JPH07114898A - 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 - Google Patents
蛍光膜及び蛍光膜形成方法Info
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- JPH07114898A JPH07114898A JP25792893A JP25792893A JPH07114898A JP H07114898 A JPH07114898 A JP H07114898A JP 25792893 A JP25792893 A JP 25792893A JP 25792893 A JP25792893 A JP 25792893A JP H07114898 A JPH07114898 A JP H07114898A
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- fluorescent screen
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- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
- C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
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- C09K11/642—Chalcogenides with zinc or cadmium
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】加速電圧0 .1〜2kV の電子線によって高い発光
効率で発光する蛍光膜を提供する。 【構成】蛍光体粒子の表面にケイ酸カリ、シリカ、Ｚｎ
で耐熱保護層を形成する。スチリルピリジニウム感光基
を有する感光性樹脂と前記蛍光体粒子を混合してスラリ
ー液を形成する。前記スラリー液を用いてフォトリソグ
ラフィ法で基板上に所定のパターンで蛍光膜を形成す
る。前記蛍光膜が形成された基板を450 〜480 ℃で焼成
する。原料物質中に蛍光体の発光効率を低減させるキラ
ー成分は含まれない。前記感光性樹脂は熱安定度が高い
が、高温焼成により熱分解され、残存したバインダ成分
等が蛍光体の発光輝度を低下させることはない。高温焼
成に対し、蛍光体は耐熱性の保護層で被覆されている。
表面は酸化せず、蛍光体の発光効率は低下しない。
効率で発光する蛍光膜を提供する。 【構成】蛍光体粒子の表面にケイ酸カリ、シリカ、Ｚｎ
で耐熱保護層を形成する。スチリルピリジニウム感光基
を有する感光性樹脂と前記蛍光体粒子を混合してスラリ
ー液を形成する。前記スラリー液を用いてフォトリソグ
ラフィ法で基板上に所定のパターンで蛍光膜を形成す
る。前記蛍光膜が形成された基板を450 〜480 ℃で焼成
する。原料物質中に蛍光体の発光効率を低減させるキラ
ー成分は含まれない。前記感光性樹脂は熱安定度が高い
が、高温焼成により熱分解され、残存したバインダ成分
等が蛍光体の発光輝度を低下させることはない。高温焼
成に対し、蛍光体は耐熱性の保護層で被覆されている。
表面は酸化せず、蛍光体の発光効率は低下しない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、蛍光膜及び蛍光膜の製
造方法に係わり、特に概ね０．１〜２ｋＶの範囲の加速
電圧で加速された電子の射突により励起・発光する蛍光
膜と、係る蛍光膜を感光性樹脂を使用して製造する方法
に関するものである。
造方法に係わり、特に概ね０．１〜２ｋＶの範囲の加速
電圧で加速された電子の射突により励起・発光する蛍光
膜と、係る蛍光膜を感光性樹脂を使用して製造する方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えばＲ，Ｇ，Ｂの３色に発光する多数
の画素を備えたフルカラーグラフィック蛍光表示管の蛍
光膜は、次のような蛍光体を使用して形成している。例
えば、Ｒ（赤）の蛍光体はＹ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕで、Ｅｕの
付活量は１×１０-2〜１．５×１０-1ｇ／ｇ（１〜１５
％）、Ｇ（緑）の蛍光体はＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌで、Ｃｕ
の付活量は１５０ｐｐｍ、Ｂ（青）の蛍光体はＺｎＳ：
Ａｇ，Ａｌで、Ａｇの付活量は２００ｐｐｍである。
