JPH1050212A - 蛍光面形成方法 - Google Patents
蛍光面形成方法Info
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- JPH1050212A JPH1050212A JP20266096A JP20266096A JPH1050212A JP H1050212 A JPH1050212 A JP H1050212A JP 20266096 A JP20266096 A JP 20266096A JP 20266096 A JP20266096 A JP 20266096A JP H1050212 A JPH1050212 A JP H1050212A
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- Japan
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- phosphor
- face panel
- mixed
- fluorescent material
- particle size
- Prior art date
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- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フェースパネル内面に塗布する蛍光体層を緻
密化してピンホールの発生を防止し、ブラウニング現象
を回避する。 【解決手段】 大粒子蛍光体２と小粒子蛍光体７を混合
してフェースプレート１の内面に塗布して、ピンホール
４の発生がない緻密な蛍光体層３を得る。
密化してピンホールの発生を防止し、ブラウニング現象
を回避する。 【解決手段】 大粒子蛍光体２と小粒子蛍光体７を混合
してフェースプレート１の内面に塗布して、ピンホール
４の発生がない緻密な蛍光体層３を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は陰極線管（ＣＲＴ）
の蛍光面形成方法に係わり、特に投射型ＣＲＴに用いて
好適な蛍光面形成方法に関する。
の蛍光面形成方法に係わり、特に投射型ＣＲＴに用いて
好適な蛍光面形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からＴＶ用ＣＲＴ等の蛍光面の作成
方法としてはフェースプレート内面に蛍光粉末を均一に
薄膜状に塗布し、次にアルミニウム等のメタルバックを
行なう工程があるが、フェースプレート内面に平滑な蛍
光薄膜を形成するために沈降法、ＰＶＡ（ポリビニルア
ルコール）スラリ法等が多用されている。
方法としてはフェースプレート内面に蛍光粉末を均一に
薄膜状に塗布し、次にアルミニウム等のメタルバックを
行なう工程があるが、フェースプレート内面に平滑な蛍
光薄膜を形成するために沈降法、ＰＶＡ（ポリビニルア
ルコール）スラリ法等が多用されている。
【０００３】例えば、沈降法等では水中に懸濁された蛍
光体粉末をフェースパネル内面に沈降させるために水ガ
ラスに酢酸バリウム等を加えて、フェースプレートのガ
ラス内面に蛍光体を沈降させる様に成したものである。
光体粉末をフェースパネル内面に沈降させるために水ガ
ラスに酢酸バリウム等を加えて、フェースプレートのガ
ラス内面に蛍光体を沈降させる様に成したものである。
【０００４】ＰＶＡスラリ法ではＡＤＣ（重クロム酸ア
ンモン）で感光性を保たせたＰＶＡに蛍光体を懸濁させ
て、蛍光体スラリを作成し、フェースパネル内面にこの
蛍光体スラリを塗布して、これにアパーチャグリル等の
ホトマスクを介してパターン露光した後に、水現像を行
なうことでストライプ状のパターンの蛍光体層、或はＡ
ＤＣやホトマスクを用いず露光してフェースプレート全
面に亘って蛍光体層を形成することが出来る。
ンモン）で感光性を保たせたＰＶＡに蛍光体を懸濁させ
