JPH0358400A - 半導体不揮発性メモリ - Google Patents
半導体不揮発性メモリInfo
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- JPH0358400A JPH0358400A JP1193367A JP19336789A JPH0358400A JP H0358400 A JPH0358400 A JP H0358400A JP 1193367 A JP1193367 A JP 1193367A JP 19336789 A JP19336789 A JP 19336789A JP H0358400 A JPH0358400 A JP H0358400A
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 56
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
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- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/349—Arrangements for evaluating degradation, retention or wearout, e.g. by counting erase cycles
- G11C16/3495—Circuits or methods to detect or delay wearout of nonvolatile EPROM or EEPROM memory devices, e.g. by counting numbers of erase or reprogram cycles, by using multiple memory areas serially or cyclically
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はコンピュータなどの電子機器に用いられる半
導体不揮発性メモリに関する。
導体不揮発性メモリに関する。
この発明は、メモリアレイと同一の書込み特性を持つモ
ニタ素子を用意し、メモリアレイの書込みの度に、モニ
タ素子には１１″，″０”の情報で書込みを行い、常に
書込み状態を監視する回路を設けた不揮発性メモリであ
る。
ニタ素子を用意し、メモリアレイの書込みの度に、モニ
タ素子には１１″，″０”の情報で書込みを行い、常に
書込み状態を監視する回路を設けた不揮発性メモリであ
る。
半導体不揮発性メモリはチャネルホソトエレクトロンや
、トンネリング電流などを利用して絶縁腹中にキャリア
を移動させることにより記憶の保持を行う。異なる信号
“１”および“Ｏ”で書込んだ時のメモリ素子のゲート
電圧あるいはドレイン電流の差（Ｗｉｎｄｏｗ）は、絶
縁膜中のキャリアトラノビングにより、書替の度に狭く
なる。不揮発性メモリの最大書替え回数は、各メモリセ
ルや、ロット間のバラツキ等を考慮し、統計的に決めら
れている。しかし、ユーザーが実際の不揮発性メモリＩ
Ｃの使用中に何回書替えを行い、以後何回書替え可能か
を知るのは非常に難しい。
、トンネリング電流などを利用して絶縁腹中にキャリア
を移動させることにより記憶の保持を行う。異なる信号
“１”および“Ｏ”で書込んだ時のメモリ素子のゲート
電圧あるいはドレイン電流の差（Ｗｉｎｄｏｗ）は、絶
縁膜中のキャリアトラノビングにより、書替の度に狭く
なる。不揮発性メモリの最大書替え回数は、各メモリセ
ルや、ロット間のバラツキ等を考慮し、統計的に決めら
れている。しかし、ユーザーが実際の不揮発性メモリＩ
Ｃの使用中に何回書替えを行い、以後何回書替え可能か
を知るのは非常に難しい。
従来の半導体不揮発性メモリのブロノク図を第２図に示
す。
す。
１はＥ２ＰＲＯＭ等の不連発性メモリアレイ、２はロウ
デコーダ、３はカラムデコーダ、４はセンスアンプを含
むＩ／Ｏ回路、５はプログラムノくルス発生回路、９は
カウンター回路、Ａ０〜Ａｎはアドレス入力端子、Ｉ
／ Ｏ ｌ 〜Ｉ／Ｏ６はデータ入出力端子、ＥＮはデ
ータイネーブル端子、ＰＲＯＧはプログラム制御端子、
ＡＬはアラーム出力端子である。
デコーダ、３はカラムデコーダ、４はセンスアンプを含
むＩ／Ｏ回路、５はプログラムノくルス発生回路、９は
カウンター回路、Ａ０〜Ａｎはアドレス入力端子、Ｉ
／ Ｏ ｌ 〜Ｉ／Ｏ６はデータ入出力端子、ＥＮはデ
ータイネーブル端子、ＰＲＯＧはプログラム制御端子、
ＡＬはアラーム出力端子である。
従来は書替えパルスの回数を数えるカウンター９は、電
源が切れてもカウント数を失わないようにする為、不揮
発性メモリを利用し、不揮発性のカウンター回路を構威
し、最大書替え回数に達すると、書込み動作を禁止し、
アラームを出すようにしていた。一般に半導体不揮発性
メモリの最大書替え回数は前述したように統計的な値で
あり、多少のマージンも含めて実力値より１桁程少ない
値に定められている。
源が切れてもカウント数を失わないようにする為、不揮
