JPH02310688A - メモリカード - Google Patents

メモリカード

Info

Publication number
JPH02310688A
JPH02310688A JP1131337A JP13133789A JPH02310688A JP H02310688 A JPH02310688 A JP H02310688A JP 1131337 A JP1131337 A JP 1131337A JP 13133789 A JP13133789 A JP 13133789A JP H02310688 A JPH02310688 A JP H02310688A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
card
external
semiconductor memory
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1131337A
Other languages
English (en)
Inventor
Eiju Fukuda
栄寿 福田
Toshio Kanno
利夫 管野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1131337A priority Critical patent/JPH02310688A/ja
Publication of JPH02310688A publication Critical patent/JPH02310688A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はメモリカードさらには外部装置に装着されてこ
の外部装置との間で情報交換を可能とするメモリカード
に関し1例えばパーソナルコンピュータやワードプロセ
ッサにおける外部記憶媒体として用いられるものに適用
して有効な技術に関するものである。
〔従来技術〕
パーソナルコンピュータやワードプロセッサ等において
は、外部記憶媒体の一つとしてフロッピーディスクが用
いられ、このフロッピーディスクにプログラムあるいは
演算データを記憶するようにしている。
また、半導体集積回路の高集積化により半導体メモリの
記憶容量は増大される傾向にあるため、フロッピーディ
スク以外の記憶媒体としてICカード、例えばRAM 
(ランダム・アクセス・メモリ)をカード基板に内蔵し
たRAMカード、あるいは、ROM (リード・オンリ
・メモリ)をカード基板に内蔵したROMカードなどが
提供されている。
尚、ICカードについて記載された文献の例としては特
願昭62−035548号がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、一般にパーソナルコンピュータやワード
プロセッサ等においては、少なくとも、システム立上げ
のためのプログラム格納用のものと、演算結果あるいは
作成された文章情報格納用のものとの2枚のフロッピー
ディスクを必要とする。このためオペレータは、それら
2枚のフロッピーディスクを装置に装着しなければなら
ず、それはオペレータにとって複数回の装着操作となり
非常に面倒な作業となっている。
そこで本発明者は、パーソナルコンピュータやワードプ
ロセッサ等における外部記憶媒体としてICカードを用
いることについて検討した。これによれば、プログラム
格納用としてROMカードを適用し、演算結果あるいは
文章情報格納用としてRAMカードを適用することにな
ると、2枚のカードを必要とするから、結局上記フロッ
ピーディスク使用の場合と同様に、オペレータは外部記
憶媒体装着時の不都合を余儀なくされることが見い出さ
れる。
本発明の目的は、外部記憶媒体を装置に装着する際のオ
ペレータの負担を軽減することができるメモリカードを
提供することにある。
本発明の上記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、複数の外部端子を備えたカートに、揮発性半
導体メモリ及び不揮発性半導体メモリを搭戟してメモリ
カードを構成するものである。
また、外部からの電源電圧が遮断された場合に、上記不
揮発性半導体メモリに記憶データ保持用の電源電圧を供
給するバックアップ電源部を上記カード基板に搭戟する
とよい。
更に、外部からこのメモリカード内の揮発性半導体メモ
リ及び不揮発性半導体メモリに外部アクセス制御信号を
