JPH02134823A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02134823A JPH02134823A JP63289208A JP28920888A JPH02134823A JP H02134823 A JPH02134823 A JP H02134823A JP 63289208 A JP63289208 A JP 63289208A JP 28920888 A JP28920888 A JP 28920888A JP H02134823 A JPH02134823 A JP H02134823A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- groove
- insulating layer
- semiconductor layer
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 124
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 28
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 2
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体装置の製造方法、とくに、微細配線層の形成方法
に関し。
に関し。
所定配線パターンに対応して基板上の絶縁層に形成され
た溝内にタングステン(W)等の高融点金属を選択成長
させることによって、平坦かつ微細な配線層を自己整合
的に形成する際に、該配線層中に空洞等の欠陥が発生す
ることを防止可能な形成方法を提供することを目的とし
。
た溝内にタングステン(W)等の高融点金属を選択成長
させることによって、平坦かつ微細な配線層を自己整合
的に形成する際に、該配線層中に空洞等の欠陥が発生す
ることを防止可能な形成方法を提供することを目的とし
。
基板表面に堆積された第1の絶縁層に、所定の配線パタ
ーンに対応する形状を有し且つ該表面から深さ(D)に
位置する底面を有する溝を形成し。
ーンに対応する形状を有し且つ該表面から深さ(D)に
位置する底面を有する溝を形成し。
液溝が設けられた該第1の絶縁層を有する該基板表面に
、厚さdl (但しdl<D)を有する半導体層もしく
は金属層を堆積し、該半導体層もしくは金属層上に、厚
さdZ (但しd、+d2<D)を有する第2の絶縁層
を形成し、該半導体層もしくは金属層と該第2の絶縁層
によって覆われた該溝内に、少なくとも該第2の絶縁層
の選択的除去に対するマスク材を充填し、該マスク材か
ら表出する該第2の絶縁層を除去して、液溝の少なくと
も底面に該第2の絶縁層を選択的に残留させ、少なくと
も液溝の底面に残留する該第2の絶縁層をマスクとして
。
、厚さdl (但しdl<D)を有する半導体層もしく
は金属層を堆積し、該半導体層もしくは金属層上に、厚
さdZ (但しd、+d2<D)を有する第2の絶縁層
を形成し、該半導体層もしくは金属層と該第2の絶縁層
によって覆われた該溝内に、少なくとも該第2の絶縁層
の選択的除去に対するマスク材を充填し、該マスク材か
ら表出する該第2の絶縁層を除去して、液溝の少なくと
も底面に該第2の絶縁層を選択的に残留させ、少なくと
も液溝の底面に残留する該第2の絶縁層をマスクとして
。
表出する該半導体層もしくは金属層を除去し、液溝の底
面に該半導体層もしくは金属層を選択的に残留させ、該
マスク材および液溝の少なくとも底面に残留する該第2
の絶縁層を選択的に除去して。
面に該半導体層もしくは金属層を選択的に残留させ、該
マスク材および液溝の少なくとも底面に残留する該第2
の絶縁層を選択的に除去して。
液溝の少なくとも底面に該半導体層もしくは金属層を表
出し、液溝の少なくとも底面に表出した該半導体層もし
くは金属層を核として該溝内部に高融点金属を気相成長
させる諸工程を包含することから構成される。
出し、液溝の少なくとも底面に表出した該半導体層もし
くは金属層を核として該溝内部に高融点金属を気相成長
させる諸工程を包含することから構成される。
本発明は、半導体装置の製造方法、とくに、微細幅かつ
平坦な平面を有する配線層の形成方法に関する。
平坦な平面を有する配線層の形成方法に関する。
半導体装置の高集積化にともない、配線の微細化が要求
されている。現状では、リソグラフ技術とエツチング技
術を駆使して形成された幅1.2μm程度のアルミニウ
ム薄膜配線が主用されている。
されている。現状では、リソグラフ技術とエツチング技
