JP2822524B2 - けい光表示管 - Google Patents
けい光表示管Info
- Publication number
- JP2822524B2 JP2822524B2 JP189690A JP189690A JP2822524B2 JP 2822524 B2 JP2822524 B2 JP 2822524B2 JP 189690 A JP189690 A JP 189690A JP 189690 A JP189690 A JP 189690A JP 2822524 B2 JP2822524 B2 JP 2822524B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- display tube
- fluorescent display
- luminance
- zno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ZnO:Znけい光体を用いたけい光表示管に関
し、特に発光輝度の向上及び輝度のばらつきを改善した
けい光表示管に関する。
し、特に発光輝度の向上及び輝度のばらつきを改善した
けい光表示管に関する。
けい光表示管のけい光体層には、100V以下の電子線に
より励起され発光するけい光体として従来よりZnO:Znけ
い光体が主に用いられている。このけい光体は発光しき
い電圧が低く、十数Vの電圧が充分な発光輝度が得られ
ることからけい光表示管用のけい光体として現在広く使
用されている。
より励起され発光するけい光体として従来よりZnO:Znけ
い光体が主に用いられている。このけい光体は発光しき
い電圧が低く、十数Vの電圧が充分な発光輝度が得られ
ることからけい光表示管用のけい光体として現在広く使
用されている。
ところで、100V以下の低速電子線でけい光体を励起発
光させる場合、けい光体に射突する電子はけい光体粒子
中にはほとんど侵入せず、その侵入深さは高々数+Å程
度といわれており、発光の大部分はけい光体表面で発生
する。したがって、けい光体の表面状態で発光特性に大
きく影響すると考えられる。
光させる場合、けい光体に射突する電子はけい光体粒子
中にはほとんど侵入せず、その侵入深さは高々数+Å程
度といわれており、発光の大部分はけい光体表面で発生
する。したがって、けい光体の表面状態で発光特性に大
きく影響すると考えられる。
通常、けい光表示管の製造工程において、けい光体は
焼成,封入,排気等の熱処理工程を経るため、その表面
が汚染ないしは変質を受けやすい。
焼成,封入,排気等の熱処理工程を経るため、その表面
が汚染ないしは変質を受けやすい。
〔発明が解決しようとする課題〕 上述したように、従来のけい光表示管に用いられてい
るZnO:Znけい光体は、けい光表示管製造工程中に受ける
種々の汚染により、けい光体自体が持っている本来の性
能を充分引き出すことができず、輝度,発光効率の低下
をまねき、輝度のばらつきがでたり、あるいは温度特性
(高温放置,高温動作での輝度の低下)が悪いという欠
点があった。
るZnO:Znけい光体は、けい光表示管製造工程中に受ける
種々の汚染により、けい光体自体が持っている本来の性
能を充分引き出すことができず、輝度,発光効率の低下
をまねき、輝度のばらつきがでたり、あるいは温度特性
(高温放置,高温動作での輝度の低下)が悪いという欠
点があった。
特に最近の車載用等の高輝度,長寿命が要求される分
野においては、けい光体の表面汚染等による輝度の低下
は問題であった。
野においては、けい光体の表面汚染等による輝度の低下
は問題であった。
本発明のけい光表示管は、ZnO:Znけい光体とTiO,SnO,
NiOのうち少なくても一種類を混合してなるけい光体層
を有している。すなわち、ZnO:Znけい光体にTiO,SnO,Ni
Oを混合することによりけい光表示管の製造工程中に、
けい光体の表面に極力汚染物質を付着させないようにし
たものである。
NiOのうち少なくても一種類を混合してなるけい光体層
を有している。すなわち、ZnO:Znけい光体にTiO,SnO,Ni
Oを混合することによりけい光表示管の製造工程中に、
けい光体の表面に極力汚染物質を付着させないようにし
たものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第1
図は本発明の第1の実施例の発光組成物の断面図であ
る。本実施例の発光組成物は、平均粒径3〜5μmのZn
O:Znけい光体1に平均粒径2〜3μmのTiO2を1.5重量
%混合させたものである。
図は本発明の第1の実施例の発光組成物の断面図であ
る。本実施例の発光組成物は、平均粒径3〜5μmのZn
O:Znけい光体1に平均粒径2〜3μmのTiO2を1.5重量
%混合させたものである。
第3図は本発明による一実施例のけい光表示管の要部
断面図である。まず、ガラス等の絶縁基板4上に給電導
体5を被着する。つづいて絶縁層6を形成し、この絶縁
層6のスルーホールを介して給電導体5と電気的に接続
した陽極導体7を形成する。次に前記発光組成物3をエ
チルセルロース等のバインダーを用いて蛍光体ペースト
となし、スクリーン印刷法により陽極導体7上に被着
し、けい光体層8を形成する。次に、けい光体層8に対
面する上方にメッシュ状の制御電極9を、さらにフィラ
メント状の陰極10を取り付け、カバーガラス11を基板4
に封着してけい光表示管が完成する。
断面図である。まず、ガラス等の絶縁基板4上に給電導
体5を被着する。つづいて絶縁層6を形成し、この絶縁
層6のスルーホールを介して給電導体5と電気的に接続
した陽極導体7を形成する。次に前記発光組成物3をエ
チルセルロース等のバインダーを用いて蛍光体ペースト
となし、スクリーン印刷法により陽極導体7上に被着
し、けい光体層8を形成する。次に、けい光体層8に対
