JPH03194930A - 半導体材料のエッチング装置 - Google Patents
半導体材料のエッチング装置Info
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- JPH03194930A JPH03194930A JP2320600A JP32060090A JPH03194930A JP H03194930 A JPH03194930 A JP H03194930A JP 2320600 A JP2320600 A JP 2320600A JP 32060090 A JP32060090 A JP 32060090A JP H03194930 A JPH03194930 A JP H03194930A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、集積回路とその他の電気的デバイスの製造方
法と装置に関するものであり、より詳細には、半導体材
料をエツチングするための改良された方法と装置に関す
る。
法と装置に関するものであり、より詳細には、半導体材
料をエツチングするための改良された方法と装置に関す
る。
従来の技術及び課題
集積回路の製造の際には、ウェーハ上に複数の膜が被着
される。これらの膜は、電子装置に所望の機能を僑える
べく、選択的にパターン化され、エツチングされ、ドー
ピングされ、化学反応その他が施される。パターン形成
処理には、種々の既知のパターン転写方法(例えば、パ
ターンマスクを用いて像を被着膜に転写する方法)が用
いられている。被着膜が7オトレジスト層のようなパタ
ーンマスクで覆われた後、被着膜の露出部分が除去され
る。
される。これらの膜は、電子装置に所望の機能を僑える
べく、選択的にパターン化され、エツチングされ、ドー
ピングされ、化学反応その他が施される。パターン形成
処理には、種々の既知のパターン転写方法(例えば、パ
ターンマスクを用いて像を被着膜に転写する方法)が用
いられている。被着膜が7オトレジスト層のようなパタ
ーンマスクで覆われた後、被着膜の露出部分が除去され
る。
エツチング処理は、半導体製造では被着膜の露出部分を
除去する際に広く利用される。露出部を除去する為の方
法の1つに乾式、即ちRF−プラズマ補助エツチング処
理があり、これは低圧気体放電という形でプラズマを利
用するものである。
除去する際に広く利用される。露出部を除去する為の方
法の1つに乾式、即ちRF−プラズマ補助エツチング処
理があり、これは低圧気体放電という形でプラズマを利
用するものである。
このエツチング処理は、レジス1ヘパターンのiIM度
転写を可能にする。
転写を可能にする。
幾つかの例をに於いて、エツチング用試薬は処理室外で
活性化されるが、そこでは処理室内で発生したプラズマ
によって被HA’Aが破壊される可能性がある。この励
起が処理室外で行われる時、燐光エツチング処理、下流
エツチング処理、或いは遠隔プラズマエツチング処理と
称されている。もし追加励起が必要である場合には、処
理室で実行することができる。
活性化されるが、そこでは処理室内で発生したプラズマ
によって被HA’Aが破壊される可能性がある。この励
起が処理室外で行われる時、燐光エツチング処理、下流
エツチング処理、或いは遠隔プラズマエツチング処理と
称されている。もし追加励起が必要である場合には、処
理室で実行することができる。
問題は、処理される材料表面上に微粒子が存在する事に
よって欠陥を生ずるという事である。これが、湿式エツ
チング処理から乾式エツチング処理へ移行する理由の1
つである。しかしながら、ある条件下では、遠隔プラズ
マエツチング処理は微粒子を生成し、これがエッチ用試
薬の流れに乗って運搬され、これにより処理材料の表面
が汚染されてしまう。
よって欠陥を生ずるという事である。これが、湿式エツ
チング処理から乾式エツチング処理へ移行する理由の1
つである。しかしながら、ある条件下では、遠隔プラズ
マエツチング処理は微粒子を生成し、これがエッチ用試