て、蛍光体スラリを作成し、フェースパネル内面にこの
蛍光体スラリを塗布して、これにアパーチャグリル等の
ホトマスクを介してパターン露光した後に、水現像を行
なうことでストライプ状のパターンの蛍光体層、或はＡ
ＤＣやホトマスクを用いず露光してフェースプレート全
面に亘って蛍光体層を形成することが出来る。
【０００５】カーボンストライプ付カラー用ＣＲＴの場
合はフェースパネル内面にＰＶＡ等の感光剤を均一に塗
布して、アパーチャグリル（ＡＧ）で露光現像し、スト
ライプを作成し、カーボンを塗布して反転現像してカー
ボンストライプ（Ｃ．Ｓ）を作成する。
合はフェースパネル内面にＰＶＡ等の感光剤を均一に塗
布して、アパーチャグリル（ＡＧ）で露光現像し、スト
ライプを作成し、カーボンを塗布して反転現像してカー
ボンストライプ（Ｃ．Ｓ）を作成する。
【０００６】次にＧの蛍光体スラリを回転塗布機等を用
いてＣ．Ｓ上に塗布後にＡＧにより露光現像してＧ蛍光
体ストライプを作成し、次にはＢ蛍光体を塗布し、Ｇ蛍
光体ストライプ作成工程と同様の工程でＢ蛍光体ストラ
イプを作り、更に同様の工程でＲ蛍光体ストライプを作
成し、中間膜塗布によって蛍光面上に高分子膜を形成後
にアルミニウムを塗布してメタルバックが行なわれる。
これらの各工程の後に蛍光面検査を行なう様に成され
る。又、中間膜はプリベーキング工程で分解する様に成
されている。
いてＣ．Ｓ上に塗布後にＡＧにより露光現像してＧ蛍光
体ストライプを作成し、次にはＢ蛍光体を塗布し、Ｇ蛍
光体ストライプ作成工程と同様の工程でＢ蛍光体ストラ
イプを作り、更に同様の工程でＲ蛍光体ストライプを作
成し、中間膜塗布によって蛍光面上に高分子膜を形成後
にアルミニウムを塗布してメタルバックが行なわれる。
これらの各工程の後に蛍光面検査を行なう様に成され
る。又、中間膜はプリベーキング工程で分解する様に成
されている。
【０００７】上述の蛍光体粉末材料としては、ＴＶ用Ｃ
ＲＴでは母体結晶としてＺｎ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｙ等
の酸化物、硫化物、けい酸塩等が用いられ、付活剤とし
てはＡｇ，Ｃｕ，Ｍｎや希土類のＥｕ，Ｃｅ等が用いら
れている。
ＲＴでは母体結晶としてＺｎ，Ｃｄ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｙ等
の酸化物、硫化物、けい酸塩等が用いられ、付活剤とし
てはＡｇ，Ｃｕ，Ｍｎや希土類のＥｕ，Ｃｅ等が用いら
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のＣＲＴのフェー
スパネル内面への蛍光面形成方法として蛍光体スラリに
用いる蛍光体の粒径は用途によって種々選択されるが通
常は粒径が４μｍ乃至１３μｍ程度のものが使用されて
いる。この様な蛍光体を用いる場合には従来は粒径が一
定に成る様に選択してフェースパネル面に塗布してい
た。この様な粒径が一様な蛍光体をＣＲＴのフェースパ
ネル内面に形成した場合の模式図を図４に示す。
スパネル内面への蛍光面形成方法として蛍光体スラリに
用いる蛍光体の粒径は用途によって種々選択されるが通
常は粒径が４μｍ乃至１３μｍ程度のものが使用されて
いる。この様な蛍光体を用いる場合には従来は粒径が一
定に成る様に選択してフェースパネル面に塗布してい
た。この様な粒径が一様な蛍光体をＣＲＴのフェースパ
ネル内面に形成した場合の模式図を図４に示す。
【０００９】図４で１はＣＲＴのフェースパネルであ
り、このフェースパネル１の内面に粒径が一様な、例え
ば１０μｍの蛍光体２を塗布する。即ち、このフェース
パネル１の内面に全面に亘って、或はストライプ状に所
定蛍光体をＰＶＡスラリ法等で回転塗布機を用いて塗布
して、ＡＧをマスクにして、露光して形成した時の蛍光
体層３は製造条件等で蛍光体層３中に蛍光体２が無くな
るピンホール４が発生する。