発性メモリを利用し、不揮発性のカウンター回路を構威
し、最大書替え回数に達すると、書込み動作を禁止し、
アラームを出すようにしていた。一般に半導体不揮発性
メモリの最大書替え回数は前述したように統計的な値で
あり、多少のマージンも含めて実力値より１桁程少ない
値に定められている。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の不揮発性カウンターを用いたものでは実力値を充
分引き出す事はできない。また、万一規格以下の不良チ
，プあるいは規格外の使用条件下で設定の最大書替え回
数以下のものがあったとしても、ユーザーには異常動作
をしていることが発見しにくいという問題点があった。
分引き出す事はできない。また、万一規格以下の不良チ
，プあるいは規格外の使用条件下で設定の最大書替え回
数以下のものがあったとしても、ユーザーには異常動作
をしていることが発見しにくいという問題点があった。
さらに、書替え回数が１０万回にもなると、そこに使わ
れる不揮発性メモリーのビソト数も２０ビソト程度必要
となり、チップ面積の増大を招く。
れる不揮発性メモリーのビソト数も２０ビソト程度必要
となり、チップ面積の増大を招く。
本発明は、各チップの持つ実力値に近い値で最大書替え
回数を設定する為にメモリアレイに使っている不揮発性
メモリセルと同一のものあるいは、書替え特性の同一の
ものを用意し、メモリアレイと同一のパルスで書込み、
このモニター素子の電気的書込みレベルを検出すること
により全メモリが書替え可能かどうかを判断する。また
、モニタ素子より早くメモリアレイが書替え不能となら
ないように、′１”，“０”の信号で交互に書込みを行
うようにしている。
回数を設定する為にメモリアレイに使っている不揮発性
メモリセルと同一のものあるいは、書替え特性の同一の
ものを用意し、メモリアレイと同一のパルスで書込み、
このモニター素子の電気的書込みレベルを検出すること
により全メモリが書替え可能かどうかを判断する。また
、モニタ素子より早くメモリアレイが書替え不能となら
ないように、′１”，“０”の信号で交互に書込みを行
うようにしている。
本発明により、不揮発性メモリの最大書替え回数を従来
より２〜５倍高い値に設定できるようになる。また、検
出用のモニタ素子とメモリアレイは、同一の書替え特性
であるので、万一規格から外れた条件で使われたとして
も、書替え限界を常に正しく検出しているのでメモリセ
ルが誤書込みを起こすことは避け゛られる。
より２〜５倍高い値に設定できるようになる。また、検
出用のモニタ素子とメモリアレイは、同一の書替え特性
であるので、万一規格から外れた条件で使われたとして
も、書替え限界を常に正しく検出しているのでメモリセ
ルが誤書込みを起こすことは避け゛られる。
第１図に本発明の実施例である半導体不揮発性メモリの
ブロソク図を示す。不揮発性メモリアレイ１と、ロウデ
コーダ−２、カラムデコーダ−３、センスアンプを含む
Ｉ／Ｏ回路４、プログラムパルス発生回路５等よりなる
周辺回路と本発明の“ｌ”／゜０”信号発生回路６、モ
ニタ素子７および書込みレベル検出回路８より成る。
ブロソク図を示す。不揮発性メモリアレイ１と、ロウデ
コーダ−２、カラムデコーダ−３、センスアンプを含む
Ｉ／Ｏ回路４、プログラムパルス発生回路５等よりなる
周辺回路と本発明の“ｌ”／゜０”信号発生回路６、モ
ニタ素子７および書込みレベル検出回路８より成る。
なお、八〇〜Ａ．，はアドレス入力端子、Ｉ／０〜１／
Ｏ，はデータ入出力端子、ＰＲＯＧはプログラム制御端
子、ＡＬはアラーム出力端子である。
Ｏ，はデータ入出力端子、ＰＲＯＧはプログラム制御端
子、ＡＬはアラーム出力端子である。
゛１”／“０”信号発生回路６は、プログラムパルスを
トリガとして受け、書込みのたびに“１”と“０”を反
転させる。基本的にはＴフリソブフロ，プなどで簡単に
実現できる。モニタ素子７は、チャネルホノトエレクト
ロン型やトンネルｌ主大型のフローティングゲートメモ
リやＭ．ＮＯＳ型メモリなどのメモリアレイに使ってい
るセルと同一あるいは書替え特性の等しいものを用いる
。
トリガとして受け、書込みのたびに“１”と“０”を反
転させる。基本的にはＴフリソブフロ，プなどで簡単に
実現できる。モニタ素子７は、チャネルホノトエレクト
ロン型やトンネルｌ主大型のフローティングゲートメモ
リやＭ．ＮＯＳ型メモリなどのメモリアレイに使ってい
るセルと同一あるいは書替え特性の等しいものを用いる
。
数ｍｍ角のチップ内では、このモニタ素子とメモリアレ
イの書込み特性は、局所的な欠陥を除いて同等といえる
。さらに高い信頼性の要求されるものについては、複数
のモニタ素子を使用すると良い。
イの書込み特性は、局所的な欠陥を除いて同等といえる
。さらに高い信頼性の要求されるものについては、複数
のモニタ素子を使用すると良い。
書込みレベル検出回路８はモニタ素子のゲートしきい値
電圧やドレイン電流を検出し、所定の値と比較し、書替
え可能か否かを判断する。この回路では、“１″，“０
”両方の基準レベルと、その切替え回路を持たせなけれ
