KR0161986B1

KR0161986B1 - 저속전자선용 발광조성물

Info

Publication number: KR0161986B1
Application number: KR1019910011175A
Authority: KR
Inventors: 후미오 다까하시; 구니히꼬 요네시마
Original assignee: 아라이 기꾸지; 가세이 오프토닉스 가부시끼가이샤
Priority date: 1990-07-09
Filing date: 1991-07-02
Publication date: 1999-01-15
Also published as: JPH0468078A; EP0466053B1; DE69102501D1; DE69102501T2; EP0466053A1; US5132044A; JP3007893B2

Abstract

본 발명은 조성식이 (Zn_1-x, Cd_x) S(단 x는 0x

Description

저속 전자선용 발광조성물

제1도 곡선 A는(Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체와 In₂O₃로 이루어지는 발광조성물에 사용되는 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체의 회절 X선 스펙트럼에 있어서 최강회절선의 반치폭(2θ)과 이 발광조성물의 저속전자선여기하에서의 발광휘도와의 관계를 표시하는 그래프이다.

제1도 곡선 B는 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체의 회절 X선 스펙트럼에 있어서 최강회절선의 반치폭(2θ)과 고속전자선여기하에서의 발광휘도와의 관계를 표시하는 그래프이다.

본 발명은 황화물을 모체로 하는 형광체와 도전성을 갖는 물질(이하, 도전성물질 이라함)과의 혼합물로 이루어지고, 특히 가속전압이 대략 1kv이하의 저속 전자선 여기하에서 고휘도의 발광을 표시하는 저속 전자선용 발광조성물(이하, 단지 「발광조성물」이라함)의개량에 관한 것이다.

조성식(Zn_1-x, Cd_x) S (단, x는 0x1인 조건을 만족하는 수이다)로 표시되는 황화물을 모체로하고, 여기서 아연(Zn), 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 망간(Mn), 등을 부활(활성부여) 하고 더욱 필요에 따라 할로겐, 알루미늄(Al), 칼륨(Ca), 인듐(In) 등을 공부활하여 이루어지는 일련의 황화물계 형광체에, 산화인듐(In₂O₂), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO₂) 등의 도전성 물질을 혼합하여 이루어지는 발광조성물은, 가속전압이 대략 1kV 이하의 저속 전자선여기에 의하여, 그 발광 조성물의 주성분인 그 황화물계 형광체에 고유한 청색∼적색에 걸치는 고휘도의 가시발광을 나타(특공소 59-33153호, 특공소 59-33155호, 특공소 62-44035호, 특공소 62-53554호 등 참조) 내는 것으로부터, 녹백색 발광을 표시하는 형광체로서 예로부터 실용되고 있는 ZnO:Zn와 조합시켜, 다색표시를 할 수 있는 차재용(클록, 카오디오, 속도메터, 타코메터 등의 표시용), 오디오용, VTR용 등의 형광표시관의 형광막으로서 근년 많이 사용되게 되었다.

그러나 특히 차재용 형광 표시관의 경우, 사용되는 전원의 관계로부터 형광표시관의 가속전압에 제한이 있으므로, 종래의 기술에서는 형광표시관의 발광휘도가 불충분하여 특히 주간의 외광하에서의 시인(視認)이 부족하고, 차의 운전상의 안전성이란 면에서 문제가 있다는 것이 현상이다.

본 발명은 상술한 바와 같은 상황에 비추어 이루어진 것으로서 특히 가속전압이 대략 1kV 이하의 저속 전자선으로 여기하였을 때, 보다 고휘도의 발광을 표시하는 발광조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자 등은, 상기 목적을 달성하기 위하여, 현재, 다색표시가 가능한 형광표시관용으로서 사용되고 있는, 황화물 형광체와 도전성물질과의 혼합물로 이루어지는 발광조성물의 일구성부분인 황화물 형광체에 대하여, 그 물성 등과 얻어지는 발광조성물의 발광휘도와의 관계에 대하여 예의 연구한 결과, 가속 전압 1kV 이하의 저속전자선으로 여기하였을 경우에 한하여, 사용되는 황화물 형광체의 결정성의 차이에 의하여 얻어지는 발광조성물의 발광휘도가 크게 변화하여, 황화물 형광체의 결정성을 특정의 범위로 제어함으로서, 특히 고휘도의 발광조성물이 얻어지는 것을 발견하였다.