り、このフェースパネル１の内面に粒径が一様な、例え
ば１０μｍの蛍光体２を塗布する。即ち、このフェース
パネル１の内面に全面に亘って、或はストライプ状に所
定蛍光体をＰＶＡスラリ法等で回転塗布機を用いて塗布
して、ＡＧをマスクにして、露光して形成した時の蛍光
体層３は製造条件等で蛍光体層３中に蛍光体２が無くな
るピンホール４が発生する。
【００１０】この様なピンホール４が発生する確立は同
一粒径の大粒径のものほど大きく且つピンホールの数も
増加する。この様なピンホール４中を電子線５が通過
し、直接フェースパネル１の内面に当たると、フェース
パネル１のガラス中に含まれている金属（Ｐｂ）が析出
してしまい、ガラス表面が褐色に着色される、所謂、ブ
ラウニング現象６が生ずる。この様なブラウニング現象
６が発生すると、フェースパネル１が着色され、輝度が
低下する問題が生ずる。
一粒径の大粒径のものほど大きく且つピンホールの数も
増加する。この様なピンホール４中を電子線５が通過
し、直接フェースパネル１の内面に当たると、フェース
パネル１のガラス中に含まれている金属（Ｐｂ）が析出
してしまい、ガラス表面が褐色に着色される、所謂、ブ
ラウニング現象６が生ずる。この様なブラウニング現象
６が発生すると、フェースパネル１が着色され、輝度が
低下する問題が生ずる。
【００１１】本発明は叙上の問題点を解消した蛍光面形
成方法を提供しようとするもので、その課題とするとこ
ろは、ピンホールを少なくし、ブラウニング現象を軽減
可能な蛍光面形成方法を提供するものである。
成方法を提供しようとするもので、その課題とするとこ
ろは、ピンホールを少なくし、ブラウニング現象を軽減
可能な蛍光面形成方法を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の蛍光面形成方法
はその例が図１に示されている様に、粉体粒径の異なる
二種類の蛍光体２及び７を混合して、蛍光体混合物を作
成し、該蛍光体混合物をフェースパネル１の内面に塗布
して蛍光面を形成したものである。
はその例が図１に示されている様に、粉体粒径の異なる
二種類の蛍光体２及び７を混合して、蛍光体混合物を作
成し、該蛍光体混合物をフェースパネル１の内面に塗布
して蛍光面を形成したものである。
【００１３】本発明の蛍光面形成方法によれば、大粒子
蛍光体２と小粒子蛍光体７を混合して、スラリ状となし
てフェースパネル１内面に塗布する様に成したので露光
後の蛍光体層３中には大粒子蛍光体２中に生ずるピンホ
ール４中に小粒子蛍光体７が混入されてピンホール４の
発生が軽減され、電子線５が直接フェースパネル１のガ
ラスを励起しないので輝度の劣化を防止可能なものが得
られる。
蛍光体２と小粒子蛍光体７を混合して、スラリ状となし
てフェースパネル１内面に塗布する様に成したので露光
後の蛍光体層３中には大粒子蛍光体２中に生ずるピンホ
ール４中に小粒子蛍光体７が混入されてピンホール４の
発生が軽減され、電子線５が直接フェースパネル１のガ
ラスを励起しないので輝度の劣化を防止可能なものが得
られる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の蛍光面形成方法を
図１乃至図３によって詳記する。図１は本発明の蛍光塗
布面の模式的説明図を示すものである。本例では投射型
ＣＲＴとして例えばＧ蛍光体をフェースプレート内面に
全面塗布する場合について説明する。
図１乃至図３によって詳記する。図１は本発明の蛍光塗
布面の模式的説明図を示すものである。本例では投射型
ＣＲＴとして例えばＧ蛍光体をフェースプレート内面に
全面塗布する場合について説明する。
【００１５】投射型ＣＲＴでは蛍光体としてＲ用として
はＹ2 Ｏ3 ；ＥｕやＹ2 Ｏ3 Ｓ；Ｅｕ等がＢ用としては
ＺｎＳ；Ａｇや、ＺｎＳ；ＡｇＡｌ等が用いられてい
る。更にＧ用ではＺｎ2 ＳｉＯ4 等に代わってＹ3 Ｇａ
2 Ａｌ3 Ｏ12；ＴｂやＹ2 ＳｉＯ5 ；Ｔｂ等が用いられ