取込む場合に、各メモリ間で上記カード基板における同
一の外部端子を共用するとよい。
〔作 用〕
上記した手段によれば、一枚のカード基板に不揮発性半
導体メモリと揮発性半導体メモリを内蔵することは、プ
ログラムを不揮発性半導体メモリに格納し、演算結果や
文章情報を揮発性半導体メモリに格納するというように
、性質の異なる情報を別々のメモリに格納可能に作用し
、このことが、従来2枚のフロッピーディスクあるいは
2枚のICカードを必要としていたのに対してこれを1
枚のメモリカードで代用することを達成するものである
また、上記バックアップ電源部は、外部からの電源電圧
が遮断された場合に、上記揮発性メモリの記憶内容を保
持させるように作用する。
さらに、外部アクセス制御信号入力用の外部端子を種類
の異なる上記各メモリ間で共用させることは、同一種類
のメモリ毎に専用の外部端子を割当る場合に比較して、
外部端子数の減少を達成する。
〔実 施 例〕
第1図には本発明の一実施例であるメモリカードが示さ
れる。
同図に示されるメモリカードは、特に制限されないが、
パーソナルコンピュータやワードプロセッサ等における
外部記憶媒体として用いられるものであり、パーソナル
コンピュータやワードプロセッサ等の外部装置とは外部
端子2乃至9を介して着脱自在に結合される。
本実施例のカード基板1は、特に制限されないが、樹脂
によってカード状に形成され、所定の剛性を有している
。そしてこのカード基板1には、複数の外部端子2乃至
9が取付けられ、更にバックアップ電源部10.デコー
ダ13.RAM (ランダム・アクセス・メモリ)14
及び15.ROM(リード・オンリ・メモリ)16及び
17が搭戟されている。
上記バックアップ電源部10は、外部端子たる電源入力
端子2,3を介して外部装置より取込まれる電源電圧が
遮断された場合に、RAM14゜15に記憶内容保持用
の電源電圧を供給するもので、特に制限されないが、電
池10aと切換回路10bとを有して成る。切換回路1
0bは、電源入力端子2を介して外部より取込まれる電
源電圧VcC工と電池10aの出力電圧Vcc、との比
較を行い、vCci〉VcC2の場合L:Vcc、を選
択し、これとは逆にVccm<Vcc、の場合にVcc
、を選択する。そしてこの選択出力は、VcCとしてデ
コーダ13.RAM14及び15.ROM16及び17
に供給される。尚、外部から他方の電源電圧Vssが供
給される電源入力端子3及び電池10aにおける他方の
電源電圧Vssは。
本メモリカード内に形成された図示しない共通の導電ラ
インを介してデコーダ13.RAM14及び15.RO
M18及び17に供給される。
またデコーダ13は、外部端子たるアドレス入力端子5
を介して外部より取込まれるアドレス信号A、〜Ajの
内上位2ビットAi、Ajをデコードしてチップセレク
ト信号cs、、cs2.cS、、CS、を生成するもの
で、生成されたチップセレクト信号C8工乃至cS4は
それぞれ対応するRAM14.15及びROM16.1
7に伝達される。ここで上記アドレス入力端子5は、実
際には外部装置より取込まれるアドレス信号Ao乃至A
jのビット数に対する数だけ配列されており、アドレス
信号Ao乃至Ajのうち下位複数ビットAo乃至Ahに
ついては、本メモリカード内に形成されたアドレスバス
12を介してRAM14゜15及びROM16.17に
伝達され、夫々のメモリ14乃至17に内蔵されている
メモリセルを選択するための情報として利用される。ま
た、上位2ビットAi、Ajは、4個のメモリ14乃至
17の中からどのメモリを選択するかを指示する信号と
みなされ、上記チップセレクト信号を生成するための情
報として上記デコーダ13に伝達される。尚デコーダ1
3の活性化は、外部端子6を介して外部装置より取込ま
れるイネーブル信号Eによってなされる。即ち、デコー
ダ13は、イネーブル信号Eがローレベルにアサートさ
れると、。
じて、チップセレクト信号C8工乃至C8,のうち何れ
か一つをローレベルのような選択レベルにアサートする
更に、RAM14.15は、データの書込み、読出しを
行い得るメモリであり1例えばS(スタテック)RAM
である。ここでこのRAM14゜15が本発明における
揮発性半導体メモリの一例である。
ROM16.17には、電気的に記憶データの書替が可
能なEEP (エレクトリカリ・イレーザブル・アンド
・プログラマブル)ROMが適用される。ROM16.
