JPS6243473B2 - - Google Patents
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- JPS6243473B2 JPS6243473B2 JP3846380A JP3846380A JPS6243473B2 JP S6243473 B2 JPS6243473 B2 JP S6243473B2 JP 3846380 A JP3846380 A JP 3846380A JP 3846380 A JP3846380 A JP 3846380A JP S6243473 B2 JPS6243473 B2 JP S6243473B2
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低速電子線照射により発光する螢光
体、およびその螢光体を用いた螢光表示管に関す
る。
体、およびその螢光体を用いた螢光表示管に関す
る。
従来、低速電子線照射で効率よく発光する螢光
体としては、青縁色に発光するZnO:Zn螢光体と
赤橙色に発光するSnO2:Eu螢光体がある。これ
らの螢光体は、比抵抗が低いため、チヤージアツ
プすることなく低い電圧でも発光する。そのた
め、螢光表示管用螢光体として広く用いられてい
る。
体としては、青縁色に発光するZnO:Zn螢光体と
赤橙色に発光するSnO2:Eu螢光体がある。これ
らの螢光体は、比抵抗が低いため、チヤージアツ
プすることなく低い電圧でも発光する。そのた
め、螢光表示管用螢光体として広く用いられてい
る。
近年、マイコンの普及に伴い、表示装置の需要
が増大し、研究開発が活発化している。螢光表示
管においては、表示情報量の増加、表示の鮮明化
のため、従来の2種類の螢光体とは異なる発光色
の螢光体の開発が盛んに行われている。たとえば
低速電子線では発光しない陰極線管用螢光体と、
In2O3やZnOの導電性粉末との混合物が、低速電
子線により発光することが見い出されている。し
かし、これらの混合物においては、混合の際、そ
れぞれの粒子の粒径の制御がむずかしく、輝度の
均一性、再現性が不十分である。
が増大し、研究開発が活発化している。螢光表示
管においては、表示情報量の増加、表示の鮮明化
のため、従来の2種類の螢光体とは異なる発光色
の螢光体の開発が盛んに行われている。たとえば
低速電子線では発光しない陰極線管用螢光体と、
In2O3やZnOの導電性粉末との混合物が、低速電
子線により発光することが見い出されている。し
かし、これらの混合物においては、混合の際、そ
れぞれの粒子の粒径の制御がむずかしく、輝度の
均一性、再現性が不十分である。
発明者等は、低速電子線用螢光体を得ることを
目的として、種々研究の結果、低速電子線照射で
は発光しない電子線用螢光体の焼結体を形成し、
その表面に導電性物質を部分的に付着させること
により、低速電子線照射により、高速電子照射時
と同じ色で発光することを見い出した。また、そ
の発光強度は、導電性物質の付着形状に大きく依
存することを見い出した。たとえば、くし型の形
状に導電性物質を付着させた場合、くし間(螢光
体の露出部分)の距離が400μm以下のとき、く
し間が明るく発光し、200μm以下では、より一
層明るく発光させることができた。以上のよう
に、本発明によれば、従来カラーテレビジヨン受
像機等の陰極線管に用いられていた。低速電子線
では発光しない螢光体を用いて、容易に再現性よ
く、青色、緑色、赤色の三原色を低速電子線で発
光させることが可能となつた。
目的として、種々研究の結果、低速電子線照射で
は発光しない電子線用螢光体の焼結体を形成し、
その表面に導電性物質を部分的に付着させること
により、低速電子線照射により、高速電子照射時
と同じ色で発光することを見い出した。また、そ
の発光強度は、導電性物質の付着形状に大きく依
存することを見い出した。たとえば、くし型の形
状に導電性物質を付着させた場合、くし間(螢光
体の露出部分)の距離が400μm以下のとき、く
し間が明るく発光し、200μm以下では、より一
層明るく発光させることができた。以上のよう
に、本発明によれば、従来カラーテレビジヨン受
像機等の陰極線管に用いられていた。低速電子線
では発光しない螢光体を用いて、容易に再現性よ
く、青色、緑色、赤色の三原色を低速電子線で発
光させることが可能となつた。
次に、本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
実施例 1
ZnS系螢光体の焼結体は、ホツトプレス法、ま
たはアルカリ土類金属やアルカリ金属を添加し、
成形した後、不活性雰囲気中、または硫化性雰囲
気中で熱処理することにより得られる。具体的に
は、市販の高純度硫化亜鉛粉末に、発光不純物と
して、たとえば微量の銀とアルミニウムを、焼結
促進剤として0.1モル%の塩化バリウムをそれぞ
れ添加し、加圧成形後、硫化水素雰囲気中におい
て1050℃で2時間加熱処理し、冷却の後、焼結体
表面に析出したバリウムの硫化物を水洗すること
により得られる。このようにして形成した螢光体
の焼結体に、電子線を照射したところ、500V以
上の電子加速電圧の下では、青色に高輝度に発光
することが確認できた。しかし、150V以下では
全く発光が観測されなかつた。この焼結体の一方
の面にアルミニウムを、1000Åの厚さに蒸着し、
ホツトエツチング法により第1図に示すようなく
し型の形状に加工して、電極を構成した。図にお
いて、11は前記焼結体、12は電極である。電
極12のくしの巾aは10μmとし、その間隔bは
300μmとした。この焼結体11の表面に形成し
たくし型アルミニウム電極12を陽極として、電
子線を照射したところ、30Vの陽極電圧で、くし
の間のアルミニウムが付着していない部分13
(図のドツト部分)が発光した。電極12のくし
部分の間隔bを狭くした場合、第2図に示すよう
に発光しきい値電圧が低下した。電子線加速電圧
を40Vとした場合の電極のくしの間隔と輝度の関
係を第3図に示す。電極のくしの間隔が10μm以
下である場合には、ホトエツチ技術の関係上、作
製が困難であり、また10μm以下にしても発光し
きい値、発光輝度にあまり向上が見られないた
め、実用的でない。したがつて電極のくしの間隔
を10〜400μmとするのが実用的である。
たはアルカリ土類金属やアルカリ金属を添加し、
成形した後、不活性雰囲気中、または硫化性雰囲
気中で熱処理することにより得られる。具体的に
は、市販の高純度硫化亜鉛粉末に、発光不純物と
して、たとえば微量の銀とアルミニウムを、焼結
促進剤として0.1モル%の塩化バリウムをそれぞ
れ添加し、加圧成形後、硫化水素雰囲気中におい
て1050℃で2時間加熱処理し、冷却の後、焼結体
表面に析出したバリウムの硫化物を水洗すること
により得られる。このようにして形成した螢光体
の焼結体に、電子線を照射したところ、500V以
上の電子加速電圧の下では、青色に高輝度に発光
することが確認できた。しかし、150V以下では
全く発光が観測されなかつた。この焼結体の一方
の面にアルミニウムを、1000Åの厚さに蒸着し、
ホツトエツチング法により第1図に示すようなく
し型の形状に加工して、電極を構成した。図にお
いて、11は前記焼結体、12は電極である。電
極12のくしの巾aは10μmとし、その間隔bは
300μmとした。この焼結体11の表面に形成し
たくし型アルミニウム電極12を陽極として、電
子線を照射したところ、30Vの陽極電圧で、くし
の間のアルミニウムが付着していない部分13
(図のドツト部分)が発光した。電極12のくし
部分の間隔bを狭くした場合、第2図に示すよう
に発光しきい値電圧が低下した。電子線加速電圧
を40Vとした場合の電極のくしの間隔と輝度の関
係を第3図に示す。電極のくしの間隔が10μm以
下である場合には、ホトエツチ技術の関係上、作
製が困難であり、また10μm以下にしても発光し
きい値、発光輝度にあまり向上が見られないた
め、実用的でない。したがつて電極のくしの間隔
を10〜400μmとするのが実用的である。
実施例 2
(Zn、Cd)S系螢光体の焼結体は、実施例1
に示したZnS系螢光体の焼結体を作製した方法と
同様、ホツトプレス法またはアルカリ土類金属や
アルカリ金属を添加し、成形した後、不活性雰囲
気中、または硫化性雰囲気中で熱処理することに
より得られる。この焼結体にくし型電極を形成し
た場合も、実施例1で述べたように低速電子線照
射で発光させることができた。
に示したZnS系螢光体の焼結体を作製した方法と
同様、ホツトプレス法またはアルカリ土類金属や
アルカリ金属を添加し、成形した後、不活性雰囲
気中、または硫化性雰囲気中で熱処理することに
より得られる。この焼結体にくし型電極を形成し
た場合も、実施例1で述べたように低速電子線照
射で発光させることができた。
実施例 3
Y2O3:Euの焼結体はホツトプレス法または
Y2O3粉末と塩化ユーロピウムの混合物を加圧成
形した後、1600℃で空気中において焼成すること
により形成することができる。Y2O2S:Euおよ
びY2O2S:Tbの焼結体は、まず前述の方法で
Y2O3:EuおよびY2O3:Tbの焼結体を作製し、
その後硫化水素中において1100℃で2時間熱処理
することにより形成できた。YVO4:Euの焼結体
は、ホツトプレス法またはYVO4粉末と塩化ユー
ロピウムの混合物を加圧成形した後、1300℃で空
気中において焼成することにより形成することが
できた。Zn2SiO4:Mnの焼結体は、ZnOとSiO2と
の2:1.1(モル比)の混合物に0.5モル%の炭酸
マンガンを添加し、加圧成形後、空気中において
1350℃で焼成することにより形成できた。またホ
ツトプレス法でも形成することができた。これら
の焼結体の表面に、くし型のアルミニウム電極を
設けた場合も、実施例1で述べたように低速電子
線により発光させることができた。
Y2O3粉末と塩化ユーロピウムの混合物を加圧成
形した後、1600℃で空気中において焼成すること
により形成することができる。Y2O2S:Euおよ
びY2O2S:Tbの焼結体は、まず前述の方法で
Y2O3:EuおよびY2O3:Tbの焼結体を作製し、
その後硫化水素中において1100℃で2時間熱処理
することにより形成できた。YVO4:Euの焼結体
は、ホツトプレス法またはYVO4粉末と塩化ユー
ロピウムの混合物を加圧成形した後、1300℃で空
気中において焼成することにより形成することが
できた。Zn2SiO4:Mnの焼結体は、ZnOとSiO2と
の2:1.1(モル比)の混合物に0.5モル%の炭酸
マンガンを添加し、加圧成形後、空気中において
1350℃で焼成することにより形成できた。またホ
ツトプレス法でも形成することができた。これら
の焼結体の表面に、くし型のアルミニウム電極を
設けた場合も、実施例1で述べたように低速電子
線により発光させることができた。
実施例では導電性物質として、アルミニウムを
用いたが、他の金属、ZnO、In2O3などの導電性
金属酸化物、カーボン、導電性ペーストを用いて
も同様の効果が得られた。
用いたが、他の金属、ZnO、In2O3などの導電性
金属酸化物、カーボン、導電性ペーストを用いて
も同様の効果が得られた。
以上のように、本発明による低速電子線用螢光
体は、従来陰極線管に用いられていた螢光体を焼
結体にし、簡単な処理をするだけで、低速電子線
による発光が可能となるものである。この原因と
しては、表面に設けた導電性物質により螢光体の
チヤージアツプが防止されるためと考えられる。
体は、従来陰極線管に用いられていた螢光体を焼
結体にし、簡単な処理をするだけで、低速電子線
による発光が可能となるものである。この原因と
しては、表面に設けた導電性物質により螢光体の
チヤージアツプが防止されるためと考えられる。
次に、本発明による螢光体を用いた螢光表示管
について、実施例により説明する。
について、実施例により説明する。
実施例 4
実施例1〜3で述べたように螢光体の焼結体を
作製する。次に、焼結体41の表面にアルミニウ
ムを1000Åの厚さに真空蒸着し、ホトエツチによ
り第4図に示すようなパターンを形成する。この
ときセグメント部分43〜49のアルミニウムの
線幅は10μmとし、線間距離は100μmとした。
引き出し用リード線42の部分は表面を絶縁物で
被覆する。このようにして螢光面が完成する。こ
の螢光面の前方にメツシユ状グリツドを配置し、
さらに前方に熱電子放射用フイラメントを配置す
る。これらを真空容器に封入することにより本発
明による螢光表示管が構成される。この螢光表示
管は、従来の螢光表示管と同じ方法で駆動するこ
とができる。つまり、それぞれのセグントに、た
とえば30Vの電圧を選択的に印加することによ
り、電圧が印加されたセグメントのアルミニウム
の線の間の螢光体が露出した部分を発光させるこ
とができる。また螢光面以外の製造工程は従来と
全く同じであり、容易に製造することができる。
作製する。次に、焼結体41の表面にアルミニウ
ムを1000Åの厚さに真空蒸着し、ホトエツチによ
り第4図に示すようなパターンを形成する。この
ときセグメント部分43〜49のアルミニウムの
線幅は10μmとし、線間距離は100μmとした。
引き出し用リード線42の部分は表面を絶縁物で
被覆する。このようにして螢光面が完成する。こ
の螢光面の前方にメツシユ状グリツドを配置し、
さらに前方に熱電子放射用フイラメントを配置す
る。これらを真空容器に封入することにより本発
明による螢光表示管が構成される。この螢光表示
管は、従来の螢光表示管と同じ方法で駆動するこ
とができる。つまり、それぞれのセグントに、た
とえば30Vの電圧を選択的に印加することによ
り、電圧が印加されたセグメントのアルミニウム
の線の間の螢光体が露出した部分を発光させるこ
とができる。また螢光面以外の製造工程は従来と
全く同じであり、容易に製造することができる。
表示色は、ZnS:Ag、Alを用いることにより
青色で、ZnS:Cu、Al(Zn、Cd)S:Ag、
ZnSiO4:Mn、Y2O2S:Tbでは緑色で、(Zn、
Cd)S:Ag、Y2O3:Eu、Y2O2S、:Eu、
YVO4:Euでは赤色で表示することができる。
青色で、ZnS:Cu、Al(Zn、Cd)S:Ag、
ZnSiO4:Mn、Y2O2S:Tbでは緑色で、(Zn、
Cd)S:Ag、Y2O3:Eu、Y2O2S、:Eu、
YVO4:Euでは赤色で表示することができる。
第1図は本発明にかかる低速電子線用螢光体の
一実施例を示す斜視図、第2図は本発明による
ZnS:Ag、Al螢光体の発光しきい値電圧と電極
のくしの間隔との関係を示す図、第3図は本発明
によるZnS:Ag、Al螢光体の40Vの電子線加速電
圧における発光輝度と電極のくしの間隔の関係を
示す図、第4図は本発明による螢光表示管の一実
施例の螢光面を示す平面図である。 11……螢光体の焼結体、12……くし型電
極、13……発光部分、41……螢光体の焼結
体、42……引き出し用リード線、43〜49…
…セグメント。
一実施例を示す斜視図、第2図は本発明による
ZnS:Ag、Al螢光体の発光しきい値電圧と電極
のくしの間隔との関係を示す図、第3図は本発明
によるZnS:Ag、Al螢光体の40Vの電子線加速電
圧における発光輝度と電極のくしの間隔の関係を
示す図、第4図は本発明による螢光表示管の一実
施例の螢光面を示す平面図である。 11……螢光体の焼結体、12……くし型電
極、13……発光部分、41……螢光体の焼結
体、42……引き出し用リード線、43〜49…
…セグメント。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ZnS系螢光体、(Zn、Cd)S系螢光体、
Y2O3:Eu螢光体、Y2O2S:Eu螢光体、Y2O2S:
Tb螢光体、YVO4:Eu螢光体およびZn2SiO4:
Mn螢光体のうちの少なくとも1種類以上からな
る焼結体の一方の面上に、導電性物質からなる薄
層を部分的に付着してなることを特徴とする低速
電子線用螢光体。 2 導電性物質からなる薄層を、10〜400μmの
間隙を有するように部分的に付着してなることを
特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の低速電
子線用螢光体。 3 導電性物質が金属、導電性金属酸化物、カー
ボンまたはこれらを含有する導電性ペーストで形
成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
1項または第2項に記載の低速電子線用螢光体。 4 ZnS系螢光体、(Zn、Cd)S系螢光体、
Y2O3:Eu螢光体、Y2O2S:Eu螢光体、Y2O2S:
Tb螢光体、YVO4:Eu螢光体、およびZn2SiO4:
Mn螢光体のうちの少なくとも1種類以上からな
る焼結体の一方の面上に、導電性物質からなる薄
層を部分的に付着させて、表示電極のセグメント
を構成し、前記セグメントを陽極として前記セグ
メントに選択的に電圧を印加するとともに、前記
焼結体に電子線を照射して発光させるように構成
したことを特徴とする螢光表示管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3846380A JPS56135589A (en) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Phosphor for low-speed electron beam and fluorescent display tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3846380A JPS56135589A (en) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Phosphor for low-speed electron beam and fluorescent display tube |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS56135589A JPS56135589A (en) | 1981-10-23 |
JPS6243473B2 true JPS6243473B2 (ja) | 1987-09-14 |
Family
ID=12525942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3846380A Granted JPS56135589A (en) | 1980-03-25 | 1980-03-25 | Phosphor for low-speed electron beam and fluorescent display tube |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS56135589A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59140284A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-11 | Kasei Optonix Co Ltd | 硫化物螢光体およびその製造方法 |
JPS6069465U (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-16 | 鹿児島日本電気株式会社 | 螢光表示管 |
JPH0747732B2 (ja) * | 1987-12-05 | 1995-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 低速電子線励起螢光体 |
TW567222B (en) * | 2000-04-11 | 2003-12-21 | Toshiba Corp | Phosphor for display and field-emission display |
US20080057343A1 (en) * | 2004-06-24 | 2008-03-06 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Phosphor, Method for Manufacturing Same, and Particle Dispersed El Device Using Same |
-
1980
- 1980-03-25 JP JP3846380A patent/JPS56135589A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS56135589A (en) | 1981-10-23 |
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