の画素を備えたフルカラーグラフィック蛍光表示管の蛍
光膜は、次のような蛍光体を使用して形成している。例
えば、Ｒ（赤）の蛍光体はＹ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕで、Ｅｕの
付活量は１×１０-2〜１．５×１０-1ｇ／ｇ（１〜１５
％）、Ｇ（緑）の蛍光体はＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌで、Ｃｕ
の付活量は１５０ｐｐｍ、Ｂ（青）の蛍光体はＺｎＳ：
Ａｇ，Ａｌで、Ａｇの付活量は２００ｐｐｍである。
【０００３】表示部に蛍光膜を用いた表示装置の技術分
野において、蛍光体を所定パターンの蛍光膜に形成する
方法は各種知られている。しかしながら、前述したフル
カラーグラフィック蛍光表示管の蛍光膜のように、Ｒ，
Ｇ，Ｂの３種類の蛍光体で所定パターンの蛍光膜を形成
する場合等には、不必要な蛍光体が物理的に付着するの
を避けられない電着法は好ましくなく、カラーブラウン
管の製造においてＲ，Ｇ，Ｂ蛍光体を高精細にパターニ
ングする方法として知られるスラリー法が適している。
野において、蛍光体を所定パターンの蛍光膜に形成する
方法は各種知られている。しかしながら、前述したフル
カラーグラフィック蛍光表示管の蛍光膜のように、Ｒ，
Ｇ，Ｂの３種類の蛍光体で所定パターンの蛍光膜を形成
する場合等には、不必要な蛍光体が物理的に付着するの
を避けられない電着法は好ましくなく、カラーブラウン
管の製造においてＲ，Ｇ，Ｂ蛍光体を高精細にパターニ
ングする方法として知られるスラリー法が適している。
【０００４】スラリー法によれば、まずＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）水溶性樹脂に感光材として重クロム酸
アンモニウム（ＡＤＣ）を混合し、感光性樹脂水溶液を
得る。これに蛍光体粒子を混合し、スラリー液を形成す
る。
ニルアルコール）水溶性樹脂に感光材として重クロム酸
アンモニウム（ＡＤＣ）を混合し、感光性樹脂水溶液を
得る。これに蛍光体粒子を混合し、スラリー液を形成す
る。
【０００５】前記スラリー液を、蛍光膜を形成する対象
物、例えばガラス基板上に均一に塗布して乾燥する。所
定パターンのマスクを通してこれに紫外線を露光し、水
現像によって露光した部分のみを残す。Ｒ，Ｇ，Ｂの３
種類の蛍光体を用いる場合は、前記工程を３回繰り返
す。
物、例えばガラス基板上に均一に塗布して乾燥する。所
定パターンのマスクを通してこれに紫外線を露光し、水
現像によって露光した部分のみを残す。Ｒ，Ｇ，Ｂの３
種類の蛍光体を用いる場合は、前記工程を３回繰り返
す。
【０００６】その後、４３０〜４５０℃で前記ガラス基
板を１０〜２０分焼成してＰＶＡ及びＡＤＣを熱分解
し、これを蒸発させて除去し、蛍光膜が完成する。
板を１０〜２０分焼成してＰＶＡ及びＡＤＣを熱分解
し、これを蒸発させて除去し、蛍光膜が完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】感光材としてＡＤＣを
使用した場合には、ＡＤＣがＣｒを含有しているため、
焼成後には酸化クロムＣｒＯが蛍光膜の表面に残ってし
まうことがあった。このＣｒ等は蛍光体に微量含有され
ただけで発光のキラーとして作用することが知られてい
るが、ＣＲＴのように高速電子線で蛍光体の内部まで発
光させる場合には、キラー効果は生じない。しかしなが
ら、比較的低速な電子線（例えば加速電圧０．１〜２ｋ
Ｖ）によって発光する蛍光体の場合には、このキラー効
果によって発光効率が５０％以上も低下してしまうこと
がある。
使用した場合には、ＡＤＣがＣｒを含有しているため、
焼成後には酸化クロムＣｒＯが蛍光膜の表面に残ってし
まうことがあった。このＣｒ等は蛍光体に微量含有され
ただけで発光のキラーとして作用することが知られてい
るが、ＣＲＴのように高速電子線で蛍光体の内部まで発
光させる場合には、キラー効果は生じない。しかしなが
ら、比較的低速な電子線（例えば加速電圧０．１〜２ｋ
Ｖ）によって発光する蛍光体の場合には、このキラー効
果によって発光効率が５０％以上も低下してしまうこと
がある。
【０００８】前記キラーが蛍光面に残存しない他の蛍光
面の形成方法としては、ＰＶＡ−ＳｂＱ法が知られてい
る。この方法で用いられる感光材は、ＰＶＡを主鎖と
し、感光基としてスチリルピリジニウム基（ＳｂＱと略
称される）を側鎖に有する水溶性感光樹脂である。な
お、その使用方法はＡＤＣを感光材として使用したスラ
リー法の場合と同じである。