術を駆使して形成された幅1.2μm程度のアルミニウ
ム薄膜配線が主用されている。
しかしながら、アルミニウム配線においては、いわゆる
アルミニウム(AI)原子のエレクトロマイグレーショ
ンや応力マイグレーションを生じやすく。
アルミニウム(AI)原子のエレクトロマイグレーショ
ンや応力マイグレーションを生じやすく。
とくに配線が微細化した場合には、これらの現象による
断線が発生しやすくなり、信頬性の保証が困難になる。
断線が発生しやすくなり、信頬性の保証が困難になる。
これに対して、タングステン(−)を配線材料として用
いる方法がある。タングステンはアルミニウムに比べて
熱膨張率が小さく、また、原子間結合が強いため、これ
を配線層に用いても、上記のようなマイグレーションが
生じにくい。しかしながら、一般に、タングステン薄膜
はアルミニウム薄膜に比べて下地絶縁層との接着性が低
く、また。
いる方法がある。タングステンはアルミニウムに比べて
熱膨張率が小さく、また、原子間結合が強いため、これ
を配線層に用いても、上記のようなマイグレーションが
生じにくい。しかしながら、一般に、タングステン薄膜
はアルミニウム薄膜に比べて下地絶縁層との接着性が低
く、また。
薄膜内部に発生する応力が大きい。このため、成膜時あ
るいは後熱処理において、下地から剥離しやすいという
問題がある。
るいは後熱処理において、下地から剥離しやすいという
問題がある。
すなわち、タングステン薄膜は9通常、 CVD法やス
パッタリング法等により形成される。その内部応力は成
膜条件により左右されるが、一般に大きな圧縮応力を生
じる。シリコンウェハ等の基板全面に形成されたタング
ステン薄膜に大きな圧縮応力が存在すると、下地絶縁層
との接着力の低い個所に応力集中が生じ、ここで剥離し
やすくなる。
パッタリング法等により形成される。その内部応力は成
膜条件により左右されるが、一般に大きな圧縮応力を生
じる。シリコンウェハ等の基板全面に形成されたタング
ステン薄膜に大きな圧縮応力が存在すると、下地絶縁層
との接着力の低い個所に応力集中が生じ、ここで剥離し
やすくなる。
一方、配線が微細化すると、この上に層間絶縁層または
保護絶縁層を形成した場合、配線間の谷部が絶縁物で完
全に埋められず、配線が露出した部分が生じる。その結
果、絶縁不良や、その後の処理で使用した種々の薬品や
水の長期間にわたる残留による配線の腐食等が発生し、
半導体装置の信頼性が低下する。このような理由から、
微細配線が形成された表面が平坦であることが望ましい
。
保護絶縁層を形成した場合、配線間の谷部が絶縁物で完
全に埋められず、配線が露出した部分が生じる。その結
果、絶縁不良や、その後の処理で使用した種々の薬品や
水の長期間にわたる残留による配線の腐食等が発生し、
半導体装置の信頼性が低下する。このような理由から、
微細配線が形成された表面が平坦であることが望ましい
。
そこで、半導体回路基板上に形成された絶縁層に所定配
線パターンに対応する溝を設け、この溝を配線材料で埋
める構造の配線が提案されている。
線パターンに対応する溝を設け、この溝を配線材料で埋
める構造の配線が提案されている。
(例えば特開昭62−141740および62−243
324)この構造によれば、タングステン薄膜と下地絶
縁層その接着面積が増加して剥離が生じ難くなり。
324)この構造によれば、タングステン薄膜と下地絶
縁層その接着面積が増加して剥離が生じ難くなり。
また、配線層は下地絶縁層と同一面を成すので。
この上に形成される層間絶縁層の絶縁不良等の問題を避
けることができる。
けることができる。
〔発明が解決しようとする課題]
上記出願は、気体状のタングステン化合物を水素還元す
ることにより、絶縁層に形成された凹状の溝内にタング
ステン(W)のような配線用材料を充填する際に、絶縁
物から成る溝側面に多結晶シリコン層をあらかじめ形成
しておくものである。
ることにより、絶縁層に形成された凹状の溝内にタング
ステン(W)のような配線用材料を充填する際に、絶縁
物から成る溝側面に多結晶シリコン層をあらかじめ形成
しておくものである。
これにより、タングステンは多結晶シリコン層上に選択
的に成長し、遂には溝内を充填してしまうに至る。この
ようにして、溝が形成された絶縁層表面と平坦な表面を
成すタングステン配線が、所定配線パターンに対応して
自己整合的に形成される。
的に成長し、遂には溝内を充填してしまうに至る。この
ようにして、溝が形成された絶縁層表面と平坦な表面を
成すタングステン配線が、所定配線パターンに対応して
自己整合的に形成される。
しかしながら、溝幅が小さくなると、溝内部の側面にお
