JPH03283492A - 多層プリント回路板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、多層プリント回路板およびその製造方法並び
に該多層プリント回路板等の絶縁材料に用いる熱硬化性
樹脂組成物に係わり、特に高密度で信号伝送速度の速い
、難燃性の多層プリント回路板に関する。

〔従来の技術〕

最近の大型電子計算機は、高密度化、高速演算性が要求
され、これに用いられる多層プリント回路板に対する要
求特性も益々厳しいものとなっている。

一般に、電子計算機の演算速度は、電子計算機に使用さ
れている多層プリント回路板の回路の信号伝送速度に大
きく影響を受ける。回路の信号伝送速度は、多層プリン
ト回路板の絶縁層の比誘電率に左右され、低比誘電率の
絶縁層を用いるほど信号伝送速度が速い。従って、低比
誘電率材料でプリント回路板の絶縁層を形成することに
より、計算機の演算速度を改善することができる。低比
誘電率材料としては、ポリテトラフルオロエチレン（Ｐ
ＴＦＥ）、ポリブタジェンあるいは主鎖に芳香族や環状
脂肪族またはこれらを組合せた分極の小さい構造をもつ
シアネート化合物（米国特許第４，５５９，３９４号）
、シアナミド化合物（特開昭５８−７１９２４号）など
がある。

また、多層プリント回路板の高密度化には１回路寸法（
導体回路幅、導体回路厚さ）の縮小が必要となる。しか
し１回路寸法を縮小するには半田処理、穴明は加工、レ
ジスト処理などの加工および使用時の熱的寸法安定性の
すぐれたプリント回路板用絶縁材料が必須である。

すなわち、高密度で、信号伝送速度の速い多層プリント
回路板を実現するには、多層プリント回路板の絶縁層用
材料として、低比誘電率化が可能で、しかも高温領域ま
で寸法安定性にすぐれ、金属（主として銅）導体回路層
との接着性にすぐれた難燃性樹脂材料の開発が必須であ
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、ＰＴＦＥを始めとする従来のフッ素系材料は熱
可塑性樹脂であるために、多層プリント回路板に用いた
場合、寸法安定性、スルホール信頼性が劣ると云う問題
があった。また、適当な溶剤がないので、積層接着には
加熱溶融圧着法に頼らざるを得なかった。しかも、溶融
温度が高い（２５０〜３５０℃）ために、作業性が悪く
、従来のエポキシ樹脂等に比べて扱いにくいなど問題が
多かった。

また、ポリブタジェンは、側鎖に二重結合を有する１、
２−ポリブタジェンと二官能性モノマの架橋型難燃剤と
を組み合わせた樹脂材料が開発されている（特開昭５５
−１２６４７５１号）。

しかし、繊維質基材への含浸性を考慮し低分子量ポリマ
を用いると、得られたプリプレグの粘着性が高いために
プリプレグの裁断加工や保管がしにくく、積層接着時の
作業性にも影響を与える。

一方、プリプレグとした場合の粘着性が低い高分子量ポ
リマを用いたものは、フェスの粘度が高いために繊維質
基材への含浸性が悪く、プリプレグの作成が容易でない
。そのため、品質のよいプリント回路基板を得ることが
できない。更に、硬化反応がラジカル重合による架橋反
応であるために、反応速度が速く成形条件の制御が容易
でない。

また、ポリブタジェンは、硬化による収縮が大きいため
に成形時にクラックが発生し易く、機械強度、耐熱性が
低く、回路を形成している銅箔との接着力も低い等の問
題がある。

前記、シアネート化合物やイソシアネート化合物は、触
媒の存在下で３量化して、架橋密度の高い硬化物を得る
ことができる。また、該硬化物は誘電率が低く、寸法安
定性、耐熱性にも優れているが、プリント回路基板とし
ての重要な特性である難燃性が得られない（易燃性）と
云う欠点がある。

本発明の目的は、高密度で信号伝送速度の速い多層プリ
ント回路板およびその製造方法並びに、該多層プリント
回路板の絶縁層として、前述の問題点のない熱硬化性樹
脂組成物を提供することにある６ 〔課題を解決するための手段〕 上記目的を達成するために、絶縁層として低比誘電率で
、耐熱性、接着性、難燃性、耐湿性にすぐれ、成形加工
性のよい樹脂組成物について種々検討を行なった。本発
明はその結果、達成されたものである０本発明によれば
、 絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着してな°る多層
プリント回路板において、前記絶縁層が一般式ＣＩ） 〔式中、又は−〇　−−８−Ｓ　Ｏ−−Ｓ　Ｏ２−Ｃ０
− （Ｒ５゜ Ｒｅは水素。

低級アルキ ル基。

低級フルオロアルキル基。

アリレーン） ｎは０または１の整数、Ｒｆは炭素数１〜１０のパーフ
ルオロアルキル基を示し、シアナミド基はエーテル結合
に対して、ｍ−あるいはｐ−の位置にある。〕で表わさ
れるビスシアナミド化合物を含む含フッ素熱硬化性樹脂
組成物の硬化物からなる多層プリント回路板が提供され
る。

本発明に従えば、硬化性シートを加熱硬化して得られる
絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着してなる多層プ
リント回路板において、前記硬化性シートが含フッ素熱
硬化性樹脂組成物の硬化物からなり、前記絶縁層の１Ｍ
Ｈｚにおける比誘電率（ε）が３．０以下、難燃性がＵ
Ｌ−９４規格でｖ−０，５％重重量減湯温が４００℃以
上、回路導体層との接着ピール強度１　、０　ｋｇ　／
　ｃｍ以上であり、前記回路導体層における信号伝送遅
延時間が６．０ｎｓ／ｍ以下であることを特徴とする多
層プリント回路板が提供される。

本発明はまた、含フッ素熱硬化性組成物を加熱又は／及
び光照射によりプレポリマを作成する工程（ａ）、 前記プレポリマを溶剤に溶解し繊維質基材に含浸・乾燥
して硬化性シートを作成する工程（ｂ）、 前記硬化性シートの少なくとも１枚を回路導体用金属箔
と加圧・加熱して積層接着して金属箔張積層板を作成す
る工程（ｃ）、 前記金属箔張積層板の少なくとも片面に１回路層体幅（
Ｗ）が１０〜５０μｍ、回路導体厚さ（ｔ）が５０〜２
００μｍ、アスペクト比（ｔ／Ｗ）が１．０〜２００回
路を有する内層回路基板を作成する工程（ｄ）、及び 前記内層回路基板と硬化性シートとを交互に重ねて少な
くとも外表面の一面が回路導体層となるようにして加熱
・加圧することにより積層接着してなる工程Ｃ８）、 を含む多層プリント回路板の製造方法が提供される。

