JPS61183539U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61183539U JPS61183539U JP4991886U JP4991886U JPS61183539U JP S61183539 U JPS61183539 U JP S61183539U JP 4991886 U JP4991886 U JP 4991886U JP 4991886 U JP4991886 U JP 4991886U JP S61183539 U JPS61183539 U JP S61183539U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode wiring
- niobium
- tantalum
- insulating film
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図は従来の方法による半導体装置の断面図
。第２図は本考案による半導体装置の断面図。 １０１，２０１……基板、１０２，２０２……
ソース・ドレイン、１０３，２０３……ゲート酸
化膜、１０４，２０４……ゲート電極、１０５，
２０５……第１層配線、１０６，２０６……層間
絶縁膜、１０７，２０８……第２層配線、２０７
……高融点金属またはシリコン。
。第２図は本考案による半導体装置の断面図。 １０１，２０１……基板、１０２，２０２……
ソース・ドレイン、１０３，２０３……ゲート酸
化膜、１０４，２０４……ゲート電極、１０５，
２０５……第１層配線、１０６，２０６……層間
絶縁膜、１０７，２０８……第２層配線、２０７
……高融点金属またはシリコン。
Claims (1)
- 多層配線を有する半導体装置において、タンタ
ルあるいはニオブもしくはそれらの硅化物からな
る少なくとも一層以上の電極配線、前記タンタル
あるいはニオブもしくはそれらの硅化物の電極配
線上に形成された層間絶縁膜、前記層間絶縁膜上
に形成された上層部電極配線、前記タンタルある
いはニオブもしくはそれらの硅化物の電極配線と
前記上層部電極配線とのコンタクトのために前記
層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール、前記
コンタクトホールの前記タンタルあるいはニオブ
もしくはそれらの硅化物の電極配線と前記上層部
電極配線との間に介在して形成されたシリコンも
しくは不純物を拡散したシリコンを具備すること
を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4991886U JPS61183539U (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4991886U JPS61183539U (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183539U true JPS61183539U (ja) | 1986-11-15 |
Family
ID=30567552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4991886U Pending JPS61183539U (ja) | 1986-04-03 | 1986-04-03 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183539U (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826679A (ja) * | 1971-08-11 | 1973-04-07 | ||
| JPS4944797A (ja) * | 1972-06-19 | 1974-04-27 | ||
| JPS537276A (en) * | 1976-07-08 | 1978-01-23 | Kato Giichirou | Ddc bias type field strength measuring instrument |
| JPS5374888A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-03 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1986
- 1986-04-03 JP JP4991886U patent/JPS61183539U/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4826679A (ja) * | 1971-08-11 | 1973-04-07 | ||
| JPS4944797A (ja) * | 1972-06-19 | 1974-04-27 | ||
| JPS537276A (en) * | 1976-07-08 | 1978-01-23 | Kato Giichirou | Ddc bias type field strength measuring instrument |
| JPS5374888A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-03 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
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