薬の流れに乗って運搬され、これにより処理材料の表面
が汚染されてしまう。
ある種の遠隔プラズマエツチング処理は、エッチ用試薬
をマイクロ波空洞を通過する事によって活性化する。エ
ッチ用試薬を含む処理ガスは、マイクロ波空洞を6通し
ている比較的不活性な絶縁材料(例えば石英)から形成
された放電管を通過して流れる。これらの活性化された
処理ガスは、′B′f7Aと共同して石英製の放電管の
内側表面をエツチングして、そこで石英の微粒子を生成
する。不運にも、この石英微粒子は処理気体の流れに乗
って表面へ移動し、必然的に半導体材料の表面に汚染を
生じる。
をマイクロ波空洞を通過する事によって活性化する。エ
ッチ用試薬を含む処理ガスは、マイクロ波空洞を6通し
ている比較的不活性な絶縁材料(例えば石英)から形成
された放電管を通過して流れる。これらの活性化された
処理ガスは、′B′f7Aと共同して石英製の放電管の
内側表面をエツチングして、そこで石英の微粒子を生成
する。不運にも、この石英微粒子は処理気体の流れに乗
って表面へ移動し、必然的に半導体材料の表面に汚染を
生じる。
この様な訳で、処理される表面を汚染しない遠隔プラズ
マエツチング処理が必要である。従って、エツチング処
理されるウェーハの表面にできるだけ近付けてエッチ用
試薬を活性化させ、活性ガスを工程の石英管を通過させ
る際に発生するいかなる汚染も排除することが望ましい
。それに加えて、エッチ用試薬活性化の選択性が増加す
ると、半導体材料のエツチング処理上の制御も増す事に
なるであろう。
マエツチング処理が必要である。従って、エツチング処
理されるウェーハの表面にできるだけ近付けてエッチ用
試薬を活性化させ、活性ガスを工程の石英管を通過させ
る際に発生するいかなる汚染も排除することが望ましい
。それに加えて、エッチ用試薬活性化の選択性が増加す
ると、半導体材料のエツチング処理上の制御も増す事に
なるであろう。
課題を解決するための手段及び作用
本発明は、半導体ウェーハ上の膜によるエツチングのた
めの装置と方法を提供する。本発明の一面は、半導体材
料をエツチング処理の間保持する為の処理室を有する装
置である。先ず、処理室から遠隔的に配置され、処理室
に対して流体交流可能に配置された発生機を、励起上の
準安定状態を達成することのできる注入希ガス(nob
l egaS〉、又は他のガス種から準安定ガスを生
成するために用いる。この処理において、準安定ガスは
励起上特定のエネルギレベルを成す。この準安定ガスは
ウェーハの表面に近接する活性化シン付近の処理室に移
動される。エッチ用試薬の前駆体(orecursor
5ource)は、中にエッチ用試薬ガスを含み、
処理室と流体交流可能に配置されており、活性化ゾーン
付近の処理室用のエツチング用試薬ガスを供給して、半
導体材料を選択的にエツチングするため準安定ガスと混
合し化学反応させる。
めの装置と方法を提供する。本発明の一面は、半導体材
料をエツチング処理の間保持する為の処理室を有する装
置である。先ず、処理室から遠隔的に配置され、処理室
に対して流体交流可能に配置された発生機を、励起上の
準安定状態を達成することのできる注入希ガス(nob
l egaS〉、又は他のガス種から準安定ガスを生
成するために用いる。この処理において、準安定ガスは
励起上特定のエネルギレベルを成す。この準安定ガスは
ウェーハの表面に近接する活性化シン付近の処理室に移
動される。エッチ用試薬の前駆体(orecursor
5ource)は、中にエッチ用試薬ガスを含み、
処理室と流体交流可能に配置されており、活性化ゾーン
付近の処理室用のエツチング用試薬ガスを供給して、半
導体材料を選択的にエツチングするため準安定ガスと混
合し化学反応させる。
本発明の発生機は、−殻内に準安定種の希ガスか他種を
発生機内に設けられた放電管の中へ注入づる注入管を含
む。−旦、希ガスが励起され、準安定ガスに変換される
と、エッチ用試薬ガスとの化学反応の為に取出し管は放
電管からガスを処理室へと運ぶ。
発生機内に設けられた放電管の中へ注入づる注入管を含