本発明の目的を達成するためには、一般式〔■〕〔式中
、又は−〇−、−Ｓ−−Ｓ〇−−Ｓ　Ｏｚ−Ｒδ ｓ ル基、低級フルオロアルキル基、アリレーン）、ｎは０
または１の整数、Ｒｆは炭素数１〜１０のパーフルオロ
アルキル基を示し、シアナミド基はエーテル結合に対し
て１ｍ−あるいはｐ−の位置にある。〕で表わされるビ
スシアナミド化合物１００重量部に対して、第２成分と
してエチレン性不飽和二重結合を含む化合物、エポキシ
系化合物、フェノール系化合物、メラミン系化合物、Ｎ
−置換不飽和イミド基を有する化合物、シアナト系化合
物、イソシアナート系化合物の中の少なくとも１種類を
１０〜９００重量部配合してなることを特徴とする含フ
ッ素熱硬化性樹脂組成物の態様がある。

本発明の多層プリント回路板において、一般式） 〔式中、Ｘは一〇−−Ｓ−、−Ｓ○−−８ＯＺ−−ＣＯ
−−ＣＲ’Ｒ６−（Ｒ’、Ｒ８は水素、低級アルキル基
、低級フロオロアルキル基、アリレーン）、ｎはＯまた
は１の整数、Ｒ１〜Ｒ’は水素。

ハロゲン、低級アルキル基、低級フロオロアルキル基、
Ｒｆはフッ素または炭素数１〜１０のパーフルオロアル
キル基を示し、ジアミナト基はエーテル結合に対して、
ｍ−あるいはｐ−の位置にある。〕で表されるビスシア
ナミド化合物を含む含フッ素熱硬化性樹脂組成物を用い
て作った硬化性シートを硬化させることにより、比誘電
率が３．０以下、難燃性がＵＬ−９４規格でＶ−Ｏ１５
％重量減少温度が４００℃以上の硬化絶縁層が提供され
る。更に、低熱膨張率、低収縮率に由来する熱的寸法安
定性、導体回路層である金属との接着性向上、耐湿性向
上の付与が可能である。

該含フッ素熱硬化性樹脂組成物は、加熱することにより
三次元架橋して硬化物となる。その際、一般式ＣＩ）の
ビスシアナミド基は、耐熱性、難燃性のすぐれたヘテロ
環であるメラミン環、イソメラミン環を化学構造中に形
成する。本発明の場合には、硬化物中に適度のフッ素含
有基が導入されたメラミン環、あるいはイソメラミン環
含有硬化物を形成することに特長がある。すなわち、フ
ッ素含有基が多く置換されすぎると、ヘテロ環の形成能
力が落ちて、耐熱性低下をきたす。また、フッ素含有基
が少ない場合には、低比誘電率化の達成がむずかしい。

さらに、驚くべきことには、前記一般式（ｔ）の硬化物
は、回路導体層である銅との接着力（ピール強度）にす
ぐれていることである。ＰＴＦＥなど通常のフッ素系樹
脂組成物は、銅を始めとする金属との接着力（ピール強
度）が著しく低いことと比べると格段の相違がある。

このことは、多層プリント回路板の多層高密度化を計る
上で、各層間の剥離などの故障防止を計る上での極めて
重要な特性である。また、本発明において、難燃剤を添
加することなく難燃性が付与される理由は、ペテロ環結
合とフッ素原子とが適度の割合で混合したことによる相
互作用のためと考える。

また、本発明において、硬化性シートを加熱硬化して得
られる絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着してなる
多層プリント回路板において、前記絶縁層の厚さ（ｈ）
が２００〜５００　ｔｔ　ｍ、１ＭＨｚにおける比誘電
率＜１）が３．０　以下であり、前記回路導体層の回路
導体幅（Ｗ）が１０〜５０ｕｍ、回路導体厚さ（ｔ）が
５０〜２００μｍ、アスペクト比（ｔ／Ｗ）が１．０〜
２０である多層プリント回路板は、実装密度が従来より
も１．２〜２．０倍の大幅な高密度化を達成できる。

また、信号伝送時間の遅延時間が６．０ｎｓ／ｍ以下と
なり、従来の多層プリント回路板に比べて高速演算が達
成される。

更に上記効果を有効ならしめるには、ｈが２６０〜４６
０μｍ、ｔが２．２−３．０．Ｗが２０〜５０μｒｎ−
ｔが６０〜ＩＳＯμｍ、アスペクト比が１．５〜６．０
となるように設計することが好ましい。アスペクト比が
６．０　以上になると、配線パターン厚さ（ｔ）が１５
０μｍ以上と厚くなり、多層プリント回路基板の薄型化
を計る上で障害となる場合がある。

本発明の一般式〔Ｉ〕で示される含フッ素ビスシアナミ
ド化合物としては、例えば１，１，１゜３．３，３−へ
キサフルオロ−２，２−ビス〔４−（２−トリフルオロ
メチル−４−シアナミドフェノキシ）フェニルプロパン
、１，１，１，２゜２．４，４，５，５．５−デカフル
オロ−３，３−ビス（４−（２−トリフルオロメチル−
４−シアナミドフェノキシ）フェニル〕ペンタン、１゜
１．１，３，３．３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（
４−（２−ペンタフルオロエチル−４−シアナミドフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、１゜１．１，３，３．３
−へキサフルオロ−２，２−ビス（４−（２−ヘプタフ
ルオロプロピル−４−シアナミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、１゜１．１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２，２−ビス（４−（３−トリフルオロメチル−４−
シアナナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１゜１
．１，３，３，３−へキサフルオロ−２，２−ビス（４
−（３−トリフルオロメチル−５−シアナミドフェノキ
シ）フェニル〕プロパン、１，１゜１．３，３，３−へ
キサフルオロ−２，２−ビスＣ４−（２−トリフルオロ
メチル−５−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プロパ
ン、１，１，１゜３．３，３−へキサフルオロ−２，２
−ビス〔４−（２−トリフルオロメチル−３−シアナミ
ドフェノキシ）フェニル〕プロパン、４．４′−ビス（
２−トリフルオロメチル−４−シアナミドフェノキシ）
ビフェニル、ビス（４−（２−トリフルオロメチル−４
−シアナミドフェノキシ）フェニル〕エーテル、ビス（
４−（２−１リフルオロメチル−４−シアナミドフェノ
キシ）フェニルフスルフィド、ビス（４−（２−トリフ
ルオロメチル−４−シアナミドフェノキシ）フェニル〕
スルホキシド、ビス（４−（２−トリフルオロメチル−
４−シアナミドフェノキシ）フェニル）スルホン、ビス
（４−（２−）−リフルオロメチル−４−シアナミドフ
ェノキシ）フェニルコケトン、ビス〔４−（２−）−リ
フルオロメチル−４−シアナミドフェノキシ）フェニル
コメタン、２，２−ビス〔４−（２−トリフルオロメチ
ル−４−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プロパンな
どがある。

本発明は、前記一般式（Ｉ）で表わされるビスシアナミ
ド化合物１００重量部に対して、熱硬化性の第二成分１
０〜６００重量部を配合して用いる場合に、本発明の効
果を達成する上で、特に有効である。

