JPH0383950A - グリセリド誘導体およびその製造法 - Google Patents

グリセリド誘導体およびその製造法

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JPH0383950A
JPH0383950A JP1221042A JP22104289A JPH0383950A JP H0383950 A JPH0383950 A JP H0383950A JP 1221042 A JP1221042 A JP 1221042A JP 22104289 A JP22104289 A JP 22104289A JP H0383950 A JPH0383950 A JP H0383950A
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hydroxybutanoic acid
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JP1221042A
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English (en)
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Shunichi Maemoto
前本 俊一
Junzo Hasegawa
淳三 長谷川
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Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Kanegafuchi Chemical Industry Co Ltd
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    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は式(I): および式M: [以下余白] で示される新規なグリセリ ドおよびその製造法、 さらに一般式(10: (式中、 R1は水酸基の保護基を表わす) および 一般式(Iv): (式中、R1は水酸基の保護基を表わす)で示されるグ
リセリド誘導体の製造法に関する。式(1)およびMで
示されるグリセリドは血液透析用液、心筋の代謝保護用
剤、および輸液製剤等の組成物として有用な物質である
。また一般式圓および■で示されるグリセリド誘導体は
式(T)およびMで示されるグリセリドの合成に有用な
原料となりうる物質である。
[従来の技術および発明が解決しようとする課題」 本発明によって製造された式(1)および弐Mで示され
る物質は現在までに合成された例のない新規化合物であ
り、したがって、それらの製造法に関する従来の知見も
ない。
本発明の式(I)およびMで示されるグリセリドは従来
合成されたことのない化合物であるが、近年、3−ヒド
ロキシブタン酸がヒトのエネルギー基質として特定の病
態においてはグルコース等の糖あるいは脂肪酸等より有
効であることが知られるようになり、注目されるように
なった。
そしてこの3−ヒドロキシブタン酸のヒトへの投与形態
の1つとしてグリセリンエステルが有効であると考えら
れ、その経済的製法の開発が待たれていた。
そこで、本発明者らは前記実情に鑑み鋭意研究を重ねた
結果、新規な3−ヒドロキシブタン酸のグリセリンエス
テルの経済的製法を見出し、本発明を完成するに至った
[課題を解決するための手段] 本発明は、式(I): [以下余白] で示される3−ヒドロキシブタン酸のトリグリセリド、
一般式(I): (式中、R1は水酸基の保護基を表わす)で示される3
−ヒドロキシブタン酸誘導体とグリセリンとを脱水剤の
存在下、反応させることによりえられる一般式ID: [以下余白] (式中、R1は、前記と同じ)で示される3−ヒドロキ
シブタン酸のトリグリセリド誘導体の水酸基の保護基R
1を除去することによる式(■):で示される3−ヒド
ロキシブタン酸のトリグリセリドの製造法、式M: で示される3−ヒドロキシブタン酸の1.3−ジグリセ
リド、一般式(酌: (式中、R1は水酸基の保護基を表わす)で示される水
酸基が保護された3−ヒドロキシブタン酸誘導体の塩と
1.3−ジハロ−2−プロパツールとを反応させ、一般
式[[V): %式%] (式中、R1は前記と同じ) で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体の1,3−ジ
グリセリドをえたのち、水酸基の保護基を除去すること
を特徴とする弐M: で示される3−ヒドロキシブタン酸の1.3−ジグリセ
リドの製造法、一般式(■): (式中、 R1は水酸基の保護基を表わす) で示さ れる3−ヒドロキシブタン酸誘導体とグリセリン とを脱水剤の存在化反応させることを特徴とする一般式
[10: で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体のト リ グリセリドの製造法、 一般式(■): (式中、 R1は水酸基の保護基を表わす) で示さ れろ水酸基が保護された3−ヒドロキシブタン酸誘導体