面の形成方法としては、ＰＶＡ−ＳｂＱ法が知られてい
る。この方法で用いられる感光材は、ＰＶＡを主鎖と
し、感光基としてスチリルピリジニウム基（ＳｂＱと略
称される）を側鎖に有する水溶性感光樹脂である。な
お、その使用方法はＡＤＣを感光材として使用したスラ
リー法の場合と同じである。
【０００９】前述したＰＶＡ−ＳｂＱ法には、ＡＤＣの
ような欠点はない。しかしながら、ＳｂＱ基は紫外線で
反応して重合すると熱安定度の高い樹脂を形成するの
で、ＡＤＣのように４５０℃以下の温度では完全には熱
分解することができない。従って、４５０℃以下の温度
で焼成したのでは、バインダー成分が蛍光体の表面に付
着し、または残存したバインダー成分吸収作用により、
蛍光体の発光が妨げられてしまう。
ような欠点はない。しかしながら、ＳｂＱ基は紫外線で
反応して重合すると熱安定度の高い樹脂を形成するの
で、ＡＤＣのように４５０℃以下の温度では完全には熱
分解することができない。従って、４５０℃以下の温度
で焼成したのでは、バインダー成分が蛍光体の表面に付
着し、または残存したバインダー成分吸収作用により、
蛍光体の発光が妨げられてしまう。
【００１０】そこで、焼成温度を４８０℃程度にまで上
げれば前記樹脂を完全に熱分解できるが、そうすると蛍
光体、特に硫化物系蛍光体の表面が熱酸化してしまう。
前述した比較的低速な電子線は蛍光体の表面を発光させ
るので、樹脂を完全に熱分解するために焼成温度を４５
０℃以上とすると、蛍光体の表面が酸化して発光効率が
低下するという別の問題が生じてしまう。
げれば前記樹脂を完全に熱分解できるが、そうすると蛍
光体、特に硫化物系蛍光体の表面が熱酸化してしまう。
前述した比較的低速な電子線は蛍光体の表面を発光させ
るので、樹脂を完全に熱分解するために焼成温度を４５
０℃以上とすると、蛍光体の表面が酸化して発光効率が
低下するという別の問題が生じてしまう。
【００１１】また、前述のようにして形成された蛍光膜
においては、蛍光体の密着強度が十分でないという問題
もあった。
においては、蛍光体の密着強度が十分でないという問題
もあった。
【００１２】本発明は、キラー成分を含まず、４５０℃
以上の温度で焼成しても蛍光体粒子が熱酸化せず、しか
も緻密で密着力が高く、比較的低速な電子線（例えば加
速電圧０．１〜２ｋＶ）によって高い発光効率で発光す
る蛍光膜と、その製造方法を提供することを目的として
いる。
以上の温度で焼成しても蛍光体粒子が熱酸化せず、しか
も緻密で密着力が高く、比較的低速な電子線（例えば加
速電圧０．１〜２ｋＶ）によって高い発光効率で発光す
る蛍光膜と、その製造方法を提供することを目的として
いる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された蛍
光膜は、表面に耐熱保護層が形成された蛍光体粒子と、
スチリルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂から成
ることを特徴とする。
光膜は、表面に耐熱保護層が形成された蛍光体粒子と、
スチリルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂から成
ることを特徴とする。
【００１４】請求項２に記載された蛍光膜形成方法は、
蛍光体粒子の表面に耐熱保護層を形成する工程と、スチ
リルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂と前記蛍光
体粒子を混合して蛍光体スラリーを形成する工程と、前
記蛍光体スラリーを用いてフォトリソグラフィ法で基板
上に所定のパターンで蛍光体の膜を形成する工程と、前
記蛍光体の膜が形成されたを４５０℃以上で焼成する工
程を有することを特徴としている。
蛍光体粒子の表面に耐熱保護層を形成する工程と、スチ
リルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂と前記蛍光
体粒子を混合して蛍光体スラリーを形成する工程と、前
記蛍光体スラリーを用いてフォトリソグラフィ法で基板
上に所定のパターンで蛍光体の膜を形成する工程と、前
記蛍光体の膜が形成されたを４５０℃以上で焼成する工
程を有することを特徴としている。
【００１５】
【実施例】加速電圧０．１〜２ｋＶの電子線によって高
輝度で発光する本実施例の蛍光膜の構成及びその製造方
法について説明する。まず、本実施例の蛍光膜を構成す
る蛍光体における付活剤の濃度について、本発明者等の
知見を説明する。
輝度で発光する本実施例の蛍光膜の構成及びその製造方
法について説明する。まず、本実施例の蛍光膜を構成す