む。−旦、希ガスが励起され、準安定ガスに変換される
と、エッチ用試薬ガスとの化学反応の為に取出し管は放
電管からガスを処理室へと運ぶ。
他の実施例では、準安定ガスとエッチ用試薬ガスは活性
ゾーンに於いて、処理室内への注入前に混合される。そ
の好ましい実施例では、準安定ガスはアルゴンで、エッ
チ用試薬ガスはSF6である。更に、発生機の放電管は
石英材料で構成されている。
ゾーンに於いて、処理室内への注入前に混合される。そ
の好ましい実施例では、準安定ガスはアルゴンで、エッ
チ用試薬ガスはSF6である。更に、発生機の放電管は
石英材料で構成されている。
本発明は、従来の乾式エツチング技術に対して、技術的
な利点を提供する。この新規な発明は、遠隔マイクロ波
システムを用いて、エッチ用試薬ガスを活性化する準安
定ガスを励起し、選択的に半導体材料のエツチングを行
う為に用いられる遊離基を生成する。また、処理量を増
加し、工程を平易化し、石英管を破損することなく処理
する能力を高める。更に、希気体を選択的に活性化し、
それを準安定ガスへ変換さVる能力に因って、技術的な
利点も提供する。
な利点を提供する。この新規な発明は、遠隔マイクロ波
システムを用いて、エッチ用試薬ガスを活性化する準安
定ガスを励起し、選択的に半導体材料のエツチングを行
う為に用いられる遊離基を生成する。また、処理量を増
加し、工程を平易化し、石英管を破損することなく処理
する能力を高める。更に、希気体を選択的に活性化し、
それを準安定ガスへ変換さVる能力に因って、技術的な
利点も提供する。
本発明とその利点をより良く理解するために、添付図面
と共に以下の詳細な説明を参照されたい。
と共に以下の詳細な説明を参照されたい。
実施例
第1図は、本発明の5A置の略図で、全体が10で示さ
れている。装置10にはウェーハ14を中に持つ処理v
12が含まれる。ウェーハ14は例えば、シリコン基板
上に被着されたタングステンのような複数の材料、又は
集積回路製造でその他−殻内に用いられる材料から構成
されている。処II!至12へ発生機16が接続されて
おり、発生機16は一般的に注入管18と取出し管20
を含む。
れている。装置10にはウェーハ14を中に持つ処理v
12が含まれる。ウェーハ14は例えば、シリコン基板
上に被着されたタングステンのような複数の材料、又は
集積回路製造でその他−殻内に用いられる材料から構成
されている。処II!至12へ発生機16が接続されて
おり、発生機16は一般的に注入管18と取出し管20
を含む。
取出し管20は、発生1116を処理室12に相互接続
する為に使用される。取出し管20は処理室12の側壁
21を目通して配置され、ウェーハ14にほぼ近接して
処理室12内部に設置された開口部22を有する。
する為に使用される。取出し管20は処理室12の側壁
21を目通して配置され、ウェーハ14にほぼ近接して
処理室12内部に設置された開口部22を有する。
発生機16は共鳴空洞24を持ち、内部に放電管26が
含まれる。共鳴空洞24には2.45GHzで作動する
マグネトロン装置28が接続されている。また、処理室
12へはエッチ用試薬容器30が接続されている。エッ
チ用試薬室30はこれを処理室12に相互接続する取出
し管32を有する。取出し管32は処理室12の側壁2
1を貫通して延び、ウェーハ14の近くで末端開口部3
1を有する。
含まれる。共鳴空洞24には2.45GHzで作動する
マグネトロン装置28が接続されている。また、処理室
12へはエッチ用試薬容器30が接続されている。エッ
チ用試薬室30はこれを処理室12に相互接続する取出
し管32を有する。取出し管32は処理室12の側壁2
1を貫通して延び、ウェーハ14の近くで末端開口部3
1を有する。
動作に於いて、希ガス34が管18に流入され、PIi
雷管26内部で蓄積される。マグネトロン装置28は付
勢されtli電管26内の希ガス34を励起する。希ガ
ス34を励起する事によりガスのエネルギレベルを増し
、準安定ガス36に変換させる事ができる。この準安定