の塩と1.3−ジハロ−2−プロパツールとを反応させ
ることを特徴とする一般式N:(式中、R1は前記と同
じ)示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体の1.3−
ジグリセリドの製造法および一般式Nで示される1、3
−ジグリセリド誘導体と一般式(If)で示される3−
ヒドロキシブタン酸誘導体とを脱水剤の存在下、反応さ
せることによりえられる一般式圓の製造法に関する。
なお、本発明において一般式(II)で示される3−ヒ
ドロキシブタン酸誘導体がラセミ体の3−ヒドロキシブ
タン酸を用いて合成されたものであれば、えられる式(
I)、一般式(2)、一般式Nおよび弐Mで示される化
合物の3−ヒドロキシブタン酸部は全てラセミ体のもの
が、■)体の3−ヒドロキシブタン酸を用いて合成され
たものであればえられる式(■)、一般式圓、一般弐N
および式Mで示される化合物の3−ヒドロキシブタン酸
部が(R)体のものが、(8)体の3−ヒドロキシブタ
ン酸を用いて合成されたものであれば、えられる式(1
)、一般式圓、一般式■および式Mで示される化合物の
3−ヒドロキシブタン酸部が0体のものかえられ、これ
らも本発明に含まれる。
[実施例] まず本発明の式(I)で示される8−ヒドロキシブタン
酸のトリグリセリドの製造法を説明する。
一般式(1)で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体
の水酸基の保護基としてはt−ブチル、メトキシメチル
、t−ブトキシメチル、2−メトキシエトキシメチル、
1−エトキシエチル、テトラヒドロピラニル、テトラヒ
ドロフラニル、トリメチルシリル、トリエチルシリル、
t−ブチルジメチルシリル、イソプロピルジメチルシリ
ル、t−ブチルジフェニルシリル、メタンスルホニル、
エタンスルホニル、p−メチルフェニルスルホニル、フ
ェニルスルホニル、ベンジルスルホニル紅とが好ましく
使用できる。この水酸基の保護された一般式(I[)で
示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体とグリセリンと
を脱水剤の存在下反応させることにより、一般式圓で示
されるトリグリセリド誘導体とする。一般式(1)で示
される3−ヒドロキシブタン酸誘導体はグリセリンに対
して、理論当量である3当量以上用いればよい。脱水剤
としてはジシクロへキシルカルボジイミド(以下、DC
Cという)などが使用できる。DCCは使用するグリセ
リンに対して、3当量用いればよいが、3〜6当量がと
くに好ましい。反応は通常、エーテル、テトラヒドロフ
ラン(THF)などのエーテル系溶媒、または塩化メチ
レン、クロロホルム、四塩化炭素などの塩素系溶媒中で
行なうのが好ましい。反応温度は一り0℃〜溶媒の還流
温度で行なえばよいが、とくに20〜70℃が好ましい
。また必要に応じて4−ジメチルアミノピリジン、4−
ピロリジノピリジンなどのアミン類を触媒として、グリ
セリンに対して0.l〜0.4当量加えることにより、
反応速度を増大させることができる。
えられた一般式(資)で示されるトリグリセリド誘導体
は保護基の種類により、酸、塩基または接触還元のいず
れかの触媒を用い、公知の方法で脱保護を行ない目的と
する式(1)で示される3−ヒドロキシブタン酸のトリ
グリセリドへと変換することができる。
つぎに弐Mで示される8−ヒドロキシブタン酸の1.3
−ジグリセリドの製造法の説明をする。
一般式(1)で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体
の水酸基の保護基は前述のトリグリセリド誘導体合成に
用いたものと同じものを用いもことができる。この水酸
基の保護された一般式(1)で示される3−ヒドロキシ
ブタン酸誘導体の塩を1.3−ジハロ−2−プロパツー
ルと反応させることにより、一般弐Nで示される8−ヒ
ドロキシブタン酸誘導体の1,3−ジグリセリドとする
。一般式(1)で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導
体の塩としでは、リチウム、ナトリウム、カリウムなど
のアルカリ金属との塩、マグネシウム、カルシウム、ア
ルミニウムなどのアルカリ土類金属の塩などの6塩があ
げられるが、その中でもとくにリチウム、ナトリウム、
カリウムの6塩が好ましい。1.3−ジハロ−2−プロ
パツールとしては、1.3−ジクロロ−2−プロパツー
ル、1,3−ジブロモ−2−プロパツール、1.3−シ
ョート−2−プロパツールなどがあげられる。一般式(
I)で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体の塩は1
.3−ジハロ−2−プロパツールに対して理論当量であ
る2当量以上用いればよいが、とくに2〜6当量が好ま
しい。反応は25〜150”C1好ましくは50〜10
0℃で水、メタノールやエタノールなどのアルコール系
