JPH0325544A - メモリ制御回路 - Google Patents

メモリ制御回路

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Publication number
JPH0325544A
JPH0325544A JP1160374A JP16037489A JPH0325544A JP H0325544 A JPH0325544 A JP H0325544A JP 1160374 A JP1160374 A JP 1160374A JP 16037489 A JP16037489 A JP 16037489A JP H0325544 A JPH0325544 A JP H0325544A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory
circuit
sram
transfer
Prior art date
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Pending
Application number
JP1160374A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Hirano
浩二 平野
Noboru Hirata
昇 平田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP1160374A priority Critical patent/JPH0325544A/ja
Publication of JPH0325544A publication Critical patent/JPH0325544A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、スタティックランダムアクセスメモリ(以下
、SRAMと記す)と、電気的に書換可能な不揮発性メ
モリ(以下、ICII:FROMと記す)をワンチップ
に集積したメモリの制御回路に関するものである。
従来の技術 近年、SRAMとKKFROMをワンチップに集積した
メモリの制御回路は、機器の設定条件や通電時間の記憶
データの変更のために使用されてかり、機器に電源が投
入された時、KKFROMのデータがSRAMに転送さ
れるように制御を行なう。そしてメモリ外部からSRA
Mデータの機器設定条件が変更された後、あるいは,通
電時間が加算された後に、機器の電源が切られても前記
データが失なわれないように、SRAMのデータがEX
FROMへ転送されるように制御されるべく構成されて
いる。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来の構成では、SRAMのデータ
がXKFROMへ転送が終わる前に機器の電源が切られ
てし1うと、設定されたデータが保証されず、1た、S
RAMのデータが変更されるたびにICEFROMへデ
ータが転送される。
ICICPROMは、無限にデータ転送すなわち、書換
可能でなく、その書換には限シがあるため、IEICP
ROM部すなわちメモリの寿命を短かくするという欠点
を有していた。
本発明は上記従来の課題を解決するもので,SRAMの
データがICICPROMへ転送が終わる前に機器の電
源が切られても,転送が終わる唾でメモリに電源を供給
する回路を有し,SRAMのデータが変更されるたびに
!CI!PROMへデータを転送するのではなく,機器
の電源を切る時に一度だけ転送を行ない、IEICPR
OM部すなわちメモリの寿命を大幅に向上させるメモリ
制御回路を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明のメモリ制御回路は.
SRAMとIEiCPROMをフンチップに集積したメ
モリを有する回路と,機器の電源投入時に、前記KIP
ROMのデータを8RAMへ転送する信号を発生する第
1の回路と、機器の電源遮断時に、前記SRAMのデー
タをRXPROMヘ転送する信号を発生する第2の回路
と,機器の電源が遮断されても,前記転送が終了するま
でメモリの電源を保持するバックアップ回路の構成を有
している。
作用 この構成によって、機器の電源投入時には、NNFRO
M(Dデー1をS R A Mヘ, 電源遮断時には、
SRAMデータをICEFROMへ転送する制御信号を
出力することによ9、メモリの寿命を大幅に向上し、ま
たバックアップ回路を有することによシ,確実にSRA
MのデータをKICPROMへ転送することができる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
第1図および第2図は,本発明の一実施例のブロック図
かよび,タイミングチャートを示すものである。
第1図に>いて1はSRAMとX!CPROMをフンチ
ップに集積したメモリ,11Lはメモリ内のSRAMデ
ータ部,1bはメモリ内(7)KXFROMデータ部、
10はICIPROMのデ−1’をSRAMへ転送する
ためのゲー},1(1はSRAMのデータを[FROM
へ転送するためのゲート,2はSRAMのデータの番地
を示す信号9はSRAMへメモリ外部からデータを入出
力させるための制御信号,4はデータの入出力線、6は
バックアップ回路、eは1Cのゲートをアクティブにす
るモノマルチ回路,7は1dの゛ゲートをアクティブに
するモノマルチ回路、8は機器の電圧検知回路,9は機
器の電源スイッチである。第2図は第1図で示されてい
るa〜●のタイミングチャートを示すもので、aは機器
の電源電圧、bは電源検出回路の出力信号、0はメモリ
