JPH0238756U - - Google Patents

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JPH0238756U
JPH0238756U JP11682288U JP11682288U JPH0238756U JP H0238756 U JPH0238756 U JP H0238756U JP 11682288 U JP11682288 U JP 11682288U JP 11682288 U JP11682288 U JP 11682288U JP H0238756 U JPH0238756 U JP H0238756U
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JP
Japan
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wiring
electronic device
stepped portion
melting point
low melting
Prior art date
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JP11682288U
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  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本考案の一実施例を示し
たもので、第1図は逆スタガー型薄膜トランジス
タの断面図、第2図はそのソース、ドレイン配線
の形成工程図である。第3図および第4図は本考
案の他の実施例を示したもので、第3図は逆スタ
ガー型薄膜トランジスタの断面図、第4図はその
ソース、ドレイン配線の形成工程図である。 T……薄膜トランジスタ、1……絶縁基板、2
……ゲート配線、3……ゲート絶縁膜、4……半
導体層、5……コンタクト層、6……ソース配線
、7……ドレイン配線、a……低融点金属膜、b
……低抵抗金属膜。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 段差部を有する電子デバイスの配線を低融点金
    属材料により形成し、その段差部を熱処理により
    なだらかにしたことを特徴とする電子デバイスの
    配線。
JP11682288U 1988-09-07 1988-09-07 Pending JPH0238756U (ja)

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JP11682288U JPH0238756U (ja) 1988-09-07 1988-09-07

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