熱硬化性の第二成分としては、エチレン性不飽和二重結
合を有する化合物、エポキシ系化合物。

フェノール系化合物、メラミン系化合物、　Ｎ−１１換
不飽和イミド基を有する化合物、シアナト化合物、イソ
シアネート化合物、一般式（ｔ）を除くシアナミド系化
合物の中のいずれかである。これらの中でも、特にエポ
キシ系化合物、フェノール系化合物、メラミン系化合物
、Ｎ−置換不飽和イミド基を有する化合物のいずれかあ
るいはその併用により用いることが好ましい。

エポキシ系化合物としては、例えば２，２−ビス［４−
（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル〕プロパン、
１，１，１，３，３．３−へキサフルオロ−２，２−ビ
ス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル〕プ
ロパン、ビス（２゜３−エポキシプロピル）テレフタレ
ート、ビス（２，３−エポキシプロピル）イソフタレー
ト、ビス（２，３−エポキシプロピル）フタレート、１
．３．５−）−リス（２，３−エポキシプロピル）フロ
ログルシノール、４，４−ビス（２，３−エポキシプロ
ビルフェニル）エーテル、２−　（２゜３−エポキシプ
ロピル）フェニル−２，３−エポキシプロビルエーテル
、２，２−ビス（４−（２゜３−エポキシプロポキシ）
−３，５−ジブロモフェニル〕プロパン、１，１，２．
２−テトラキス（４−（２，３−エポキシプロポキシ）
フェニル〕エタン、ポリフェノールホルムアルデヒド−
ポリ（２，３−エポキシプロピル）エーテル、ポリー〇
−クレゾールホルムアルデヒド−ポリ（２，３−エポキ
シプロピル）エーテル、１，４−ビス（２，３−エポキ
シプロポキシ）ブタン、１，２−ビス（２，３−エポキ
シ−２−メチルプロポキシ）エタン、１，３−ビス（３
−（２，３−エポキシプロポキシ）プロピルコテトラメ
チルジシロキサン、エポキシ化ポリブタンジエン、ポリ
プロピレングリコールージ（２，３−エポキシプロピル
）エーテル、１，２．３−トリス（２，３−エポキシプ
ロポキシ）プロパン、２，３−エポキシプロピルアリル
エーテルテロマー　２，６−ビス（２，３−エポキシプ
ロポキシ）ノルボルネン、２．２−ビス（４−（２，３
−エポキシプロポキシ）シクロヘキシル〕プロパン、４
−　（ｔ，２−エポキシエチル）−１，２−エポキシシ
クロヘキサンなどがある。

本発明において、エポキシ系化合物を用いる場合は、エ
ポキシ樹脂の公知の硬化剤、硬化促進剤（垣内弘著：エ
ポキシ樹脂（昭和４５年９月発行）１０９〜１４９ペー
ジ）を併用することができる。

また、本発明においてフェノール系化合物としては、フ
ェノール、クレゾール、キシレノール。

トリメチルフェノール、トリフルオロメチルフェノール
、Ｐ−ヒドロキシスチレンなどのフェノール類とホルム
アルデヒドとのノボラック型あるいはレゾール型縮合物
などがある。

また、本発明において、メラミン系化合物としては、メ
ラミン、ベンゾグアナミン、ジシアンジアミド、ビニル
トリアジン、ヒドロキシトリアジン、０−トリルビグア
ニド、１，３−ジー０−トリグアニジン、１，３−ジフ
ェニルグアニジン、プロピルトリアジンあるいはメラミ
ンとアルデヒド類との反応縮合物などがある。

また、上記Ｎ−置換不飽和イミド基を有する化合物とは
、例えば〇−、ｍ−、Ｐ−のフェニルマレイミド、フェ
ニルシトラコンイミド、フェニルイタコンイミド、フェ
ニルナジックイミド、フェニルメチルエンドメチレンテ
トラヒドロフタルイミド、Ｎ、Ｎ’　−Ｐ−フェニレン
ビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’　−Ｐ−フェニレンビスメチ
ルエンドメチレンテトラヒドロフタルイミド、Ｎ、Ｎ’
−Ｐ−フェニレンビスシトラコンイミド、Ｎ、Ｎ’　−
Ｐ−フエニレンピスイタコンイミド、Ｎ、Ｎ’　−ｍ−
キシレンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’　−ｍ−フェニレン
ビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’　−（メチレンジーＰ−）二
二しン）ビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’４．４′−ジフェニ
ルチオエーテルビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’　
−ジジフェニルエーテルビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−メ
チレンビス（３−クロロ−フェニレン）マレイミド、Ｎ
、Ｎ’（スルホニルジーＰ−フェニレン）ビスマレイミ
ド、Ｎ、Ｎ’−４，４’　−ジフェニルシクロヘキサン
ビスマレイミド、２，２−ビス（４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２゜２−ビス［４−
（４−マレイミドフェノキシ）フェニル）−１，１，１
，３，３，３−へキサフルオロプロパン、２，２−ビス
（４−（４−マレイミド−２−トリフルオロメチルフェ
ノキシ）フェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサ
フルオロプロパン等のビスマレイミドが、また、アニリ
ンとアルデヒドの縮合物と無水マレイン酸とを反応させ
て得られる次式（Ｉ［［］で示される多価マレイミドな
どがある。

（ここでｐは１〜１０の整数） これら中でも特に、エーテル不飽和イミド系化合物、例
えば２，２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）
フェニル〕フロパン、２．２−ビス〔３−メチル−４−
（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２
，２−ビス〔クロロ−４−（４−マレイミドフェノキシ
）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−ブロモ−４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２．２−ビス〔３−エチル−４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔３−プロ
ピル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、２．２−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−
マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−
ビス〔３−ブチル−４−（４−マレイミドフェノキシ）
フェニル〕プロパン、２，２−ビス［３−ｓｅｃ−ブチ
ル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロ
パン、２，２−ビス〔３−メトキシ−４−（４−マレイ
ミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１゜１−ビス［
４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン、
１，１−ビス〔３−メチル−４−（４−マレイミドフェ
ノキシ）フェニル〕エタン、１，１−ビス〔３−クロロ
−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン
、１，１−ビス〔３−ブロモ−４−（４−マレイミドフ
ェノキシ）フェニル〕エタン、ビス（４−（４−マレイ
ミドフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチル
−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニルコメタン
、ビス〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフェノキシ
）フェニルコメタン、ビス〔３−ブロモ−４−（４−マ
レイミドフェノキシ）フェニルコメタン、１，１，１，
３，３，３−へキサフルオロ−２，２−ビス（４−（４
−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１
゜１．３，３．３−へキサクロロ−２，２−ビス（４−
（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、３
，３−ビス［４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル］ペンタン、１，１−ビス（４−（４−マレイミドフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３．
３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５−ジブロモ
−４（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン
、１．１，１，３．’　３．３−へキサフルオロ−２゜
２−ビス〔３−メチル−４（４−マレイミドフェノキシ
）フェニル〕プロパンが好ましい。