ける成長速度の差が顕著になる。すなわち、溝の開口部
に近い側面部分はど成長速度が大きく、溝の底に近い側
面部分における成長速度は小さい。その結果、溝底部が
タングステンで完全に埋められる前に、溝開口部が比較
的高速度で成長したタングステンにより塞がれてしまい
、溝を充填する配線層中に空洞が生じる。この現象は。
ける成長速度の差が顕著になる。すなわち、溝の開口部
に近い側面部分はど成長速度が大きく、溝の底に近い側
面部分における成長速度は小さい。その結果、溝底部が
タングステンで完全に埋められる前に、溝開口部が比較
的高速度で成長したタングステンにより塞がれてしまい
、溝を充填する配線層中に空洞が生じる。この現象は。
溝の深さを大きく、すなわち、厚い配線層を形成しよう
とするほど著しい。上記のような空洞が生じた部分では
、タングステン層の厚さが小さくなっており、配線抵抗
が増大するばかりでなく、下地とのコンタクト抵抗の増
大や接触不良、あるいは、電流密度の増大に伴う自己発
熱により加速されたエレクトロマイグレーションによる
断線が発生しやすい。
とするほど著しい。上記のような空洞が生じた部分では
、タングステン層の厚さが小さくなっており、配線抵抗
が増大するばかりでなく、下地とのコンタクト抵抗の増
大や接触不良、あるいは、電流密度の増大に伴う自己発
熱により加速されたエレクトロマイグレーションによる
断線が発生しやすい。
したがって1本発明は、所定配線パターンに対応して基
板上の絶縁層に形成された溝内にタングステン等の高融
点金属を選択成長させることによって平坦かつ微細な配
線層を自己整合的に形成する際に、該配線層中に空洞の
ような欠陥が発生することを防止可能な形成方法を提供
することを目的とする。
板上の絶縁層に形成された溝内にタングステン等の高融
点金属を選択成長させることによって平坦かつ微細な配
線層を自己整合的に形成する際に、該配線層中に空洞の
ような欠陥が発生することを防止可能な形成方法を提供
することを目的とする。
上記目的は、基板表面に堆積された第1の絶縁層に、所
定の配線パターンに対応する形状を有し且つ該表面から
深さ(D)に位置する底面を有する溝を形成する工程と
、液溝が設けられた該第1の絶縁層を有する該基板表面
に、厚さd、 (但しd、<D)を有する半導体層もし
くは金属層を堆積する工程と、該半導体層もしくは金属
層上に、厚さd2(但しa + + dz < o)を
有する第2の絶縁層を形成する工程と、該半導体層もし
くは金属層と該第2の絶縁層によって覆われた該溝内に
、少なくとも該第2の絶縁層の選択的除去に対するマス
ク材を充填する工程と、該マスク材から表出する該第2
の絶縁層を除去して、液溝の少なくとも底面に該第2の
絶縁層を選択的に残留させる工程と、少な(とも液溝の
底面に残留する該第2の絶縁層をマスクとして1表出す
る該半導体層もしくは金属層を除去し、液溝の底面に該
半導体層もしくは金属層を選択的に残留させる工程と、
該マスク材および液溝の少な(とも底面に残留する該第
2の絶縁層を選択的に除去して、液溝の少なくとも底面
に該半導体層もしくは金属層を表出する工程と、該溝の
少なくとも底面に表出した該半導体層もしくは金属層を
核として該溝内部に高融点金属を気相成長させる工程と
を包含することを特徴とする本発明に係る半導体装置の
製造方法によって達成される。
定の配線パターンに対応する形状を有し且つ該表面から
深さ(D)に位置する底面を有する溝を形成する工程と
、液溝が設けられた該第1の絶縁層を有する該基板表面
に、厚さd、 (但しd、<D)を有する半導体層もし
くは金属層を堆積する工程と、該半導体層もしくは金属
層上に、厚さd2(但しa + + dz < o)を
有する第2の絶縁層を形成する工程と、該半導体層もし
くは金属層と該第2の絶縁層によって覆われた該溝内に
、少なくとも該第2の絶縁層の選択的除去に対するマス
ク材を充填する工程と、該マスク材から表出する該第2
の絶縁層を除去して、液溝の少なくとも底面に該第2の
絶縁層を選択的に残留させる工程と、少な(とも液溝の
底面に残留する該第2の絶縁層をマスクとして1表出す
る該半導体層もしくは金属層を除去し、液溝の底面に該
半導体層もしくは金属層を選択的に残留させる工程と、
該マスク材および液溝の少な(とも底面に残留する該第
2の絶縁層を選択的に除去して、液溝の少なくとも底面
に該半導体層もしくは金属層を表出する工程と、該溝の
少なくとも底面に表出した該半導体層もしくは金属層を
核として該溝内部に高融点金属を気相成長させる工程と
を包含することを特徴とする本発明に係る半導体装置の
製造方法によって達成される。