溶媒、あるいは、ジメチルホルムアミド、ヘキサメチル
ホスホルアミド、N−メチルピロリドン、l、3−ジメ
チル−2−イミダシリンのような溶錬中で行なうのが好
ましく、とくにジメチルホルムアミド、N−メチルピロ
リドンなどが好ましい。このようにしてえられた一般式
Nで示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体の1.3−
ジグリセリドは保護基の種類により酸、塩基、または接
触還元のいずれかの触媒を用い、公知の方法で脱保護を
行ない目的とする式Mで示される3−ヒドロキシブタン
酸の1.3−ジグリセリドへと変換することができる。
また、前記のようにしてえた一般式■で示される1、3
−ジグリセリド誘導体を用い一般式(2)で示される3
−ヒドロキシブタン酸誘導体のトリグリセリドへと導く
こともできる。すなわち、−般式mで示される3−ヒド
ロキシブタン酸誘導体と一般式Nで示される3−ヒドロ
キシブタン酸誘導体の1.3−ジグリセリドとを脱水剤
の存在下、反応させることにより、一般式圓で示される
3−ヒドロキシブタン酸誘導体のトリグリセリドとする
。一般式(1)で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導
体は一般式Nで示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体
の1.3−ジグリセリドに対し、理論当量である1当量
以上用いればよいが、とくに1〜3当量が好ましい。前
記脱水剤としてはDCCなどが使用できる。反応は通常
エーテル、THFなとのエーテル系溶媒、または塩化メ
チレン、クロロホルム、四塩化炭素などの塩素系溶媒中
で行うのが望ましい。反応温度は一り0℃〜溶媒の還流
温度で行えばよ<、20〜70℃が好ましい。DCCは
使用する一般式Nで示される3−ヒドロキシブタン酸誘
導体の1.3−ジグリセリドに対して、1当量用いれば
よいが、1〜3当量が好ましい。また、必要に応じて、
4−ジメチルアミノピリジン、4−ピロリジノピリジン
などのアミン類を触媒として一般式(1)で示される3
−ヒドロキシブタン酸誘導体の1.3−ジグリセリドに
対して0.1〜0.4当量加えることに、より、反応速
度を増大させることができる。また、水酸基の保護基の
脱保護によってえられた3−ヒドロキシブタン酸のトリ
グリセリドや1.3−ジグリセリドの粗生成物は、一般
的な抽出方法によって、あるいは、反応液を必要に応じ
て中和後、濃縮することにより単離できる。さらに、こ
れらの粗生成物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー等で精製することにより純粋な3−ヒドロキシブタン
酸のトリグリセリドや1.3−ジグリセリドをうろこと
ができる。
以下、参考例および実施例をあげて本発明を説明するが
、本発明はもとよりこれのみに限定されるものではない
。なお、化合物の同定は比旋光度、赤外線吸収スペクト
ル、IH−NMRスペクトル(1)1−NMR)および
元素分析などにより行なった。
参考例1 [(R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン
酸の製造] メチル(R)−3−ヒドロキシブチレート83.3g 
ジヒドロピラン74gを塩化メチレン800 mlに溶
かし、P−トルエンスルホン酸0.01fを加え、室温
で18時間撹拌した。反応液を飽和重曹水で洗浄し、炭
酸カリウムで乾燥後、濾過、濃縮して、メチル(R)−
3−ヒドロキシブチレートの粗オイル193gをえた。
つぎに、えられた粗オイルをメタノール500m1に溶
かし、水冷下撹拌しながら8%(重量%、以下同様) 
NaOH水溶液を440m1を滴下した。室温で5時間
撹拌した後、反応液を濃縮し、濃縮物に2 N llC
l水溶液を加えてpH4〜5に調整し、塩化メチレンで
抽出した。塩化メチレン層を飽和食塩水で洗浄後、脱水
、減圧濃縮して(R)−3−(テトラヒドロピラニルオ
キシ)ブタン酸の粗オイル128gをえた。
実施例1 [(R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン
酸トリグリセリドの製造] グリセリン11.Og 、 (R)−3−(テトラヒド
ロピラニルオキシ)ブタン酸89.9gを混合し、4−
ジメチルアミノピリジン5.0gおよび塩化メチレン2
00m1を加えて撹拌した。これにDCC98,5gの
塩化メチレン200m1溶液を水冷下滴下した。
室温で43時間撹拌後、濾過し濾液を飽和重曹水、飽和
食塩水で洗浄後、脱水、減圧濃縮し、粗オイル109g
をえた。これをシリカゲルカラムクロマト精製(シリカ
ゲル1.5kg、ヘキサン:酢酸エチル−3:1〜1:
1(容量比、以下同様))シて71.4gの(R)−3
−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸トリグリセ
リドをえた(収率99%)。
[Cl 25:  −11,2’ (c−1,21、M
eOH)!/ 110” ell −1: 1745.