る蛍光体における付活剤の濃度について、本発明者等の
知見を説明する。
【００１６】前述したＲ，Ｇ，Ｂの蛍光体を１００Ｖ以
下の低速電子線で発光させる場合、従来はＩｎ2 Ｏ3 等
の導電物質を蛍光体に数％程度混合して抵抗を小さくし
ていたので、ＣｕやＡｇの付活量は１５０〜２００ｐｐ
ｍ程度とあまり高くする必要はなかった。
下の低速電子線で発光させる場合、従来はＩｎ2 Ｏ3 等
の導電物質を蛍光体に数％程度混合して抵抗を小さくし
ていたので、ＣｕやＡｇの付活量は１５０〜２００ｐｐ
ｍ程度とあまり高くする必要はなかった。
【００１７】しかしながら、本発明者等の認識する所に
よれば、数百Ｖ（例えば０．１〜２ｋＶの範囲）の加速
電圧で加速された電子線で蛍光体を発光させる場合に
は、ＴＶ用の高速電子線によって発光させる蛍光体の付
活量に近い付活量とした方が蛍光体の発光輝度は高くな
る。
よれば、数百Ｖ（例えば０．１〜２ｋＶの範囲）の加速
電圧で加速された電子線で蛍光体を発光させる場合に
は、ＴＶ用の高速電子線によって発光させる蛍光体の付
活量に近い付活量とした方が蛍光体の発光輝度は高くな
る。
【００１８】次は、０．１〜２ｋＶの範囲の加速電圧で
加速された電子線で発光させるＧ，Ｂ，Ｒの各発光色の
蛍光体において、その発光輝度が従来よりも高くなるよ
うな付活量の一例を示すものである。 （Ｇ） ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ 付活量はＣｕ６００〜１
５００ｐｐｍ，Ａｌ５００〜１５００ｐｐｍ （Ｂ） ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ 付活量はＡｇ１０００〜
３０００ｐｐｍ，Ａｌ４００〜９００ｐｐｍ （Ｒ） Ｙ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ 付活量はＥｕ１〜１５％
加速された電子線で発光させるＧ，Ｂ，Ｒの各発光色の
蛍光体において、その発光輝度が従来よりも高くなるよ
うな付活量の一例を示すものである。 （Ｇ） ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ 付活量はＣｕ６００〜１
５００ｐｐｍ，Ａｌ５００〜１５００ｐｐｍ （Ｂ） ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ 付活量はＡｇ１０００〜
３０００ｐｐｍ，Ａｌ４００〜９００ｐｐｍ （Ｒ） Ｙ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ 付活量はＥｕ１〜１５％
【００１９】本実施例の蛍光体は、前述のような蛍光体
にケイ酸カリ、シリカ、Ｚｎで耐熱処理を施し、各粒子
の表面にこれらの物質からなる保護層を形成したもので
ある。従って、高い温度で焼成しても蛍光体粒子の表面
が酸化することはない。
にケイ酸カリ、シリカ、Ｚｎで耐熱処理を施し、各粒子
の表面にこれらの物質からなる保護層を形成したもので
ある。従って、高い温度で焼成しても蛍光体粒子の表面
が酸化することはない。
【００２０】また、本実施例の蛍光体は、その粒子径が
２〜８μｍ、より好ましくは２〜４μｍと細かい。この
ため所定形状の蛍光膜に形成する時のパターニング性が
良好で構造も緻密になるため粒子間の密着性が強く、蛍
光膜としての強度が高い。
２〜８μｍ、より好ましくは２〜４μｍと細かい。この
ため所定形状の蛍光膜に形成する時のパターニング性が
良好で構造も緻密になるため粒子間の密着性が強く、蛍
光膜としての強度が高い。
【００２１】次に、本実施例の蛍光膜を構成する以上の
ような蛍光体の製造工程について、２種類の蛍光体を例
に挙げてより具体的に説明する。 （１）ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体の場合 原料調整 ＺｎＳに、Ｃｕ６００〜１５００ｐｐｍ，Ａｌ５００〜
１０００ｐｐｍ，ＮａＣｌ等のフラックスを適当量添加
し、原料を調整する。一例としては、ＺｎＳを１ｋｇ、
ＣｕＳＯ4 を２．５１ｇ（Ｃｕに換算して１０００ｐｐ
ｍ）、Ａｌ2 （ＳＯ4 ）3 を５．３８ｇ（Ａｌに換算し
て８５０ｐｐｍ）、ＮａＣｌを１ｇ（フラックスとして
添加）、湿式で混合して乾燥する。ここで、Ｃｕ量を変
更する場合は上記と同じ比率になるようにＡｌ量も変更
する。
ような蛍光体の製造工程について、２種類の蛍光体を例
に挙げてより具体的に説明する。 （１）ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ蛍光体の場合 原料調整 ＺｎＳに、Ｃｕ６００〜１５００ｐｐｍ，Ａｌ５００〜
