JPS62121979A - 集積回路メモリ - Google Patents

集積回路メモリ

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Publication number
JPS62121979A
JPS62121979A JP60262870A JP26287085A JPS62121979A JP S62121979 A JPS62121979 A JP S62121979A JP 60262870 A JP60262870 A JP 60262870A JP 26287085 A JP26287085 A JP 26287085A JP S62121979 A JPS62121979 A JP S62121979A
Authority
JP
Japan
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memory
rewritable
data
written
module
Prior art date
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Pending
Application number
JP60262870A
Other languages
English (en)
Inventor
Hayao Hirai
平井　速夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Priority to EP86116121A priority patent/EP0224206A3/en
Priority to US06/933,156 priority patent/US4811303A/en
Publication of JPS62121979A publication Critical patent/JPS62121979A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/005—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor comprising combined but independently operative RAM-ROM, RAM-PROM, RAM-EPROM cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Stored Programmes (AREA)
  • Numerical Control (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、単一機能の集積回路メモリ（以下。
ＩＣメモリという）を複数種類組合せて小型にして用い
ることのできる複合記憶機能を有するＩＣメモリに関す
るものである。
〔従来の技術〕
従来のＩＣメモリは、ランダム会アクセス・メモリ（以
下、ＲＡＭという）、リード拳オンリ・メモリ（以下、
ＲＯＭという）、ＲＯＭの中でも、ＭＡＳＫＲＯＭ、プ
ログラマブルＲＯＭ（以下、ＦＲＯＭという）、エレク
トリカリＦＲＯＭ（１２１下。
ＥＰＲＯＭという）、エレクトリカリ・イレーザブルＦ
　ＲＯＭ　（以下、Ｅ　ＦＲＯＭ　という）等が各々単
一記憶機能のモジュール単体で一般に提供されている。
次にこれらのＩＣメモリの記憶機能について述べると、
ＭＡＳＫＲＯＭおよびＦＲＯＭにおいては一度情報デー
タを書込むと情報の書替えをすることができず、ＥＰＲ
ＯＭ　　においては一度情報を書込むと省込んだ情報を
消去してから情報全書込むことができ、ＲＡＭにおいて
は情報の書込み・書替えは任意にできるが電源が切れる
と書込んだ情報が消去してしまい、Ｅ　ＰＲＯＭ　にお
いては電気的に情報の書込み・書替えができしかも電源
が切れても書込まれた情報をそのまま保存することがで
きる。
通常メモリを構成するには、ＲＡＭ　、ＭＡＳＫＲＯＭ
、ＰＲＯＭ、ＥＰＲＯＭ、Ｅ　　ＲＯＭ等の各単一機能
をもったＩＣメモリを適当に組合せて用い、これらを制
御する周辺デバイスと共に所要の機能をもたせるように
基板上に組立てていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のメモリは以上のように構成されているので、単一
機能のＩＣメモＩＪ　’に組合せて用いなければならず
、基板上に組立ることが必要で、大型化すると共に高価
なものとなりしかも識別カードとか識別モジュールに組
込んで利用することは困難であり、特に小型で携帯に供
するような製品には適用できないなどの問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、複合記憶機能を有し、廉価で小型化できると
ともに識別メモリカードや識別モジエール等の小型携帯
品にも適用可能なＩＣメモリ金得ることを目的とする。
〔問題点全解決するための手段〕
この発明に係るＩＣメモリは必要なデータを半永久的に
記憶してデータの書替えを不可能とするＩＣメモリ部分
とデータを必要に応じて書替え可能とするＩＣメモリ部
分とｆ！：ｌチップ上に構成したシ又はハイブリッド配
置して１モジュールに構成したものである。
〔作用〕
この発明におけるＩＣメモリは、複合記憶機能全盲し、
半永久的に保存したいデータｔＶ−ドーオンリ・メモリ
機能で記憶し、随時に書替えたいデータをランダム・ア
クセス・メモリ機能で記憶し、両機能１ｋｉチップ又は
ｌモジュールで行なう。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を説明する。
この発明におけるＩＣメモリの組合せとしては例えば以