17の記憶内容の書替時には。
外部端子たる高電圧入力端子7を介して外部よりROM
16,174.−高電圧VPPが印加される。
ここでこのROM16.17が、本発明における不揮発
性半導体メモリの一例である。
また、上記RAM14.15及びROM16゜17のデ
ータ入力端子は、本メモリカード内に形成されたデータ
バス11を介して、外部端子たるデータ入出力端子4に
接続されている。尚、このデータ入出力端子4は、実際
にはデータバス11のビット数に対応する数だけ配列さ
れている。
更に、上記RAM14.15及びROM16゜17には
、外部端子8,9を介して外部装置よりライトイネーブ
ル信号WE、アウトプットイネーブル信号OEがそれぞ
れ入力される。すなわち本実施例t’はRAM14.1
5とROM16.17との間でアクセス制御信号の入力
端子8,9を共用している。
次に、本実施例の作用を説明する。
本メモリカードをパーソナルコンピュータやワードプロ
セッサなどの外部装置に装着すると、この外部装置より
電源入力端子2,3を介して本メモリカードに電源電圧
VcC工が供給される。供給された電源電圧Vccmが
電池10aの出力電圧Vcc、よりも高い場合、切換回
路10bによってVccmが選択され、それがvccと
してデコーグ13.RAM14及び15.ROM16及
び17に供給される。そして外部端子6を介して外部装
置よりデコーダ13にローレベルのイネーブル信号Eが
入力されると、このデコーダ13が活性化され、この活
性化状態において外部装置より取込まれたアドレス信号
Ao乃至Ajのうち上位2ビットAi、Ajがデコーダ
13によってデコードされる。これにより、そのアドレ
スビットAi、Ajの状態に応じてチップセレクト信号
C84〜C84の内の一つがローレベルにアサートされ
、チップセレクト信号によりRAM14.15及びRO
M16.17のうちのいずれかが選択されて動作可能な
状態になる。
RAM14.15及びROM16.17へのデータ書込
みはローレベルのライトイネーブル信号WEによって指
示される。ただし、ROM16゜17については高電圧
VPPの印加が必要である。
また、RAM14.15及びROM16.17からのデ
ータ読出しはローレベルのアウトプットイネーブル信号
OEによって指示される。ROM16.17には、主と
してシステム立上げのためのプログラム等が書込まれ、
それが必要に応じて読出されて外部装置に伝達される。
また、RAMI4.15には、主として外部装置での演
算結果や文章情報が書込まれ、それが必要に応じて読出
されて外部装置に伝達される。
上記実施例によれば以下の作用効果を得ることができる
(1)本実施例カードによれば、プログラム等を記憶す
るROM16.17と、演算結果や文章情報等を記憶す
るRAM14.15とを備えたことにより、従来2枚の
フロッピーディスク又はICカードを必要としていたの
に対してこれを1枚のメモリカードで代用することがで
きるようになり。
外部記憶媒体を装置に装着する際のオペレータの負担を
軽減することができる。
(2)本実施例カードを外部装置より離脱させた場合等
、電源入力端子2,3を介して供給される電源電圧Vc
c、が遮断された場合、切換回路10bによって電池1
0aの出力vcc2が選択され、それがVccとしてR
AM14.15に供給されるため、上記電源電圧Vcc
mの遮断にもがかわらず、RAM14.15の記憶内容
が保持される。
(3)ライトイネーブル信号WEの外部入力端子8及び
アウトプットイネーブル信号OEの外部入力端子9をR
AM14,15とROM16.17との間で共用するよ
うにしており、これにより、カード基板1における外部
端子数の減少が図れる。
このように外部アクセス制御信号の外部入力端子の数を
減らすことができると、その分だけアドレス信号の入力
ビツト数を増やすようにすることができ、これによって
内蔵ROMやRAMの数もしくは個々の記憶容量を一層
増やすことが可能になる。
(4)フロ”ツピーディスク1枚の記憶容量が通常80
0にバイト程度であるのに対して半導体メモリチップ1
個当りの記憶容量はIMバイト以上にもすることができ
、しかも本実施例の場合RAM、ROMをそれぞれ2個
づつ搭戟しているので、フロッピーディスクよりもコン
パクトでありながら。
より多くのデータを格納することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づいて
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されず
、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であ
る。
例えば、上記実施例ではバックアップ電源部10を備え
たものについて説明したが、電源電圧■ccmの遮断後
においてRAM14.15の1記憶内容を保持する必要
がない場合には、上記バックアップ電源部10を省略し
てコスト低下を図るようにするとよい。また、ROMや
RAMの外部アクセス制御信号の種類は上記実施例に限
定されず。
メモリの回路構成に従って決定される。したがってRO
MやRAMの回路構成によっては、チップセレクト信号
もしくはチップイネーブル信号以外の外部アクセス制御
信号入力端子を完全に共用することができない場合があ
り、そのときには動作に支障のない限り共通化しておく
とよい。
更に、上記実施例では揮発性半導体メモリとしてSRA
Mを適用したが、D(ダイナミック)RAMを適用する
こともできる。また、上記実施例では不揮発性ROMと
してEEPROMを適用したが、マスクROM、FRO
M、EPROM、更にはNVRAMを適用してもよい。
また、揮発性半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリを
それぞれ1個のメモリチップで形成してもよいし、複数
個のメモリチップで形成してもよい。
以上の説明では主として本願発明者によってなされた発
明をその背景となった利用分野である、パーソナルコン
ピュータやワードプロセッサ等における外部記憶媒体と
して用いられるものに適用した場合について説明したが
、本発明はそれに限定されるものではなく、パーソナル
コンピュータやワードプロセッサ以外の装置における外
部記憶媒体に適用することができる。本発明は、少なく
とも外部記憶媒体として装置に装着する際のオペレータ
の負担を軽減できる条件のものに適用することができる
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
すなわち、プログラム等を記憶する不揮発性手心体メモ
リと、演算結果や文章情報等を記憶する揮発性半導体メ
モリとを同一のカード基板に設けたことにより、従来2
枚のフロッピーディスク又は2枚のICカードを必要と
していたのに対してこれを1枚のメモリカードで代用で
きるという効果があり、これにより、外部記憶媒体を装
置に装着する際のオペレータの負担軽減を図ることがで
きる。
また、バックアップ電源部をメモリカード内に設けたこ
とにより、外部端子を介してメモリカード内に取込まれ