る様になって来ている。
はＹ2 Ｏ3 ；ＥｕやＹ2 Ｏ3 Ｓ；Ｅｕ等がＢ用としては
ＺｎＳ；Ａｇや、ＺｎＳ；ＡｇＡｌ等が用いられてい
る。更にＧ用ではＺｎ2 ＳｉＯ4 等に代わってＹ3 Ｇａ
2 Ａｌ3 Ｏ12；ＴｂやＹ2 ＳｉＯ5 ；Ｔｂ等が用いられ
る様になって来ている。
【００１６】又、投射型ＣＲＴでは通常のＣＲＴに比べ
て２０倍以上のビーム電流で動作するため、ＣＲＴのフ
ェースパネルガラスに対するブラウニング対策がより必
要となる。このブラウニング現象６ではフェースパネル
表面を図３Ｂの様に褐色に着色７するため特にＢ蛍光
体、Ｇ蛍光体での光透過率が低下することになる。
て２０倍以上のビーム電流で動作するため、ＣＲＴのフ
ェースパネルガラスに対するブラウニング対策がより必
要となる。このブラウニング現象６ではフェースパネル
表面を図３Ｂの様に褐色に着色７するため特にＢ蛍光
体、Ｇ蛍光体での光透過率が低下することになる。
【００１７】この様なブラウニング対策としてはフェー
スプレートのガラス中にＣｅＯ2 を添加したり、アルカ
リを削除したりしているが、蛍光体としては塗布密度を
大きくする様な対策がとられている。
スプレートのガラス中にＣｅＯ2 を添加したり、アルカ
リを削除したりしているが、蛍光体としては塗布密度を
大きくする様な対策がとられている。
【００１８】即ち、蛍光体の塗布密度を大きくするため
には図３Ａに示す様にフェースパネル１の内面に塗布す
る蛍光体層３の蛍光体の粒径を小粒径とすればよい。輝
度は蛍光体粒径を大きくすると向上するが、コントラス
トが低下する。又、蛍光体の粒径が小さくなれば輝度が
下がる傾向を示す。従って、大粒子蛍光体２及び小粒子
蛍光体７を混合した混合蛍光体を用いることでブラウニ
ング現象を軽減すると共に輝度の低下を抑えることが出
来る。
には図３Ａに示す様にフェースパネル１の内面に塗布す
る蛍光体層３の蛍光体の粒径を小粒径とすればよい。輝
度は蛍光体粒径を大きくすると向上するが、コントラス
トが低下する。又、蛍光体の粒径が小さくなれば輝度が
下がる傾向を示す。従って、大粒子蛍光体２及び小粒子
蛍光体７を混合した混合蛍光体を用いることでブラウニ
ング現象を軽減すると共に輝度の低下を抑えることが出
来る。
【００１９】本例では、先ずＧ蛍光体として蛍光体粒径
が８μｍ（通常Ｍマーク蛍光体は７〜１０μｍの粒径の
ものをさす）の大粒子蛍光体２と、蛍光体粒径が５μｍ
（通常Ｓマーク蛍光体は４．５〜６．９μｍの粒径のも
のをさす）の小粒子蛍光体７との二種類を用意し、これ
ら両蛍光体を図２の第１ステップＳＴ1 の様に混合させ
る。
が８μｍ（通常Ｍマーク蛍光体は７〜１０μｍの粒径の
ものをさす）の大粒子蛍光体２と、蛍光体粒径が５μｍ
（通常Ｓマーク蛍光体は４．５〜６．９μｍの粒径のも
のをさす）の小粒子蛍光体７との二種類を用意し、これ
ら両蛍光体を図２の第１ステップＳＴ1 の様に混合させ
る。
【００２０】この場合の混合方法は、混合する二種類の
蛍光体は同じ状態のものを混合させる。即ち、混合する
一方が粉体なら他方も粉体とし、混合する片方が水分散
液状態なら、もう一方も水分散液状態とする。
蛍光体は同じ状態のものを混合させる。即ち、混合する
一方が粉体なら他方も粉体とし、混合する片方が水分散
液状態なら、もう一方も水分散液状態とする。
【００２１】本例ではＰＶＡ溶液に８μｍの粒径の大粒
子蛍光体（又はＭマーク蛍光体）２と５μｍの粒径の小
粒子蛍光体（又はＳマーク蛍光体）７を懸濁混合（ＳＴ
1 ）させて、蛍光体スラリを得る。
子蛍光体（又はＭマーク蛍光体）２と５μｍの粒径の小
粒子蛍光体（又はＳマーク蛍光体）７を懸濁混合（ＳＴ
1 ）させて、蛍光体スラリを得る。
【００２２】又、混合割合はＭマーク蛍光体が６０重量
％、Ｓマーク蛍光体が４０重量％とした。
％、Ｓマーク蛍光体が４０重量％とした。
【００２３】この様な混合蛍光体スラリを回転塗布機に