1380.1180.1080S1030、ax 000 ”H−NMR(90MHzSCDC13)δppm1.
20および1.28(both d、J−6,0Hz、
tota1911)、1.1〜2.1(18H)、2.
20〜2.93(m。
8H) 、3.30〜3.[f7(膓、311)、3.
67〜4.57(+a、13H) 、4.70(br、
s、311) 、5.10〜5.63(m、 IH) 元素分析値:C匍H加012として 計算値(%)  : C59,78H8,36測定値(
%)  : C59,50H7,97実施例2 [(R)−3−ヒドロキシブタン酸トリグリセリドの製
造] (R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸
トリグリセリド59.7gおよびホウ酸513gをエタ
ノール280 mlに加え撹拌しながら加熱還流した。
3時間後、反応液に重曹水を加えて中和し、減圧濃縮し
た。濃縮液から酢酸エチルで抽出し、抽出液を濃縮して
、粗オイル40gをえた。
これを、シリカゲルカラムクロマト精製(シリカゲル5
00g、ヘキサン:酢酸エチル−1:3)して、23.
1gの(R)−3−ヒドロキシブタン酸トリグリセリド
をえた(収率67%)。
[α] ” ニー22.8°(c−1,15、MeOH
)eat !/ 1lax Cff1−t : 3420.173
5.1180.1090.955”H−NMR(90M
Hz、 CDC13)δI)l)III :1.23(
d、JJHz、911)、2.48(d、J= [il
[z、OB)、2J5(br、s、3t1.OH)、3
.98〜4.57(a+、7H)、5.22〜5.55
(m、11H 元素分析値:Cl5H2609として 計算値(%)  : C51,42H7,48測定値(
%’) : C51,86H7,42実施例3 [(R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン
酸1,3−ジグリセリドの製造] (R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸
70.0 g−と水酸化ナトリウム14.9gより調製
した (R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブ
タン酸のナトリウム塩78.2gと、1.3−ジクロロ
−2−プロパツール8.42srを、ジメチルホルムア
ミド40m1中100℃で20時間撹拌した。反応液を
水にあけ、エーテル抽出しエーテル層を、水、飽和重曹
水、飽和食塩水で洗浄後、脱水、減圧濃縮し、粗オイル
21gをえた。これをシリカゲルカラムクロマト精製(
シリカゲル500g、ヘキサン:酢酸エチル=7:3〜
4:6)して、18.7gの(R)−3−(テトラヒド
ロピラニルオキシ)ブタン酸1.3−ジグリセリドをえ
た(収率66%)。
[a]  ”  ニー5.6@(c−1,08、He’
ll)”” cx+ −1: 3450.1730.1
380.1070aX ”H−NMR(90Mllz、CDClりδI)I)l
  :1.20および1.31(both d、J−6
,0Hz、tota1611)、1.16〜2.10(
a+、1211)  、2.28〜2.87(a 、 
4H)、3.32〜4.53(m、11)1)  、4
.53〜4.86(br、、211) 元素分析値:C21H3309として 計算値(%)  : C58,32H8,39測定値(
%)  : C5B、15  H8,69実施例4 [(R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン
酸トリグリセリドの製造] 実施例3でえられた (R)−3−(テトラヒドロピラ
ニルオキシ)ブタン酸1.3−ジグリセリド17、og
 、  (R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)
ブタン酸および4−ジメチルアミノピリジン0.73g
を塩化メチレン72m1に溶解し、水冷下で撹拌しなが
ら、DCC13,4gの塩化メチレン溶液30 mlを
滴下した。室温でte時間撹拌後、反応液を濾過し、濃
縮した濃縮物をエーテルに溶かし、水、飽和重曹水、飽
和食塩水で洗浄後、脱水、減圧濃縮し、粗オイル29.