ガス36は特定の処理に用いられる主な希ガス(ini
tial noble gas)によってエネルギ
レベルが様々である。準安定ガス36は取出し管20を
通って処理室12へ流れる。準安定ガス36は最終的に
処理室内の取出し開口部22を出る。
雷管26内部で蓄積される。マグネトロン装置28は付
勢されtli電管26内の希ガス34を励起する。希ガ
ス34を励起する事によりガスのエネルギレベルを増し
、準安定ガス36に変換させる事ができる。この準安定
ガス36は特定の処理に用いられる主な希ガス(ini
tial noble gas)によってエネルギ
レベルが様々である。準安定ガス36は取出し管20を
通って処理室12へ流れる。準安定ガス36は最終的に
処理室内の取出し開口部22を出る。
化学反応を誘導する為に行う希ガスの準安定ガスへの励
起は、−殻内に下記に説明する方式に従う。
起は、−殻内に下記に説明する方式に従う。
R(np6) 、−、R(np5(n+1 >sl)R
この時のRは希ガスか金属のような不活性な原子である
。Rの励起後、準安定状態の原子を作り出す為に、電子
(e)がp軌道から更に高エネルギS軌道へ励起される
。希ガスの代表的なエネルギレベルは下記のように説明
される。
。Rの励起後、準安定状態の原子を作り出す為に、電子
(e)がp軌道から更に高エネルギS軌道へ励起される
。希ガスの代表的なエネルギレベルは下記のように説明
される。
He He Ar K
r Xe Rn489.2 384
.4 268.0 231.4 194.5 160.
1388.5 272.8 245.4 220.7
248.8単位はKcal/アインシュタインである。
r Xe Rn489.2 384
.4 268.0 231.4 194.5 160.
1388.5 272.8 245.4 220.7
248.8単位はKcal/アインシュタインである。
希ガス34が準安定ガス36へ変換される間に、エッチ
用試薬容器30内に含有されたエッチ用試薬前駆体40
は、エッチ用試薬管32を通して活性化ゾーン38へ運
ばれる。この活性化ゾーン38は、一般に取出し開口部
22とウェーハ14の両方から極接近した’*Ijaに
位置する。本発明によれば、エッチ用試薬ガス40は活
性化ゾーン38に於いて準安定ガス36により分解され
、ウェーハ14の表面をエッチ用試薬が選択的にエツチ
ングするのを可能にする。代表的な化学反応メカニズム
は次の通りに説明する事かできる。
用試薬容器30内に含有されたエッチ用試薬前駆体40
は、エッチ用試薬管32を通して活性化ゾーン38へ運
ばれる。この活性化ゾーン38は、一般に取出し開口部
22とウェーハ14の両方から極接近した’*Ijaに
位置する。本発明によれば、エッチ用試薬ガス40は活
性化ゾーン38に於いて準安定ガス36により分解され
、ウェーハ14の表面をエッチ用試薬が選択的にエツチ
ングするのを可能にする。代表的な化学反応メカニズム
は次の通りに説明する事かできる。
CF +M”→CF3十F十M
及び、
CF2+2F+M
この時、M*は準安定ガスである。
エッチ用試薬ガス40の励起は、放電管26、取出し管
20または処理室12に対する破損を排除する為にウェ
ーハ14に近接して実施される。
20または処理室12に対する破損を排除する為にウェ
ーハ14に近接して実施される。
活性化ゾーン38の位置は処理室12内の微粒子の広が
りを縮小する。その結果、処理室12内の微粒子の減少
が、ウェーハ14の表面上の汚染の広がりを縮小する。
りを縮小する。その結果、処理室12内の微粒子の減少
が、ウェーハ14の表面上の汚染の広がりを縮小する。
第2図にある本発明の他の実施例を参照されたい。この
他の実施例は全体を42で示しである。
他の実施例は全体を42で示しである。
装置42は、内部にウェーハ48を有する処理室46を
含む。処理室46は、発生機取出し管54によって発生
機50に接続されている。発生機50は、希ガスの導入
用の注入管52を含む。取出し管54はその末端に開口
部76を持つ。発生機50は内部に放電管60を含む共