また、 Ｈし＝しＨ は、耐熱性、難燃性付与効果が極めて高く、本発明の効
果のバランス化を計る上で特に有利である。

本発明において、一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含
む組成物の重合反応に用いるラジカル重合開始剤として
は、例えばベンゾイルパーオキシド、パラクロロベンゾ
イルパーオキシド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオ
キシド、ラウロイルパーオキシド、ジクミルパーオキシ
ド、アセチルパーオキシド、メチルエチルケトンパーオ
キシド、シクロヘキサノンパーオキシド、ビス（ｔ−ヒ
ドロキシシクロヘキシルパーオキシド）、２．５−ビス
チルヘキサン−２，５−ジヒドロパーオキシド、ｔ−ブ
チルパーベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−（
ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−
２，５−（ｔ−ブチルパーオキシ）へキシル−３，２，
５−ジメチルへキシル−２，５−ジ（パーオキシベンゾ
エート）、クメンヒドロパーオキシド、ｔ−ブチルヒド
ロパーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート。

ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−プチルパーオキ
シオクテート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、
ジベンジルパーオキシド、ジー１−ブチルパーオキシフ
タレートなどがある。

これらは１種類以上を組合せて使用することができる。

ラジカル重合開始剤の配合量としては樹脂組成物１００
重量部に対して０．０１〜５重量部、特に好ましくは０
．０５〜３重量部がよい。

また、本発明において、シアナミド基の３量化によりメ
ラミン環、イソメラミン環を形成する触媒として、ナフ
テン酸コバルト、オクテン酸コバルト、オクテン酸亜鉛
、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、シアン化ナトリウム
、シアン酸ナトリウム、イソシアン酸、はう素化ナトリ
ウム等の金属塩、ナトリウムメトキシド、水酸化ナトリ
ウム。

ピリジン等の塩、トリエチルアミン等の第三級アミン類
、塩化アルミニウム、三フッ化臭素、塩化第二鉄、塩化
チタニウム、塩化亜鉛等のルイス酸などが効果がある。

本発明において、一般式（ｔ）で表わされるビスシアナ
ミド系化合物を少なくとも含む組成物は、プリプレグ、
含浸マットなどの硬化性シートとして用いることにより
、プリント回路板や多層配線基板などの用途展開が可能
である。

次に、第１図（ａ）〜（ｃ）を用いて多層プリント回路
板の製造方法について説明する。

まず、第１図（ａ）において一般式（Ｉ）で表わされる
ビスシアナミド系化合物を含む未硬化樹脂組成物１を所
定濃度になるように溶媒に溶解させワニスを調整する。

この時溶解を促進するために、あるいは若干の反応を進
める意味で加温してもよい、溶媒としては、例えば水、
トルエン、キシレン、アセトン、メタノール、エタノー
ル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、３
−メトキシプロパツール、２−メトキシエタノール、Ｎ
、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、
ジメチルスルホキシド、トリクロロエチレン、１，１．
２−トリクロロエタン、テトラヒドロフラン、ジクロロ
メタン、ジイソブチルエーテル、トリクロロトリフルオ
ロエタン及びこれらの混合物などがある。本発明の熱硬
化性樹脂組成物を溶解しうる溶媒であれば特に限定する
ものではない。

次に、上記で得られた含浸用ワニスをシート状基材２に
含浸塗工し、溶媒を除去、乾燥し塗工布３（本発明にお
ける硬化性シート）を得る。塗工温度の設定は用いた溶
媒及び開始剤等によって決まる。

次に、塗工布３を所定枚数（ｔ枚でもよい）重ね、該塗
工布の上下の両面あるいは片面に金属箔４（例えば銅箔
）を重ねて１００〜２５０℃、１〜１００ｋｇ／ｃＪの
条件で加熱加圧して積層接着することにより銅張積層板
６を得る。

シート状基材としては、一般に積層材料に用いられてい
る織布、不織布、フィルムなどを用いることができる。

このようなものとしては、例えばシリカ、アルミナなど
を成分とするＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｔガラス
、Ｄガラス、Ｑガラス等の各種ガラス繊維による織布、
不織布がある。

また、アラミド、ポリテトラフルオロエチレンをはじめ
とするフッ素ポリマ、ポリアミド、ポリイミド、ポリエ
ーテル、ポリエステル等の織布、不織布、フィルムなど
がある。

次に、第１図（ｂ）において前記の銅張積層板６の少な
くとも片面に、エツチング工程などを用いて内層回路を
形成し、内層回路基板８，８′８′を作成した後、第１
図（ｃ）に示すように該内層回路基板（導体回路層）と
硬化性シート３を交互に重ね、加熱加圧することにより
積層接着して、多層プリント回路基板９を得る。

本発明の一つの特徴は、上記により得られた多層プリン
ト回路板の絶縁層と信号配線層の寸法にある。第２図に
、多層プリント回路板の断面図を示した。

多層プリント回路板の高密度化並びに信号伝送の高速化
を計るには回路寸法（回路層厚さｔおよび回路層幅Ｗ）
の縮小並びに配線回路層の多層化が必要である。

しかし１回路寸法の厚さｔが２００μｍ以上となると、
電圧ドロップが大きくなること、各層間のずれ、断線な
ど回路層と絶縁層との寸法精度の違いに基づく問題、各
層間の剥離の問題など回路設計上の限界が生ずる。

第２図において多層プリント回路板のインピーダンスが
一定の設計値であるとした場合について説明すると、絶
縁層１５．３０の比誘電率Ｃが小さくなれば、回路層幅
Ｗは小さく、回路層厚さｔは大きくなる。逆にεが大き
くなれば回路層幅ωは大きく、回路層厚さｔは小さくな
る。

本発明は、一般式ＣＩ）で表わされるビスシアナミド化
合物を含む組成物の硬化物を絶縁層材１５．３０として
用いることにより絶縁層のＥを３．０　以下とすること
が可能となり、絶縁層の厚さ（ｈ）が２００〜５００μ
ｍ、回路導体層２０である配線パターン幅（Ｗ）１０〜
５０μｍ、回路導体層２０の配線パターン厚さ（ｔ）が
５０〜２００μｍ、アスペクト比（ｔ　／Ｗ）が１．０
〜２０とすることができる。これにより回路導体層２０
における信号伝送遅延時間を６．０ｎｓ／ｍ以下とでき
、しかも、回路導体層である銅などの金属との接着性が
付与されたことにより、より多層化高密度化を可能とす
るものである。