絶縁層に設けられた所定微細幅の溝の底面にのみ3例え
ば多結晶シリコン層を形成し、この多結晶シリコンを核
として、タングステン等の高融点金属を選択成長させる
。その結果、溝は底部あるいは底部と側面の下部からタ
ングステン等によって埋められ、溝の開口部近傍は最後
に埋められるため、溝を充填する配線層に空洞が生じる
ことがな(、高信頬性の微細かつ平坦な配線層を形成す
ることができる。また、溝を深くしても配線層中に空洞
が生じ難いため、配線層の厚さを従来より大きくでき、
低抵抗の配線を得ることができる。
ば多結晶シリコン層を形成し、この多結晶シリコンを核
として、タングステン等の高融点金属を選択成長させる
。その結果、溝は底部あるいは底部と側面の下部からタ
ングステン等によって埋められ、溝の開口部近傍は最後
に埋められるため、溝を充填する配線層に空洞が生じる
ことがな(、高信頬性の微細かつ平坦な配線層を形成す
ることができる。また、溝を深くしても配線層中に空洞
が生じ難いため、配線層の厚さを従来より大きくでき、
低抵抗の配線を得ることができる。
第1図は本発明の実施例の工程を示す模式的要部断面図
であって、以下に第1図を参照しながら本発明を説明す
る。
であって、以下に第1図を参照しながら本発明を説明す
る。
第1図(a)に示すように、シリコン(St)基板1上
に9周知の方法を用いて、素子分離N2および層間絶縁
層であるPSG(燐珪酸ガラス)層3を形成する。素子
分離層2はシリコン基板1上に画定された図示しない能
動領域を分離する。そして、 psc層3は素子分離層
2上から前記能動領域にわたって形成されている。この
能動領域には半導体素子または回路が形成されており、
PSGSaO2,前記能動領域におけるコンタクト領
域あるいは素子分離層2上を走る図示しない下層配線に
対応するコンタクト窓(図示省略)が設けられており、
このコンタクト窓は1例えば周知のSiH4還元法を用
いて選択成長させたタングステン等により埋められてい
るものとする。なお、PSGSaO2さは0.8 μm
程度である。
に9周知の方法を用いて、素子分離N2および層間絶縁
層であるPSG(燐珪酸ガラス)層3を形成する。素子
分離層2はシリコン基板1上に画定された図示しない能
動領域を分離する。そして、 psc層3は素子分離層
2上から前記能動領域にわたって形成されている。この
能動領域には半導体素子または回路が形成されており、
PSGSaO2,前記能動領域におけるコンタクト領
域あるいは素子分離層2上を走る図示しない下層配線に
対応するコンタクト窓(図示省略)が設けられており、
このコンタクト窓は1例えば周知のSiH4還元法を用
いて選択成長させたタングステン等により埋められてい
るものとする。なお、PSGSaO2さは0.8 μm
程度である。
次いで、第1図(b)に示すように、 PSGSaO2
成されたシリコン基板1の全面に1周知のCVD法を設
けいて、厚さ約1.2μmの第2のPSG層4を形成し
たのち、所定の配線パターンに対応する開口が設けられ
たレジストマスク10を形成する。そして5例えば周知
のりアクティブイオンエツチング(RIE)法を用いて
、レジストマスクlOから表出するPSG層4を選択的
に除去し、第1図(C)に示すように、 PSG層4に
溝5を形成する。溝5は前記配線パターンに対応し9図
示しない位置で、前記コンタクト窓上に達し、このコン
タクト窓に充填されているタングステンが溝5の底面に
表出している。
成されたシリコン基板1の全面に1周知のCVD法を設
けいて、厚さ約1.2μmの第2のPSG層4を形成し
たのち、所定の配線パターンに対応する開口が設けられ
たレジストマスク10を形成する。そして5例えば周知
のりアクティブイオンエツチング(RIE)法を用いて
、レジストマスクlOから表出するPSG層4を選択的
に除去し、第1図(C)に示すように、 PSG層4に
溝5を形成する。溝5は前記配線パターンに対応し9図
示しない位置で、前記コンタクト窓上に達し、このコン
タクト窓に充填されているタングステンが溝5の底面に
表出している。
溝5を形成したのち1例えば周知のCVD法を用いて、
第1図(d)に示すように、シリコン基板1の全面に、
厚さ約1000人の多結晶シリコン層6を形成する。次
いで1例えば熱酸化法により、多結晶シリコン層6の表
面に厚さ約700人のSi02層7を形成する。本実施
例においては、溝5の深さCD)は、 PSG層4の厚
さ1.2 μmと等しく、多結晶シリコン層6の厚さ(
d、)と5i02層7の厚さ(d2)との間には、dt
+dz<Dなる関係が保たれている。
第1図(d)に示すように、シリコン基板1の全面に、
