JPH01165660U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH01165660U JPH01165660U JP6231588U JP6231588U JPH01165660U JP H01165660 U JPH01165660 U JP H01165660U JP 6231588 U JP6231588 U JP 6231588U JP 6231588 U JP6231588 U JP 6231588U JP H01165660 U JPH01165660 U JP H01165660U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- center point
- extraction hole
- electrode extraction
- semiconductor device
- straight line
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
第１図、第３図は、本考案による半導体装置の
実施例を示す概略断面図で、第２図はコンタクト
ホールの配置を示す平面概略図である。第４図は
、従来の半導体装置に係わる概略平面図で、第５
図はその断面概略図である。 １……シリコン基板、２……フイールド酸化膜
、３……ゲート酸化膜、４……ゲート電極、５…
…側壁、６……低濃度ソース、７……低濃度ドレ
イン、８……高濃度ソース、９……高濃度ドレイ
ン、１０……層間絶縁膜、１１……金属配線、１
２，１３，１４……コンタクトホール、１５……
拡散層。
実施例を示す概略断面図で、第２図はコンタクト
ホールの配置を示す平面概略図である。第４図は
、従来の半導体装置に係わる概略平面図で、第５
図はその断面概略図である。 １……シリコン基板、２……フイールド酸化膜
、３……ゲート酸化膜、４……ゲート電極、５…
…側壁、６……低濃度ソース、７……低濃度ドレ
イン、８……高濃度ソース、９……高濃度ドレイ
ン、１０……層間絶縁膜、１１……金属配線、１
２，１３，１４……コンタクトホール、１５……
拡散層。
Claims (1)
- 電極取り出し孔の中心点と、少なくともひとつ
の辺に隣接する他の電極取り出し孔の中心点を結
ぶ直線が、前記辺と垂直に交わらないようにした
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6231588U JPH01165660U (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6231588U JPH01165660U (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01165660U true JPH01165660U (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=31287938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6231588U Pending JPH01165660U (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01165660U (ja) |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP6231588U patent/JPH01165660U/ja active Pending