る電源電圧が遮断された場合でも、揮発性半導体メモリ
の記憶内容を保持できるという効果がある。
更に、揮発性半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリへ
の制御信号取込みにおいて、カード基板における同一の
外部端子を共用することにより、外部端子数の減少、さ
らには限られた数の外部端子を可能な限りアドレス信号
入力用に割り当て可能にすることができるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るメモリカードの一実施例ブロック
図である。 1・・・カード基板、2乃至9・・・外部端子、10・
・・バックアップ電源部、10a・・・電池、10b・
・・切換回路、14.15・・・揮発性半導体メモリ、
16゜17・・・不揮発性半導体メモリ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.カード基板に複数の外部端子を設け、且つ、この外
    部端子を介して外部装置との間で信号交換を行う揮発性
    半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリを上記カード基
    板に搭戟して成るメモリカード。
  2. 2.上記外部端子を介して取込まれる電源電圧が遮断さ
    れた場合に、上記揮発性半導体メモリに記憶内容保持用
    の電源電圧を供給するバックアップ電源部を備えた請求
    項1記載のメモリカード。
  3. 3.上記カード基板における同一の外部端子を共用して
    上記揮発性半導体メモリ及び不揮発性半導体メモリに外
    部アクセス制御信号を取込むようにした請求項2又は3
    記載のメモリカード。
JP1131337A 1989-05-26 1989-05-26 メモリカード Pending JPH02310688A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1131337A JPH02310688A (ja) 1989-05-26 1989-05-26 メモリカード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1131337A JPH02310688A (ja) 1989-05-26 1989-05-26 メモリカード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02310688A true JPH02310688A (ja) 1990-12-26

Family

ID=15055582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1131337A Pending JPH02310688A (ja) 1989-05-26 1989-05-26 メモリカード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02310688A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689377A (ja) * 1992-09-07 1994-03-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP2002324393A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0689377A (ja) * 1992-09-07 1994-03-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP2002324393A (ja) * 2001-04-25 2002-11-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5966727A (en) Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same
US7715243B2 (en) Storage device employing a flash memory
EP1537483B1 (en) A memory circuit comprising a non-volatile ram and a ram
US6965540B2 (en) Memory device operable in either a high-power, full-page size mode or a low-power, reduced-page size mode
JP3122201B2 (ja) メモリカード装置
EP0483978B1 (en) I.C. card
US5724544A (en) IC memory card utilizing dual eeproms for image and management data
US6728136B2 (en) Electronically rewritable non-volatile semiconductor memory device
JP2004103197A (ja) オンシステムプログラマブル非揮発性メモリ及びオフシステムプログラマブル非揮発性メモリを具えたチップ及びその形成方法とプログラム方法
US5928338A (en) Method for providing temporary registers in a local bus device by reusing configuration bits otherwise unused after system reset
US4617650A (en) Memory module for a programmable electronic device
DE3473520D1 (en) Circuit arrangement comprising a memory and an access control unit
JPH02310688A (ja) メモリカード
RU98119738A (ru) Полупроводниковое запоминающее устройство
US20030051106A1 (en) Multi-memory architecture and access controller therefor
US20020161993A1 (en) Computer start up memory
JPH10307749A (ja) メモリ装置
JPH0883217A (ja) 記憶装置
KR20000020105A (ko) 플래시 메모리를 구비한 전자 장치
JP2581057B2 (ja) 評価用マイクロコンピユ−タ
JPS61249154A (ja) 外部記憶装置
JPS60204092A (ja) 携帯可能電子装置
JP2702820B2 (ja) Icメモリカードおよびカードホルダ
US20040170073A1 (en) Semiconductor storage unit
JPH09179777A (ja) 情報記憶装置