よってフェースパネル１の内面に第２ステップＳＴ2 の
様に塗布する。次に第３ステップＳＴ3 の様に乾燥機内
で乾燥した後に第４ステップＳＴ4 の様に全面露光が行
なわれる。ストライプ蛍光膜を得る場合はＡＤＣ添加Ｐ
ＶＡ溶液を用いＡＧ等の色選別手段を介してパターン露
光する。
よってフェースパネル１の内面に第２ステップＳＴ2 の
様に塗布する。次に第３ステップＳＴ3 の様に乾燥機内
で乾燥した後に第４ステップＳＴ4 の様に全面露光が行
なわれる。ストライプ蛍光膜を得る場合はＡＤＣ添加Ｐ
ＶＡ溶液を用いＡＧ等の色選別手段を介してパターン露
光する。
【００２４】次にストライプ蛍光膜を得る場合は第５ス
テップの様に水現像を行なって、所定パターン蛍光膜を
得ている。
テップの様に水現像を行なって、所定パターン蛍光膜を
得ている。
【００２５】上述の例ではＭマーク蛍光体２と、Ｓマー
ク蛍光体７の混合割合を６０重量％：４０重量％とした
が、Ｍマーク蛍光体２を５０重量％乃至９０重量％に対
しＳマーク蛍光体７を５０重量％乃至１０重量％に選択
し、混合する蛍光体の粒径はＭマーク蛍光体２の粒径を
１とした時Ｓマーク蛍光体７の粒径は大粒径の２／３以
下に選択することでフェースパネル１面に形成する蛍光
体層３に生ずるピンホール４が軽減され、良好な塗布面
が得られた。
ク蛍光体７の混合割合を６０重量％：４０重量％とした
が、Ｍマーク蛍光体２を５０重量％乃至９０重量％に対
しＳマーク蛍光体７を５０重量％乃至１０重量％に選択
し、混合する蛍光体の粒径はＭマーク蛍光体２の粒径を
１とした時Ｓマーク蛍光体７の粒径は大粒径の２／３以
下に選択することでフェースパネル１面に形成する蛍光
体層３に生ずるピンホール４が軽減され、良好な塗布面
が得られた。
【００２６】本例の様に二種類の蛍光体を混合塗布した
場合は図１の模式図に示す様に図４で示したＭマーク蛍
光体２のみで塗布した際に生ずるピンホール４中にＳマ
ーク蛍光体７が充填されて、電子線５がフェースパネル
１に直接当たる弊害が除かれる。従って、ピンホール４
が少なくなることでブラウニング現象が軽減される。
場合は図１の模式図に示す様に図４で示したＭマーク蛍
光体２のみで塗布した際に生ずるピンホール４中にＳマ
ーク蛍光体７が充填されて、電子線５がフェースパネル
１に直接当たる弊害が除かれる。従って、ピンホール４
が少なくなることでブラウニング現象が軽減される。
【００２７】又、粒径が大きいＭマーク蛍光体２が５０
重量％をきると輝度が著しく低下してしまい、Ｍマーク
蛍光体２が９０重量％を越えると大粒径のＭマーク蛍光
体２間に発生するピンホール４を埋める小粒径のＳマー
ク蛍光体７の割合が少なくなって、すべてのピンホール
４を充填させることが出来なくなり、効果が低減されて
しまうことを見出した。
重量％をきると輝度が著しく低下してしまい、Ｍマーク
蛍光体２が９０重量％を越えると大粒径のＭマーク蛍光
体２間に発生するピンホール４を埋める小粒径のＳマー
ク蛍光体７の割合が少なくなって、すべてのピンホール
４を充填させることが出来なくなり、効果が低減されて
しまうことを見出した。
【００２８】従って、二種類の蛍光体の混合比率は粒径
の大きい方の割合を５０％〜９０％とすることが望まし
いことが解る。
の大きい方の割合を５０％〜９０％とすることが望まし
いことが解る。
【００２９】上述の構成では蛍光面形成時にＰＶＡスラ
リ法を用いてフェースパネル内面に蛍光体層を形成した
場合を説明したが、電着法、蒸着法、粉末塗布焼成法、
スクリーン印刷法等にも適用し得ることは明らかであ
る。
リ法を用いてフェースパネル内面に蛍光体層を形成した
場合を説明したが、電着法、蒸着法、粉末塗布焼成法、
スクリーン印刷法等にも適用し得ることは明らかであ
る。
【００３０】
【発明の効果】本発明の蛍光面形成方法によれば、粉体
粒径の異なる二種類の蛍光体を混合してフェースパネル
内面に塗布したので蛍光体層がより緻密になるのでピン