本発明において、一般式（ｔ）で表わされるビスエーテ
ルシアミナドを少なくとも含む組成物の用途としては、
各種プリント回路基板用積層材料。

半導体封止用材料、半導体層間絶縁材料（膜）。

ケーブル用被覆材料、コネクタ用構造材料、宇宙航空用
材料、自動車用材料などがある。

次に１本発明について、具体的に実施例を挙げて説明す
る。

〔実施例〕

本発明の多層プリント回路板の絶縁層として、有用な硬
化物を提供する硬化性シート用材料である含フッ素エー
テルシアナミドの合成例について説明する。

含フッ素エーテルシアナミドの合成例 （ｔ）１，１，１，３，３．３−へキサフルオロ−２，
２−ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）フェニル〕プロパン、（略称ｐ−ＨＦＣ
ＴＰ−２）の合成ブロムシアン６３．５ｇ　、炭酸水素
ナトリウム２５．２　ｇ　　を、水７５ｍＱとジメチル
アセトアミド５０ｍＱの混合溶媒に溶解し、十分に攪拌
（冷却状態）を行なう。該溶液に１．１，１，３，３゜
３−へキサフルオロ−２，２−ビス（４−（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕プロ
パン９８．１　ｇ　　をジメチルアセトアミド３００ｍ
Ｍに溶解させた溶液を、０〜１０℃の冷却状態を保持し
ながら約４時間を費やして滴下した。滴下終了後１２時
間の熟成を行った後。

該反応液を、水１０１００Ｏ中に攪拌下漬下して、淡黄
色の沈殿物を析出させた。該沈殿物を吸引濾過により、
濾別した６該沈殿物を更に水１０１００Ｏ中に投入し、
水洗を行ない再度濾別、水洗して。以上の操作により濾
別した固形物を減圧濾過（乾燥条件：温度３０℃、圧力
１０　ｕｎ　Ｈｇ　、時間１２時間）により、目的物で
ある。１，１，１，３゜３．３−へキサフルオロ−２，
２−ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）フェニル〕プロパンの結晶１０４．８ｇ
　　（収率９８．２％）を得た。該化合物（ｐ−ＨＦＣ
ＴＰ−２）の融点は５５〜６０℃である。該化合物のＩ
Ｒスペクトルを第４図に、ＮＭＲスペクトルを第３図に
示した。

（２）１，１，１，３，３．３−ヘキサフロオロ−２，
２−ビス〔（４−シアノアミノ−３−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）フェニル〕プロパン、（略称ｐ−ＨＦＣ
ＴＰ−３）の合成前記、ｐ−ＨＦＣＴＰ−２の合成条件
の１，１゜１．３，３，３−へキサフルオロ−２，２−
ビス（４−（４−アミノ−２−トリフロオロメチルフエ
ノキシ）フェニル〕プロパンの代りに、１，１゜１，３
，３，３−へキサフルオロ−２，２−ビス［４−（４−
アミノ−３−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル
〕プロパンを用いた他は同じ条件で合成を行ない、１，
１，１，３，３，３−へキサフロオロー２，２−ビス（
４−（４−シアナミド−３−トリフルオロメチルフェノ
キシ）フェニル〕プロパン（ｐ−ＨＦＣＴＰ−３）を得
た（収率９８．０％）。

（３）１，１，１，３，３．３−へキサフルオロ−２，
２−ビス〔（３−シアノアミノ−５−トリフルオロメチ
ルフェノキシ）フェニル〕プロパン、（略称ｐ−ＨＦＣ
ＴＰ−５）の合成前記、ｐ−ＨＦＣＴＰ−２の合成条件
の１，１゜１．３，３．３−へキサフルオロ−２，２−
ビス［（，４−（４−アミノ−２−トリフルオロメチル
フェノキシ）フェニル〕プロパンの代りに、１゜１．１
，３，３．３−へキサフルオロ−２，２−ビス［４−（
３−アミノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）フェ
ニル〕プロパンを用いた他は同じ条件で合成を行ない１
．ｌ、１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス
〔（３−シアノ−５−トリフルオロメチルフェノキシ）
フェニル〕プロパンを得た（収率９８．０％）。

（４）ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）フェニル〕エーテルの合成 前記、ｐ−ＨＦＣＴＰ−２の合成条件の１，１゜１．３
，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−（４−
アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル
〕プロパン９８．１ｇ　　の代わりに、ビス〔（４−ア
ミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕
エーテル９８．１　ｇ　　を用いた他は同じ条件で合成
を行ない、ビス〔（４−ジアツアミノー２−トリフルオ
ロメチルフェノキシ）フェニル〕エーテルを得た（収率
９６．９％）。

（５）ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）フェニル〕スルホンの合成 前記、ｐ−ＨＦＣＴＰ−２の合成条件の１，１゜１．３
，３．３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−（４−
アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル
〕プロパン９８．１ｇ　　の代わりに、ビス〔（４−ア
ミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕
スルホン９０．５ｇ　　を用いた他は同じ条件で合成を
行ない、ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロ
メチルフェノキシ）フェニル〕スルホンを得た（収率９
７．７％）。

（６）ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）フェニル〕スルフィドの合成 前記、ｐ−ＨＦ、ＣＴＰ−２の合成条件の１，１゜１．
３，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−（４
−アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン９８．１　ｇ　　の代りに、ビス〔（４−
アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル
〕スルフィド８９．２　ｇ　　を用いた他は同じ条件で
合成を行ない、ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフ
ルオロメチルフェノキシ）フェニル〕スルフィドを得た
（収率９５．９％）。

（７）ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）フェニルコケトンの合成前記、ｐ−Ｈ
ＦＣＴＰ−２の合成条件の１，１゜１．３，３，３−へ
キサフルオロ−２，２−ビス（４−（４−アミノ−２−
トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕プロパン９
８．１　ｇ　　の代りに、ビス〔（４−アミノ−２−ト
リフルオロメチルフェノキシ）フェニルフスルフィド８
８．８　ｇ　　を用いた他は同じ条件で合成を行ない、
ビス〔（４−シアノアミノ−２−トリフルオロメチルフ
ェノキシ）フェニルコケトンを得た（収率９８．１％）
。

（８）１，１，１，３，３．３−へキサフルオロ−２，
２−ビス〔（４−シアノアミノ−２−ペンタフルオロエ
チルフェノキシ）フェニル〕プロパンの合成 前記、ｐ−ＨＦＣＴＰ−２の合成条件の１，１゜１．３
，３，３−ヘキサフルオロ−２，２−ビス（４−（４−
アミノ−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル
〕プロパン９８．１　ｇ　の代りに、１，１，１，３，
３．３−へキサフルオロ−２，２−ビス（４−（４−ア
ミノ−２−ペンタフルオロエチルフェノキシ）フェニル
〕プロパン９８．９　ｇ　　を用いた他は同じ条件で合
成を行ない、１．１，１，３，３．３−へキサフルオロ
−２゜２−ビス［４−（４−シアノアミノ−２−ペンタ
フルオロエチルフェノキシ）フェニル〕プロパンを得た
（収率９８．４％）。

実施例１ 前記合成例（ｔ）で得た。　ｐ−ＨＦＣＴＰ−２（マナ
ツク社製”）１００ｇをメチルイソブチルケトン２００
ｇに溶解し、ラジカル重合開始剤として２，５−ジメチ
ル−２，５−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（
日本油脂社製）１．０ｇを添加し含浸用ワニスを得た。