厚さ約1000人の多結晶シリコン層6を形成する。次
いで1例えば熱酸化法により、多結晶シリコン層6の表
面に厚さ約700人のSi02層7を形成する。本実施
例においては、溝5の深さCD)は、 PSG層4の厚
さ1.2 μmと等しく、多結晶シリコン層6の厚さ(
d、)と5i02層7の厚さ(d2)との間には、dt
+dz<Dなる関係が保たれている。
次いで、第1図(e)に示すように、シリコン基板1の
全面に1例えばフォトレジストのような高分子N8′を
塗布し、所定温度でベーキングしたのち、これを、酸素
プラズマ処理等の方法を用いて。
全面に1例えばフォトレジストのような高分子N8′を
塗布し、所定温度でベーキングしたのち、これを、酸素
プラズマ処理等の方法を用いて。
溝5周囲のSiO□N7が表出するまで除去する。その
結果、第1図(f)に示すように、溝5内部に高分子層
8が埋め込まれた状態となる。
結果、第1図(f)に示すように、溝5内部に高分子層
8が埋め込まれた状態となる。
高分子層8をマスクとして8表出するSiO□N7を選
択除去する。これは5例えばシリコン基板1を緩衝弗酸
溶液中に浸漬することにより行われる。
択除去する。これは5例えばシリコン基板1を緩衝弗酸
溶液中に浸漬することにより行われる。
上記選択除去により、第1図(g:)に示すように、溝
5の周囲および溝5の内部の側面には、多結晶シリコン
層6が表出される。上記選択除去の結果溝5の側面下部
にSiO□層7が残留している場合等。
5の周囲および溝5の内部の側面には、多結晶シリコン
層6が表出される。上記選択除去の結果溝5の側面下部
にSiO□層7が残留している場合等。
必要に応じて、CF、およびClIF5をエツチングガ
スとしてRIEを施し、残留SiO□N7を除去する。
スとしてRIEを施し、残留SiO□N7を除去する。
エツチングした結果、溝5の側面下部に若干のSin、
が残留しても差支えない。
が残留しても差支えない。
次いで、シリコン基板1に酸素プラズマ処理を施して、
溝5内部の高分子層8を除去する。その結果、高分子層
8によってマスクされていたSi02層7が、第1回出
)に示すように、溝5の底面に表出する。溝5の底面を
SiO□層7でマスクした状態で、多結晶シリコン層6
を選択除去する。この選択除去においては9例えばCF
4をエツチングガス除去される。なお、上記において、
溝5内部の高分子N8を除去する前に、上記等方性プラ
ズマエツチングを行って多結晶シリコン層6を選択除去
し、こののち、酸素プラズマによって高分子N8を除去
する順序としてもよい。
溝5内部の高分子層8を除去する。その結果、高分子層
8によってマスクされていたSi02層7が、第1回出
)に示すように、溝5の底面に表出する。溝5の底面を
SiO□層7でマスクした状態で、多結晶シリコン層6
を選択除去する。この選択除去においては9例えばCF
4をエツチングガス除去される。なお、上記において、
溝5内部の高分子N8を除去する前に、上記等方性プラ
ズマエツチングを行って多結晶シリコン層6を選択除去
し、こののち、酸素プラズマによって高分子N8を除去
する順序としてもよい。
次いで9例えばシリコン基板1を緩衝弗酸溶液に浸漬し
て、溝5底面に存在するSiO2層7を除去する。これ
により1第1図(j)に示すように、溝5底面に残留す
る多結晶シリコン層6が表出される。
て、溝5底面に存在するSiO2層7を除去する。これ
により1第1図(j)に示すように、溝5底面に残留す
る多結晶シリコン層6が表出される。
上記のようにして、底面に多結晶シリコン層6が残留し
た状態で1溝5内部にタングステンを選択成長させる。
た状態で1溝5内部にタングステンを選択成長させる。
この選択成長方法としては1例えば6弗化タングステン
rhpa)のような気体状のタングステン化合物を、水
素ガスで還元して金属タングステンを析出させる水素還
元法を用いる。その条件の例は、成長温度が400°C
,WF6および112の各流量がlosccmおよび2
secm、反応ガスの全圧が0.2Torrである。こ
れにより、溝5底面に存在する多結晶シリコン層6を核
としてタングステン層が成長開始し、開口部に向かって
成長が行われる。
rhpa)のような気体状のタングステン化合物を、水
素ガスで還元して金属タングステンを析出させる水素還
元法を用いる。その条件の例は、成長温度が400°C
,WF6および112の各流量がlosccmおよび2
secm、反応ガスの全圧が0.2Torrである。こ
れにより、溝5底面に存在する多結晶シリコン層6を核
としてタングステン層が成長開始し、開口部に向かって