즉, 결정체의 X 선회절 스펙트럼(결정체에 X선을 조사하였을 때, 결정에 의한 X선의 회절각(θ)의 2배각(2θ)과 회절선의 강도와의 관계를 표시한다)에 있어서 회절선의 반치폭(2θ)과 그 결정체의 결정화의 정도사이에는 상관이 있기(반치폭이 좁을수록 결정화의 정도가 크다) 때문에, 합성조건을 변화시킨 여러 가지 황화물 형광체에 대하여 X 선회절 스펙트럼을 측정하고, 각각의 황화물 형광체의 면지수 「100」면에서의 회절선중의 최강회절선(본명세서에서는 이를 단지 「최강회절선」라 하기도 한다)의 반치폭을 구함과 동시에, 이 반치폭과 이들의 황화물 형광체를 사용한 각발광조성물의 저속전자선 여기하에서의 발광특성과의 상관을 조사한 즉, X선 회절 스펙트럼에 있어서의 최강 회절선의 반치폭(2θ)이 0.05°∼0.16°의 범위에 있는 황화물 형광체를 사용하였을 때, 특히 고휘도의 발광조성물이 얻어지는 것을 발견하고 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명의 발광조성물은, 조성식이 (Zn_1-x, Cd_x) S (단, x는 0x1인 조건을 만족하는 수)로 표시되는 황화물을 모체로 하는 형광체와, 도전성 물질을 혼합 또는 서로 부착시켜서 이루어지는 발광조성물이고, 상기 황화물 형광체의 X선 회절 스펙트럼에 있어서 최강회절선의 반치폭(2θ)이 0.05° 내지 0.16°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 것이다.

이하, 본 발명의 발광조성물의 제조방법에 대하여 설명한다.

본 발명의 발광조성물의 한쪽의 구성성분으로서 사용되는 (Zn_1-x, Cd_x) S계 황화물 형광체로서는, ZnS:Zn, ZnS:Ag, Cl, ZnS:Ag, Cl, Li, ZnS:Ag, Al, ZnS:Mn, Cl, (Zn, Cd) S:Cu, Al, (Zn, Cd) S:Au, Al, (Zn, Cd) S:Au, Cu, Al, CdS:Ag 등을 비롯하는 조성식이 (Zn_1-x, Cd_x) S로 표시되는 황화물 모체를 아연(Zn), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 망간(Mn) 등의 부활제로 부활하고, 더욱 필요에 따라 이에 알루미늄(Al), 할로겐원소(Cl, Br, I 또는 F)등의 제1의 공부활제 및 알칼리 금속원소(Li, Na, K, Rb 또는 Cs), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등의 제2의 공부활제로 공부활하여 이루어지는 황화물 형광체중에서 이들 X선회절 스펙트럼의 최강회절선의 반치폭(2θ)이 0.05°∼0.16°범위에 있는 황화물 형광체가 선택적으로 사용된다.

그중에서도, 이 반치폭이 0.07°∼0.14°의 범위에 있는 황화물 형광체를 사용하였을 때, 특히 고휘도의 발광조성물을 얻을 수 있다.

또, X선회절 스팩트럼의 최강회절선의 반치폭(2θ)이 0.05°∼0.16°인 상기 황화물 형광체중에서도 상기 조성식중의 X치의 범위가 0.4x0.85에 있는, ZnS나 CdS와의 고용체를 모체로 하는 황화물 형광체를 사용하는 것이 좋고, 더욱 바람직하게는, X치가 상기 범위에 있고, 그리고 모체 1g당 200∼2000㎍의 Ag로 부활하여 이루어지는(Zn_1-x, Cd_x) S:Ag계의 황화물 형광체를 사용하였을 때, 특히 고휘도의 발광조성물이 얻어진다.

본 발명의 발광조성물에 사용되는 조성식이 (Zn_1-x, Cd_x) S(단, 0x1)로 표시되는 황화물을 모체로 하는 (Zn_1-x, Cd_x) S계 황화형광체는, 일반으로, 이하에 기술하는 바와 같은 방법에 의하여 제조된다.