該ワニスをＤ−ガラスクロス（厚さ５０μｍ９日東紡社
製）に含浸塗工し、１１０℃、１０分間恒温槽（空気雰
囲気中）で乾燥して塗工布を得た。

次に、上記で得られた塗工布の上下に銅箔を重ね、プレ
ス中で積層接着（条件＝１３０℃、３０ｋｇ、／Ｊ、　
１時間加圧、加熱後、更に２５０℃、１時間加圧、加熱
）して銅張積層板を得た（第３図）。

得られた銅張積層板の比誘電率、熱膨張率、熱分解温度
、銅箔ピール強度、難燃性について測定評価した。

〔樹脂板および積層板の特性の測定方法〕■　比誘電率 Ｊ　Ｉ　５−Ｃ−６４８１に従いＬＰインピーダンスア
ナライザ４１９２Ａ（ヒユーレットパラカード製）を用
いてＩ　Ｍ　Ｈｚにおける比誘電率を測定した。

■　曲げ強度 オートグラフＤＤＳ−５０００（島津製作所製）を用い
、幅５０■Ｘ長さ４５閣×厚さ２＋ｍ＋の試料を、室温
および１８０℃で支点間距離３Ｑｍｍ、たわみ速度２■
／分で測定した。

■　熱分解開始温度 粉末状の試料１０１１１ｇを高速示差熱天秤ＴＧＤ−７
０００ＲＨ（日本真空理工ｍりを用いて、大気中で５℃
／分で昇温しで熱減量を測定し、その減量開始温度より
求めた。

■　吸湿率 Ｊ　Ｉ　５−Ｃ−６４８１に従い、６５℃、９５％ＲＨ
で吸湿させ、その飽和吸湿量から吸湿率（％）を求めた
。

■　熱膨張率 ６ｆｆＩ！１×６ｍ１１の試料を用いて、熱物理試験装
置ＴＭＡ−１５００（日本真空理工製）により、２℃／
分で昇温し、５０〜２２０℃の範囲の熱膨張曲線より求
めた。

■　難燃性 ＵＬ−９４規格に従い１２．７　Ｘ　１．２７　ＸＯ、
１６０の試料を垂直法により評価した。

■　ピール強度 銅張積層板より所定サイズの試料を切り出し、ＪＩＳ−
Ｃ−６４８１に従い（剥離速度５　ｃｓ　／　ｍ１ｎ）
測定した。

■　ガラス転移温度 熱機械試験機により、積層板の厚さ方向の熱膨張挙動を
加圧１０ｇ−ｆ／ａｄの圧縮モードで測定した。熱膨張
率の変曲点をガラス転移温度とした。

実施例２ 合成例（ｔ）で得たｐ−ＨＦＣＴＰ−２（マナツク社製
）１００ｇと１，１，１，３，３，３−へキサフルオロ
−２，２−ビス（４−（４−マレイミド−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）フェニル〕プロパン（略称、ｐ
−ＨＦＢＰ）（セントラル硝子社製）１００ｇをメチル
エチルケトン２００ｇに溶解し含浸用ワニスを得た。

次いで、実施例１と同じ条件で、銅張積層板を作成した
。得られた銅張積層板の特性を実施例１と同じ条件で測
定した。

実施例３ 合成例（ｔ）で得たｐ−ＨＦＣＴＰ−２（マナツク社製
）１００ｇと１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ
−２，２−ビス（４−（３−マレイミド−５−トリフル
オロメチルフェノキシ）フェニル〕プロパン（略称ｍ　
−ＨＦ　Ｂ　Ｐ　）　　（セントラル硝子社製）１００
ｇをアセ８ノ１５０溶解し、ラジカル重合開始剤として
ジクミルパーオキシド（日本油脂社製）０．４ｇ　　を
添加して含金用ワニスを得た。該ワニスをＱガラスクロ
ス（厚さ５０μｍ２日東紡社製）に含浸塗工し、１１０
℃，１０分間恒温槽（空気雰囲気中）で乾燥して塗工布
を得た。

次いで、該塗工布を用いて、実施例１と同じ条件で、銅
張積層板を作成した。得られた銅張積層の特性を実施例
１と同様に測定した。

実施例４ 合成例（ｔ）で得たｐ−ＨＦＣＴＰｌｏｏｇを１。

１、１，３，３，３−へキサフルオロ−２．２−ビス（
４−シアナトフェニル）プロパン（マナツク社製）１０
０ｇをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド２００ｇ溶解し、
１２０℃，１時間加熱後、室温まで冷却した後、ラジカ
ル重合開始剤としてジクミルパーオキシド（日本油脂社
製）０．４ｇ　　を添加し含浸用ワニスを得た。該ワニ
スをＥガラスクロス（厚さ５０μｍ２日東紡社製）に含
浸塗工し、１１０℃，１０分間恒温槽（空気雰囲気中）
で乾燥して塗工布を得た。

次いで、上記で得た塗工布を用いて、実施例１と同じ条
件で、銅張積層板を作成した。得られた銅張積層板の特
性を実施例１と同様に測定した。

実施例５ 合成例（２）で得たｍ−ＨＦＣＴＰ（マナツク社製）１
００ｇと１．１，ｌ，３，３．３−ヘキサフルオロ−２
，２−ビス（４−（４−シアナミドフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン（Ｈ　Ｆ　Ｃ　Ｐと略す）（マナツク社製
）５０ｇをメチルイソブチルケトン２００ｇに溶解し含
浸用ワニスを得た。該ワニスをＴガラスクロス（厚さ５
０μｍ９日東紡社製）に含浸塗工し、１２０℃，１０分
間恒温槽（空気雰囲気中）で乾燥して塗工布を得た。

得られた塗工布の上下に銅箔を重ねプレス中で積層接着
（条件：１５０℃，　２０ｋｇ／ａｌｔ，　１時間反応
した後、２５０℃，１時間，２８０℃，１時間加熱加圧
）して銅張積層板を得た。得られた銅張積層板の特性を
実施例１と同様に測定した。

実施例６ 合成例（ｔ）で得たｐ−ＨＦＣＴＰ　１　０　０　ｇと
２。

２−ビス（４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン（日立化成社製，ＢＭＰＰ）１００ｇをメチ
ルイソブチルケトン２００ｇに溶解し、１００℃，１時
間加熱反応し、含浸用ワニスを得た。該ワニスをアラミ
ドクロス（厚さ５０μｒｒｚＭシエーベル社製）に含浸
塗工し、１１０℃，１０分間恒温槽（空気雰囲気中）で
乾燥して塗工布を得た。

得られた塗工布の上下に銅箔を重ねプレス中で積層接着
（条件：１３０℃，４Ｑｋｇ／ａｉ？，１時間反応した
後、２５０℃，２時間加熱加圧）して銅張積層板を得た
。得られた銅張積層板の特性を実施例１と同様に測定し
た。