のバックアップ電源電圧、d,●はモノマルチ出力信号
である。
以上のように構成されたメモリ制御回路について、以下
その動作を説明する。
機器の電源スイッチ9によシ電源が投入されると(タイ
ミングチャート亀を参照)、電圧検出回路8は機器の電
圧が正常になるまでoV(以後Lレベルと記す)を出力
し電圧が正常になってからVca (以後中レベルと記
す)に立上がる(タイミングチャートbを参照)。bの
出力がLレベルからHレベルに立上がる時、モノマルチ
回路6はKICFROM(Dデータ1 bがsRAMI
 &へ転送するのに必要な時間だけグー}10をアクテ
ィブにする制御信号を出力する(タイミングチャートd
を参照〉。SRAMデータは、機器の設定条件や通電時
間であるため、要求に応じて,メモリ外部から、SRA
Mのデータ香地を示す信号2(一般にアドレスバス)、
シよびデータを入出力させる制御信号3(一般にチップ
セレク}Dよびりード、ライト信号)によシ、データの
入出力線4(一般にデータバス)によシ%SRAMデー
タ1aの読み出しや変更が行なわれる。そして、機器の
電圧スイッチ9がオフられた時,機器の電圧の異常を検
知し,一定値以下に電圧が下がると、電圧検知回路8の
出力bはHレベルからLレベルに立下がる(タイミング
チャー}b参照)。前記bの出力がHレベルからLレベ
ルに立下がる時、七ノマルチ回路7は、変更されたSR
AMデータ1aを保持するために、XRFROM1bに
全データを転送するのに必要な時間tだけゲート1dを
アクティブにする制御信号を出力する(タイミングチャ
ートe参照)。筐た、機器の電源がオフられてもバック
アップ回路6によシ、前記データの転送が完了する筐で
は、メモリ1かよびモノマルチ回路6.7の電源電圧は
保持されている(タイミングチャートC参照)。
以上のように本実施例によれば、機器の電源投入あるい
はオフを検知する電圧検出回路と、その出力に応じてE
ICi’ROMデータをSRAMへ転送するゲートをア
クティブにするモノマルチ回路,筐たは、SRAMデー
タを]EIEFROMへ転送するゲートをアクティブに
するモノマルチ回路と、バックアップ回路を設けること
によυSRAMデータの変更がされても、icXFRO
Mへデータを転送する必要が無く,メモリの寿命を大幅
に向上することはいう!でもなく%また、機器電源オフ
時にも確実にデータを保存することができる。
発明の効果 以上のように本発明は、SRAMと[FROMをワンチ
ップに集積したメモリを有する回路と、機器の電源投入
時に、前記ICICPROMのデータをSRAMへ転送
する信号を発生する第1の回路と、機器の電源遮断時に
、前記SRAMのデータをXIPROMへ転送する信号
を発生する第2の回路と、機器の電源が遮断されても前
記転送が終了する會でメモリの電源を保持するバックア
ップ回路を設けることによシ、メモリの寿命を大幅に向
上し、筐た電源オフ時にも確実にデータを保存すること
ができる優れたメモリ制御回路を実現できるものである
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例にかけるメモリ制御回路のブ
ロック図,第2図は同タイミングチャートである。 1・・・・・・メモリ,11L・・団・メモリ内のSR
AMデータ部、1b・・・・・・メモリ内のIEKFR
OMデータ部、10−・−ICICPROMデータをS
RAMへ転送するゲート、1d・・・・・・8RAMデ
ータをRICFROMへ転送するゲート、6・・・・・
・バックアップ回路、6,7・・・・・・モノマルチ回
路、8・・・・・・電圧検知回路、9・・・・・・機器
の電源スイッチ、10・・・・・・機器の電源。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. スタティックランダムアクセスメモリと電気的に書換可
    能な不揮発性メモリをワンチップに集積したメモリを有
    する回路と、機器の電源投入時に、前記不揮発性メモリ
    のデータをスタティックランダムアクセスメモリへ転送
    する信号を発生する第1の回路と、機器の電源遮断時に
    、前記スタティックランダムアクセスメモリのデータを
    不揮発性メモリへ転送する信号を発生する第2の回路と
    、機器の電源が遮断されても、前記転送が終了するまで
    メモリの電源を保持するバックアップ回路とを備えたメ
    モリ制御回路。
JP1160374A 1989-06-22 1989-06-22 メモリ制御回路 Pending JPH0325544A (ja)

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JP1160374A JPH0325544A (ja) 1989-06-22 1989-06-22 メモリ制御回路

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05143478A (ja) * 1991-11-20 1993-06-11 Sharp Corp 不揮発性メモリ内容保護装置
JPH05324494A (ja) * 1992-05-21 1993-12-07 Fujitsu Ltd 不揮発性メモリ制御回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05143478A (ja) * 1991-11-20 1993-06-11 Sharp Corp 不揮発性メモリ内容保護装置
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