下に述べるものが挙げられる。
＋１１　４ｉ替え不能部分（たとえばＭＡＳＫＲＯＭ部
分又はＰＲＯＭ部分）と ■書替え可能部分（たとえばＲＡＭ部分）■書替え可能
部分（たとえばＥＰＲＯＭ部分）の書替え可能部分（た
とえばＥ　ＰＲＯＭ部分）の内の少なくとも１種類との
組合せ、 （２１条件付き書替え不能部分（たとえばＥＰＲＯＭ部
分）と ■書替え可能部分（たとえばＲＡＭ部分）■書替え可能
部分（たとえばＥＰＲＯＭ部分）■書替え可能部分（た
とえばＥ　ＰＲＯＭ部分）の内の少なくとも１種類との
組合せ。
１３１　　条件付き書替え不能部分（たとえばＥ２ＦＲ
ＯＭ部分）と ■書替え可能部分（たとえばＲＡＭ部分）■書替え可能
部分（たとえばｇ　ＰＲＯＭ部分）の内の少なくとも１
種類との組合せ、 （４）　　書替え不能部分（たとえばＭＡＳＫＲＯＭ部
分）と任意時書込み後曹替え不能部分（たとえばＰＲＯ
Ｍ部分）と ０畳替え可能部分（たとえばＲＡＭ部分）■書替え可能
部分（たとえばＥＰＲＯＭ部分）■書替え可能部分（た
とえばＥ　ＰＲＯＭ部分）の内の少なくとも１種類との
組合せ。
（５）　　書替え不能部分（たとえばＭＡ　Ｓ　Ｋ　Ｒ
ＯＭ部分）と任意時書込み後条件付書替え不能部分（た
とえばＥＰ　ＲＯＭ部分）と ■書替え可能部分（たとえばＲＡＭ部分）■書替え可能
部分（たとえばＥＰＲＯＭ部分）■書替え可能部分（た
とえばＥ２ＦＲＯＭ部分）の内の少なくとも１種類との
組合せ。
（６）　　書替え不能部分（たとえばＭＡＳＫＲＯＭ部
分）と任意時書込み後条件付き書替え不能部分（たとえ
ばＥ　ＰＲＯＭ部分）と ■書替え可能部分（たとえばＲＡＭ部分）■書替え可能
部分（たとえばＥ　　ＰＲＯＭ部分）の内の少なくとも
１種類との組合せ等がある。
上述のような２種類又は３種類のＩＣメモリ部分の組合
せでなく用途に応じて多種のＩＣメモリ部分を組合せる
ことも可能である。
この発明では、上述のＩＣメモリの記憶機能を組合せて
（上述の（１）〜（６１の組合せの内のいづれか）ＩＣ
メモリとしてｌチップ上に構成したり、ハイブリッド配
置にしてモジュール単体に構成し、外観上モジュール単
体として複合記憶機能を有するＩＣメモリとして構成し
て利用する。このように構成されたＩＣメモリは小型な
ので識別カードや識別モジュールにも適用することがで
きる。
例えば、上述の（１）の■の組合せ（ＦＲＯＭ部分十Ｅ
２ＦＲＯＭ部分）のＩＣメモリの識別カードへの適用例
を具体的に説明する。識別カード内のＩＣメモリの書替
え不能部分、ここではＰＲＯＭ部分には１例えば２銀行
名９個人名９機械名、モジュール名、暗証番号など一度
コード化して書込んだら半永久的に消さずにいかなる状
況下においても書替えてはならないデータが書込まれる
。また、上述の同一の識別カード内の同一のＩＣメモリ
の書替え可能部分ここではＥ　ＰＲＯＭ部分には、その
状況に応じて変更するデータ例えば貯金残高９機械稼動
時間、モジュール使用時間などが書替え毎に随時に書替
えられる。これにより、ＩＣメモリは誤って重要部分の
消去によるトラブルを生じることなく経済的に変化する
データも必要な都度リフレッシュできる用途に適用でき
る。
上述したＩＣメモリとしてはモジュール単体にした場合
には、ＩＣメモリの容量にもよるが例えば直径８　（ｍ
）　Ｘ厚さ３（ＷＩ）程度の寸法に収めることができる
。
この発明においては、上述の組合せ機能の他にランダム
−アクセス・メそり部分とリードＱオンリ・メモリ部分
とを有するｌチップ又は１つのモジュールのＩＣメモリ
ならばどのようなものでもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明によればリード・オンリ・メモ
リ機能とランダム・アクセス・メモリ機能とを有し、ｌ
チップ又はｌモジュールにして構成し次ので、複合記憶
機能を有するメモリ？小型にしかも廉価にでき、例えば
識別カードや識別モジュールにも適用可能で用途範囲が
広いものが得られる効果がある。
特許出願人　　三菱電機株式会社 代理人　弁理士　　　１）　澤　　博　　昭′　　　；
（外２名）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 記憶機能を有し、１チップもしくは１モジュールにして
    形成された集積回路メモリにおいて、前記記憶機能は必
    要なデータを半永久的に記憶して前記データの書替えを
    不可能とする機能とデータを必要に応じて書替え可能と
    する機能とからなることを特徴とする集積回路メモリ。
JP60262870A 1985-11-22 1985-11-22 集積回路メモリ Pending JPS62121979A (ja)

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JP60262870A JPS62121979A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 集積回路メモリ
EP86116121A EP0224206A3 (en) 1985-11-22 1986-11-21 Integrated circuit memory
US06/933,156 US4811303A (en) 1985-11-22 1986-11-21 Integrated circuit memory with common address register and decoder

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EP (1) EP0224206A3 (ja)
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