즉, 형광체 모체원료인 황화아연(ZnS)과 황화카드뮴(CdS)을, CdS가 x몰에 대하여 ZnS가 (1-x) 몰로 되는 비율(단, 0x1)로 혼합하여 이루어지는 혼합황화물 원료에, 질산은(AgNO₃), 황산구리(CuSO₄), 염화금산(HAuCl₄), 탄산망간(MnCO₃)등을 비롯한 부활제로 되는 원소의 질산염, 황산염, 할로겐화물, 탄산염 등의 화합물과, 제1의 공부활제로 되는 알루미늄(Al)이나 할로겐원소(Cl, Br, I, F)를 포함하는 화합물을 소정량 평취하고, 더욱 필요에 따라 이에 제2의 공부활제로 되는 알칼리금속원소(Li, Na, K, Rb 및 Cs의 적어도 하나)이나, 갈륨(Ga), 인듐(In) 등을 포함하는 화합물 및 융제로서의 염화나트륨(NaCl), 황산리튬(Li₂SO₄), 인산리튬(Li₃PO₄), 요오드화칼륨(KI), 염화암모늄(NH₄Cl) 등의 화합물을 소정량 혼합하여, 내열성용기에 채워 공기중, 또는 황화수소가스 분위기, 이황화탄소가스 분위기 등의 황화성분 위기중에서, 750∼1000℃의 온도로 1∼10시간 소성한다.

다음에, 이렇게 하여 얻은 (Zn_1-x, Cd_x) S계 황화물 형광체에 대하여 X 선회절장치에 의하여 회절 X선 스펙트럼을 구하고, 그 최강회절선의 반치폭(2θ)이 0.05° 내지 0.16°의 범위내에 있는 형광체가 사용된다.

한편, 본 발명의 발광조성물에 사용되는 도전성 물질로서는 산화인듐(In₂O₃), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO₂), 산화티탄(TiO₂), 산화텅스텐(WO₃), 산화니오브(Nb₂O₅), 황화카드뮴(CdS), 황화구리(CuS)등, 종래의 저속전자선용 발광조성물에 사용되고 있는 것이며, 어느것이든 사용할 수가 있다.

이들의 도전성 물질중에서도, 일반으로 시판되고 있는 In₂O₃시약, In(NO₃)₃, InCl₃등의 In염을 소성하여 얻은 In₂O₃, 예를 들면 특개소 55-110181호등에 개시되어 있는 Eu, Ce 등의 희토류로 부활된 In₂O₃, In₂O₃와 SnO₂와의 고용체 등, In₂O₃또는 In₂O₃을 포함하는 화합물을 사용하였을 때, 특히 고휘도의 발광조성물이 얻어진다.

본 발명의 발광조성물을 제조하는데는, 소정의 비율로 평취된 상술의 도전성 물질과 소망의 형광체를 유발, 볼밀, 믹셔밀 등을 사용하거나, 체에 걸르는 등의 방법에 의하여 충분히 혼합하든가 또는 상술의 형광체입자의 표면에, 예를들면 접착제로서 젤라틴과 아라비아고무를 사용하는 방법(특공소 54-3677)호 공보 참조), 정전도포법(특공소 54-44275호 공보 참조), 에틸렌셀룰로오스, 니트로셀룰로오스 등의 유기바인더를 사용하는 방법(특공소 62-33266호 공보 참조) 등의 공지의 방법으로 상술의 도전성물질을 부착시킴으로써 본 발명의 발광조성물을 얻을 수가 있다. 이때 도전성물질과 형광체와의 혼합중량비는, 종래의 고저항의 형광체와 도전성물질로 이루어지는 발광조성물의 경우와 거의 마찬가지이고, 얻어지는 발광조성물의 발광휘도의 점에서 도전성물질과 형광체를 단지 혼합하는 경우에는 도전성물질/형광체의 비를 대략 1/99 내지 7/13의 중량비로 하고, 형광체 입자 표면에 도전성물질을 부착시키는 경우에는 도전성 물질/형광체의 비를 1/199 내지 3/7의 중량비로 하는 것이 특히 바람직하다.

다음에, 사용되는 형광체의 결정화도와, 본 발명에 의한 저속전자선용 발광조성물을 포함하는 조성물의 발광휘도와의 관계를 도면에 의하여 표시한다.