鳴空洞58を持ち、これが処理室46に流入する前のガ
スを励起する。また発生1fi50は、ノ」スを活性化
する共鳴空洞58に接続されたマグネトロン装置62を
有し、そしてそれは処理v46へと入り込む。エッチ用
試g5管66は、取出し管54の内側につながる末端開
口部が1つ在る。取出し管54とエッチ用試薬管66は
、その交差する所で活性化ゾーン74を形成する。エッ
チ用試薬管66は、そこに含有されたエッチ用試薬ガス
72を有するエッチ用試薬供給容器64から至る。
含む。処理室46は、発生機取出し管54によって発生
機50に接続されている。発生機50は、希ガスの導入
用の注入管52を含む。取出し管54はその末端に開口
部76を持つ。発生機50は内部に放電管60を含む共
鳴空洞58を持ち、これが処理室46に流入する前のガ
スを励起する。また発生1fi50は、ノ」スを活性化
する共鳴空洞58に接続されたマグネトロン装置62を
有し、そしてそれは処理v46へと入り込む。エッチ用
試g5管66は、取出し管54の内側につながる末端開
口部が1つ在る。取出し管54とエッチ用試薬管66は
、その交差する所で活性化ゾーン74を形成する。エッ
チ用試薬管66は、そこに含有されたエッチ用試薬ガス
72を有するエッチ用試薬供給容器64から至る。
第2図で示されている実施例の動作に於いて、希ガス6
8が注入管52を通して流入され、放電管60の中へ移
動する。希ガス68が放電管60の中で蓄積する間に、
マグネトロン装置62は付勢され希ガス68を励起し準
安定ガス70へ変換する。準安定ガス70は取出し管5
4を通して処理室の外部脇の活性化ゾーン74へと運ば
れる。
8が注入管52を通して流入され、放電管60の中へ移
動する。希ガス68が放電管60の中で蓄積する間に、
マグネトロン装置62は付勢され希ガス68を励起し準
安定ガス70へ変換する。準安定ガス70は取出し管5
4を通して処理室の外部脇の活性化ゾーン74へと運ば
れる。
エッチ用試薬ガス72はエッチ用試薬室64からエッチ
用試薬管66を通り、活性化ゾーン74へ運ばれる。活
性化ゾーン74では、準安定ガス70とエッチ用試薬ガ
ス72が混合され化学反応されて、最終的にウェーハ4
8をエツチングする為に必要なエッチ用試薬を作り出す
。活性化されたガス70と72は、管54を通って開口
部76へ流れ、そして処理室46内のウェーハ48をエ
ツチングする。この代替実施例では、取出し管54は移
動管と活性室の両方の役割を果たす。
用試薬管66を通り、活性化ゾーン74へ運ばれる。活
性化ゾーン74では、準安定ガス70とエッチ用試薬ガ
ス72が混合され化学反応されて、最終的にウェーハ4
8をエツチングする為に必要なエッチ用試薬を作り出す
。活性化されたガス70と72は、管54を通って開口
部76へ流れ、そして処理室46内のウェーハ48をエ
ツチングする。この代替実施例では、取出し管54は移
動管と活性室の両方の役割を果たす。
本発明によれば、準安定ガス36は所定の希ガス34を
選択的に付勢する事によって作り出される。特定の準安
定ガス36の選択によって、エツチング種の分留は準安
定ガス36の特定エネルギに依存する事が発見されてい
る。言い換えれば、ガス状フッ素系化合物のようなエッ
チ用試薬は、ウェーハ14を制御エツチングする為に、
準安定ガス36で選択的に付勢する事ができる。この化
学反応のメカニズムは構成要素の物理化学的性質によっ
て制御される。それ故に、準安定ガス36がエッチ用試
薬ガス40と衝突する時、衝突エネルギーは、ウェーハ
14のエツチングに必要な遊離基を活性化するエッチ用
試薬ガス40の化学的結合を切り離す。本発明の特色の
1つは、特定のエッチ用試薬ガスの化学的結合を選択的
にこわす事のできる特定なTネルギレベルを持つ準安定
がスを選択できることである。かような選択性の一例を
次に述べる。
選択的に付勢する事によって作り出される。特定の準安
定ガス36の選択によって、エツチング種の分留は準安
定ガス36の特定エネルギに依存する事が発見されてい