8gをえた。これをシリカゲルカラムクロマト精製(シ
リカゲル500g。
ヘキサン:酢酸エチル=3:1)して、23.Ogの(
R)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸ト
リグリセリドをえた(収率97%)。
実施例5 [(R)−3−ヒドロキシブタン酸1.3−ジグリセリ
ドの製造] 実施例3でえられた(R)−3−(テトラヒドロピラニ
ルオキシ)ブタン酸1.3−ジグリセリド14.0gに
、IN HCI水溶液−メタノール(1:2)30ml
を加え、室温で1時間撹拌した。反応液に、飽和重曹水
を加えて中和後濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムク
ロマト精製(シリカゲル500g、ヘキサン:酢酸エチ
ル=1:3〜0:1)して、7.1gの(R)−3−ヒ
ドロキシブタン酸1.3−ジグリセリドをえた(収率8
3%)。
[α]25°5:  −21,3°(c−1,20、H
e’ll)no” cm −’ : 3350.172
0.1180.1080、950νwax ”H−NMR(90MHz、  DMSO−d)δpp
m :1.09(d、J=811z、811)、2.3
8(d、J−011z、4H)、3.65〜4.35(
s、711)、4.69(d、J−5Hz、2H)、5
.22(d、J=511z、111)元素分析値: C
1l HHOyとして計算値(%)  : C49,9
9H7,63測定値(%’)  :C49,71H7,
51実施例6 [3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸トリグ
リセリドの製造] グリセリン5.0g、3−(テトラヒドロピラニルオキ
シ)ブタン酸30.7gを混合し、4−ジメチルアミノ
ピリジン0.7gおよびTHF 80m1を加えて撹拌
した。これに、DCo 3B、Og−のTHF 90m
1溶液を水冷下滴下した。室温で20時間撹拌後、実施
例1と同様の操作により、31.1gの3−(テトラヒ
ドロピラニルオキシ)ブタン酸トリグリセリドをえた(
収率95%)。
実施例7 [3−ヒドロキシブタン酸トリグリセリドの製造] 3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸トリグリ
セリド20.0 gを酢酸−水(3: 1)100ml
中、70℃で2時間撹拌した。反応液を減圧濃縮後、重
習水を加えて、酢酸エチルで抽出した。実施例2と同様
の操作により、4.6gの3−ヒドロキシブタン酸トリ
グリセリドをえた(収率40%)。
実施例8 [(8)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン
酸トリグリセリドの製造] (S)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸
を用い、実施例1と同様の操作でl5)−3−(テトラ
ヒドロピラニルオキシ)ブタン酸トリグリセリドをえた
(収率9B%)。
[(El  宕 :  +10.5  ° (c−1,
05、He’ll)実施例9 [(S)−3−ヒドロキシブタン酸トリグリセリドの製
造] (S)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸
トリグリセリド33.OKをO,OIN HCI水溶液
−アセトン(1: 3) 240 mlに加え、60℃
で撹拌した。1.5時間後重曹で中和してから、減圧濃
縮後、酢酸エチルで抽出した。実施例2と同様の操作に
より 9,8gの(S)−3−ヒドロキシブタン酸トリ
グリセリドをえた(収率51%)。
[α] ” :  +23.4°(c−1,31、Ne
o■)実施例i。
[3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸1.3
−ジグリセリドの製造] 3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸30.0
gと水酸化リチウム1水和塩8.7gより調製した3−
(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸のリチウム塩
3L、Ogと1.3−ジブロモ−2−プロパツールll
Jg@N−メチルピロリドン40m1中、90℃で24
時間撹拌した。実施例3と同様の操作により、9.2g
−の3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸1.
3−ジグリセリドをえた(収率40%)。
実施例11 [3−ヒドロキシブタン酸1.3−ジグリセリドの製造
] 実施例10でえられた3−(テトラヒドロピラニルオキ
シ)ブタン酸1.3−ジグリセリドを用い、実施例5と
同様の操作により、3−ヒドロキシブタンM1,3−ジ
グリセリドをえた(収率78%)。
実施例12 【(8)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン
酸1.3−ジグリセリドの製造] ■−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸26
.0 gと水酸化カリウム7.7gより調整した■−3
−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタン酸のカリウム
塩31.2gと1.3−ジクロロ−2−プロパツール4
.5gをジメチルボルムアミド25m1中、80℃で3
0時間撹拌した。実施例3と同様の操作により、8.8
gのC3)−3−(テトラヒドロピラニルオキシ)ブタ
ン酸1.3−ジグリセリドをえた(収率45%)。
[αl ’ : +4.2@Ca−1,00、MeOH
)実施例13 [(8)−3−ヒドロキシブタン酸1.3−ジグリセリ
ドの製造] 実施例12でえられたe)−3−(テトラヒドロピラニ
ルオキシ)ブタン酸1.3−ジグリセリドを用い実施例
5と同様の操作により■−3−ヒドロキシブタン酸1.