ばならない。
電圧やドレイン電流を検出し、所定の値と比較し、書替
え可能か否かを判断する。この回路では、“１″，“０
”両方の基準レベルと、その切替え回路を持たせなけれ
ばならない。
第３図は、第１図のモニタ素子にフローティングゲート
メモリを用いた時の書込み特性である。
メモリを用いた時の書込み特性である。
横軸は書替え回数、縦軸はメモリのしきい｛ｔｉｔ電圧
である。ここで書込み後は″１”ストア、消去後は“Ｏ
″ストアと呼ぶ。
である。ここで書込み後は″１”ストア、消去後は“Ｏ
″ストアと呼ぶ。
一ａに不揮発性メモリは“１”，“０“で書込みを繰り
返した時がストレスは一番大きい。したがってモニタ素
子に゜ｌ”．“０”で操り返し書込みを行えば、不揮発
性メモリアレイｌよりも必ず劣化が大きくなり、メモリ
アレイの一部が書込み不可能になっているのにアラーム
が出ないという事態はおこらない。なお、ＶＴ’．は最
低書込みレベル、Ｖ Ｔ ｏは最低消去レベルを示す。
返した時がストレスは一番大きい。したがってモニタ素
子に゜ｌ”．“０”で操り返し書込みを行えば、不揮発
性メモリアレイｌよりも必ず劣化が大きくなり、メモリ
アレイの一部が書込み不可能になっているのにアラーム
が出ないという事態はおこらない。なお、ＶＴ’．は最
低書込みレベル、Ｖ Ｔ ｏは最低消去レベルを示す。
以上示した様に、本発明の不揮発性メモリは、従来と同
しメモリアレイを用いていながら、実質的な最大書替え
回数を一桁程度向上させることができる。しかも、この
時のチノプ面積の増加は、極めて少ない。またアラーム
信号を使えばユーザーは不揮発性メモリーの交換時期を
適格につかむことができる。
しメモリアレイを用いていながら、実質的な最大書替え
回数を一桁程度向上させることができる。しかも、この
時のチノプ面積の増加は、極めて少ない。またアラーム
信号を使えばユーザーは不揮発性メモリーの交換時期を
適格につかむことができる。
第１図は本発明の実施例である不揮発性メモリのブロソ
ク図、第２図は従来の不揮発性メモリのブロノク図、第
３図はモニタ素子の書替え特性図である。 ・不揮発性メモリアレイ ・ロウデコーダ ・カラムデコーダ ・ｌ／○回路 プログラムパルス発生回路 ・“１”／“０”信号発生回路 ・モニタ素子 ・書込みレヘル検出回路 ・不揮発性カウンク回路 以 上
ク図、第２図は従来の不揮発性メモリのブロノク図、第
３図はモニタ素子の書替え特性図である。 ・不揮発性メモリアレイ ・ロウデコーダ ・カラムデコーダ ・ｌ／○回路 プログラムパルス発生回路 ・“１”／“０”信号発生回路 ・モニタ素子 ・書込みレヘル検出回路 ・不揮発性カウンク回路 以 上
Claims (1)
- “１”、“０”のような２値信号に対応する２つの安定
な状態により不揮発性の記憶保持を司る記憶素子から成
るメモリアレイと、前記メモリアレイのアドレス選択や
書込みパルス印加、読出し等を行う周辺回路と、前記記
憶素子と同等の書込み特性を持つモニタ素子と、前記モ
ニタ素子に異なる２値信号で交互に書込みを行う信号発
生回路と、前記モニタ素子の記憶保持状態を電気的に検
出し、異なる２値信号での書込みレベルを各々の基準値
と比較する検出回路から成る半導体不揮発性メモリ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19336789A JPH0748320B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 半導体不揮発性メモリ |
| US07/557,403 US5210716A (en) | 1989-07-24 | 1990-07-23 | Semiconductor nonvolatile memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19336789A JPH0748320B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 半導体不揮発性メモリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358400A true JPH0358400A (ja) | 1991-03-13 |
| JPH0748320B2 JPH0748320B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16306734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19336789A Expired - Lifetime JPH0748320B2 (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 半導体不揮発性メモリ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5210716A (ja) |