る。言い換えれば、ガス状フッ素系化合物のようなエッ
チ用試薬は、ウェーハ14を制御エツチングする為に、
準安定ガス36で選択的に付勢する事ができる。この化
学反応のメカニズムは構成要素の物理化学的性質によっ
て制御される。それ故に、準安定ガス36がエッチ用試
薬ガス40と衝突する時、衝突エネルギーは、ウェーハ
14のエツチングに必要な遊離基を活性化するエッチ用
試薬ガス40の化学的結合を切り離す。本発明の特色の
1つは、特定のエッチ用試薬ガスの化学的結合を選択的
にこわす事のできる特定なTネルギレベルを持つ準安定
がスを選択できることである。かような選択性の一例を
次に述べる。
例
シリコン・ナイトライド膜が、65sccm、及びSF
6を50secmの割合でアルゴン・ガスを用いてエツ
チングされた。アルゴン・ガスはマグネトロン発生機を
2450MHzで作動して励起された。処理室の運転条
件は圧力を0.45トル、温度を200℃に設定された
。このような特定の組合わせにより結果として異方性で
、かつ選択的なエツチングが達成される。エツチング率
と選択性はマイクロ波電力を変化させ処理室にRFm力
を加える事によって制御された。エツチング率は温度、
圧力、ガス混合物を変更することにより変えることがで
きる。
6を50secmの割合でアルゴン・ガスを用いてエツ
チングされた。アルゴン・ガスはマグネトロン発生機を
2450MHzで作動して励起された。処理室の運転条
件は圧力を0.45トル、温度を200℃に設定された
。このような特定の組合わせにより結果として異方性で
、かつ選択的なエツチングが達成される。エツチング率
と選択性はマイクロ波電力を変化させ処理室にRFm力
を加える事によって制御された。エツチング率は温度、
圧力、ガス混合物を変更することにより変えることがで
きる。
本発明は、石英管の破壊を除去する点に於いて従来技術
に技術的に優位を示す。又、本発明は、工程の間に取出
し管が破壊される事によって生じる微粒子の生成の広が
りを縮小する。更には、この特定用途によれば、希ガス
が選択できるので、エツチング選択性の範囲が広がる。
に技術的に優位を示す。又、本発明は、工程の間に取出
し管が破壊される事によって生じる微粒子の生成の広が
りを縮小する。更には、この特定用途によれば、希ガス
が選択できるので、エツチング選択性の範囲が広がる。
本発明の好ましい実施例とその利点について、前述の詳
細な説明で開示してきたが、本発明はこれに限定されず
、添付特許請求の範囲の趣旨と範囲に従う。
細な説明で開示してきたが、本発明はこれに限定されず
、添付特許請求の範囲の趣旨と範囲に従う。
以上の説明に関連して更に以下の項を開示する。
(1)半導体材料のエツチング装置であって、エツチン
グ処理の開渠積回路製作品を保持する処理室と、 ガスから準安定ガスを生成する為の前記処理室から遠隔
配置された発生機であって、予め選択されたガスを受け
る流入口と、準安定ガスを放出する取出し口と、前記処
理室との流体交流関係とを有する発生機と、 そこに含有するエッチ用試薬と、前記準安定ガスと化学
反応させて半導体材料を選択的にエツチングする為に前
記エッチ用試薬を処理室に供給するため処理室との流体
交流とを有するエッヂ月賦薬前駆体種と を含むエツチング装置。
グ処理の開渠積回路製作品を保持する処理室と、 ガスから準安定ガスを生成する為の前記処理室から遠隔
配置された発生機であって、予め選択されたガスを受け
る流入口と、準安定ガスを放出する取出し口と、前記処
理室との流体交流関係とを有する発生機と、 そこに含有するエッチ用試薬と、前記準安定ガスと化学
反応させて半導体材料を選択的にエツチングする為に前
記エッチ用試薬を処理室に供給するため処理室との流体
交流とを有するエッヂ月賦薬前駆体種と を含むエツチング装置。
(2)(1)項に2戟したエツチング装置に於いて、前
記発生機が下記を含む。
記発生機が下記を含む。
流入管と、
前記ガスを含有して、前記流入管と流体交流可能な配置
をされた放電管と、 ガスを準安定ガスに変換する為の前記放電管を取り囲む
