KR900005574A - 보호층내에 배선을 매설한 반도체 직접회로의 제조방법 - Google Patents

보호층내에 배선을 매설한 반도체 직접회로의 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

보호층내에 배선을 매설한 반도체 집적회로의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 적용가능한 집적회로의 일부를 나타내는 사시도.
제2(A) 내지 (J)도는 본 발명의 제1실시예에 따라 제1도의 구조를 형성시키는 여러가지 단계를 도시한 단면도,
제3(A) 내지 (H)도는 본 발명의 제2실시예에 따라 제1도의 구조를 형성시키는 여러가지 단계를 도시한 단면도.

Claims (16)

  1. 기판위에 최소한 하나의 반도체 장치를 형성시키는 단계 ; 상기 반도체 장치를 덮기 위하여 기판위에 절연층을 부착시키는 단계 ; 반도체 장치의 바람직한 부분을 노출시키는 절연층을 통해 접촉홀을 제공하는 단계 ; 전기접속용 내화성 금속에 의해 접촉홀을 채우는 단계 ; 제2절연층에 의해 절연층을 커버하는 단계 ; 홈이 최소한 일접촉홀을 통과하고 접촉홀을 채우는 내화성 금속의 상부표면과 제1절연층의 상부표면이 홈에 의해 노출되는 것처럼 소정 배선패턴에 따라 제2절연층을 통해 홈을 형성시키는 단계 ; 홈의 하부에서 홈을 따라 제2내화성 금속의 결정성장용 핵으로서 연속적으로 작용하는 물질층을 형성하는 단계 ; 및 홈이 제2내화성 금속의 도체에 의해 채워질때까지 홈내에 제2내화성 금속을 부착시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 제1 및 제2절연층이 포스포실리케이트 그라스를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 제1 및 제2절연층이 실리카를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 제1 및 제2내화성금속이 텅스텐, 몰리브덴, 티타늄 및 탄탈륨을 포함하는 그룹에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 핵으로서 작용하는 물질층을 형성하는 상기 단계는 홈의 측면과 하부가 커버되는 것처럼 상기 물질층을 형성하는 제1물질을 부착시켜 측면으로부터 제1물질을 제거시키는 연속단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제5항에 있어서, 홈을 형성하는 단계후와 핵으로서 작용하는 물질층을 형성하는 단계전에, 상기 제1물질과 반응할때 화합물을 형성할 수 있는 제2물질에 의해 홈의 측면을 커버하는 단계, 및 홈의 측면을 커버하는 화합물층을 형성시키기 위하여 제1물질을 부착시키는 단계후에 제1물질과 제2물질을 반응시키는 또 다른단계를 더 포함하며, 상기 면으로부터 제1물질을 선택적으로 제거하는 상기 단계가 에칭에 의해 화합물층의 선택적인 제거를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 제2물질에 의해 홈의 측면을 커버하는 상기 단계가, 홈을 형성하는 단계후에 홈을 포함하는 제2절연층위에 제2물질을 부착시켜 제2절연층의 상부, 홈의 측면 및 홈의 하부를 커버하며, 비등방성 에칭에 의해 제2절연층의 상부로부터 및 홈의 하부로부터 선택적으로 제2물질을 제거하는 연속단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 홈을 형성시키는 단계전에 제2절연층을 위에 직접 제2물질을 부착시켜 제2물질층 형성단계, 제2물질층을 노출시키도록 제2절연층위에 직접 공급되어 수행되는 제2물질제거단계, 홈의 측면과 하부뿐만 아니라 노출된 제2물질층위에 제1물질을 부착시키는 부착단계, 상기 제1 및 제2물질간의 반응결과 제2절연층의 상부에 화합물을 더 형성시키는 제1물질과 제2물질의 반응단계, 및 노출된 제2절연층의 상부와 떨어진 제2절연층상부로부터 화합물을 더 제거시키는 제1물질의 선택 제거단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1물질은 실리콘을 포함하며, 상기 제2물질은 실리콘과 반응될때 실리사이드를 형성할 수 있는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제2물질은 티타늄, 텅스텐, 탄탈늄, 몰리브덴, 코발트, 지르코륨 및 하프늄으로 구성된 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 제1물질은 티타늄, 텅스텐, 탄탈늄, 몰리브덴, 코발트, 지르코늄 및 하프늄을 포함하는 군으로부터 선택되며, 상기 제2물질은 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제5항에 있어서, 제1물질을 선택적으로 제거하는 상기 단계가, 마스크에 의해 홈의 하부에서 물질층을 선택적으로 커버하는 단계, 마스크에 의해 커버되지 않는 물질층의 일부를 에칭에 의해 제거하는 단계 및 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제12항에 있어서, 물질층을 선택적으로 커버하는 상기 단계가, 제1물질을 부착시키는 단계후에 제1물질위에 균일하게 마스크를 형성시키는 단계, 유체물에 의해 홈을 채우는 단계, 다른 마스크로서 유기체를 사용하는 에칭에 의해 측면을 커버하는 마스크의 일부를 제거하는 단계, 및 홈으로부터 유기체를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1물질이 실리콘을 포함하며 상기 마스크가 제1물질의 열산화에 의해 형성된 실리카를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제1항에 있어서, 접촉홈을 채우는 단계후에 제1절연층위에 실리콘 질화물을 부착시켜 제1절연층의 상부를 커버하는 실리콘질화물층을 형성시키는 단계, 실리콘 질화물층이 상기 하부에 인접한 홈의 하부에서 홈의 측면으로부터 노출되는 것처럼 수행되는 홈형성단계, 및 홈의 하부에서 노출된 실리콘 질화층상에 상기 제2내화성 금속의 부착을 포함하는 물질층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제1항에 있어서, 핵으로서 작용하는 물질을 공급하는 상기 단계가 홈을 제공하는 단계 이후에 홈의 하부위에 실리콘의 이온 주입을 포함하는 것을 특징으로 하는 단계.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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