１０００ｐｐｍ，ＮａＣｌ等のフラックスを適当量添加
し、原料を調整する。一例としては、ＺｎＳを１ｋｇ、
ＣｕＳＯ4 を２．５１ｇ（Ｃｕに換算して１０００ｐｐ
ｍ）、Ａｌ2 （ＳＯ4 ）3 を５．３８ｇ（Ａｌに換算し
て８５０ｐｐｍ）、ＮａＣｌを１ｇ（フラックスとして
添加）、湿式で混合して乾燥する。ここで、Ｃｕ量を変
更する場合は上記と同じ比率になるようにＡｌ量も変更
する。
【００２２】焼成 上記原料をルツボに移し、Ｈ2 Ｓの還元雰囲気において
８００〜１０００℃で焼成する。一例としては、内容量
１ｌの石英製ルツボに上記原料を移し、Ｈ2 Ｓの還元雰
囲気において９００℃で焼成する。ここで、目標とする
蛍光体の粒子径に応じて焼成温度を調整する。焼成温度
を高くすると粒子径は大きくなり、低くすると小さくな
る。
８００〜１０００℃で焼成する。一例としては、内容量
１ｌの石英製ルツボに上記原料を移し、Ｈ2 Ｓの還元雰
囲気において９００℃で焼成する。ここで、目標とする
蛍光体の粒子径に応じて焼成温度を調整する。焼成温度
を高くすると粒子径は大きくなり、低くすると小さくな
る。
【００２３】処理 純水５ｌを攪拌しながら前記蛍光体１ｋｇを投入し、３
０分間攪拌して余分なフラックスを洗い流す。この洗浄
操作を５回繰り返す。
０分間攪拌して余分なフラックスを洗い流す。この洗浄
操作を５回繰り返す。
【００２４】洗浄した前記蛍光体に純水を加えて全量を
５ｌとし、超音波を３０分間用いて蛍光体を分散させ、
固まりをほぐす。
５ｌとし、超音波を３０分間用いて蛍光体を分散させ、
固まりをほぐす。
【００２５】熱処理工程での蛍光体の劣化を防ぐため、
ケイ酸カリ・シリカ（粒径５０ｎｍ）・Ｚｎを、純水中
に分散した前記蛍光体に添加し、ＰＨを７．４に調節す
ることによってこれらの物質で蛍光体の表面をコートす
る。一例としては、ケイ酸カリ（ＳｉＯ2 換算で０．１
ｇ）、シリカ５ｇを添加後、攪拌しながらＺｎＳＯ4溶
液（Ｚｎ０．５ｇ含有）を滴下する。その後、アンモニ
ア水を用い、ＰＨを７．４に調整する。
ケイ酸カリ・シリカ（粒径５０ｎｍ）・Ｚｎを、純水中
に分散した前記蛍光体に添加し、ＰＨを７．４に調節す
ることによってこれらの物質で蛍光体の表面をコートす
る。一例としては、ケイ酸カリ（ＳｉＯ2 換算で０．１
ｇ）、シリカ５ｇを添加後、攪拌しながらＺｎＳＯ4溶
液（Ｚｎ０．５ｇ含有）を滴下する。その後、アンモニ
ア水を用い、ＰＨを７．４に調整する。
【００２６】蛍光膜を製造する際の塗布特性安定化のた
め、脱水・乾燥後、ナイロン＃４６０を用いて前記蛍光
体をふるいにかけ、粗大粒子を除去する。蛍光体の粒子
は所定の粒度に揃えられ、蛍光膜を製造する際の塗布特
性が向上し、製造された蛍光膜の結合強度が高まる。
め、脱水・乾燥後、ナイロン＃４６０を用いて前記蛍光
体をふるいにかけ、粗大粒子を除去する。蛍光体の粒子
は所定の粒度に揃えられ、蛍光膜を製造する際の塗布特
性が向上し、製造された蛍光膜の結合強度が高まる。
【００２７】（１）ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ蛍光体の場合 原料調整 ＺｎＳに、Ａｇ１０００〜３０００ｐｐｍ，Ａｌ４００
〜９００ｐｐｍ，ＮａＣｌ等のフラックスを適当量添加
し、原料を調整する。一例としては、ＺｎＳを１ｋｇ、
Ａｇ2 ＳＯ4 を２．０５ｇ（Ａｇに換算して１５００ｐ
ｐｍ）、Ａｌ2（ＳＯ4 ）3 を４．７５ｇ（Ａｌに換算
して７５０ｐｐｍ）、ＮａＣｌを１ｇ（フラックスとし
て添加）、湿式で混合して乾燥する。ここで、Ａｇ量を
変更する場合は上記と同じ比率になるようにＡｌ量も変
更する。
〜９００ｐｐｍ，ＮａＣｌ等のフラックスを適当量添加
し、原料を調整する。一例としては、ＺｎＳを１ｋｇ、
Ａｇ2 ＳＯ4 を２．０５ｇ（Ａｇに換算して１５００ｐ
ｐｍ）、Ａｌ2（ＳＯ4 ）3 を４．７５ｇ（Ａｌに換算
して７５０ｐｐｍ）、ＮａＣｌを１ｇ（フラックスとし
て添加）、湿式で混合して乾燥する。ここで、Ａｇ量を
変更する場合は上記と同じ比率になるようにＡｌ量も変
更する。
【００２８】焼成 上記原料をルツボに移し、Ｈ2 Ｓの還元雰囲気において
８００〜１０００℃で焼成する。一例としては、内容量
１ｌの石英製ルツボに上記原料を移し、Ｈ2 Ｓの還元雰
囲気において９００℃で焼成する。ここで、目標とする
蛍光体の粒子径に応じて焼成温度を調整する。焼成温度
を高くすると粒子径は大きくなり、低くすると小さくな
る。
８００〜１０００℃で焼成する。一例としては、内容量