ホールが少なくなり、電子線が直接フェースパネルのガ
ラスに衝突することがないのでブラウニング現象が軽減
され、輝度劣化が生じない、解像度の向上したＣＲＴを
得ることが出来る。更に、蛍光体の粒径が二種類混合さ
れ、大粒径が５０％以上混合されているので輝度を低下
させることのないものが得られる。
粒径の異なる二種類の蛍光体を混合してフェースパネル
内面に塗布したので蛍光体層がより緻密になるのでピン
ホールが少なくなり、電子線が直接フェースパネルのガ
ラスに衝突することがないのでブラウニング現象が軽減
され、輝度劣化が生じない、解像度の向上したＣＲＴを
得ることが出来る。更に、蛍光体の粒径が二種類混合さ
れ、大粒径が５０％以上混合されているので輝度を低下
させることのないものが得られる。
【図１】本発明の蛍光面形成方法の蛍光塗布面の模式的
説明図である。
説明図である。
【図２】本発明の蛍光面形成方法の蛍光面形成工程図で
ある。
ある。
【図３】小及び大粒子蛍光体を用いた場合の動作説明図
である。
である。
【図４】従来の蛍光塗布面の模式的説明図である。
【符号の説明】 １ フェースパネル、２ 大粒子蛍光体（Ｍマーク蛍光
体）、３ 蛍光体層、４ ピンホール、５ 電子線、６
ブラウニング現象、７ 小粒子蛍光体（Ｓマーク蛍光
体）
体）、３ 蛍光体層、４ ピンホール、５ 電子線、６
ブラウニング現象、７ 小粒子蛍光体（Ｓマーク蛍光
体）
Claims (2)
- 【請求項１】 粉体粒径の異なる二種類の蛍光体を混合
して、蛍光体混合体を作成し、該蛍光体混合体をフェー
スパネル内面に塗布して蛍光面を形成することを特徴と
する蛍光面形成方法。 - 【請求項２】 前記粉体粒径の異なる二種類の蛍光体の
一方は大粒径蛍光体であり、他方は小粒径蛍光体であ
り、混合割合は大粒径蛍光体の割合を５乃至９割と成し
たことを特徴とする請求項１記載の蛍光面形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20266096A JPH1050212A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 蛍光面形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20266096A JPH1050212A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 蛍光面形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050212A true JPH1050212A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16461038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20266096A Abandoned JPH1050212A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 蛍光面形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050212A (ja) |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20266096A patent/JPH1050212A/ja not_active Abandoned
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050419 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20050606 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |