JPH0388332U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0388332U JPH0388332U JP15043589U JP15043589U JPH0388332U JP H0388332 U JPH0388332 U JP H0388332U JP 15043589 U JP15043589 U JP 15043589U JP 15043589 U JP15043589 U JP 15043589U JP H0388332 U JPH0388332 U JP H0388332U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- window
- semiconductor device
- electrode
- oxide film
- silicon oxide
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
図はすべて本考案に関し、第１図は本考案によ
る半導体装置の電極部構造の一実施例の断面図、
第２図はその主な工程ごとの状態を示す断面図、
第３図は本考案の異なる実施例の断面図、第４図
は本考案により開口された窓部の断面の拡大写真
とその見取り図、第５図は本考案による電極部の
断面の拡大写真とその見取り図である。これらの
図において、 １……半導体領域ないし基板、２……ウエル、
３……フイード酸化膜、４……ゲート酸化膜、５
……ゲート、６……ソース・ドレイン層、１０…
…酸化シリコン膜、１０ａ……酸化シリコン膜表
面の斜面、１１……複層膜中の下側膜、１２……
複層膜中の上側膜、２０……フオトレジスト膜、
２１……エツチング用開口、３０……窓ないし段
付き穴、３１……上側穴、３２……下側穴、４０
……金属電極、４１……金属膜、５０……保護膜
、である。
る半導体装置の電極部構造の一実施例の断面図、
第２図はその主な工程ごとの状態を示す断面図、
第３図は本考案の異なる実施例の断面図、第４図
は本考案により開口された窓部の断面の拡大写真
とその見取り図、第５図は本考案による電極部の
断面の拡大写真とその見取り図である。これらの
図において、 １……半導体領域ないし基板、２……ウエル、
３……フイード酸化膜、４……ゲート酸化膜、５
……ゲート、６……ソース・ドレイン層、１０…
…酸化シリコン膜、１０ａ……酸化シリコン膜表
面の斜面、１１……複層膜中の下側膜、１２……
複層膜中の上側膜、２０……フオトレジスト膜、
２１……エツチング用開口、３０……窓ないし段
付き穴、３１……上側穴、３２……下側穴、４０
……金属電極、４１……金属膜、５０……保護膜
、である。
補正 平２．４．９
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書１７頁第５行〜第８行目の「第４図は…
…その見取り図である。」とあるのを次のとおり
補正する。「第４図ａは本考案により開口された
窓部の断面の金属組織を示す写真、第４図ｂは第
４図ａの見取り図、第５図ａは本考案による電極
部の断面の金属組織を示す写真、第５図ｂは第５
図ａの見取り図である。」
…その見取り図である。」とあるのを次のとおり
補正する。「第４図ａは本考案により開口された
窓部の断面の金属組織を示す写真、第４図ｂは第
４図ａの見取り図、第５図ａは本考案による電極
部の断面の金属組織を示す写真、第５図ｂは第５
図ａの見取り図である。」
Claims (1)
- 金属電極を酸化シリコン膜に開口された窓内で
半導体装置内の所定個所に接続するための電極部
の構造であつて、酸化シリコン膜を燐含有量が下
側から順次階段状に高められた層からなる複層膜
として構成し、窓をこの複層膜の層間の境目で段
をもつ段付き穴として開口し、この窓内で半導体
装置内の所定個所に導電接触する電極用金属を段
付き穴の側面に沿う断面形状に形成した半導体装
置の電極部構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15043589U JPH0388332U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15043589U JPH0388332U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0388332U true JPH0388332U (ja) | 1991-09-10 |
Family
ID=31696782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15043589U Pending JPH0388332U (ja) | 1989-12-27 | 1989-12-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0388332U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007508884A (ja) * | 2003-10-23 | 2007-04-12 | パルファン クリスチャン ディオール | 製品陳列台 |
| JP2007515239A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-06-14 | パルファン クリスチャン ディオール | 並んだ物品を陳列するための装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390841A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPS6396922A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63175442A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-19 | Nec Corp | 多層配線型集積回路の製造方法 |
-
1989
- 1989-12-27 JP JP15043589U patent/JPH0388332U/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390841A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Nec Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| JPS6396922A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63175442A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-07-19 | Nec Corp | 多層配線型集積回路の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007508884A (ja) * | 2003-10-23 | 2007-04-12 | パルファン クリスチャン ディオール | 製品陳列台 |
| JP2007515239A (ja) * | 2003-12-23 | 2007-06-14 | パルファン クリスチャン ディオール | 並んだ物品を陳列するための装置 |
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