１ｌの石英製ルツボに上記原料を移し、Ｈ2 Ｓの還元雰
囲気において９００℃で焼成する。ここで、目標とする
蛍光体の粒子径に応じて焼成温度を調整する。焼成温度
を高くすると粒子径は大きくなり、低くすると小さくな
る。
【００２９】処理 純水５ｌを攪拌しながら前記蛍光体１ｋｇを投入し、３
０分間攪拌して余分なフラックスを洗い流す。この洗浄
操作を５回繰り返す。
０分間攪拌して余分なフラックスを洗い流す。この洗浄
操作を５回繰り返す。
【００３０】洗浄した前記蛍光体に純水を加えて全量を
５ｌとし、超音波を３０分間用いて蛍光体を分散させ、
固まりをほぐす。
５ｌとし、超音波を３０分間用いて蛍光体を分散させ、
固まりをほぐす。
【００３１】熱処理工程での蛍光体の劣化を防ぐため、
ケイ酸カリ・シリカ（粒径５０ｎｍ）・Ｚｎを、純水中
に分散した前記蛍光体に添加し、ＰＨを７．４に調節す
ることによってこれらの物質で蛍光体の表面をコートす
る。一例としては、ケイ酸カリ（ＳｉＯ2 換算で０．１
ｇ）、シリカ５ｇを添加後、攪拌しながらＺｎＳＯ4溶
液（Ｚｎ０．５ｇ含有）を滴下する。その後、アンモニ
ア水を用い、ＰＨを７．４に調整する。
ケイ酸カリ・シリカ（粒径５０ｎｍ）・Ｚｎを、純水中
に分散した前記蛍光体に添加し、ＰＨを７．４に調節す
ることによってこれらの物質で蛍光体の表面をコートす
る。一例としては、ケイ酸カリ（ＳｉＯ2 換算で０．１
ｇ）、シリカ５ｇを添加後、攪拌しながらＺｎＳＯ4溶
液（Ｚｎ０．５ｇ含有）を滴下する。その後、アンモニ
ア水を用い、ＰＨを７．４に調整する。
【００３２】蛍光膜を製造する際の塗布特性安定化のた
め、脱水・乾燥後、ナイロン＃４６０を用いて前記蛍光
体をふるいにかけ、粗大粒子を除去する。蛍光体の粒子
は所定の粒度に揃えられ、蛍光膜を製造する際の塗布特
性が向上し、製造された蛍光膜の結合強度が高まる。
め、脱水・乾燥後、ナイロン＃４６０を用いて前記蛍光
体をふるいにかけ、粗大粒子を除去する。蛍光体の粒子
は所定の粒度に揃えられ、蛍光膜を製造する際の塗布特
性が向上し、製造された蛍光膜の結合強度が高まる。
【００３３】次に、感光基としてスチリルピリジニウム
基（ＳｂＱ）が１〜５％導入されているＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）を感光性樹脂として使用し、前記蛍光
体を用いて下記のような成分比でスラリー液を製造す
る。
基（ＳｂＱ）が１〜５％導入されているＰＶＡ（ポリビ
ニルアルコール）を感光性樹脂として使用し、前記蛍光
体を用いて下記のような成分比でスラリー液を製造す
る。
【００３４】 蛍光体 ２５ｗｔ％ ＰＶＡ−ＳｂＱ １０ｗｔ％ 分散剤（界面活性剤） ０．２ｗｔ％ 純水 ６４．８ｗｔ％
【００３５】Ｒ，Ｇ，Ｂの各発光色の蛍光体について、
それぞれ上記スラリー液を調合する。そして、各スラリ
ー液ごとに、フォトリソグラフィ法でガラス基板上に所
定のパターンを形成していく。蛍光膜のパターンが形成
された後、該ガラス基板を４５０℃以上好ましくは４５
０〜４８０℃で２０分間焼成する。
それぞれ上記スラリー液を調合する。そして、各スラリ
ー液ごとに、フォトリソグラフィ法でガラス基板上に所
定のパターンを形成していく。蛍光膜のパターンが形成
された後、該ガラス基板を４５０℃以上好ましくは４５
０〜４８０℃で２０分間焼成する。
【００３６】本実施例によれば、蛍光膜を形成する原料
物質中に蛍光体の発光効率を低減させるキラー成分は含
まれていない。また、本実施例で用いた感光性樹脂とし
てのＰＶＡ−ＳｂＱは熱安定度が高いが、感光剤として
ＡＤＣを用いた従来の方法に比べて高い温度で焼成する
ので、このＰＶＡ−ＳｂＱは確実に熱分解される。従っ
て、残存したＰＶＡ−ＳｂＱのバインダ成分等によって
蛍光体の発光輝度が低下してしまうことはない。さら
に、このような比較的高温の焼成を行っても、本実施例
の蛍光体は各粒子が耐熱性の保護層で被覆されているの
で、その表面が酸化してしまうことはなく、この点にお
いても蛍光体の発光効率が低下するおそれはない。
物質中に蛍光体の発光効率を低減させるキラー成分は含
まれていない。また、本実施例で用いた感光性樹脂とし
てのＰＶＡ−ＳｂＱは熱安定度が高いが、感光剤として
ＡＤＣを用いた従来の方法に比べて高い温度で焼成する
ので、このＰＶＡ−ＳｂＱは確実に熱分解される。従っ
て、残存したＰＶＡ−ＳｂＱのバインダ成分等によって
蛍光体の発光輝度が低下してしまうことはない。さら
に、このような比較的高温の焼成を行っても、本実施例
の蛍光体は各粒子が耐熱性の保護層で被覆されているの
で、その表面が酸化してしまうことはなく、この点にお
