JPH03209478A - ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物 - Google Patents
ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
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-
- G—PHYSICS
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- G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気・電子デバイス、特に半導体装置などに
用いるに好適な新規なポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物に関する。
用いるに好適な新規なポジ型感光性ポリイミド樹脂組成
物に関する。
ポリイミド樹脂は機械的強度が大きく、優れた電気絶縁
性を示す上、耐熱性に優れるという特徴を有している。
性を示す上、耐熱性に優れるという特徴を有している。
特に近年その優れた電気特性と耐熱性が認められ、最
も信頼性の要求される半導体装置への応用も盛んになっ
てきている。
も信頼性の要求される半導体装置への応用も盛んになっ
てきている。
ポリイミド樹脂の半導体装置への使用に関しては、例え
ばジャンクションコート膜、防湿膜、バッファーコート
膜、α線遮蔽膜、層間絶縁膜等が公知である(機能材料
、■983年7月号、9頁)。
ばジャンクションコート膜、防湿膜、バッファーコート
膜、α線遮蔽膜、層間絶縁膜等が公知である(機能材料
、■983年7月号、9頁)。
これらの用途に利用する場合、上下の導体層の導通部や
外部リード線との接続のためポリイミド樹脂膜にスルホ
ール孔等の微細加工を施す工程が必要になり、このため
には一般にフォトレジストを使用するポリイミド樹脂膜
の化学エツチング処理が行なわれている。
外部リード線との接続のためポリイミド樹脂膜にスルホ
ール孔等の微細加工を施す工程が必要になり、このため
には一般にフォトレジストを使用するポリイミド樹脂膜
の化学エツチング処理が行なわれている。
しかし、上記工程におけるポリイミド樹脂膜のパターン
化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程が含ま
れ、工程が全体として非常に煩雑となる。 従って、工
程の簡略化を図るため、直接光で微細加工可能なポリイ
ミド樹脂の開発が望まれていた。
化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程が含ま
れ、工程が全体として非常に煩雑となる。 従って、工
程の簡略化を図るため、直接光で微細加工可能なポリイ
ミド樹脂の開発が望まれていた。
ポリイミド樹脂に感光性を付与する方法としては、例え
ば特開昭54−116216号公報及び、特開昭54−
116217号公報に記載されている架橋性基を可溶性
前駆体に化学的に結合する方法や、特開昭54−145
794号公報及び、特開昭57−168942号公報に
記載されている架橋性単量体を混合する方法などがある
。
ば特開昭54−116216号公報及び、特開昭54−
116217号公報に記載されている架橋性基を可溶性
前駆体に化学的に結合する方法や、特開昭54−145
794号公報及び、特開昭57−168942号公報に
記載されている架橋性単量体を混合する方法などがある
。
上記の方法は、露光部が光により架橋不溶化し、未露光
部のみを現像液で溶解するいわゆるネガ型である。 こ
の方法においては、ポリイミド前駆体が溶媒可溶性であ
ることを利用し、ポリイミド前駆体に感光性を付与する
ことにより前駆体の光加工を行い、その後加熱処理によ
りイミド閉環を行うという方法である。
部のみを現像液で溶解するいわゆるネガ型である。 こ
の方法においては、ポリイミド前駆体が溶媒可溶性であ
ることを利用し、ポリイミド前駆体に感光性を付与する
ことにより前駆体の光加工を行い、その後加熱処理によ
りイミド閉環を行うという方法である。
しかし、一般にネガ型の場合には、その現像液により露
光部の膨潤が起こり、高解像度の微細加工を行うのが難
しいという欠点がある。
光部の膨潤が起こり、高解像度の微細加工を行うのが難
しいという欠点がある。
又、上記の方法は光加工後にイミド閉環を行う必要があ
るため、イミド閉環に伴う脱水と架橋性基成分の揮発に
よる体積収縮とによって、膜厚の減少及び寸法精度の低
下が起こることが大きな問題であった。
るため、イミド閉環に伴う脱水と架橋性基成分の揮発に
よる体積収縮とによって、膜厚の減少及び寸法精度の低
下が起こることが大きな問題であった。
更に、ポリイミド樹脂に感光性を付与する他の方法とし
て、特開昭63−13032号公報及び特開昭64−6
0630号公報に記載されている有機溶媒可溶性のポリ
イミド樹脂にオルトキノンジアジド化合物等の感光性物
質を混合する方法がある。
て、特開昭63−13032号公報及び特開昭64−6
0630号公報に記載されている有機溶媒可溶性のポリ
イミド樹脂にオルトキノンジアジド化合物等の感光性物
質を混合する方法がある。
上記方法は露光部が光分解により易溶化し露光部のみを
現像液で溶解するいわゆるポジ型であるこの方法におい
ては、ポリイミド樹脂自身には感光性はなく、露光部の
感光性物質が感光してアルカリ可溶性になることを利用
し、同時にポリイミド樹脂をアルカリに溶解させるとい
う方法である。
現像液で溶解するいわゆるポジ型であるこの方法におい
ては、ポリイミド樹脂自身には感光性はなく、露光部の
感光性物質が感光してアルカリ可溶性になることを利用
し、同時にポリイミド樹脂をアルカリに溶解させるとい
う方法である。
しかし、特開昭63−13032号公報においてはポリ
イミド樹脂のアルカリに対する溶解性が十分でなく、ア
ルカリ現像する際に熱をかけるなど過酷な条件を必要と
するため、未露光部の膜厚が著しく減少し、充分な寸法
精度が得られず、良好なパターン形成が出来ないという
欠点があった。
イミド樹脂のアルカリに対する溶解性が十分でなく、ア
ルカリ現像する際に熱をかけるなど過酷な条件を必要と
するため、未露光部の膜厚が著しく減少し、充分な寸法
精度が得られず、良好なパターン形成が出来ないという
欠点があった。
これに対し、特開昭64−60630号公報においては
、ポリイミド樹脂骨格中にヒドロキシル基を導入し、ポ
リイミド樹脂のアルカリに対する溶解性を高める試みが
なされている。 しかし、この場合にはポリイミド樹脂
自身の光透過性が十分でないため、感光性物質の感光効
率が悪く、露光部と未露光部の溶解度差をつけるために
は多量の感光性物質を混合する必要があり、また溶解速
度も非常に遅いという問題があった。 又、ポリイミド
樹脂を製造する際には、前駆体であるポリアミック酸を
脱水閉環する方法がとられるが、最も簡便な方法として
は、無水酢酸のような脱水剤とピリジンのような三級ア
ミンを併用する、いわゆる触媒イミド化法(以後、触媒
イミド化と呼ぶ)が知られている。 しかし、ヒドロ
キシル基を有するポリイミド樹脂では、ポリマー主鎖中
のヒドロキシル基と無水酢酸とが反応してしまうため、
この触媒イミド化を行うことができないと言う製造上の
問題もあった。
、ポリイミド樹脂骨格中にヒドロキシル基を導入し、ポ
リイミド樹脂のアルカリに対する溶解性を高める試みが
なされている。 しかし、この場合にはポリイミド樹脂
自身の光透過性が十分でないため、感光性物質の感光効
率が悪く、露光部と未露光部の溶解度差をつけるために
は多量の感光性物質を混合する必要があり、また溶解速
度も非常に遅いという問題があった。 又、ポリイミド
樹脂を製造する際には、前駆体であるポリアミック酸を
脱水閉環する方法がとられるが、最も簡便な方法として
は、無水酢酸のような脱水剤とピリジンのような三級ア
ミンを併用する、いわゆる触媒イミド化法(以後、触媒
イミド化と呼ぶ)が知られている。 しかし、ヒドロ
キシル基を有するポリイミド樹脂では、ポリマー主鎖中
のヒドロキシル基と無水酢酸とが反応してしまうため、
この触媒イミド化を行うことができないと言う製造上の
問題もあった。
このように、従来よりポリイミド樹脂に感光性を付与し
ようという試みはなされていたが、いずれも充分なもの
ではなかった。
ようという試みはなされていたが、いずれも充分なもの
ではなかった。
本発明者は、上記問題点を解決すべく鋭意努力検討した
結果、本発明を見出すに至った。
結果、本発明を見出すに至った。
本発明は、
(1)−殺減(I)及び−殺減(II)からなるポリイ
ミド樹脂において、 (式中R1は、フェノール性水酸基、カルボキシル基、
チオフェノール基、スルホン酸基からなる群より選ばれ
た少なくとも1種類以上の基を1個または複数個有する
ジアミンを構成する2価の有機基であり、式中R1はフ
ェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基
、スルホン酸基を有しない2価の有機基であり、R1が
カルボキシル基、スルホン酸基からなる群より選ばれた
少なくとも1種類以上の基を1個または複数個有し、且
つフェノール性水酸基及びチオフェノール基有さない場
合には、R2及びR4はテトラカルボン酸及びその誘導
体を構成する4価の有機基であり、R,がフェノール性
水酸基及び/又はチオフェノール基有する場合には、R
2及びR4は芳香環に直接結合しない4個のカルボニル
基よりなるテトラカルボン酸及びその誘導体を構成する
4価の有機基である。) 一殺減CI)で表される繰り返し単位の構成比aが、1
モル%≦a≦90モル%であり、−殺減〔■〕で表され
る繰り返し単位の構成比すが、10モル%<b<99モ
ル%であり、還元粘度が0.05〜3.Odi’/g(
温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5 g
7dl)である有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂100重
量部当たり、オルトキノンジアジド化合物1〜100重
量部を含有することを特徴とするポジ型感光性ポリイミ
ド樹脂組成物。
ミド樹脂において、 (式中R1は、フェノール性水酸基、カルボキシル基、
チオフェノール基、スルホン酸基からなる群より選ばれ
た少なくとも1種類以上の基を1個または複数個有する
ジアミンを構成する2価の有機基であり、式中R1はフ
ェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基
、スルホン酸基を有しない2価の有機基であり、R1が
カルボキシル基、スルホン酸基からなる群より選ばれた
少なくとも1種類以上の基を1個または複数個有し、且
つフェノール性水酸基及びチオフェノール基有さない場
合には、R2及びR4はテトラカルボン酸及びその誘導
体を構成する4価の有機基であり、R,がフェノール性
水酸基及び/又はチオフェノール基有する場合には、R
2及びR4は芳香環に直接結合しない4個のカルボニル
基よりなるテトラカルボン酸及びその誘導体を構成する
4価の有機基である。) 一殺減CI)で表される繰り返し単位の構成比aが、1
モル%≦a≦90モル%であり、−殺減〔■〕で表され
る繰り返し単位の構成比すが、10モル%<b<99モ
ル%であり、還元粘度が0.05〜3.Odi’/g(
温度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5 g
7dl)である有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂100重
量部当たり、オルトキノンジアジド化合物1〜100重
量部を含有することを特徴とするポジ型感光性ポリイミ
ド樹脂組成物。
(2)−殺減(I)及び−殺減(II)からなるポリイ
ミド樹脂において、R1がカルボキシル基、スルホン酸
基からなる群より選ばれた少なくとも1種類以上の基を
、1個または複数個有し、且つフェノール性水酸基及び
チオフェノール基を有さず、R2及びR4は芳香環を少
なくとも1個有し、4個のカルボニル基は芳香環の個別
の炭素原子に直接結合しているテトラカルボン酸及びそ
の誘導体を構成する4価の有機基であることを特徴とす
る上記(2)記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
。
ミド樹脂において、R1がカルボキシル基、スルホン酸
基からなる群より選ばれた少なくとも1種類以上の基を
、1個または複数個有し、且つフェノール性水酸基及び