3−ジグリセリドをえた(収率80%)。
[a ] 26:  +20.9@(c−1,08、M
eOH)[発明の効果] 本発明によれば、ヒトのエネルギー基質等として有用な
新規な3−ヒドロキシブタン酸のグリセリンエステルを
経済的にうろことができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼ 示される3−ヒドロキシブタン酸のトリグリセリド。 2 3−ヒドロキシブタン酸部が(R)−体である請求
    項1記載の3−ヒドロキシブタン酸のトリグリセリド。 3 3−ヒドロキシブタン酸部が(S)−体である請求
    項1記載の3−ヒドロキシブタン酸のトリグリセリド。 4 一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^1は水酸基の保護基を表わす)で示される
    3−ヒドロキシブタン酸誘導体とグリセリンとを脱水剤
    の存在下、反応させ、一般式(III):▲数式、化学式
    、表等があります▼(III) (式中、R^1は前記と同じ) で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体のトリグリセ
    リドをえたのち、水酸基の保護基を除去することを特徴
    とする式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) で示される3−ヒドロキシブタン酸のトリグリセリドの
    製造法。 5 一般式(II)の3−ヒドロキシブタン酸部が(R)
    −体または(S)−体である請求項4記載の製造法。 6 式(V): ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される3−ヒドロキシブタン酸の1,3−ジグリセ
    リド。 3−ヒドロキシブタン酸部が(R)−体である請求項6
    記載の3−ヒドロキシブタン酸の1,3−ジグリセリド
    。 3−ヒドロキシブタン酸部が(S)−体である請求項6
    記載の3−ヒドロキシブタン酸の1,3−ジグリセリド
    。 一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1は水酸基の保護基を表わす)で示される
    3−ヒドロキシブタン酸誘導体の塩と1,3−ジハロ−
    2−プロパノールとを反応させ、一般式(IV): ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (式中、R^1は前記と同じ) で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体の1,3−ジ
    グリセリドをえたのち、水酸基の保護基を除去すること
    を特徴とする式(V): ▲数式、化学式、表等があります▼(V) で示される3−ヒドロキシブタン酸の1,3−ジグリセ
    リドの製造法。 10 式(II)の3−ヒドロキシブタン酸部が(R)−
    体または(S)−体である請求項9記載の製造法。 11 一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1は水酸基の保護基を表わす)で示される
    3−ヒドロキシブタン酸誘導体とグリセリンとを脱水剤
    の存在下反応させることを特徴とする一般式(III): ▲数式、化学式、表等があります▼(III) で示される3−ヒドロキシブタン酸誘導体のトリグリセ
    リドの製造法。 12 一般式(II): ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R^1は水酸基の保護基を表わす)で示される
    水酸基が保護された3−ヒドロキシブタン酸誘導体の塩
    と1,3−ジハロ−2−プロパノ−ルとを反応させるこ
    とを特徴とする一般式(IV):▲数式、化学式、表等が
    あります▼(IV) (式中、R^1は前記と同じ)で示される3−ヒドロキ
    シブタン酸誘導体の1,3−ジグリセリドの製造法。 13 R^1が直鎖または分枝鎖状のアルキル基、直鎖
    または分枝鎖状のアルケニル基、直鎖もしくは分枝鎖状
    または無置換環状脂肪族エーテル、有機珪素化合物、低
    級アルキルスルホニル基、置換または無置換芳香族スル
    ホニル基、置換または無置換ベンジル基およびトリフェ
    ニルメチル基よりなる群から選ばれたものである請求項
    4、5、9、10、11または12記載の製造法または
    グリセリド。 14 R^1がt−ブチルメトキシメチル、2−メトキ
    シエトキシメチル、t−プトキシメチル、1−エトキシ
    エチル、テトラヒドロピラニルおよびテトラヒドロフラ
    ニルよりなる群から選ばれたものである請求項4、5、
    9、10、11または12記載の製造法またはグリセリ
    ド。 15 R^1がトリメチルシリル、トリエチルシリル、
    t−ブチルジメチルシリル、イソプロピルジメチルシリ
    ルおよびt−ブチルジフェニルシリルの有機珪素化合物
    よりなる群から選ばれたものである請求項4、5、9、
    10、11または12記載の製造法またはグリセリド。 16 R^1がメタンスルホニル、エタンスルホニル、
    p−メチルフェニルスルホニル、フェニルスルホニルお
    よびベンジルスルホニルの芳香族スルホニル基よりなる
    群から選ばれたものである請求項4、5、9、10、1
    1または12記載の製造法またはグリセリド。
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