成長が行われる。
溝5の側面からは成長が行われない。その結果。
第1図(資)に示すように、溝5内は底面方向から成長
したタングステンにより埋められ、所定の幅および厚さ
を有するタングステン配線N9が形成される。
したタングステンにより埋められ、所定の幅および厚さ
を有するタングステン配線N9が形成される。
上記ののち1図示しない眉間絶縁層の形成、この眉間絶
縁層に対するコンタクト窓の形成、上層アルミニウム配
線の形成、保護絶縁層の形成、ボンディング用の開口の
形成環8適常の半導体装置と同様の工程を経て1本発明
の半導体装置が完成される。
縁層に対するコンタクト窓の形成、上層アルミニウム配
線の形成、保護絶縁層の形成、ボンディング用の開口の
形成環8適常の半導体装置と同様の工程を経て1本発明
の半導体装置が完成される。
なお、上記おける高分子層8として3例えばポリイミド
系の樹脂環、フォトレジスト以外の高分子材料を用いて
も差支えない。また、溝5内にタングステンを選択成長
させる方法として、水素の代わりに5iHn (シラン
)を用いてWFbを還元する方法を用いることも可能で
ある。さらに、タングステン以外の高融点金属配線層を
形成する場合には、 WF、の代わりに当該金属の気体
状化合物を用いて同様の工程を適用すればよい。さらに
また。
系の樹脂環、フォトレジスト以外の高分子材料を用いて
も差支えない。また、溝5内にタングステンを選択成長
させる方法として、水素の代わりに5iHn (シラン
)を用いてWFbを還元する方法を用いることも可能で
ある。さらに、タングステン以外の高融点金属配線層を
形成する場合には、 WF、の代わりに当該金属の気体
状化合物を用いて同様の工程を適用すればよい。さらに
また。
多結晶シリコンN6をシリコンを過剰に含むタングステ
ンシリサイド等の金属層に置き換えてもよい また。上記実施例においては、溝5の深さ(D)がPS
GSiO4さ(1) と等しい場合を示したが。
ンシリサイド等の金属層に置き換えてもよい また。上記実施例においては、溝5の深さ(D)がPS
GSiO4さ(1) と等しい場合を示したが。
PSGSiO4けられる溝の深さが1<0であっても1
本発明が適用できることは言うまでもない。
本発明が適用できることは言うまでもない。
本発明によれば、タングステン等の高融点金属から成る
配線層を、内部に空洞を生じさせることなく形成でき、
微細幅かつ平坦な配線を必要とする高密度半導体装置の
信頼性を向上する効果がある。
配線層を、内部に空洞を生じさせることなく形成でき、
微細幅かつ平坦な配線を必要とする高密度半導体装置の
信頼性を向上する効果がある。
6は多結晶シリコン層。
7はSiO2層、 8は高分子層。
9はタングステン配線層
10はレジストマスク
である。
第1図は本発明の実施例の工程を示す模式的要部断面図
である。 図において。 1はシリコン基板、 2は素子分離層。 3と4はPSGJ’i、 5は溝。 稠9jヒe月O工峙里゛を、示ずノ莫六6り又閂官pm
昨dDCコ笛 1図 (イ/)1) A−側チε月0工4iΣ示47莫六をり萎あア虐面図j
f あ(そf)2)
である。 図において。 1はシリコン基板、 2は素子分離層。 3と4はPSGJ’i、 5は溝。 稠9jヒe月O工峙里゛を、示ずノ莫六6り又閂官pm
昨dDCコ笛 1図 (イ/)1) A−側チε月0工4iΣ示47莫六をり萎あア虐面図j
f あ(そf)2)
Claims (3)
- (1)基板表面に堆積された第1の絶縁層に、所定の配
線パターンに対応する形状を有し且つ該表面から深さ(
D)に位置する底面を有する溝を形成する工程と、 該溝が設けられた該第1の絶縁層を有する該基板表面に
、厚さd_1(但しd_1<D)を有する半導体層もし
くは金属層を堆積する工程と、 該半導体層もしくは金属層上に、厚さd_2(但しd_
1+d_2<D)を有する第2の絶縁層を形成する工程
と、 該半導体層もしくは金属層と該第2の絶縁層によって覆
われた該溝内に、少なくとも該第2の絶縁層の選択的除
去に対するマスク材を充填する工程と、 該マスク材から表出する該第2の絶縁層を除去して、該
溝の少なくとも底面に該第2の絶縁層を選択的に残留さ
せる工程と、 少なくとも該溝の底面に残留する該第2の絶縁層をマス
クとして、表出する該半導体層もしくは金属層を除去し
、該溝の底面に該半導体層もしくは金属層を選択的に残
留させる工程と、 該マスク材および該溝の少なくとも底面に残留する該第
2の絶縁層を選択的に除去して、該溝の少なくとも底面
に該半導体層もしくは金属層を表出する工程と、 該溝の少なくとも底面に表出した該半導体層もしくは金