いても蛍光体の発光効率が低下するおそれはない。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、蛍光体を耐熱性の保護
層で覆ったので、ＳｂＱ基を有するキラー成分を含まな
い感光性樹脂を用いてパターニングした後、比較的高温
で焼成して前記ＳｂＱ基を完全に熱分解することができ
る。このため、０．１〜２ｋＶの加速電圧で加速された
電子線によって高輝度に発光する蛍光膜を得ることがで
きた。
層で覆ったので、ＳｂＱ基を有するキラー成分を含まな
い感光性樹脂を用いてパターニングした後、比較的高温
で焼成して前記ＳｂＱ基を完全に熱分解することができ
る。このため、０．１〜２ｋＶの加速電圧で加速された
電子線によって高輝度に発光する蛍光膜を得ることがで
きた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山浦 辰雄 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に耐熱保護層が形成された蛍光体粒
子と、スチリルピリジニウム感光基を有する感光性樹脂
から成る蛍光膜。 - 【請求項２】 蛍光体粒子の表面に耐熱保護層を形成す
る工程と、スチリルピリジニウム感光基を有する感光性
樹脂と前記蛍光体粒子を混合して蛍光体スラリーを形成
する工程と、前記蛍光体スラリーを用いてフォトリソグ
ラフィ法で基板上に所定のパターンで蛍光体の膜を形成
する工程と、前記蛍光体の膜が形成された基板を４５０
℃以上で焼成する工程を有する蛍光膜形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25792893A JPH07114898A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 |
| FR9412266A FR2711272A1 (fr) | 1993-10-15 | 1994-10-14 | Boue luminophore entrant dans la composition d'une couche excitée par des électrons à basse vitesse dans un écran de visualisation fluorescent et procédé de fabrication de ladite couche luminophore. |
| KR1019940026461A KR100191560B1 (ko) | 1993-10-15 | 1994-10-15 | 형광 디스플레이 장치에서 저속 전자- 여기 형광막을 생성하는데 사용하기 위한 형광체 슬러리 및 그 형광막의 제조방법 |
| CN94117297A CN1097285C (zh) | 1993-10-15 | 1994-10-15 | 荧光层及其制备方法 |
| TW083109596A TW336253B (en) | 1993-10-15 | 1994-10-17 | Phosphor layer comprized phosphor particles having a heat resistant and protective layer for use in a fluorescent-display device and method for producing said phosphor layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25792893A JPH07114898A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114898A true JPH07114898A (ja) | 1995-05-02 |
Family
ID=17313147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25792893A Pending JPH07114898A (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 蛍光膜及び蛍光膜形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07114898A (ja) |
| KR (1) | KR100191560B1 (ja) |
| CN (1) | CN1097285C (ja) |
| FR (1) | FR2711272A1 (ja) |