チオフェノール基を有さず、R2及びR4は芳香環を少
なくとも1個有し、4個のカルボニル基は芳香環の個別
の炭素原子に直接結合しているテトラカルボン酸及びそ
の誘導体を構成する4価の有機基であることを特徴とす
る上記(2)記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
。
(3)−殺減(I)及び−殺減(n)からなるポリイミ
ド樹脂において、R1はフェノール性水酸基、カルボキ
シル基、チオフェノール基、スルホン酸基からなる群よ
り選ばれた少なくとも1種以上の基を1個または複数個
有するジアミンを構成する2価の有機基であり、R3は
フェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール
基、スルホン酸基を有しない2個の有機基であり、R2
及びR4は芳香環に直接結合しない4個のカルボニル基
よりなるテトラカルボン酸及びその誘導体を構成する4
価の有機基であることを特徴とする上記(1)記載のポ
ジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
ド樹脂において、R1はフェノール性水酸基、カルボキ
シル基、チオフェノール基、スルホン酸基からなる群よ
り選ばれた少なくとも1種以上の基を1個または複数個
有するジアミンを構成する2価の有機基であり、R3は
フェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール
基、スルホン酸基を有しない2個の有機基であり、R2
及びR4は芳香環に直接結合しない4個のカルボニル基
よりなるテトラカルボン酸及びその誘導体を構成する4
価の有機基であることを特徴とする上記(1)記載のポ
ジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
(4)−殺減(I)及び−殺減(n)からなるボリイミ
ド樹脂が、波長350nmの光線透過率(フィルム厚5
μm)が80%以上である有機溶媒可溶性ポリイミド樹
脂であることを特徴とする上記(3)記載のポジ型感光
性ポリイミド樹脂組成物。
ド樹脂が、波長350nmの光線透過率(フィルム厚5
μm)が80%以上である有機溶媒可溶性ポリイミド樹
脂であることを特徴とする上記(3)記載のポジ型感光
性ポリイミド樹脂組成物。
(5)−殺減(I)及び−殺減(I[)からなるポリイ
ミド樹脂において、−殺減(I)で表される繰り返し単
位の構成比aが、5モル%≦aく50モル%であり、−
殺減(n)で表される繰り返し単位の構成比すが、50
モル%≦bく95モル%であることを特徴とする上記(
4)記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
ミド樹脂において、−殺減(I)で表される繰り返し単
位の構成比aが、5モル%≦aく50モル%であり、−
殺減(n)で表される繰り返し単位の構成比すが、50
モル%≦bく95モル%であることを特徴とする上記(
4)記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
(6)−殺減(I)及び−殺減(I[)からなるポリイ
ミド樹脂において、−殺減CI)で表される繰り返し単
位の構成比aが、5モル%≦aく20モル%であり、−
殺減(II)で表される繰り返し単位の構成比すが、8
0モル%≦bく95モル%であることを特徴とする上記
(4)記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
ミド樹脂において、−殺減CI)で表される繰り返し単
位の構成比aが、5モル%≦aく20モル%であり、−
殺減(II)で表される繰り返し単位の構成比すが、8
0モル%≦bく95モル%であることを特徴とする上記
(4)記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。
(7)−殺減CI)及び−殺減(II)からなるポリイ
ミド樹脂において、R2及びR4がシクロブタン残基で
あることを特徴とする上記(4)記載のポジ型感光性ポ
リイミド樹脂組成物。
ミド樹脂において、R2及びR4がシクロブタン残基で
あることを特徴とする上記(4)記載のポジ型感光性ポ
リイミド樹脂組成物。
8)−殺減(I)及び−殺減(n)からなるポリイミド
樹脂において、R2及びR4がシクロブタン残基である
ことを特徴とする上記(5)記載のポジ型感光性ポリイ
ミド樹脂組成物。
樹脂において、R2及びR4がシクロブタン残基である
ことを特徴とする上記(5)記載のポジ型感光性ポリイ
ミド樹脂組成物。
(9)−殺減(I)及び−殺減(I[)からなるポリイ
ミド樹脂において、R2及びR4がシクロブタン残基で
あることを特徴とする上記(6)記載のポジ型感光性ポ
リイミド樹脂組成物。
ミド樹脂において、R2及びR4がシクロブタン残基で
あることを特徴とする上記(6)記載のポジ型感光性ポ
リイミド樹脂組成物。
(10)上記(4)に規定される有機溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアシド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアシド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
(11)上記(5)に規定される有機溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
(12)上記(6)に規定される有機溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
(13)上記(7)に規定される有機溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
(14)上記(8)に規定される有機溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
(15)上記(9)に規定される有機溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
ミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジアジド化
合物5〜50重量部を含有することを特徴とするポジ型
感光性ポリイミド樹脂組成物。
に関するものである。
即ち、本発明は、フェノール性水酸基、カルボキシル基
、チオフェノール基、スルホン基のような酸性を示す官
能基を有する溶媒可溶性ポリイミド樹脂と、オルトキノ
ンジアジド化合物からなるポジ型感光特性を有する組成
物に関するものであり、その目的とするところは、以下
の2点にある。
、チオフェノール基、スルホン基のような酸性を示す官
能基を有する溶媒可溶性ポリイミド樹脂と、オルトキノ
ンジアジド化合物からなるポジ型感光特性を有する組成
物に関するものであり、その目的とするところは、以下
の2点にある。
第1の目的は、触媒イミド化により容易に製造しつる溶
媒可溶性ポリイミド樹脂を構成成分とするポジ型感光特
性を有する組成物を提供することである。
媒可溶性ポリイミド樹脂を構成成分とするポジ型感光特
性を有する組成物を提供することである。
第2の目的は、極めて透明性に優れる溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂を構成成分とする、極めて高感度、高解像度の
ポジ型感光特性を有する組成物を提供することである。
ミド樹脂を構成成分とする、極めて高感度、高解像度の
ポジ型感光特性を有する組成物を提供することである。
本発明の組成物は、アルカリ水溶液によるエツチングが
容易であり、所定パターンを有するマスクを用いて露光
することにより、微細且つ寸法精度の高いレリーフパタ
ーンを有するポリイミド樹脂塗膜を容易に得ることがで
きる。
容易であり、所定パターンを有するマスクを用いて露光
することにより、微細且つ寸法精度の高いレリーフパタ
ーンを有するポリイミド樹脂塗膜を容易に得ることがで
きる。
本発明に使用されるポリイミド樹脂を得る方法は、特に
限定されない。
限定されない。
通常は、有機テトラカルボン酸またはその誘導体と有機
ジアミンを反応、重合することにより得られ、特に有機
テトラカルボン酸二無水物(以下、酸無水物と略す)と
有機ジアミン(以下、ジアミンと略す)を反応、重合す
ることが一般的である。 −殺減(I)中のR1を構成
するジアミンは、フェノール性水酸基、カルボキシル基
、チオフェノール基、スルホン酸基からなる群より選ば
れた少なくとも1種類以上の基を、1個又は複数個有す
るものであれば特に限定されない。
ジアミンを反応、重合することにより得られ、特に有機
テトラカルボン酸二無水物(以下、酸無水物と略す)と
有機ジアミン(以下、ジアミンと略す)を反応、重合す
ることが一般的である。 −殺減(I)中のR1を構成
するジアミンは、フェノール性水酸基、カルボキシル基
、チオフェノール基、スルホン酸基からなる群より選ば
れた少なくとも1種類以上の基を、1個又は複数個有す
るものであれば特に限定されない。
又、これらは、単独であっても複数であっても構わない
。 あえてその具体例を挙げれば、1.3−ジアミノ−
4−ヒドロキシベンゼン、1.3−ジアミノ−5−ヒド
ロキシベンゼン、1.3−ジアミノ−4,6−ジヒドロ
キシベンゼン、1.4−ジアミノ−2−ヒドロキシベン
ゼン、l、4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼ
ン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エー
テル、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)エ
ーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフェ
ニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロ
キシフェニル)メタン、ビス(3アミノ−4−ヒドロキ
シフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロ
キシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3,5−
ジヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3−
アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−
ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン
、2.2−ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフ
ェニル)プロパン、2.2−ビス(3−アミノ−4−ヒ
ドロキシフェニル)へキサフルオロプロパン、2.2−
ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、2.2−ビス(4−アミノ−3,5−
ジヒドロキシフェニル)へキサフルオロプロパン、4,
4°−ジアミノ−3,3ジヒドロキシビフエニル、4,
4°−ジアミノ−3,3′ジヒドロキシ−5,5°−ジ
メチルビフェニル、4,4−ジアミノ−3,3゛−ジヒ
ドロキシ−5,5′−ジメトキシビフェニル、1.4−
ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼ
ン、1.3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノ
キシ)ベンゼン、1.4−ビス(4−アミノ−3−ヒド
ロキシフェノキシ)ベンゼン、1.3−ビス(4−アミ
ノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−
(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)フェニル1
スルホン、2.2−ビス[4−(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェノキシ)フェニル]プロパン、2.2−ビス
[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)フェ
ニル]へキサフロロプロパン等のフェノール性水酸基を
有するジアミン、 1.3−ジアミノ−4−カルボキシベンゼン、1.3−
ジアミノ−5−カルボキシベンゼン、1.3−ジアミノ
−4,6ジカルボキシベンゼン、1.4−ジアミノ−2
−カルボキシベンゼン、1.4−ジアミノ−2,5−ジ
カルボキシベンゼン、ビス(4−アミノ−3−カルボキ
シフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジ
カルボキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3
−カルボキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−
3,5−ジカルボキシフェニル)スルホン、4.4゛−
ジアミノ−3,3′−ジカルボキシビフェニル、4,4
°−ジアミノ−3,3″−ジカルボキシ−5,5−ジメ
チルビフェニル、4.4−ジアミノ−3,3′−ジカル
ボキシ−5,5−ジメトキシビフェニル、1.4−ビス
(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、
1.3−ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ
)ベンゼン、ビス[4−(4−アミノ−3−カルボキシ
フェノキシ)フェニル1スルホン、2,2−ビス[4−
(4−アミノ二3−カルボキシフェノキシ)フェニル]
プロパン、2.2−ビス[4−(4−アミノ−3−カル
ボキシフェノキシ)フェニルJヘキサフロロプロパン等
のカルボシキル基を有するジアミン、 1.3−ジアミノ−4−メルカプトベンゼン、1.3−
ジアミノ−5−メルカプトベンゼン、1.4−ジアミノ
−2=メルカプトベンゼン、ビス(4−アミノ−3−メ
ルカプトフェニル)エーテル、2.2−ビス(3−アミ
ノ−4−メルカプトフェニル)へキサフロロプロパン等
のチオフェノール基を有するジアミン、ベンゼン−4−
スルホン酸、1.3−ジアミノベンゼン−5−スルホン
酸、1,4−ジアミノベンゼン−2−スルホン酸、ビス
(4−アミノベンゼン−3−スルホン酸)エーテル、4
,4゛−アミノビフェニル−3,3゛−ジスルホン酸、
4.4’ ジアミノ−3,3′−ジメチルビフェニル
−6,6°−ジスルホン酸等のスルホン酸基を有するジ
アミン、 更にこれらの基を複数個有するビス(4−アミノ−3カ
ルボキシ−5−ヒドロキシフェニルエーテル、ビス(4
−アミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)
メタン、ビス(4−アミノ−3−カルボキシ5− ドロ
キシフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−アミノ−
3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2.2−ビス(4−アミノ−3−カルボキシ−5ヒドロ
キシフエニル)へキサフロロプロパン、等が挙げられる
。
。 あえてその具体例を挙げれば、1.3−ジアミノ−
4−ヒドロキシベンゼン、1.3−ジアミノ−5−ヒド
ロキシベンゼン、1.3−ジアミノ−4,6−ジヒドロ
キシベンゼン、1.4−ジアミノ−2−ヒドロキシベン
ゼン、l、4−ジアミノ−2,5−ジヒドロキシベンゼ
ン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)エー
テル、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)エ
ーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフェ
ニル)エーテル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフ
ェニル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロ
キシフェニル)メタン、ビス(3アミノ−4−ヒドロキ
シフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロ
キシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3,5−
ジヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3−
アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−
ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン
、2.2−ビス(4−アミノ−3,5−ジヒドロキシフ
ェニル)プロパン、2.2−ビス(3−アミノ−4−ヒ
ドロキシフェニル)へキサフルオロプロパン、2.2−
ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、2.2−ビス(4−アミノ−3,5−
ジヒドロキシフェニル)へキサフルオロプロパン、4,
4°−ジアミノ−3,3ジヒドロキシビフエニル、4,
4°−ジアミノ−3,3′ジヒドロキシ−5,5°−ジ
メチルビフェニル、4,4−ジアミノ−3,3゛−ジヒ
ドロキシ−5,5′−ジメトキシビフェニル、1.4−
ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼ
ン、1.3−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノ
キシ)ベンゼン、1.4−ビス(4−アミノ−3−ヒド
ロキシフェノキシ)ベンゼン、1.3−ビス(4−アミ
ノ−3−ヒドロキシフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−
(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)フェニル1
スルホン、2.2−ビス[4−(3−アミノ−4−ヒド
ロキシフェノキシ)フェニル]プロパン、2.2−ビス
[4−(3−アミノ−4−ヒドロキシフェノキシ)フェ
ニル]へキサフロロプロパン等のフェノール性水酸基を
有するジアミン、 1.3−ジアミノ−4−カルボキシベンゼン、1.3−
ジアミノ−5−カルボキシベンゼン、1.3−ジアミノ
−4,6ジカルボキシベンゼン、1.4−ジアミノ−2
−カルボキシベンゼン、1.4−ジアミノ−2,5−ジ
カルボキシベンゼン、ビス(4−アミノ−3−カルボキ
シフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3,5−ジ
カルボキシフェニル)エーテル、ビス(4−アミノ−3
−カルボキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−
3,5−ジカルボキシフェニル)スルホン、4.4゛−
ジアミノ−3,3′−ジカルボキシビフェニル、4,4
°−ジアミノ−3,3″−ジカルボキシ−5,5−ジメ
チルビフェニル、4.4−ジアミノ−3,3′−ジカル
ボキシ−5,5−ジメトキシビフェニル、1.4−ビス
(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ)ベンゼン、
1.3−ビス(4−アミノ−3−カルボキシフェノキシ
)ベンゼン、ビス[4−(4−アミノ−3−カルボキシ
フェノキシ)フェニル1スルホン、2,2−ビス[4−
(4−アミノ二3−カルボキシフェノキシ)フェニル]
プロパン、2.2−ビス[4−(4−アミノ−3−カル
ボキシフェノキシ)フェニルJヘキサフロロプロパン等
のカルボシキル基を有するジアミン、 1.3−ジアミノ−4−メルカプトベンゼン、1.3−
ジアミノ−5−メルカプトベンゼン、1.4−ジアミノ
−2=メルカプトベンゼン、ビス(4−アミノ−3−メ
ルカプトフェニル)エーテル、2.2−ビス(3−アミ
ノ−4−メルカプトフェニル)へキサフロロプロパン等
のチオフェノール基を有するジアミン、ベンゼン−4−
スルホン酸、1.3−ジアミノベンゼン−5−スルホン
酸、1,4−ジアミノベンゼン−2−スルホン酸、ビス
(4−アミノベンゼン−3−スルホン酸)エーテル、4
,4゛−アミノビフェニル−3,3゛−ジスルホン酸、
4.4’ ジアミノ−3,3′−ジメチルビフェニル
−6,6°−ジスルホン酸等のスルホン酸基を有するジ
アミン、 更にこれらの基を複数個有するビス(4−アミノ−3カ
ルボキシ−5−ヒドロキシフェニルエーテル、ビス(4
−アミノ−3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)
メタン、ビス(4−アミノ−3−カルボキシ5− ドロ
キシフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−アミノ−
3−カルボキシ−5−ヒドロキシフェニル)プロパン、
2.2−ビス(4−アミノ−3−カルボキシ−5ヒドロ
キシフエニル)へキサフロロプロパン、等が挙げられる
。
特に、本発明の第1の目的である触媒イミド化により容
易に製造しうる溶媒可溶性ポリイミド樹脂を得るには、
カルボキシル基及び/又はスルホン酸基を有するジアミ
ンが好ましい。
易に製造しうる溶媒可溶性ポリイミド樹脂を得るには、
カルボキシル基及び/又はスルホン酸基を有するジアミ
ンが好ましい。
一般式(II)中のR3を構成するジアミンは、フェノ
ール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基、ス
ルホン酸基有さないものであれば特に限定されない。
又、これらは、単独であっても複数であっても構わない
。
ール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基、ス
ルホン酸基有さないものであれば特に限定されない。
又、これらは、単独であっても複数であっても構わない
。
あえてその具体例を挙げれば、
4.4−メチレン−ビス(2,6−ニチルアニリン)、
4.4−メチレン−ビス(2−イソプロピル−6−メチ
ルアニリン)、4.4−メチレン−ビス(2,6−ジイ
ツプロビルアニリン)、ビス[4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル1スルホン、2,2−ビス[4−(3−
アミノフェノキシ)フェニルJプロパン、2,2−ビス
[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル1ヘキサフロ
ロプロパン、4,4°−ジアミノ−3,3−ジメチルジ
シクロヘキシルメタン、4.4’−ジアミノジフェニル
エーテル、4.4゛−ジアミノジフェニルメタン、1.
4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.3−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−(
4−アミノフェノキシ)フェニル1スルホン、2.2−
ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパ
ン、2.2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル1ヘキサフロロプロパンなどを挙げることができる
ポリイミドの溶解性の点からは、4,4−メチレン−ビ
ス(2,6−ジニチルアニリン)、 4,4゛−メチレ
ン−ビス(2−イソプロピル−6−メチルアニリン)、
4,4−メチレン−ビス(2,6−ジイツブロピルアニ
リン)、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル
1スルホン、2.2−ス[4−(3−アミノフェノキシ
)フェニル]プロパン、2.2−ビス[4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル1ヘキサフロロプロパン等が好
ましい。
4.4−メチレン−ビス(2−イソプロピル−6−メチ
ルアニリン)、4.4−メチレン−ビス(2,6−ジイ
ツプロビルアニリン)、ビス[4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル1スルホン、2,2−ビス[4−(3−
アミノフェノキシ)フェニルJプロパン、2,2−ビス
[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル1ヘキサフロ
ロプロパン、4,4°−ジアミノ−3,3−ジメチルジ
シクロヘキシルメタン、4.4’−ジアミノジフェニル
エーテル、4.4゛−ジアミノジフェニルメタン、1.
4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1.3−
ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、ビス[4−(
4−アミノフェノキシ)フェニル1スルホン、2.2−
ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパ
ン、2.2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェ
ニル1ヘキサフロロプロパンなどを挙げることができる
ポリイミドの溶解性の点からは、4,4−メチレン−ビ
ス(2,6−ジニチルアニリン)、 4,4゛−メチレ
ン−ビス(2−イソプロピル−6−メチルアニリン)、
4,4−メチレン−ビス(2,6−ジイツブロピルアニ
リン)、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル
1スルホン、2.2−ス[4−(3−アミノフェノキシ
)フェニル]プロパン、2.2−ビス[4−(3−アミ
ノフェノキシ)フェニル1ヘキサフロロプロパン等が好
ましい。
一殺減CI)中のR2、一般式〔■〕中のR4を構成す
る酸無水物は、一般式CI)中のR1を構成するジアミ
ンが、カルボキシル基、スルホン酸基からなる群より選
ばれた少なくとも1種類以上の基を1個又は複数個有し
、フェノール性水酸基及びチオフェノール基を有さない
場合には、特に限定されない。 又、これらは、同一で
あっても又異なっていても良く、単独でも複数であって
も構わない。
る酸無水物は、一般式CI)中のR1を構成するジアミ
ンが、カルボキシル基、スルホン酸基からなる群より選
ばれた少なくとも1種類以上の基を1個又は複数個有し
、フェノール性水酸基及びチオフェノール基を有さない
場合には、特に限定されない。 又、これらは、同一で
あっても又異なっていても良く、単独でも複数であって
も構わない。
あえてその具体例を挙げれば、ピロメリット酸二無水物
、1.4.5.8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、3.3’ 、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二兼水物、3.3’ 、 4.4’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)エーテルニ無水物、2,2−ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロプロパン二
無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホ
ンニ無水物の様な芳香族テトラカルボン酸無水物などを
挙げることができる。ポリイミドの溶解性の点からは、
3.3’ 、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、3.3’ 、 4.4−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンニ無水物、ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホンニ無水物
等どが好ましい。
、1.4.5.8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、3.3’ 、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二兼水物、3.3’ 、 4.4’−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボ
キシフェニル)エーテルニ無水物、2,2−ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロプロパン二
無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホ
ンニ無水物の様な芳香族テトラカルボン酸無水物などを
挙げることができる。ポリイミドの溶解性の点からは、
3.3’ 、 4.4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物、3.3’ 、 4.4−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカル
ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンニ無水物、ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホンニ無水物
等どが好ましい。
又、シクロブタン−1,2,3,4−テトラカルボン酸
二無水物、3.4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テ
トラヒドロ−1−ナフタレンコハク酸二無水物、2.3
.5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、ビ
シクロ(2,2,2)オクト−7−ニンー2.3.5.
6−テトラカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−
2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物の様な脂環
式テトラカルボン酸無水物等を挙げることができる。
二無水物、3.4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テ
トラヒドロ−1−ナフタレンコハク酸二無水物、2.3
.5−トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、ビ
シクロ(2,2,2)オクト−7−ニンー2.3.5.
6−テトラカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−
2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物の様な脂環
式テトラカルボン酸無水物等を挙げることができる。
ポリイミドの溶解性の点からは、シクロブタン−1,2
,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,4−ジカル
ボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタレ
ンコハク酸二無水物、2.3.5− )リカルボキシシ
クロペンチル酢酸二無水物、ビシクロ(2,2,2)オ
クト−7−ニンー2.3.5.6−テトラカルボン酸二
無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラ
カルボン酸二無水物などが好ましい。
,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3,4−ジカル
ボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナフタレ
ンコハク酸二無水物、2.3.5− )リカルボキシシ
クロペンチル酢酸二無水物、ビシクロ(2,2,2)オ
クト−7−ニンー2.3.5.6−テトラカルボン酸二
無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラ
カルボン酸二無水物などが好ましい。
又、ブタンテトラカルボン酸二無水物の様な脂肪族テト
ラカルボン酸二無水物を挙げることもできる。
ラカルボン酸二無水物を挙げることもできる。
一般式(1)中のR2、一般式(II)中のR4を構成
する酸無水物は、一般式[I)中のR1を構成するジア
ミンがフェノール性水酸基及び/又はチオフェノール基
を有する場合には、酸無水物の4個のカルボニル基は芳
香環に直接結合しないことが必要であり、この条件を満
たす限りは、特に限定されない。 又、これらは同一で
あっても又異なっていても良く、単独でも複数であって
も構わない。
する酸無水物は、一般式[I)中のR1を構成するジア
ミンがフェノール性水酸基及び/又はチオフェノール基
を有する場合には、酸無水物の4個のカルボニル基は芳
香環に直接結合しないことが必要であり、この条件を満
たす限りは、特に限定されない。 又、これらは同一で
あっても又異なっていても良く、単独でも複数であって
も構わない。
あえてその具体例を挙げれば、
1、2.3.4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水
物、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒ
ドロ−1ナフタレンコハク酸二無水物、2.3.5−
トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、ビシクロ
(2,2,2)オクト−7−ニンー2.3.5.6−テ
トラカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−2,3
,4,5−テトラカルボン酸二無水物の様な脂環式テト
ラカルボン酸無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物
の様な脂肪族テトラカルボン酸二無水物を挙げることも
できる。
物、3,4−ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒ
ドロ−1ナフタレンコハク酸二無水物、2.3.5−
トリカルボキシシクロペンチル酢酸二無水物、ビシクロ
(2,2,2)オクト−7−ニンー2.3.5.6−テ
トラカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−2,3
,4,5−テトラカルボン酸二無水物の様な脂環式テト
ラカルボン酸無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物
の様な脂肪族テトラカルボン酸二無水物を挙げることも
できる。
特に、ポリイミドの溶解性の点からは、シクロブタン−
1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3゜4−
ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナ
フタレンコハク酸二無水物、2.3.5−トリカルボキ
シシクロペンチル酢酸二無水物、ビシクロ(2,2,2
)オクト7−ニンー2.3.5.6−テトラカルボン酸
二無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テト
ラカルボン酸二無水物などが好ましい。
1,2,3,4−テトラカルボン酸二無水物、3゜4−
ジカルボキシ−1,2,3,4−テトラヒドロ−1−ナ
フタレンコハク酸二無水物、2.3.5−トリカルボキ
シシクロペンチル酢酸二無水物、ビシクロ(2,2,2
)オクト7−ニンー2.3.5.6−テトラカルボン酸
二無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テト
ラカルボン酸二無水物などが好ましい。
更に、本発明の第2の目的である透明性の高いポリイミ
ド樹脂を得るには、シクロブタン−1,2,3,4−テ
トラカルボン酸二無水物が好ましい。
ド樹脂を得るには、シクロブタン−1,2,3,4−テ
トラカルボン酸二無水物が好ましい。
これら酸無水物とジアミンの反応方法は、特に限定はさ
れない。 一般には、N−メチルピロリドン、ジメチル
アセトアミドなどの極性溶媒中でテトラカルボン酸二無
水物とジアミンとの反応からポリアミック酸を合成し、
脱水閉環する方法がとられる。
れない。 一般には、N−メチルピロリドン、ジメチル
アセトアミドなどの極性溶媒中でテトラカルボン酸二無
水物とジアミンとの反応からポリアミック酸を合成し、
脱水閉環する方法がとられる。
テトラカルボン酸二無水物とジアミンの反応温度は一2
0〜150℃、好ましくは一5〜100℃の任意の温度
を選択することができる。
0〜150℃、好ましくは一5〜100℃の任意の温度
を選択することができる。
又、ポリアミック酸をポリイミドに転化するには、ポリ
アミック酸を溶液状態のまま150〜250°Cで加熱
すればよく、脱水閉環で生成した水を取除くためトルエ
ン、またはキシレンなどを添加し共沸脱水すること等も
可能である。
アミック酸を溶液状態のまま150〜250°Cで加熱
すればよく、脱水閉環で生成した水を取除くためトルエ
ン、またはキシレンなどを添加し共沸脱水すること等も
可能である。
又、ポリアミック酸をポリイミドに転化する更に簡便な
方法として、触媒イミド化がある。
方法として、触媒イミド化がある。
この場合は、ポリアミック酸溶液に無水酢酸とトリエチ
ルアミン、ピリジン、イソキノリン、イミダゾール等の
三級アミンを添加し、0°C〜250℃の任意の温度で
イミド化を行うことができるこの方法は、特に加熱を必
要とせず、脱水閉環で生成した水を取り除くための繁雑
な操作も必要としないため、ポリアミック酸をポリイミ
ドに転化するのには有効な方法として知られている。
ルアミン、ピリジン、イソキノリン、イミダゾール等の
三級アミンを添加し、0°C〜250℃の任意の温度で
イミド化を行うことができるこの方法は、特に加熱を必
要とせず、脱水閉環で生成した水を取り除くための繁雑
な操作も必要としないため、ポリアミック酸をポリイミ
ドに転化するのには有効な方法として知られている。
しかし、ヒドロキシル基を含有するポリイミド樹脂の場
合には、ヒドロキシル基が反応性の高い無水酢酸として
反応してしまうため、この方法を採用することができな
いという欠点があることが知られテイル(特rjF1昭
64−33133号公報)。
合には、ヒドロキシル基が反応性の高い無水酢酸として
反応してしまうため、この方法を採用することができな
いという欠点があることが知られテイル(特rjF1昭
64−33133号公報)。
本発明においては、一般式CI)の中のR1を構成する
ジアミンが、カルボキシル基、スルホン酸基からなる群
より選ばれた少な(とも1種類以上の基を1個又は複数
個有し、フェノール性水酸基及びチオフェノール基を有
さない場合にのみ、この方法を採用できる。
ジアミンが、カルボキシル基、スルホン酸基からなる群
より選ばれた少な(とも1種類以上の基を1個又は複数
個有し、フェノール性水酸基及びチオフェノール基を有
さない場合にのみ、この方法を採用できる。
一般式(I)で表される繰返し単位の構成比aは、1モ
ル%≦a≦90モル%であり、特に一般式(I)中のR
2及び一般式(II)中のR4を構成する酸無水物の4
個のカルボニル基が芳香環に直接結合しない場合には、
5モル%≦aく50モル%とするのが好ましく、5モル
%≦aく20モル%とするのが更に好ましい。
ル%≦a≦90モル%であり、特に一般式(I)中のR
2及び一般式(II)中のR4を構成する酸無水物の4
個のカルボニル基が芳香環に直接結合しない場合には、
5モル%≦aく50モル%とするのが好ましく、5モル
%≦aく20モル%とするのが更に好ましい。
構成比aが小さいと、未露光部の溶解性が十分ではな(
アルカリで現像するには、現像液に熱をかけるなど過酷
な条件を要するため、未露光部の膜厚が著しく減少し、
十分な寸法精度が得られず、良好なパターン形成ができ
なくなる。
アルカリで現像するには、現像液に熱をかけるなど過酷
な条件を要するため、未露光部の膜厚が著しく減少し、
十分な寸法精度が得られず、良好なパターン形成ができ
なくなる。
又、構成比aが大きすぎると、未露光部のアルカリに対
する耐性が低下るため、現像時に未露光部の膜厚の減少
が著しくなり、良好なパターン形成ができなくなる。
又、これを抑止するために多量の感光性物質を添加する
方法があるが、これはポリイミド樹脂の耐熱性、電気特
性を悪化させる原因となり好ましくない。
する耐性が低下るため、現像時に未露光部の膜厚の減少
が著しくなり、良好なパターン形成ができなくなる。
又、これを抑止するために多量の感光性物質を添加する
方法があるが、これはポリイミド樹脂の耐熱性、電気特
性を悪化させる原因となり好ましくない。
又、本発明の有機溶媒可溶性ポリイミドの還元粘度(温
度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5g/d
Iりは、0.05〜3.0、特に0.1−2゜0とする
のが好ましい。 還元粘度が0.05 dl/g以下で
あると、得られる組成物より形成される膜の機械的強度
が低下し、還元粘度が3.0 dl/g以上であると、
得られる組成物の粘度が著しく増加するため、その使用
に際し作業性が極端に低下する。
度30℃のN−メチルピロリドン中、濃度0.5g/d
Iりは、0.05〜3.0、特に0.1−2゜0とする
のが好ましい。 還元粘度が0.05 dl/g以下で
あると、得られる組成物より形成される膜の機械的強度
が低下し、還元粘度が3.0 dl/g以上であると、
得られる組成物の粘度が著しく増加するため、その使用
に際し作業性が極端に低下する。
又、本発明のポジ型感光性ポリイミド組成物を構成する
オルトキノンジアジド化合物としては、分子内にオルト
キノンジアジド基を含有する化合物であればよく、特に
限定されない。 例えば、オルトベンゾキノンジアジド
化合物、オルトナフトキノンジアジド化合物、オルトキ
ノリンキノンジアジド化合物などが挙げられ、これらは
いわゆるフェノールノボラック系ポジ型感光性組成物で
用いられるもので、中でもオルトナフトキノンジアジド
化合物を用いるのが一般的である。
オルトキノンジアジド化合物としては、分子内にオルト
キノンジアジド基を含有する化合物であればよく、特に
限定されない。 例えば、オルトベンゾキノンジアジド
化合物、オルトナフトキノンジアジド化合物、オルトキ
ノリンキノンジアジド化合物などが挙げられ、これらは
いわゆるフェノールノボラック系ポジ型感光性組成物で
用いられるもので、中でもオルトナフトキノンジアジド
化合物を用いるのが一般的である。
上記オルトキノンジアジド化合物は、通常、オルトキノ
ンジアジドスルホン酸エステルとして用いられる。
ンジアジドスルホン酸エステルとして用いられる。
これらのオルトキノンジアジドスルホン酸エステルは、
通常オルトキノンジアジドスルホン酸クロライドと、フ
ェノール性水酸基を有する化合物との縮合反応によって
得られる。
通常オルトキノンジアジドスルホン酸クロライドと、フ
ェノール性水酸基を有する化合物との縮合反応によって
得られる。
上記オルトキノンジアジドスルホン酸クロライドを構成
するオルトキノンジアジドスルホン酸成分としては、例
えば、1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スル
ホン酸、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−ス
ルホン酸などを挙げることができる。
するオルトキノンジアジドスルホン酸成分としては、例
えば、1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−4−スル
ホン酸、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−ス
ルホン酸などを挙げることができる。
また、上記フェノール性水酸基を有する化合物としては
、例えば、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2.
3.4−)ジヒドロキシベンゾフェノン2.2’ 、4
.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4
.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、4.4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンなどを挙げることができ
る。
、例えば、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2.
3.4−)ジヒドロキシベンゾフェノン2.2’ 、4
.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4
.4’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2−ビ
ス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、4.4′−ジ
ヒドロキシジフェニルスルホンなどを挙げることができ
る。
通常、これら化合物のフェノール性水酸基の一部、ある
いは全部を、上記オルトキノンジアジドスルホン酸基で
置換、反応した2置換体、3置換体、4置換体を単独、
或いはそれらの混合物として用いるのが一般的である。
いは全部を、上記オルトキノンジアジドスルホン酸基で
置換、反応した2置換体、3置換体、4置換体を単独、
或いはそれらの混合物として用いるのが一般的である。
上記オルトキノンジアジド化合物の配合量は、上記有機
溶媒可溶性ポリイミド100重量部に対して1〜100
重量部であり、更に一般式(I)中のR2及び−殺減(
IFl中のR4を構成する酸無水物の4個のカルボニル
基が芳香環に直接結合しない場合には、5〜50重量部
とするのが好ましい。 配合量が1重量部より少ないと
、得られる組成物の露光時の感度が低(なり、パターン
形成ができない。 又、100重量部より多いと、得ら
れる組成物より形成される膜の機械的性質、電気的特性
などが低下する。
溶媒可溶性ポリイミド100重量部に対して1〜100
重量部であり、更に一般式(I)中のR2及び−殺減(
IFl中のR4を構成する酸無水物の4個のカルボニル
基が芳香環に直接結合しない場合には、5〜50重量部
とするのが好ましい。 配合量が1重量部より少ないと
、得られる組成物の露光時の感度が低(なり、パターン
形成ができない。 又、100重量部より多いと、得ら
れる組成物より形成される膜の機械的性質、電気的特性
などが低下する。
本発明のポジ型感光性ポリイミド組成物は、電気・電子
デバイスなどに用いられる場合、有機溶媒に溶解された
溶液として用いられる。 この有機溶媒は、ポリイミド
、オルトキノンジアジド化合物を均一に溶解するもので
あれば、特に限定されない。 その具体例としては、例
えば、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−ビニルピ
ロリドン、ジメチルスルホオキシド、m−クレゾール、
γ−ブチルラクトンなどが挙げられる。
デバイスなどに用いられる場合、有機溶媒に溶解された
溶液として用いられる。 この有機溶媒は、ポリイミド
、オルトキノンジアジド化合物を均一に溶解するもので
あれば、特に限定されない。 その具体例としては、例
えば、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチ
ルアセトアミド、N−メチルピロリドン、N−ビニルピ
ロリドン、ジメチルスルホオキシド、m−クレゾール、
γ−ブチルラクトンなどが挙げられる。
その他、目的に応じ本組成物の溶解性を阻害しない限り
は、他の有機溶媒を混合して使用してもよい。 そのよ
うな有機溶媒の具体例としては、エチルセロソルブ、
ブチルセロソルブ、エチルカルピトール、ブチルカルピ
トール、ジグライム、ブチロラクトン、ブチルカルピト
ールアセテートなどが挙げられる。 ポリイミド、及び
オルトキノンジアジド化合物を溶解せさる方法は、特に
限定されない。 有機溶媒可溶性ポリイミドを反応、重
合した溶液にオルトキノンジアジド化合物を溶解させて
もよ(、貧溶媒を使用して沈殿回収した有機溶媒可溶性
ポリイミド樹脂を、前記オルトキノンジアジド化合物と
共に、前記有機溶媒に溶解させてもよい。
は、他の有機溶媒を混合して使用してもよい。 そのよ
うな有機溶媒の具体例としては、エチルセロソルブ、
ブチルセロソルブ、エチルカルピトール、ブチルカルピ
トール、ジグライム、ブチロラクトン、ブチルカルピト
ールアセテートなどが挙げられる。 ポリイミド、及び
オルトキノンジアジド化合物を溶解せさる方法は、特に
限定されない。 有機溶媒可溶性ポリイミドを反応、重
合した溶液にオルトキノンジアジド化合物を溶解させて
もよ(、貧溶媒を使用して沈殿回収した有機溶媒可溶性
ポリイミド樹脂を、前記オルトキノンジアジド化合物と
共に、前記有機溶媒に溶解させてもよい。
上記のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物の有機溶媒溶
液の濃度は、ポリイミド及びオルトキノンジアジド化合
物が有機溶媒に均一に溶解している限りは、特に限定さ
れない。 加工面の容易さから、1〜50重量%の範囲
が一般的である。
液の濃度は、ポリイミド及びオルトキノンジアジド化合
物が有機溶媒に均一に溶解している限りは、特に限定さ
れない。 加工面の容易さから、1〜50重量%の範囲
が一般的である。
本発明のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物は、ガラス
板あるいはシリコンウェハー上に回転塗布した後、50
〜80°Cで予備乾燥して膜を形成することができる。
板あるいはシリコンウェハー上に回転塗布した後、50
〜80°Cで予備乾燥して膜を形成することができる。
この際、3−アミノプロピルトリエトキシシランな
どのシラン系のカップリング剤を処理した基板を用いる
ことにより、更に優れた接着性を得ることができる。
どのシラン系のカップリング剤を処理した基板を用いる
ことにより、更に優れた接着性を得ることができる。
上述の股上に所定のパターンを有するマスクを装着し、
光を照射し、アルカリ現像液で現像することにより、露
光部が洗い出されて端面のシャープなレリーフパターン
が得られる。この際使用される現像液はアルカリ水溶液
であればどのようなものでもよく、苛性カリウム、苛性
ソーダなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキサイド、コリンなどの水酸化四級アンモ
ニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、
エチレンジアミンなどのアミン水溶液を例として挙げる
ことができる。
光を照射し、アルカリ現像液で現像することにより、露
光部が洗い出されて端面のシャープなレリーフパターン
が得られる。この際使用される現像液はアルカリ水溶液
であればどのようなものでもよく、苛性カリウム、苛性
ソーダなどのアルカリ金属水酸化物の水溶液、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモ
ニウムヒドロキサイド、コリンなどの水酸化四級アンモ
ニウムの水溶液、エタノールアミン、プロピルアミン、
エチレンジアミンなどのアミン水溶液を例として挙げる
ことができる。
本組成物は、露光部の溶解性が高(、上記現像は室温で
容易に行なうことができる。
容易に行なうことができる。
かくして得られたレリーフパターンを有する基板を20
0〜300℃で熱処理を行なうことにより、耐熱性、耐
薬品性、電気特性に優れ、良好なレリーフパターンを有
するポリイミド塗膜を得ることができる。
0〜300℃で熱処理を行なうことにより、耐熱性、耐
薬品性、電気特性に優れ、良好なレリーフパターンを有
するポリイミド塗膜を得ることができる。
本発明の組成物は、高感度、高解像度のポジ型感光性特
性を有し、しかもアルカリ水溶液によるエツチングが容
易であり、所定パターンを有するマスクを用いて露光す
ることにより、微細形状かつ寸法精度の高いレリーフパ
ターンを有するポリイミド樹脂塗膜を容易に得ることが
できる。
性を有し、しかもアルカリ水溶液によるエツチングが容
易であり、所定パターンを有するマスクを用いて露光す
ることにより、微細形状かつ寸法精度の高いレリーフパ
ターンを有するポリイミド樹脂塗膜を容易に得ることが
できる。
本発明の組成物を構成するポリイミド樹脂がフェノール
性水酸基、チオフェノール基を有さない溶媒可溶性ポリ
イミド樹脂の場合は、触媒イミド化により容易に製造可
能である。
性水酸基、チオフェノール基を有さない溶媒可溶性ポリ
イミド樹脂の場合は、触媒イミド化により容易に製造可
能である。
本発明の組成物を構成するポリイミド樹脂の酸無水物の
4個のカルボニル基が芳香環に直接結合しない場合には
、露光時の光線透過率が高く、きわめて高感度、高解像
度のポジ型感光特性を有する。
4個のカルボニル基が芳香環に直接結合しない場合には
、露光時の光線透過率が高く、きわめて高感度、高解像
度のポジ型感光特性を有する。
本発明のポジ型感光性ポリイミド組成物は、半導体素子
用の層間絶縁膜、パッシベーション膜、多層プリント基
板用絶縁膜などに用いることができる。
用の層間絶縁膜、パッシベーション膜、多層プリント基
板用絶縁膜などに用いることができる。
以下に実施例を挙げ本発明を更に詳細に説明するが、こ
れらに限定されるものではない。
れらに限定されるものではない。
製造例−1
2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)
へキサフルオロプロパン(以下、BAHFと略記する)
1.10g、ビス[4−(3−アミノフェノシ)フェニ
ル1スルホン(以下、BAPSと略記する)11.68
g、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(以下、C
BDAと略記する)5.88gをN−メチルピロリドン
(以下、NMPと略記する)106g中室温中室時間反
応した。
へキサフルオロプロパン(以下、BAHFと略記する)
1.10g、ビス[4−(3−アミノフェノシ)フェニ
ル1スルホン(以下、BAPSと略記する)11.68
g、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(以下、C
BDAと略記する)5.88gをN−メチルピロリドン
(以下、NMPと略記する)106g中室温中室時間反
応した。
NMPで固形分1O10重量%Nl希釈後、180℃で
5時間加熱し脱水閉環反応を行った。
5時間加熱し脱水閉環反応を行った。
この溶液をエタノール中へ投入後、ろ別乾燥して、淡い
褐色をおびた白色粉末を約18g得た。
褐色をおびた白色粉末を約18g得た。
この粉末の赤外吸収スペクトルを測定した結果、178
0cm−’付近にイミド基のピークが確認された。 こ
のポリイミド粉末10gをNMPに溶解し固形分濃度1
5.0重量%に調製したところ、溶液は均一透明であっ
た。
0cm−’付近にイミド基のピークが確認された。 こ
のポリイミド粉末10gをNMPに溶解し固形分濃度1
5.0重量%に調製したところ、溶液は均一透明であっ
た。
この溶液のNMP中30℃、濃度0.5 g7dl測定
された還元粘度は0.25 dlhであった。
された還元粘度は0.25 dlhであった。
(製造例−2)
ジアミンとして、BAHF 2.20g 、RASP
10.38g、NMP 105gを用いた他は製
造例−1と同様に操作し、有機溶媒可溶性ポリイミド樹
脂のNMP溶液をえた。
10.38g、NMP 105gを用いた他は製
造例−1と同様に操作し、有機溶媒可溶性ポリイミド樹
脂のNMP溶液をえた。
(製造例−3)
ジアミンとして、4.4′−ジアミノ−3,3″−ジヒ
ドキシビフェニル(以下、HABと略記する)1.30
g、BAPS 10.38g、NMPloogを用い
た他は製造例−1と同様に操作し、有機溶媒可溶性ポリ
イミド樹脂のNMP溶液を得た。
ドキシビフェニル(以下、HABと略記する)1.30
g、BAPS 10.38g、NMPloogを用い
た他は製造例−1と同様に操作し、有機溶媒可溶性ポリ
イミド樹脂のNMP溶液を得た。
(製造例−4)
ジアミンとして、4.4−ジアミノ−3,3−ジカルボ
キシビフェニル(以下、CABと略記する)1゜63g
、BAPS 10.38g、NMPlolgを用いた
他は製造例−1と同様に操作し、有機溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂のNMP溶液を得た。
キシビフェニル(以下、CABと略記する)1゜63g
、BAPS 10.38g、NMPlolgを用いた
他は製造例−1と同様に操作し、有機溶媒可溶性ポリイ
ミド樹脂のNMP溶液を得た。
(製造例−5)
ジアミンとして、BAPS 12.98g、NMP1
07gを用いた他は製造例−1と同様に操作し、有機溶
媒可溶性ポリイミド樹脂のNMP溶液を得た。
07gを用いた他は製造例−1と同様に操作し、有機溶
媒可溶性ポリイミド樹脂のNMP溶液を得た。
(製造例−6)
ジアミンとして、BAHF 2.20g、BAPS
10.38g、酸無水物として、3.3’ 、 4.
4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(以下
、BTDAと略記する)9.67g、NMP 126
gを用いた他は製造例−1と同様に操作し、有機溶媒可
溶性ポリイミド樹脂のNMP溶液を得た。
10.38g、酸無水物として、3.3’ 、 4.
4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(以下
、BTDAと略記する)9.67g、NMP 126
gを用いた他は製造例−1と同様に操作し、有機溶媒可
溶性ポリイミド樹脂のNMP溶液を得た。
(製造例−7)
ジアミンとして、BAHF 2.20g5BAPS
10.38g、酸無水物として、2.2゛−ビス(3
,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
ニ無水物(以下、6FDAと略記する)12゜61g、
NMP 143gを用いた他は製造例−1と同様に操
作し、有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂のNMP溶液を得
た。
10.38g、酸無水物として、2.2゛−ビス(3
,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
ニ無水物(以下、6FDAと略記する)12゜61g、
NMP 143gを用いた他は製造例−1と同様に操
作し、有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂のNMP溶液を得
た。
(製造例−8)
ジアミンとして、3,5−ジアミノ安息香酸(DBA)
137g 、BAPS 9.08g 、酸二無水物と
してCBDA 5.77gをNMP 92g中室温
で8時間反応させた。NMPで固形分7重量%に希釈後
、無水酢酸 24.7g、ピリジン 28゜7gを加え
、40°Cで30分反応させた。
137g 、BAPS 9.08g 、酸二無水物と
してCBDA 5.77gをNMP 92g中室温
で8時間反応させた。NMPで固形分7重量%に希釈後
、無水酢酸 24.7g、ピリジン 28゜7gを加え
、40°Cで30分反応させた。
この溶液をエタノール中へ投入し、ろ別乾燥して淡い褐
色をおびた粉末を約14gを得た。
色をおびた粉末を約14gを得た。
この粉末の赤外吸収スペクトルを測定した結果1780
cm−’付近、800cm−’付近にイミド基のピーク
が確認された。 この粉末のNMRスペクトル測定をし
た結果、アセチル基のピークは確認されなかった。
cm−’付近、800cm−’付近にイミド基のピーク
が確認された。 この粉末のNMRスペクトル測定をし
た結果、アセチル基のピークは確認されなかった。
この溶液のNMR中30℃、濃度0.5 g/d/で測
定された還元粘度は0.56 dl/gであった。
定された還元粘度は0.56 dl/gであった。
(製造例−9)
ジアミンとして、3,5−ジアミノ安息香酸(DBA)
2.28g 、 BAPS 6.49、酸二無水物
として6FDA I3.3g、NMP125gを用い
た他は製造例−8と同様に操作し、淡い褐色をおびた粉
末約22g得た。 この粉末の赤
外吸収スペクトルを測定した結果、1780cm−’付
近、800cm−’付近にイミド基のピークが確認され
た。 この粉末のNMRスペクトル測定をした結果、ア
セチル基のピークは確認されなかった。
2.28g 、 BAPS 6.49、酸二無水物
として6FDA I3.3g、NMP125gを用い
た他は製造例−8と同様に操作し、淡い褐色をおびた粉
末約22g得た。 この粉末の赤
外吸収スペクトルを測定した結果、1780cm−’付
近、800cm−’付近にイミド基のピークが確認され
た。 この粉末のNMRスペクトル測定をした結果、ア
セチル基のピークは確認されなかった。
(製造例−10)
ジアミンとして、BAHF 5.49g、BAPS
6.49g、酸二無水物として6FDA 13゜3
8g、NMP 143gを用いた他は製造例−8と同
様に操作し、淡い褐色をおびた粉末的24g得た。 こ
の粉末の赤外吸収スペクトルを測定した結果、1780
cm−’付近、800cm−’付近にイミド基のピーク
が確認された。 この粉末のNMRスペクトル測定をし
た結果、2.3ppm付近にアセチル基のピークが確認
され、ポリイミド骨格中水酸基が無視酢酸によりアセチ
ル化されていることが分かった。 この粉末10gをN
MPに溶解し固形分濃度15.0重量%に調製したとこ
ろ、溶液は均一透明であった。
6.49g、酸二無水物として6FDA 13゜3
8g、NMP 143gを用いた他は製造例−8と同
様に操作し、淡い褐色をおびた粉末的24g得た。 こ
の粉末の赤外吸収スペクトルを測定した結果、1780
cm−’付近、800cm−’付近にイミド基のピーク
が確認された。 この粉末のNMRスペクトル測定をし
た結果、2.3ppm付近にアセチル基のピークが確認
され、ポリイミド骨格中水酸基が無視酢酸によりアセチ
ル化されていることが分かった。 この粉末10gをN
MPに溶解し固形分濃度15.0重量%に調製したとこ
ろ、溶液は均一透明であった。
この溶液のNMR中30°C1濃度0.5 g/dlで
測定された還元粘度は0.38 dl/gであった。
測定された還元粘度は0.38 dl/gであった。
以上の製造例1〜10の結果をまとめて表−1に示した
。
。
実施例−1
製造例−1で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液30gに、ナフトキノン系のポジ型感光剤(
2,3,4,4°−テトラヒドロキシベンゾフェノンの
1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸
の3モル置換化合物)0.67gを加え、室温で3時間
攪拌後1.0μmのフィルターによりろ過し、本発明の
ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物の溶液を得た。
NMP溶液30gに、ナフトキノン系のポジ型感光剤(
2,3,4,4°−テトラヒドロキシベンゾフェノンの
1.2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸
の3モル置換化合物)0.67gを加え、室温で3時間
攪拌後1.0μmのフィルターによりろ過し、本発明の
ポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物の溶液を得た。
3−アミノプロピルトリエトキシシランの0.1%メタ
ノール溶液を熱酸化膜付シリコンウェハー上に回転塗布
後、80℃で乾燥した基板に、上記ポジ型感光性ポリイ
ミド樹脂組成物の溶液を回転塗布し、70℃の循環乾燥
炉で30分乾燥して、1.3μm厚の連層を得た。 こ
の連層にテストマスクを介して、UVP社(米国)製の
紫外線照射装置UVL−21により、紫外光を2分間照
射した。 この露光面での紫外線強度は350nm厚で
1.6 mw/alr(taオーク製作所製、紫外線照
射計UV−MOlによる測定)であった。
ノール溶液を熱酸化膜付シリコンウェハー上に回転塗布
後、80℃で乾燥した基板に、上記ポジ型感光性ポリイ
ミド樹脂組成物の溶液を回転塗布し、70℃の循環乾燥
炉で30分乾燥して、1.3μm厚の連層を得た。 こ
の連層にテストマスクを介して、UVP社(米国)製の
紫外線照射装置UVL−21により、紫外光を2分間照
射した。 この露光面での紫外線強度は350nm厚で
1.6 mw/alr(taオーク製作所製、紫外線照
射計UV−MOlによる測定)であった。
露光後、およそ20°Cの現像液(東京応化■製、NM
D−3)に420秒間親戚して現像を行い、純水で洗浄
してポジ型のレリーフパターンを得た。 現像後の膜厚
は1.05μmであった。
D−3)に420秒間親戚して現像を行い、純水で洗浄
してポジ型のレリーフパターンを得た。 現像後の膜厚
は1.05μmであった。
次いで、このパターンを250℃の循環乾燥炉で1時間
焼成し、膜厚0.88μmの良好なレリーフパターンを
有するポリイミド樹脂連層を得た。
焼成し、膜厚0.88μmの良好なレリーフパターンを
有するポリイミド樹脂連層を得た。
実施例−2
製造例−1で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
実施例−3
製造例−2で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤15重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤15重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
実施例−4
製造例−2で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤25重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤25重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
実施例−5
製造例−3で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤15重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤15重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
実施例−6
製造例−4で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
実施例−7
製造例−8で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
実施例−8
製造例−9で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤50重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対して実施例−1と
同様のポジ型感光剤50重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、良好なレリーフパターンを有するポリ
イミド樹脂連層を得た。
比較例−1
製造例−5で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対し実施例−1と同
様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1と
同様に操作し、現像、水洗を行ったが、露光部も全く洗
い出されず、パターンが切れなかった。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対し実施例−1と同
様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1と
同様に操作し、現像、水洗を行ったが、露光部も全く洗
い出されず、パターンが切れなかった。
比較例−2
製造例−6で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対し実施例−1と同
様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1と
同様に操作し、現像、水洗を行ったが、露光部も全(洗
い出されず、パターンが切れなかった。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対し実施例−1と同
様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1と
同様に操作し、現像、水洗を行ったが、露光部も全(洗
い出されず、パターンが切れなかった。
比較例−3
製造例−7で得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂の
NMP溶液に、樹脂100重量部に対し実施例−1と同
様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1と
同様に操作し、現像、水洗を行ったが、露光部も全(洗
い出されず、パターンが切れなかった。
NMP溶液に、樹脂100重量部に対し実施例−1と同
様のポジ型感光剤30重量部を加えた他は実施例−1と
同様に操作し、現像、水洗を行ったが、露光部も全(洗
い出されず、パターンが切れなかった。
比較例−4
製造例−1Oで得られた有機溶媒可溶性ポリイミド樹脂
のNMP溶液に、樹脂100重量部に対し実施例−1と
同様のポジ型感光剤50重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、現像、水洗を行ったが、露光部の溶解
性が低く、パターンが切れなかった。
のNMP溶液に、樹脂100重量部に対し実施例−1と
同様のポジ型感光剤50重量部を加えた他は実施例−1
と同様に操作し、現像、水洗を行ったが、露光部の溶解
性が低く、パターンが切れなかった。
これら実施例及び比較例の結果をまとめて表−2に示す
。
。
Claims (15)
- (1)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂において、 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中R_1は、フェノール性水酸基、カルボキシル基
、チオフェノール基、スルホン酸基からなる群より選ば
れた少なくとも1種以上の基を1個又は複数個有するジ
アミンを構成する2価の有機基であり、式中R_2はフ
ェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフェノール基
、スルホン酸基を有しない2価の有機基であり、R_1
がカルボキシル基、スルホン酸基からなる群より選ばれ
た少なくとも1種以上の基を1個又は複数個有し、且つ
フェノール性水酸基及びチオフェノール基を有さない場
合にはR_2及びR_4はテトラカルボン酸及びその誘
導体を構成する4価の有機基であり、R_1がフェノー
ル性水酸基及び/又はチオフェノール基を有する場合に
は、R_2及びR_4は芳香環に直接結合しない4個の
カルボニル基よりなるテトラカルボン酸及びその誘導体
を構成する4価の有機基である)一般式〔 I 〕で表さ
れる繰り返し単位の構成比aが、1モル%≦a≦90モ
ル%であり、一般式〔II〕で表される繰り返し単位の構
成比bが、10モル%<b<99モル%であり、還元粘
度が0.05〜3.0dl/g(温度30℃のN−メチ
ルピロリドン中、濃度0.5g/d)である有機溶媒可
溶性ポリイミド樹脂100重量部当たり、オルトキノン
ジアジド化合物1〜100重量部を含有することを特徴
とするポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。 - (2)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂において、R_1がカルボキシル基、スルホン
酸基からなる群より選ばれた少なくとも1種類以上の基
を1個または複数個有し、且つフェノール性水酸基及び
チオフェノール基を有さず、R_2及びR_4は芳香環
を少なくとも1個有し、4個のカルボニル基は芳香環の
個別の炭素原子に直接結合しているテトラカルボン酸及
びその誘導体を構成する4価の有機基であることを特徴
とする請求項第(1)項記載のポジ型感光性ポリイミド
樹脂組成物。 - (3)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂において、R_1は、フェノール性水酸基、カ
ルボキシル基、チオフェノール基、スルホン酸基からな
る群より選ばれた少なくとも1種以上の基を1個または
複数個有するジアミンを構成する2価の有機基であり、
R_3はフェノール性水酸基、カルボキシル基、チオフ
ェノール基、スルホン酸基を有しない2個の有機基であ
り、R_2及びR_4は芳香環に直接結合しない4個の
カルボニル基よりなるテトラカルボン酸及びその誘導体
を構成する4価の有機基であることを特徴とする請求項
第(1)項記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。 - (4)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂が、波長350nmの光線透過率(フィルム厚
5μm)が80%以上である有機溶媒可溶性ポリイミド
樹脂であることを特徴とする請求項第(3)項記載のポ
ジ型感光性ポリイミド樹脂組成物。 - (5)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂において、一般式〔 I 〕で表される繰り返し
単位の構成比aが、5モル%≦a<50モル%であり、
一般式〔II〕で表される繰り返し単位の構成比bが、5
0モル%≦b<95モル%であることを特徴とする請求
項第(4)項記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
。 - (6)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂において、一般式〔 I 〕で表される繰り返し
単位の構成比aが、5モル%≦a<20モル%であり、
一般式〔II〕で表される繰り返し単位の構成比bが、8
0モル%≦b<95モル%であることを特徴とする請求
項第(4)項記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
。 - (7)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂において、R_2及びR_4がシクロブタン残
基であることを特徴とする請求項第(4)項記載のポジ
型感光性ポリイミド樹脂組成物。 - (8)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂において、R_2及びR_4がシクロブタン残
基であることを特徴とする請求項第(5)項記載のポジ
型感光性ポリイミド樹脂組成物。 - (9)一般式〔 I 〕及び一般式〔II〕からなるポリイ
ミド樹脂において、R_2及びR_4がシクロブタン残
基であることを特徴とする請求項第(6)項記載のポジ
型感光性ポリイミド樹脂組成物。 - (10)請求項第(4)項に規定される有機溶媒可溶性
ポリイミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジア
ジド化合物5〜50重量部を含有することを特徴とする
請求項第(4)項記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組
成物。 - (11)請求項第(5)項に規定される有機溶媒可溶性
ポリイミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジア
ジド化合物5〜50重量部を含有することを特徴とする
請求項第(5)項記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組
成物。 - (12)請求項第(6)項に規定される有機溶媒可溶性
ポリイミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジア
ジド化合物5〜50重量部を含有することを特徴とする
請求項第(6)項記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組
成物。 - (13)請求項第(7)項に規定される有機溶媒可溶性
ポリイミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジア
ジド化合物5〜50重量部を含有することを特徴とする
請求項第(7)項記載のポジ型感光性ポリイミド樹脂組
成物。 - (14)請求項第(8)項に規定される有機溶媒可溶性
ポリイミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジア
ジド化合物5〜50重量部を含有することを特徴とする
請求項第(8)項のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
。 - (15)請求項第(9)項に規定される有機溶媒可溶性
ポリイミド樹脂100重量部に対し、オルトキノンジア
ジド化合物5〜50重量部を含有することを特徴とする
請求項第(9)項のポジ型感光性ポリイミド樹脂組成物
。
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Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999019771A1 (fr) * | 1997-10-13 | 1999-04-22 | Pi R & D Co., Ltd. | Composition de polyimide photosensible positive |
WO2001040873A1 (fr) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition de resine de polyimide photosensible de type positif |
WO2001075525A1 (fr) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition de resine polyimide photosensible positive |
JP2002278065A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた感光性ドライフィルムレジスト |
JP2003012611A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Mitsui Chemicals Inc | 新規なビスアミノフェノール類及びその製造方法 |
US6875554B2 (en) | 2000-10-04 | 2005-04-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive photosensitive polyimide resin composition |
EP1953183A2 (en) | 2007-01-31 | 2008-08-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silphenylene-bearing polymer, photo-curable resin composition, patterning process, and substrate circuit protective film |
US7485405B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-02-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photo-curable resin composition comprising a polyimide, a process for forming a pattern therewith, and a substrate protecting film |
WO2009113490A1 (ja) | 2008-03-14 | 2009-09-17 | ナガセケムテックス株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
KR100932770B1 (ko) | 2007-12-18 | 2009-12-21 | 전북대학교산학협력단 | 포지형 감광성 폴리이미드 수지 및 이의 조성물 |
US7638259B2 (en) | 2006-08-22 | 2009-12-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polyimide resin soluble in aqueous alkaline solution, composition comprising the resin and cured coating prepared from the composition |
EP2228400A1 (en) | 2009-03-12 | 2010-09-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Novel polyimide silicone, photosensitive resin composition containing the novel polyimide silicone, and method for pattern formation |
EP2333015A2 (en) | 2009-12-10 | 2011-06-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photo-curable resin composition, pattern forming method and substrate protecting film, and film-shaped adhesive and adhesive sheet using said composition |
JP4958355B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2012-06-20 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | ポリイミドの電着用組成物及びそれを用いたパターン化ポリイミド膜の作製方法 |
US8703367B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-04-22 | Cheil Industries Inc. | Positive photosensitive resin composition |
US8841064B2 (en) | 2010-12-31 | 2014-09-23 | Cheil Industries Inc. | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film |
US9176381B2 (en) | 2009-12-29 | 2015-11-03 | Cheil Industries Inc. | Positive type photosensitive resin composition |
US9405188B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-08-02 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device |
KR20170108949A (ko) | 2015-01-27 | 2017-09-27 | 도레이 카부시키가이샤 | 수지, 감광성 수지 조성물 및 그들을 사용한 전자 부품, 표시 장치 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3321548B2 (ja) * | 1996-06-17 | 2002-09-03 | 株式会社日立製作所 | 感光性ポリイミド前駆体組成物、およびそれを用いたパターン形成方法 |
KR100905682B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2009-07-03 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 포지티브형 감광성 폴리이미드 수지 조성물 |
JP2009019105A (ja) | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Nitto Denko Corp | ポリイミドからなる光半導体素子封止用樹脂 |
KR101102256B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2012-01-03 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드계 고분자 화합물 및 이를 포함하는 포지티브형폴리이미드 감광성 수지 조성물 |
JP5390964B2 (ja) * | 2009-07-01 | 2014-01-15 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性フィルム |
KR101249686B1 (ko) * | 2009-07-16 | 2013-04-05 | 주식회사 엘지화학 | 폴리이미드 및 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 |
US8993209B2 (en) | 2010-07-14 | 2015-03-31 | Lg Chem, Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition and black bank of an organic light-emitting device including same |
KR101837946B1 (ko) | 2014-03-31 | 2018-03-13 | 코오롱인더스트리 주식회사 | 폴리이미드 수지 및 이를 이용한 필름 |
CN111303420A (zh) * | 2019-11-19 | 2020-06-19 | 上海极紫科技有限公司 | 一种可碱显影的正性聚酰亚胺光敏树脂及其制备方法 |
CN111333837B (zh) * | 2020-01-07 | 2022-11-25 | 上海极紫科技有限公司 | 一种正性光敏聚酰亚胺树脂及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5952823B2 (ja) | 1978-03-01 | 1984-12-21 | 東レ株式会社 | 耐熱性感光材料 |
JPS6046421B2 (ja) | 1978-03-01 | 1985-10-16 | 東レ株式会社 | 耐熱性感光材料 |
JPS5952822B2 (ja) | 1978-04-14 | 1984-12-21 | 東レ株式会社 | 耐熱性感光材料 |
JPS57168942A (en) | 1981-04-13 | 1982-10-18 | Hitachi Ltd | Photosensitive polymer composition |
JPH0644154B2 (ja) | 1986-07-03 | 1994-06-08 | 宇部興産株式会社 | 有機溶媒可溶性のポジ型感光性ポリイミド組成物 |
US4927736A (en) | 1987-07-21 | 1990-05-22 | Hoechst Celanese Corporation | Hydroxy polyimides and high temperature positive photoresists therefrom |
JPS6433133A (en) | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Nippon Telegraph & Telephone | Reactive polyamic acid and its production |
EP0379639A3 (en) * | 1988-09-26 | 1991-02-06 | International Business Machines Corporation | Electron beam-positive polyimide |
EP0378156A3 (en) * | 1989-01-09 | 1992-02-26 | Nitto Denko Corporation | Positively photosensitive polyimide composition |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP2286744A patent/JP2906637B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-25 EP EP90120491A patent/EP0424940B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-25 DE DE69031933T patent/DE69031933T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-27 KR KR1019900017294A patent/KR0148011B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999019771A1 (fr) * | 1997-10-13 | 1999-04-22 | Pi R & D Co., Ltd. | Composition de polyimide photosensible positive |
US6627377B1 (en) | 1997-10-13 | 2003-09-30 | Pi R&D Co., Ltd. | Positive photosensitive poliymide composition |
JP4958355B2 (ja) * | 1999-08-06 | 2012-06-20 | 株式会社ピーアイ技術研究所 | ポリイミドの電着用組成物及びそれを用いたパターン化ポリイミド膜の作製方法 |
WO2001040873A1 (fr) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition de resine de polyimide photosensible de type positif |
US6677099B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-01-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive type photosensitive polyimide resin composition |
WO2001075525A1 (fr) * | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition de resine polyimide photosensible positive |
US6875554B2 (en) | 2000-10-04 | 2005-04-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive photosensitive polyimide resin composition |
JP2002278065A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた感光性ドライフィルムレジスト |
JP2003012611A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-15 | Mitsui Chemicals Inc | 新規なビスアミノフェノール類及びその製造方法 |
US7485405B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-02-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photo-curable resin composition comprising a polyimide, a process for forming a pattern therewith, and a substrate protecting film |
US7638259B2 (en) | 2006-08-22 | 2009-12-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polyimide resin soluble in aqueous alkaline solution, composition comprising the resin and cured coating prepared from the composition |
EP1953183A2 (en) | 2007-01-31 | 2008-08-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silphenylene-bearing polymer, photo-curable resin composition, patterning process, and substrate circuit protective film |
US7785766B2 (en) | 2007-01-31 | 2010-08-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silphenylene-bearing polymer, photo-curable resin composition, patterning process, and substrate circuit protective film |
KR100932770B1 (ko) | 2007-12-18 | 2009-12-21 | 전북대학교산학협력단 | 포지형 감광성 폴리이미드 수지 및 이의 조성물 |
WO2009113490A1 (ja) | 2008-03-14 | 2009-09-17 | ナガセケムテックス株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US8703367B2 (en) | 2008-09-29 | 2014-04-22 | Cheil Industries Inc. | Positive photosensitive resin composition |
KR20100103393A (ko) | 2009-03-12 | 2010-09-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규 폴리이미드 실리콘 및 이것을 함유하는 감광성 수지 조성물, 및 패턴 형성 방법 |
US8263308B2 (en) | 2009-03-12 | 2012-09-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Polyimide silicone, photosensitive resin composition containing the novel polyimide silicone, and method for pattern formation |
EP2228400A1 (en) | 2009-03-12 | 2010-09-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Novel polyimide silicone, photosensitive resin composition containing the novel polyimide silicone, and method for pattern formation |
EP2333015A2 (en) | 2009-12-10 | 2011-06-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photo-curable resin composition, pattern forming method and substrate protecting film, and film-shaped adhesive and adhesive sheet using said composition |
US8673537B2 (en) | 2009-12-10 | 2014-03-18 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photo-curable resin composition, pattern forming method and substrate protecting film, and film-shaped adhesive and adhesive sheet using said composition |
US9176381B2 (en) | 2009-12-29 | 2015-11-03 | Cheil Industries Inc. | Positive type photosensitive resin composition |
US8841064B2 (en) | 2010-12-31 | 2014-09-23 | Cheil Industries Inc. | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and semiconductor device including the photosensitive resin film |
US9405188B2 (en) | 2013-12-19 | 2016-08-02 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Positive photosensitive resin composition, photosensitive resin film prepared by using the same, and display device |
KR20170108949A (ko) | 2015-01-27 | 2017-09-27 | 도레이 카부시키가이샤 | 수지, 감광성 수지 조성물 및 그들을 사용한 전자 부품, 표시 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR0148011B1 (ko) | 1998-08-01 |
DE69031933T2 (de) | 1998-05-14 |
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