属層を核として該溝内部に高融点金属を気相成長させる
工程 とを包含することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - (2)該高融点金属の気相成長工程後に、該半導体層も
しくは金属層と該高融点金属とを合金化させるための熱
処理を施す工程を包含することを特徴とする請求項1の
半導体装置の製造方法。 - (3)該第1の絶縁層を有する該基板表面上に堆積され
た該半導体層にドナーまたはアクセプターとなる不純物
をドープする工程と、 該不純物をドープされた該半導体層の抵抗を下げるため
熱処理を施す工程 とを包含することを特徴とする請求項1または2の半導
体装置の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63289208A JPH02134823A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
US07/401,690 US4983543A (en) | 1988-09-07 | 1989-09-01 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit having an interconnection wire embedded in a protective layer covering the semiconductor integrated circuit |
DE68928748T DE68928748T2 (de) | 1988-09-07 | 1989-09-06 | Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung mit einem in einer Schutzschicht integrierten Verbindungsleiter |
EP95105869A EP0665589B1 (en) | 1988-09-07 | 1989-09-06 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit having an interconnection wire embedded in a protective layer covering the semiconductor integrated circuit |
DE68928873T DE68928873T2 (de) | 1988-09-07 | 1989-09-06 | Herstellungsverfahren für eine integrierte Halbleiterschaltung mit einem Verbundungsleiter, der in einer Schutzschicht auf der integriertere Halbleiterschaltung eingebettet ist |
EP89116458A EP0359109B1 (en) | 1988-09-07 | 1989-09-06 | Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit having an interconnection wire embedded in a protective layer covering the semiconductor integrated circuit |
KR1019890012954A KR920006573B1 (ko) | 1988-09-07 | 1989-09-07 | 보호층내에 배선을 매설한 반도체 직접회로의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63289208A JPH02134823A (ja) | 1988-11-16 | 1988-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02134823A true JPH02134823A (ja) | 1990-05-23 |
JPH0577330B2 JPH0577330B2 (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=17740177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63289208A Granted JPH02134823A (ja) | 1988-09-07 | 1988-11-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02134823A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629246A (ja) * | 1991-02-04 | 1994-02-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 選択的な無電解メッキの方法 |