| TW (1) | TW336253B (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5994008A (en) * | 1996-04-18 | 1999-11-30 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Composition for forming fluorescent film for display and method of forming fluorescent film for display |
| KR100229316B1 (ko) * | 1996-10-14 | 1999-11-01 | 구자홍 | 칼라음극선관의 형광막 슬러리 조성물 |
| FR2867897A1 (fr) * | 2004-03-22 | 2005-09-23 | Saint Gobain | Systeme eclairant a haute performance mecanique et optique |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3887753A (en) * | 1966-07-22 | 1975-06-03 | Matsushita Electronics Corp | Fluorescent film for color picture tube and process of preparing same |
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| DE3277086D1 (en) * | 1981-12-11 | 1987-10-01 | Toshiba Kk | Composition for and method of making picture tube fluorescent screen |
| JPS58164677A (ja) * | 1982-03-25 | 1983-09-29 | Toshiba Corp | 受像管螢光面形成用組成物及び受像管螢光面形成方法 |
| JPS5949278A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-21 | Toshiba Corp | カラ−受像管「けい」光面形成方法 |
| JP3033976B2 (ja) * | 1990-05-18 | 2000-04-17 | 化成オプトニクス株式会社 | 蛍光体及びその製造方法 |
| JP3007893B2 (ja) * | 1990-07-09 | 2000-02-07 | 化成オプトニクス株式会社 | 低速電子線用発光組成物 |
| JP2837619B2 (ja) * | 1993-09-27 | 1998-12-16 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光面形成用感光性組成物 |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP25792893A patent/JPH07114898A/ja active Pending
-
1994
- 1994-10-14 FR FR9412266A patent/FR2711272A1/fr active Granted
- 1994-10-15 KR KR1019940026461A patent/KR100191560B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-10-15 CN CN94117297A patent/CN1097285C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1994-10-17 TW TW083109596A patent/TW336253B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1097285C (zh) | 2002-12-25 |
| FR2711272A1 (fr) | 1995-04-21 |
| FR2711272B1 (ja) | 1997-02-28 |
| TW336253B (en) | 1998-07-11 |
| KR100191560B1 (ko) | 1999-06-15 |
| CN1111807A (zh) | 1995-11-15 |
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