励起空洞と、 前記放電管と前記処理室に対して流体交流可能な配置を
された取出し管。
をされた放電管と、 ガスを準安定ガスに変換する為の前記放電管を取り囲む
励起空洞と、 前記放電管と前記処理室に対して流体交流可能な配置を
された取出し管。
(3)(2>項に記載した装置に於いて、前記取出し管
が石英で構成されている。
が石英で構成されている。
(4)(1)項に記載したエツチング装置に於いて、前
記ガスはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノン、ラドン、窒素、水銀蒸気、及びこれらの混合物
から構成される群から選択される。
記ガスはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノン、ラドン、窒素、水銀蒸気、及びこれらの混合物
から構成される群から選択される。
(5)(1)項に記載したエツチング装置に於いて、前
記エツチング用試薬ガスはフッ素系化合物である。
記エツチング用試薬ガスはフッ素系化合物である。
(6)半導体材料のエツチング装置であって、エツチン
グ処理の聞辛導体材料を保持する処理室と、 希ガスから準安定ガスを生成する為に、処理室から遠隔
し、そして流体交流可能に配置された発生機と、 そこに含有するエッチ用試薬と、半導体材料を選択的に
エツチングする為に処理室に流入する前に前記準安定ガ
スと混合し化学反応させるため、前記エッチ月賦を供給
する前記処理との流体交流とを有するエッチ月賦薬前駆
体種とを含むエツチング装置。
グ処理の聞辛導体材料を保持する処理室と、 希ガスから準安定ガスを生成する為に、処理室から遠隔
し、そして流体交流可能に配置された発生機と、 そこに含有するエッチ用試薬と、半導体材料を選択的に
エツチングする為に処理室に流入する前に前記準安定ガ
スと混合し化学反応させるため、前記エッチ月賦を供給
する前記処理との流体交流とを有するエッチ月賦薬前駆
体種とを含むエツチング装置。
(7)(6)項に記載したエツチング装置に於いて、前
記発生機が下記を含む。
記発生機が下記を含む。
流入管と、
前記流入管と流体交流可能な配置をされた放電管と、
前記放雷管を取り囲む励起空洞と、
前記放電管と前記処理室に対して流体交流可能な配置を
された取出し管。
された取出し管。
(8)(7)項に記載した装置に於いて、前記取出し管
が石英で構成されている。
が石英で構成されている。
(9)(6)項に記載したエツチング装置に於いて、前
記希ガスはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノン、及びラドンから構成される群から選択される
。
記希ガスはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノン、及びラドンから構成される群から選択される
。
(10)(6)項に記載したエツチング装置に於いて、
前記エツチング用試薬ガスはフッ素系化合物である。
前記エツチング用試薬ガスはフッ素系化合物である。
(11)集積回路製作品の表面を処理室でエツチングす
る方法であって、 遠隔発生機で希ガスを励起し、準安定ガスを造り出す段
階と、 前記準安定ガスを、処理室と流体交流可能に配置された
取出し管を通して流す段階と、処理室内へエツチング用
試薬前駆体を注入して、前記準安定ガスと化学反応ざV
て表面をエツチングする段階と を含むエツチング方法。
る方法であって、 遠隔発生機で希ガスを励起し、準安定ガスを造り出す段
階と、 前記準安定ガスを、処理室と流体交流可能に配置された
取出し管を通して流す段階と、処理室内へエツチング用
試薬前駆体を注入して、前記準安定ガスと化学反応ざV
て表面をエツチングする段階と を含むエツチング方法。
(12) (11)項に記載した方法に於いて、前記
表面はタングステンである。
表面はタングステンである。
(13) <11)項に記載した方法に於いて、前記
エツチング用試薬前駆体はフッ素系ガス化合物である。
エツチング用試薬前駆体はフッ素系ガス化合物である。