上記第１表中の比較例は次のとおりである。

比較例 ビス−〔（４−シアナミド−３−メチル）フェニルコメ
タン（マナツク）１００ｇとビス（４−マレイミドフェ
ニル）メタン１００ｇをＮ、Ｎ−ジメチルフォルムアミ
ド２００ｇに溶解し含浸用ワニスを得た。得られたワニ
スをＱガラスクロス（厚さ５０μｍ）（日東紡）に含浸
塗工し、１５０℃１０分恒温空気中で乾燥して塗工布を
得た。得られた塗工布の上下に銅箔を重ねプレス中で積
層接着した。接着条件は１７０℃で１時間反応した後、
昇温させ２５０℃１時間加熱加圧して銅張積層板を得た
。圧力は２０ｋｇ／ａ＃とした。得られた銅張積層板の
特性を実施例１と同様に測定した。

第 表 次いで、該銅張積層板の両面に、第２図の絶縁層厚さ（
ｈ）、導体回路層（信号配線層）の寸法（ｔ、ｗ）を、
第３表の所定寸法でレジスト−エツチング処理により形
成し内層回路基板を作成した。

該内層回路基板１０枚を、前記で得たプリプレグ８枚と
交互に重ね、前記と同じ条件で積層接着して、本発明の
目的の多層プリント回路板を作成した。第３表に、該多
層プリント回路板の、実装密度および信号伝送遅延時間
を第３表に示した。

実施例１８ １，１，１，３，３．３−ヘキサフルオロ−２゜２−ビ
ス（４−（４−シアナミド−２−トリフルオロメチルフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン（ｐ−ＨＦＣＴＰ）１０
０ｇと１，１，１，３，３゜３−へキサフルオロ−２，
２−ビス（４−（４−マレイミド−２−トリフルオロメ
チルフェノキシ）フェニル〕プロパン（セントラル硝子
）５０ｇをメチルエチルケトン２００ｇに溶解し、１０
０℃。

１２０分間反応を行い、プレポリマとした後、冷却し、
硬化促進剤としてジクミルパーオキサイド（日本油脂社
製）Ｉｇを加えて、接着剤ワニスを作成した。

支持部材（銅支持部材）の表面に接着剤ワニスを塗布し
、シリコーン半導体素子を載置する。

２２０℃、１０秒加熱し接着剤を硬化した。プッシュプ
ルゲージを用いて、せん断接着力を測定した。また、接
着剤硬化物の耐湿性を調べるため、ＪＩＳ−に６９１１
に従い、吸水率を測定した。

（直径５０ｍｏ＋、厚さ３ＩＩＩ１１の硬化物樹脂板を
用い２３℃、２４時間水中に浸漬後の重量変化より吸水
率を求めた。）また、接着保持率測定として、１２１℃
、２気圧の過飽和水蒸気釜（プレッシャ・フッカテスト
）中に、前記試片を放置し、せん断接着力が、初期値の
９０％になる時間を調べた。

なお、比較例として、エポキシ系接着剤ＥＮ−４０５０
（日立化成社製）を用いて、実施例　と同じ方法で試験
片を作成し、特性を評価した。

第　　　４　　　表 実施例１９ 合成例（ｔ）のｐ−ＨＦＣＴＰ２０ｇ、２．２ビス−［
：４−　（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロ
パン３０ｇ、ノボラック型エポキシレジンＥＣＮ１２７
３　（チバ社製、エポキシ当量：２２５）５０ｇ、イミ
ダゾール２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ（四国化成社製）３ｇ、エポ
キシシランＫＢＭ３０３（信越化学社製）２ｇ、充填剤
として結晶シリカ粉２００ｇと溶融石英ガラス粉２５０
ｇ、着色剤としてカーボンブラック２ｇを配合した組成
物を、８０〜８５℃に加熱した２本ロールで７〜８分間
混練した後、冷却、粉砕して半導体封止用樹脂組成物を
得た。

次いで、４ＭビットメモリＬＳＩ（Ｄ−ＲＡＭ）を、上
記半導体封止用樹脂組成物を用いて、１８０’Ｃ，７０
ｋｇ／＃、１．５　分の条件でトランスファ成形により
樹脂封止型半導体装置を得る。

次いで、上記で得られた樹脂封止型半導体装置５０個を
、１５０℃恒温槽中に１０００時間放置した後、電気的
導通チエツクを行なった。その結果、不良（断線不良）
はなかった。また、１２１℃、２気圧過飽和水蒸気中に
、１５００時間放置後も断線不良の発生はなかった。

〔発明の効果〕

本発明によれば、多層プリント回路板の高密度実装と信
号伝送速度の両立ができコンピュータの高速化が達成で
きる効果がある。また、本発明の熱硬化性樹脂組成物に
よれば、低比誘電率で耐熱性、難燃性、接着性のすぐれ
た硬化物が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、両面銅張積層板の製造工程図、第１図
（ｂ）は多層プリント回路板の各内層基板の内装回路形
成前後の断面模式図、第１図（ｃ）は多層プリント回路
板の製造工程と得られた多層プリント回路板の断面斜視
図である。第２図は多層プリント回路基板の断面図であ
る。 第３図は、１，１，１，３，３．３−へキサフルオロ−
２，２−ビス（４−（４−シアノアミノ−２−トリフル
オロメチルフェノキシ）フェニル〕プロパン（略称ｐ−
ＨＦＣＴＰ−２）のＮＭＲ（核磁気共鳴）スペクトルを
、第４図は、ｐ　−ＨＦＣＴＰ−２のＩＲ（赤外線吸収
）スペクトル第 図（ａ） 第 図（ｔ）） ２ ホール 第 １ 図（ｃ） １１・　内層回路 第 図 絶縁層（接着層） 信号配線層 絶縁層（基材層） 電源供給層 接着層厚 基材厚 絶縁層厚（ｈ） 信号配線パターン幅（ｗ） 信号配線パターノ厚（ｔ）

