量部を40℃の温水中に溶解し、0.3％ゼ
ラチン水溶液を作成した後、この中に90重量部のZnS:A
u,Al蛍光体を添加して十分に撹拌し、蛍光体分散液を得
た。
ラチン水溶液を作成した後、この中に90重量部のZnS:A
u,Al蛍光体を添加して十分に撹拌し、蛍光体分散液を得
た。
一方、アラビアゴム0.4重量部を水に溶解し、0.3％ア
ラビアゴム水溶液を作成し、この中に10重量部の実施例
１で用いたIn2O3（Ａ）を添加して充分に撹拌し、In2O3
（Ａ）粒子の分散液を作成した。
ラビアゴム水溶液を作成し、この中に10重量部の実施例
１で用いたIn2O3（Ａ）を添加して充分に撹拌し、In2O3
（Ａ）粒子の分散液を作成した。
次いで上記蛍光体分散液と、In2O3（Ａ）粒子の分散
液とを撹拌しながら混合し、混合液のpHを４に調整し、
10℃以下に冷却した後、ホルマリン１重量部を撹拌しな
がら徐々に冷却した。上澄み液をデカンテーションにて
取除き、水洗後、固形分を乾燥してZnS:Au,Al蛍光体にI
n2O3（Ａ）を付着させた発光組成物［２−Ａ］を製造し
た。さらにIn2O3（Ａ）に代えて、実施例１で用いたIn2
O3（Ｂ）,In2O3（Ｃ）,In2O3（Ｄ）およびIn2O3（Ｅ）
を用いる以外は発光組成物［２−Ａ］と同様にして発光
組成物［２−Ｂ］，発光組成物［２−Ｃ］，発光組成物
［２−Ｄ］および発光組成物［２−Ｅ］を製造した。
液とを撹拌しながら混合し、混合液のpHを４に調整し、
10℃以下に冷却した後、ホルマリン１重量部を撹拌しな
がら徐々に冷却した。上澄み液をデカンテーションにて
取除き、水洗後、固形分を乾燥してZnS:Au,Al蛍光体にI
n2O3（Ａ）を付着させた発光組成物［２−Ａ］を製造し
た。さらにIn2O3（Ａ）に代えて、実施例１で用いたIn2
O3（Ｂ）,In2O3（Ｃ）,In2O3（Ｄ）およびIn2O3（Ｅ）
を用いる以外は発光組成物［２−Ａ］と同様にして発光
組成物［２−Ｂ］，発光組成物［２−Ｃ］，発光組成物
［２−Ｄ］および発光組成物［２−Ｅ］を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧20V
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表２のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）0.20゜および0.18゜であ
るIn2O3を用いた発光組成物［２−Ｃ］および発光組成
物［２−Ｄ］が特に高輝度であった。
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表２のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）0.20゜および0.18゜であ
るIn2O3を用いた発光組成物［２−Ｃ］および発光組成
物［２−Ｄ］が特に高輝度であった。
（実施例 ３） （Zn0.3,Cd0.7）S:Ag蛍光体90重量部に代えてZnO:Zn
蛍光体98重量部を用い、In2O3（Ａ）10重量部に代え
て、２重量部のIn2O3（Ａ）を用いる以外は実施例１の
発光組成物［１−Ａ］と同様にして発光組成物［３−
Ａ］を製造した。さらにIn2O3（Ａ）に代えて、実施例
１で用いたIn2O3（Ｂ）,In2O3（Ｃ）,In2O3（Ｄ）およ
びIn2O3（Ｅ）を用いる以外は発光組成物［３−Ａ］の
同様にして発光組成物［３−Ｂ］，発光組成物［３−
Ｃ］，発光組成物［３−Ｄ］および発光組成物［３−
Ｅ］を製造した。
蛍光体98重量部を用い、In2O3（Ａ）10重量部に代え
て、２重量部のIn2O3（Ａ）を用いる以外は実施例１の
発光組成物［１−Ａ］と同様にして発光組成物［３−
Ａ］を製造した。さらにIn2O3（Ａ）に代えて、実施例
１で用いたIn2O3（Ｂ）,In2O3（Ｃ）,In2O3（Ｄ）およ
びIn2O3（Ｅ）を用いる以外は発光組成物［３−Ａ］の
同様にして発光組成物［３−Ｂ］，発光組成物［３−
Ｃ］，発光組成物［３−Ｄ］および発光組成物［３−
Ｅ］を製造した。
このようにして得られた各発光組成物を加速電圧20V
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表３のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）0.20゜および0.18゜であ
るIn2O3を用いた発光組成物［３−Ｃ］および発光組成
物［３−Ｄ］が特に高輝度であった。
の低速電子線で励起した時の発光輝度を相対比較したと
ころ、表３のような結果が得られ、回折Ｘ線スペクトル
の最強回折線の半価幅（２θ）0.20゜および0.18゜であ
るIn2O3を用いた発光組成物［３−Ｃ］および発光組成
物［３−Ｄ］が特に高輝度であった。
（発明の効果） 以上詳述したように、高速電子線励起下で発光しうる
蛍光体とIn2O3とを混合または互いに付着させてなる発
光組成物において、回折Ｘ線スペクトルにおける最強回
折線の半価幅（２θ）がほぼ0.10゜〜0.25゜の範囲にあ
るIn2O3をその構成成分として用いることによって得ら
れる発光組成物は、加速電圧1KV以下の低速電子線励起
下での発光輝度が著しく向上し、視認性が必須の車載用
特にメーター類の表示素子としての蛍光表示管用蛍光体
としてきわめて有用である。
蛍光体とIn2O3とを混合または互いに付着させてなる発
光組成物において、回折Ｘ線スペクトルにおける最強回
折線の半価幅（２θ）がほぼ0.10゜〜0.25゜の範囲にあ
るIn2O3をその構成成分として用いることによって得ら
れる発光組成物は、加速電圧1KV以下の低速電子線励起
下での発光輝度が著しく向上し、視認性が必須の車載用
特にメーター類の表示素子としての蛍光表示管用蛍光体
としてきわめて有用である。
第１図は発光組成物の構成成分の１つであるIn2O3の回
折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）
と、得られる発光組成物の相対発光輝度との関係を示す
グラフである。
折Ｘ線スペクトルにおける最強回折線の半価幅（２θ）
と、得られる発光組成物の相対発光輝度との関係を示す
グラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】高速電子線により発光し得る蛍光体と、酸
化インジウム（In2O3）とを混合または互いに付着させ
てなる低速電子線用発光組成物であって、上記酸化イン
ジウム（In2O3）の回折Ｘ線スペクトルにおける最強回
折線の半価幅が0.10゜乃至0.25゜の範囲にあることを特
徴とする低速電子線用発光組成物。 - 【請求項２】前記半価幅が0.13゜乃至0.20゜の範囲にあ
ることを特徴とする請求項１記載の低速電子線用発光組
成物。 - 【請求項３】前記蛍光体が組成式（Zn1-x,Cdx）Ｓ（但
し、ｘは０≦ｘ≦１なる条件を満たす数）で表わされる
硫化物を母体とする硫化物系蛍光体であることを特徴と
する請求項１または２記載の低速電子線用発光組成物。 - 【請求項４】前記蛍光体が亜鉛付活酸化亜鉛蛍光体（Zn
O:Zn）であることを特徴とする請求項１または２記載の
低速電子線用発光組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1122640A JP2811083B2 (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 低速電子線用発光組成物 |
| US07/523,560 US5055227A (en) | 1989-05-16 | 1990-05-15 | Fluorescent composition for low velocity electron beam excitation |
| KR1019900007001A KR0145415B1 (ko) | 1989-05-16 | 1990-05-16 | 지속전자선용 발광조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1122640A JP2811083B2 (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 低速電子線用発光組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02302490A JPH02302490A (ja) | 1990-12-14 |
| JP2811083B2 true JP2811083B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=14840974
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1122640A Expired - Lifetime JP2811083B2 (ja) | 1989-05-16 | 1989-05-16 | 低速電子線用発光組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5055227A (ja) |
| JP (1) | JP2811083B2 (ja) |
| KR (1) | KR0145415B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5751107A (en) * | 1993-02-09 | 1998-05-12 | Seiko Epson Corporation | Field-discharge fluorescent-display with fluorescent layer including glass |
| US5635048A (en) * | 1996-02-20 | 1997-06-03 | Industrial Technology Research Institute | Method for forming low-energy electron excited fluorescent screen |
| US5838118A (en) * | 1996-03-28 | 1998-11-17 | Lucent Technologies Inc. | Display apparatus with coated phosphor, and method of making same |
| JP2001058820A (ja) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Sony Corp | 蛍光体組成物及びその製造方法、並びに、表示装置 |
| JP2006299118A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Noritake Itron Corp | 低速電子線用蛍光体、その製造方法および蛍光表示管 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4208612A (en) * | 1975-06-30 | 1980-06-17 | Dai Nippon Toryo Co., Ltd. | Low-velocity electron excited fluorescent display device |
-
1989
- 1989-05-16 JP JP1122640A patent/JP2811083B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-05-15 US US07/523,560 patent/US5055227A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-16 KR KR1019900007001A patent/KR0145415B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0145415B1 (ko) | 1998-07-01 |
| JPH02302490A (ja) | 1990-12-14 |
| KR900018329A (ko) | 1990-12-21 |
| US5055227A (en) | 1991-10-08 |
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