제1도의 곡선 A는, 결정성의 정도가 다른 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl형광체와 In₂O₃를 각각 9:1로 혼합하여 이루어지는 여러 가지 발광조성물에 대하여, 사용되는 형광체의 결정화도와, 얻어지는 발광조성물의 저속전자선(가속전압 20V) 여기하에서의 발광휘도와의 관계를 예시한 것이고, 제1도의 곡선 B는 상기의 각 발광조성물의 구성성분인 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl형광체에 대하여 각 형광체의 결정화도와 고속전자선(가속전압 12kV) 여기하에서의 발광휘도와의 관계를 예시한 것이다.

제1도의 횡축은 사용되는 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl형광체의 결정화도의 기준으로서 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl의 X선회절 스펙트럼에 있어서 최강회절의 반치폭(2θ)이고, 곡선 A의 종축 및 곡선 B의 종축은, X선회절 스펙트럼에 있어서 최강회절선의 반치폭이 0.18°인 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl를 사용한 종래의 발광조성물의 발광휘도를 100으로 하였을 때의, 각 발광조성물의 발광휘도를 상대치로 표시한 것, 및 X선회절선의 반치폭(2θ)이 0.18°인 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체의 발광휘도를 100으로 사용하였을 때의 상대치로 표시한 것이다.

제1도의 곡선 A와 B에서 알 수 있는 바와 같이, 결정화도가 다르고, X선회절 스펙트럼의 최강회절선의 반치폭이 다른 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체를 고속전자선으로 여기하였을 때의 발광휘도는 회절선의 반치폭이 어떤 일정의 범위내에 있을 때, 거의 변화하지 않음에도 불구하고(곡선 B), 이들 형광체를 사용한 발광조성물을 저속전자선으로 여기하였을 경우, 사용되는 형광체의 결정화도에 의하여 그 발광휘도가 크게 변하고(곡선 A), X회절선 스펙트럼의 최강회절선의 반치폭(2θ)이 대략 0.05∼0.16°인 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체와 In₂O₃로 이루어지는 발광조성물은 저속전자선 여기하에서는 특히 고휘도이고, 그중에서도 최강회절선의 반치폭(2θ)이 0.07∼0.14°인 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체와 In₂O₃로 이루어지는 발광조성물로보다 고휘도이다.

더욱, (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체 이외의 황화물계 형광체의 경우에도 고속전자선 여기하에서는 곡선 B에 표시하는 바와 같이 이형광체의 회절 X선의 반치폭이 변하더라도 그 발광휘도는 거의 변하지 않음에도 불구하고, 이 형광체와 In₂O₃로 이루어지는 발광조성물을 저속전자선으로 여기하였을 때의 발광휘도는 곡선 A에 표시한 발광조성물의 경우와 마찬가지로 사용되는 황화물계 형광체의 회절 X선 스펙트럼의 최강회절선의 반치폭(2θ)이 거의 0.05°∼0.16°의 범위에 있을 때 특히 고휘도이고, 그 경향은 In₂O₃이외의 도전성물질을 상용한 경우에도 유사함이 확인되었다.

따라서, 본 발명의 발광조성물의 일구성성분으로서 사용되는 황화물계 형광체는, 각각의 형광체의 X선회절 스펙트럼에 있어서 최강회절선의 반치폭(2θ)이 0.05°∼0.16°의 범위에 있는 것이 바람직하고 얻어지는 발광조성물의 발광휘도의 점에서, 특히 회절선의 반치폭(2θ)이 0.07°∼0.14°의 범위에 있는 황화물계 형광체를 사용하는 것이 보다 바람직하다.

다음에 실시예에 의하여 본 발명을 설명한다.

[실시예 1]

황화아연(ZnS)(형광체 그레이드 시약)55g, 황화카드뮴(CdS)(형광체 그레이드 시약) 195g, 질산은(AgNO₃)(시약특급)0.08g 및 염화나트륨(NaCl)(시약특급) 3.0g으로 이루어지는 형광체 원료를 충분히 공급하고, 도가니본체와 뚜껑과의 접촉면이 평활하고 밀착성이 좋은 뚜껑달린 석영도가니에 충전하였다.

이를 전기로에 넣어 공기중에서 820℃로 2시간 소성하고, 수체를 행한 후, 윗물액의 전도도가 10㎲/㎝ 이하로 될 때까지 수세를 행하고, 탈수조건함으로서 Ag의 농도가 형광체 1g당 200㎍인 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체(황화물 형광체 [I])를 제조하였다.