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. １．絶縁層と回路導体層とが交互に複数層積層接着して
   なる多層プリント回路板において、前記絶縁層が一般式
   〔Ｉ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−， −ＳＯ＿２−，−ＣＯ−，▲数式、化学式、表等があり
   ます▼（Ｒ＿５，Ｒ＿６は水素，低級アルキル基，低級
   フルオロアルキル基，アリレーン）、ｎは０または１の
   整数、Ｒｆは炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基
   を示し、シアナミド基はエーテル結合に対して、ｍ−あ
   るいはｐ−の位置にある。〕で表わされるビスシアナミ
   ド化合物を含む含フッ素熱硬化性樹脂組成物の硬化物か
   らなることを特徴とする多層プリント回路板。
2. ２．請求項１において、該絶縁層がメラミン環又は及び
   イソメラミン環を含む含フッ素硬化物であることを特徴
   とする多層プリント回路板。
3. ３．絶縁層と回路導体層とが交互に複数層積層接着して
   なる多層プリント回路板において、前記硬化性シートが
   含フッ素熱硬化性樹脂からなり、前記絶縁層の１ＭＨｚ
   における比誘電率（ε）が３．０以下、難燃性がＵＬ−
   ９４規格でＶ−Ｏ、５％重量減少温度が４００℃以上、
   回路導体層との接着ピール強度１．０ｋｇ／ｃｍ以上で
   あり、前記回路導体層における信号伝送遅延時間が６．
   ０ｎｓ／ｍ以下であることを特徴とする多層プリント回
   路板。
4. ４．絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着してなる多
   層プリント回路板において、前記絶縁層が１ＭＨｚにお
   ける比誘電率（ε）が３．０以下の含フッ素硬化物であ
   り、前記回路導体層の回路導体幅（Ｗ）が１０〜５０μ
   ｍ、回路導体厚さ（ｔ）が５〜２００μｍ、アスペクト
   比（ｔ／Ｗ）が１．０〜２０であり、回路導体層におけ
   る信号伝送遅延時間が６．０ｎｓ／ｍ以下であることを
   特徴とする多層プリント回路板。
5. ５．絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着してなる多
   層プリント回路板において、前記絶縁層の１ＭＨｚにお
   ける比誘電率（ε）が３．０以下、難燃性ＵＬ−９４規
   格でＶ−Ｏ、５％重量減少温度が４００℃以上、回路導
   体層との接着ピール強度が１．０ｋｇ／ｃｍ以上であり
   、前記回路導体層の回路導体幅（Ｗ）が１０〜５０μｍ
   、回路導体厚さ（ｔ）が５〜２００μｍ、アスペクト比
   （ｔ／Ｗ）が１．０〜２０であることを特徴とする多層
   プリント回路板。
6. ６．含フッ素熱硬化性組成物を加熱又は／及び光照射に
   よりプレポリマを作成する工程（ａ）、前記プレポリマ
   を溶剤に溶解し繊維質基材に含浸・乾燥して硬化性シー
   トを作成する工程（ｂ）、 前記硬化性シートの少なくとも１枚を回路導体用金属箔
   と加圧・加熱して積層接着して金属箔張積層板を作成す
   る工程（ｃ）、 前記金属箔張積層板の少なくとも片面に、回路導体幅（
   Ｗ）が１０〜５０μｍ、回路導体厚さ（ｔ）が５０〜２
   ００μｍ、アスペクト比（ｔ／Ｗ）が１．０〜２０の回
   路を有する内層回路基板を作成する工程（ｄ）、及び 前記内層回路基板と硬化性シートとを交互に重ねて少な
   くとも外表面の一面が回路導体層となるようにして加熱
   ・加圧することにより積層接着してなる工程（ｅ）、 を含む多層プリント回路板の製造方法。
7. ７．絶縁層と回路導体層とが交互に積層接着してなる多
   層プリント回路板の回路導体層が半導体素子のリードと
   電気的にバンプで接合されてなる電子装置において、前
   記絶縁層の一層の厚さ（ｈ）が２００〜５００μｍ、１
   ＭＨｚにおける比誘電率（ε）が３．０以下であり、前
   記回路導体層の回路導体幅（Ｗ）が１０〜５０μｍ、回
   路導体厚さ（ｔ）が５０〜２００μｍ、アスペクト比（
   ｔ／Ｗ）が１．０〜２０であることを特徴とする電子装
   置。
8. ８．請求項第７項の半導体素子が１メガビット以上の集
   積度を有するメモリＬＳＩであることを特徴とする電子
   装置。
9. ９．一般式〔Ｉ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−， −ＳＯ＿２−，−ＣＯ−，▲数式、化学式、表等があり
   ます▼（Ｒ＿５，Ｒ＿６は水素，低級アルキル基，低級
   フルオロアルキル基，アリレーン）、ｎは０または１の
   整数、Ｒｆは炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基
   を示し、シアナミド基はエーテル結合に対して、ｍ−あ
   るいはｐ−の位置にある。〕で表わされるビスシアナミ
   ド化合物１００重量部に対して、エチレン性不飽和二重
   結合を含む化合物，エポキシ系化合物，フェノール系化
   合物，メラミン系化合物，Ｎ−置換不飽和イミド基を有
   する化合物，シアナト系化合物，イソシアナート系化合
   物の中の少なくとも１種類を１０〜９００重量部配合し
   てなることを特徴とする含フッ素熱硬化性樹脂組成物。
10. １０．一般式〔Ｉ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔Ｉ〕 〔式中、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−， −ＳＯ＿２−，−ＣＯ−，▲数式、化学式、表等があり
    ます▼（Ｒ＿５，Ｒ＿６は水素，低級アルキル基，低級
    フルオロアルキル基，アリレーン）、ｎは０または１の
    整数、Ｒｆは炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル基
    を示し、シアナミド基はエーテル結合に対して、ｍ−あ
    るいはｐ−の位置にある。〕で表わされるビスシアナミ
    ド化合物を含む含フッ素樹脂組成物を、１００〜２５０
    ℃で加熱することにより得られる硬化物が、メラミン環
    又は／及びイソメラミン環を含む含フッ素硬化物で、１
    ＭＨｚにおける比誘電率が３．０以下、５％重量減少温
    度が４００℃以上、難燃性がＵＬ−９４規格でＶ−Ｏで
    あることを特徴とする絶縁性硬化物。
11. １１．一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｉ） 〔式中、Ｘは−Ｏ−，−Ｓ−，−ＳＯ−， −ＳＯ＿２−，−ＣＯ−，−ＣＲ＾５Ｒ＾６−（（Ｒ＾
    ５，Ｒ＾６は水素，低級アルキル基，低級フルオロアル
    キル基，アリレーン）、ｎは０または１の整数、Ｒ＾１
    〜Ｒ＾４は水素，ハロゲン，低級アルキル基，低級フル
    オロアルキル基，Ｒｆはフッ素または炭素数１〜１０の
    パーフルオロアルキル基を示し、シアミナド基はエーテ
    ル結合に対して、ｍ−あるいはｐ−の位置にあるいはｐ
    −の位置にある。〕を含む含フッ素樹脂組成物を、織布
    又は不織布に含浸，乾燥してなることを特徴とする硬化
    性シート。
12. １２．１００〜１７０℃での加熱溶融時の粘度が１０＾
    ２〜１０＾４ポイズであり、１８０℃以上で加熱するこ
    とによりメラミン環又は／及びイソメラミン環の形成が
    可能な含フッ素ビスシアナミド系化合物を含む熱硬化性
    樹脂組成物を、織布又は不織布に含浸，乾燥してなるこ
    とを特徴とする硬化性シート。
13. １３．少なくとも半導体素子およびリード線の一部が樹
    脂組成物で被覆又は／及び封止成形されてなる電子装置
    において、前記樹脂組成物が含フッ素ビスシアナミド化
    合物を含み、その加熱硬化物の赤外線吸収（ＩＲ）スペ
    クトルに、−ＮＨ−，−Ｏ−，Ｆ、並びにメラミン環あ
    るいはイソメラミン環に由来する特性吸収を有すること
    を特徴とする電子装置。
14. １４．半導体素子とリード部との間に接着層が介在して
    なる半導体装置において、接着層が１５０℃以上で加熱
    することにより、２００℃以上のガラス転位温度、１×
    １０＾−＾５〜１×１０＾−＾３Ω・ｃｍの抵抗率を示
    し、比誘電率εが５．０以下の含フッ素硬化物であるこ
    とを特徴とする半導体装置。