| JP (1) | JPH0748320B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69033262T2 (de) | 1989-04-13 | 2000-02-24 | Sandisk Corp | EEPROM-Karte mit Austauch von fehlerhaften Speicherzellen und Zwischenspeicher |
| GB9026917D0 (en) * | 1990-12-11 | 1991-01-30 | Int Computers Ltd | Rotating memory system |
| JP2582487B2 (ja) * | 1991-07-12 | 1997-02-19 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法 |
| US6230233B1 (en) | 1991-09-13 | 2001-05-08 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
| JP3251968B2 (ja) * | 1992-01-20 | 2002-01-28 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JP3390482B2 (ja) * | 1992-06-12 | 2003-03-24 | 株式会社リコー | ファクシミリ装置 |
| US6750908B1 (en) | 1994-02-03 | 2004-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Image processing apparatus using recording medium which needs data erasing processing before recording of data |
| DE69536159D1 (de) * | 1994-02-23 | 2011-06-09 | Canon Kk | Aufzeichnungseinheit mit Detektion der Haltbarkeit des Aufzeichnungsmediums |
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| US6773083B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-08-10 | Lexmark International, Inc. | Method and apparatus for non-volatile memory usage in an ink jet printer |
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| EP1556868B1 (en) * | 2002-10-28 | 2007-09-05 | SanDisk Corporation | Automated wear leveling in non-volatile storage systems |
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Citations (1)
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| JPH02148500A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | Ｉｃカードにおけるデータ書き換え能力診断方式 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4758988A (en) * | 1985-12-12 | 1988-07-19 | Motorola, Inc. | Dual array EEPROM for high endurance capability |
| JPH0612613B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1994-02-16 | 富士通株式会社 | 半導体記憶装置 |
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-
1989
- 1989-07-24 JP JP19336789A patent/JPH0748320B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-23 US US07/557,403 patent/US5210716A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0748320B2 (ja) | 1995-05-24 |
| US5210716A (en) | 1993-05-11 |
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