한편 이것과는 별도로 형광체원료로서 3.0g의 NaCl에 대신하여, 2.5g를 사용한 것, 석영도가니의 뚜껑과 도가니 본체와의 접촉면을 조면화하여 뚜껑과 도가니 본체와의 밀착성을 나쁘게 하는 것 및 소성온도를 800℃로 하는 것 이외는 상기 황화물 형광체[I]와 마찬가지로 Ag의 농도가 형광체 1g당 200㎍인 (Zn_0.29, Cd_0.71) S:Ag, Cl 형광체(황화물 형광체 [I-R])를 제조하였다.

이들의 황화물 형광체[I] 및 [I-R]에 대하여 X선 회절장치(리가꾸덴끼 가부시끼가이샤 제)를 사용하여 회절 X선 스펙트럼을 측정하고, 각각의 최강회절선의 반치폭(2θ)을 구한 즉 각각 0.11° 및 0.18°였다.

다음에 이황화물 형광체[I] 93 중량부와 시판의 In₂O₃7중량부를 볼밀을 사용하여 충분히 혼합하고, 발광조성물[I]을 제조하였다.

또, 황화물 형광체[I]에 대신하여 황화물형광체[I-R]를 사용하는 이외는 발광조성물[I]과 마찬가지로 발광조성물[I-R]을 제조하였다.

이렇게 하여 얻어진 각 발광조성물을 가속전압 20V의 저속전자선으로 여기하고, 발광시켜 그때의 발광휘도를 상대적으로 비교한 즉, 발광조성물[I]의 발광휘도는 발광조성물[I-R]의 약 1.3배 였다.

[실시예 2]

황화아연(ZnS)(형광체 그레이드 시약) 250g, 염화나트륨(NaCl)(시약특급) 2.5g, 염화암모늄(NH₄Cl)(시약특급) 6.25g 및 유황(S)(시약특급) 5.0g로 이루어지는 형광체원료를 충분히 혼합하고 전기로에 넣어 공기중에서 850℃로 2.5 시간 소성하는 이외는 실시예 1의 황화물 형광체[I]와 마찬가지로 하여 자기부활의 ZnS:Zn 형광체(황화물 형광체[Ⅱ])를 제조하였다.

한편, 이것과는 별도로 석영도가니의 뚜껑과 도가니 본체와의 접촉면을 조면화하여 뚜껑과 도가니 본체와의 밀착성을 나쁘게 하는 것 및 소성시간을 2시간으로 하는 것 이외는, 상기 황화물 형광체[Ⅱ]와 마찬가지로하여 자기 부활의 ZnS:Zn 형광체(황화물 형광체 [Ⅱ-R])를 제조하였다.

이들의 황화물 형광체[Ⅱ] 및 [Ⅱ-R]에 대하여 X선 회절장치(리가꾸덴끼 가부시끼가이샤 제)를 사용하여 회절 X선 스펙트럼을 측정하고, 이들 각 최강회절선의 반치폭(2θ)을 구한즉 각각 0.10° 및 0.17°였다.

다음에 젤라틴 0.6 중량부를 40℃의 온수중에 용해하고, 0.3% 젤라틴 수용액을 작성한 후, 그중에 85중량부의 황화물 형광체[Ⅱ]를 첨가하여 충분히 교반하고 형광체 분산액을 얻었다.

한편 아라비아고무 0.4 중량부를 물에 용해하고, 0.3% 아라비아 고무 수용액을 작성하고, 이중에 15중량부의 In₂O₃를 첨가하여 충분히 교반하여, In₂O₃입자의 분산액을 작성하였다.

다음에, 상기 형광체분산액과, In₂O₃입자의 분산액과를 교반하면서 혼합하고, 혼합액의 pH를 4로 조정하고, 10℃ 이하로 냉각한 후, 포르말린 1 중량부를 교반하면서 서서히 적하하였다. 웃물을 데칸테이션으로 제거한 후, 수세 후, 고형분을 건조하여 ZnS:Zn 형광체에 In₂O₃를 부착시킨 발광조성물[Ⅱ]를 제조하였다.

또 황화물 형광체[Ⅱ]에 대신하여 황화물 형광체[Ⅱ-R]를 사용하는 것 이외는 각 발광조성물[Ⅱ]과 마찬가지로 발생조성물[Ⅱ-R]을 제조하였다.

이렇게 하여 얻어진 각 발광조성물을 가속전압 20V의 저속 전자선으로 여기하고, 발광시켜 그때의 발광휘도와 상대적으로 비교한 즉, 발광 조성물[Ⅱ]의 발광휘도는 발광조성물[Ⅱ-R]의 약 1.2배 였다.

[실시예 3]

황화아연(ZnS)(형광체 그레이드 시약) 1.25g, 황화카드뮴(CdS)(형광체 그레이드 시약) 1.25g, 질산은(AgNO3) 0.08g 및 염화리튬(LiCl) 2.5g으로 이루어지는 형광체 원료를 충분히 혼합하고, 전기로에 넣어 공기중에서 800℃로 1.5시간 소성하는 것 이외는 실시예 1의 황화물 형광체[I]와 마찬가지로 얻은 형광체를 재차 석영도가니에 채워 전기로에 넣어 질소가스 분위기 중에서 800℃로 1시간 재소성하여, 수체를 행한 후, 웃물의 전도도가 10㎲/㎝ 이하로 될 때까지 수세하고, 건조하여, Ag의 농도가 형광체 1g당 200㎍인 (Zn_0.31, Cd_0.69) S:Ag, Cl 형광체(황화물 형광체[Ⅲ])를 제조하였다.

이것과는 별도로 석영도가니의 뚜껑과 도가니 본체와의 접촉면을 조면화하여 뚜껑과 도가니 본체와의 밀착성을 나쁘게 하는 것, 소성시간을 1시간으로 하고, 질소가스 중에서의 재소성을 행하지 않는 것 이외는 황화물 형광체[Ⅲ]와 마찬가지로 하여 황화물 형광체[Ⅲ-R]를 제조하였다.

이들의 황화물 형광체[Ⅲ] 및 [Ⅲ-R]에 대하여 X선 회절장치(리가꾸덴끼 가부시끼가이샤 제)를 사용하여 회절 X선 스펙트럼을 측정하여, 이들 각 최강회절선 반치폭(2θ)을 구한 즉 각각 0.12° 및 0.18°였다.

다음에 이황화물 형광체[Ⅲ] 95중량부와 시판의 산화아연(ZnO) 5중량부를 볼밀을 사용하여 충분히 혼합하여 발광조성물[Ⅲ]을 제조하였다.

또, 황화물 형광체[Ⅲ]에 대신하여 황화물 형광체[Ⅲ-R]를 사용하는 이외는 발광조성물[Ⅲ]과 마찬가지로 하여 발광조성물[Ⅲ]을 제조하였다.

이렇게 하여 얻어진 각 발광조성물을 가속전압 20V의 저속전자선으로 여기하고, 발광시켜 그때의 발광휘도를 상대적으로 비교한 즉 발광조성물[Ⅲ]의 발광휘도는 발광조성물[Ⅲ]의 약 1.15배 였다.

이상 상술한 바와 같이 황화물계 형광체와 도전성물질과의 혼합물로 이루어지는 발광조성물에서, 회절X선 스펙트럼에 있어서 최강 회절선의 반치폭(2θ)이 대략 0.05°∼0.16°의 범위에 있는 황화물계 형광체를 그의 구성성분으로 사용함으로써 얻어지는 발광조성물은, 가속전압 1kV 이하의 저속전자선 여기하에서의 발광휘도가 현저히 향상하고, 형광표시관용 형광재료로서 극히 유용하다.

Claims

조성식이 (Zn_1-x, Cd_x) S(단 x는 0x1인 조건을 만족하는 수)로 표시되는 황화물을 모체로하는 형광체와 도전성물질과를 혼합 또는 서로 부착시켜서 이루어지는 저속 전자선용 발광조성물로서, 상기 황화물의 X선회절 스펙트럼에 있어서 최강 회절선의 반치폭(2θ)이 0.05°∼0.16°의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 저속 전자선용 발광 조성물.
제1항에 있어서, 상기 반치폭이 0.07°∼0.14°의 범위에 있는 것을 특징으로하는 저속전자선용 발광조성물.
제1항에 있어서, 상기 도전성물질이 산화인듐(In₂O₃)인 것을 특징으로 하는 저속전자선용 발광조성물.