面する上方にメッシュ状の制御電極9を、さらにフィラ
メント状の陰極10を取り付け、カバーガラス11を基板4
に封着してけい光表示管が完成する。
このようにして製造した本発明のけい光表示管は、従
来のけい光表示管に比較して初期輝度は5%程度改善さ
れ、輝度ばらつきも少なく、かつ高温放置後の輝度低下
率が従来の20〜30%程度から15%前後へと改善された。
来のけい光表示管に比較して初期輝度は5%程度改善さ
れ、輝度ばらつきも少なく、かつ高温放置後の輝度低下
率が従来の20〜30%程度から15%前後へと改善された。
第2図は本発明による第2の実施例の発光組成物の断
面図である。この実施例の発光組成物は、平均粒径が3
〜5μmのZnO:Znけい光体1に平均粒径が1μm以下の
微粒子状のTiO2を0.5重量%混合付着させたものであ
る。その発光組成物を用いて第1の実施例と同様の製造
方法によってけい光表示管を製作する。
面図である。この実施例の発光組成物は、平均粒径が3
〜5μmのZnO:Znけい光体1に平均粒径が1μm以下の
微粒子状のTiO2を0.5重量%混合付着させたものであ
る。その発光組成物を用いて第1の実施例と同様の製造
方法によってけい光表示管を製作する。
この実施例では1μm以下の微粒子状のTiOを混合す
ることにより、混合量が第1の実施例より少なくてす
み、かつ初期輝度は10%程度改善され、また高温放置後
の輝度低下率は10%程度と大巾に改善された。
ることにより、混合量が第1の実施例より少なくてす
み、かつ初期輝度は10%程度改善され、また高温放置後
の輝度低下率は10%程度と大巾に改善された。
なお、上記実施例ではTiOを説明したが、SnO,NiOを混
合した場合にもTiOを混合した場合と同様な結果が得ら
れている。また、TiO,SnO,NiOのZnO:Znけい光体への混
合量は0.05重量%以下では輝度改善の効果が少なく、20
重量%を越えると輝度の低下がみられる。
合した場合にもTiOを混合した場合と同様な結果が得ら
れている。また、TiO,SnO,NiOのZnO:Znけい光体への混
合量は0.05重量%以下では輝度改善の効果が少なく、20
重量%を越えると輝度の低下がみられる。
以上説明したように本発明は、ZnO:Znけい光体にTiO,
SnO,NiOのうち少なくとも一種を混合することによりけ
い光体表面の汚染を防止し、これにより発光輝度が向上
しまた輝度ばらつきも少なく、かつ高温における温度特
性も改善される等多大な効果がある。
SnO,NiOのうち少なくとも一種を混合することによりけ
い光体表面の汚染を防止し、これにより発光輝度が向上
しまた輝度ばらつきも少なく、かつ高温における温度特
性も改善される等多大な効果がある。
第1図は本発明の第1の実施例の発光組成物の断面図、
第2図は本発明の第2の実施例の発光組成物、第3図は
本発明のけい光表示管の要部断面図である。 1…ZnO:Znけい光体、2…TiO、3…発光組成物、4…
絶縁基板、5…給電導体、6…絶縁槽、8…陽極導体、
8…けい光体層、9…制御電極、10…陰極、11…カバー
ガラス。
第2図は本発明の第2の実施例の発光組成物、第3図は
本発明のけい光表示管の要部断面図である。 1…ZnO:Znけい光体、2…TiO、3…発光組成物、4…
絶縁基板、5…給電導体、6…絶縁槽、8…陽極導体、
8…けい光体層、9…制御電極、10…陰極、11…カバー
ガラス。
Claims (1)
- 【請求項1】上面にけい光体層の被着された陽極に、陰
極から放出された電子を射突させて、前記けい光体層を
励起発光させて表示するけい光表示管において、前記け
い光体層が、ZnO:Znけい光体にTiO,SnO,NiOのうち少な
くても一種を、ZnO:Znけい光体に対して0.05〜20重量%
混合してなる発光組成物よりなることを特徴とするけい
光表示管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP189690A JP2822524B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | けい光表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP189690A JP2822524B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | けい光表示管 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03208242A JPH03208242A (ja) | 1991-09-11 |
JP2822524B2 true JP2822524B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=11514349
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP189690A Expired - Lifetime JP2822524B2 (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | けい光表示管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2822524B2 (ja) |
-
1990
- 1990-01-08 JP JP189690A patent/JP2822524B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03208242A (ja) | 1991-09-11 |
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