-
1988
- 1988-11-16 JP JP63289208A patent/JPH02134823A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629246A (ja) * | 1991-02-04 | 1994-02-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 選択的な無電解メッキの方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0577330B2 (ja) | 1993-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6110256A (ja) | 集積回路の接点孔への相互接続線の自動位置決め方法 | |
JPS618945A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH021981A (ja) | 珪素半導体デバイスに電気相互接続部を形成する方法 | |
US6475907B1 (en) | Semiconductor device having a barrier metal layer and method for manufacturing the same | |
US6274932B1 (en) | Semiconductor device having metal interconnection comprising metal silicide and four conductive layers | |
JP2000101156A (ja) | 改良された平滑度を持つ窒化ニオブのグラウンドプレ―ンを有するように超伝導体集積回路の表面粗さを低減する方法 | |
JPH0563940B2 (ja) | ||
JP3027946B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US5427982A (en) | Method for fabricating a semiconductor device | |
JPS63142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02134823A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10172969A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0837289A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR0138864B1 (ko) | 직접회로에서의 금속배선 제조방법 | |
JPH0259618B2 (ja) | ||
EP0543254B1 (en) | A method of forming high-stability metallic contacts in an integrated circuit with one or more metallized layers | |
JPS5951549A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
JPH0427703B2 (ja) | ||
JPH0945770A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JPS6113375B2 (ja) | ||
KR930001896B1 (ko) | 반도체 장치의 금속배선구조 및 그 형성방법 | |
JPH0425159A (ja) | 電極配線の形成方法 | |
JPS63100745A (ja) | 種から成長された導体を使用して集積回路チップ上に相互接続層を形成する方法 | |
JP2637726B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPS60115234A (ja) | 半導体装置の製造方法 |