(14) (11)項に記載した方法に於いて、前記
希ガスはアルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キ
セノン、ラドン、及びこれらの混合物から選択される。
希ガスはアルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キ
セノン、ラドン、及びこれらの混合物から選択される。
(15) (11)項に記載した方法に於いて、更に
処理室内への注入に先駆けて、前記エッチ用試薬前駆体
を活性化させる段階も含む。
処理室内への注入に先駆けて、前記エッチ用試薬前駆体
を活性化させる段階も含む。
(1G) (11)項に説明した処理方法によって作
製される製品。
製される製品。
(17)電子装置の製造方法であって、放電管で準安定
ガスに変換する為に希ガスを励起する段階と、 前記励起準安定ガスを、処理室と流体交流可能に配置さ
れた取出し管を通して流ず段階と、前記準安定ガスとエ
ッチ用試薬ガスを前記処理室内へ流し込む前に、前記取
出し管内で、エッチ用試薬前駆体化合ガスと励起準安定
ガスとからエッチ用試薬ガスを形成する段階とを含む電
子装置の製造方法。
ガスに変換する為に希ガスを励起する段階と、 前記励起準安定ガスを、処理室と流体交流可能に配置さ
れた取出し管を通して流ず段階と、前記準安定ガスとエ
ッチ用試薬ガスを前記処理室内へ流し込む前に、前記取
出し管内で、エッチ用試薬前駆体化合ガスと励起準安定
ガスとからエッチ用試薬ガスを形成する段階とを含む電
子装置の製造方法。
(18) (17)項に記載した方法に於いて、前記
半導体材料はタングステンである。
半導体材料はタングステンである。
(19) (17)項に記載した方法に於いて、前記
エッチ用試薬ガスはフッ素系化合物である。
エッチ用試薬ガスはフッ素系化合物である。
(20) (17)項に記載した方法に於いて、前記
希ガスはアルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キ
セノン、ラドン、及びこれらの混合物から槙成される群
から選択される。
希ガスはアルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キ
セノン、ラドン、及びこれらの混合物から槙成される群
から選択される。
(21) (17)項に記載した方法に於いて、更に
前記準安定ガスとの混合に先駆けて、エッチ用試薬ガス
を活性化させる段階も含む。
前記準安定ガスとの混合に先駆けて、エッチ用試薬ガス
を活性化させる段階も含む。
(22) (17)項に説明した方法によって作製さ
れる製品。
れる製品。
(23)半導体材料(14)のエツチング装置とエツチ
ング方法を開示する。エツチング装置(10)は、希ガ
ス(34)を準安定ガス(36)に変換する為に処理室
(12)と流体交流可能な配置をされた遠隔の発生機(
16)を有する処理室(12)を含む。エッチ用試薬ガ
ス(40)は次に活性化ゾーン(38)にて準安定ガス
(36)と混合し化学反応する為に、半導体材料(14
)に近接する処理室(12)内へ送り込まれる。準安定
ガス(36)はエッチ用試薬ガス(40)と衝突し、そ
の混合物が半導体材料(14)を選択的にエツチングせ
しめる。
ング方法を開示する。エツチング装置(10)は、希ガ
ス(34)を準安定ガス(36)に変換する為に処理室
(12)と流体交流可能な配置をされた遠隔の発生機(
16)を有する処理室(12)を含む。エッチ用試薬ガ
ス(40)は次に活性化ゾーン(38)にて準安定ガス
(36)と混合し化学反応する為に、半導体材料(14
)に近接する処理室(12)内へ送り込まれる。準安定
ガス(36)はエッチ用試薬ガス(40)と衝突し、そ
の混合物が半導体材料(14)を選択的にエツチングせ
しめる。
第1図は、本発明に基づくエツチング装置の略図、
第2図は、本発明に基づく他のエツチング装置の略図、
である。 主な符号の説明 12.46:処理室 16.50:発生機 24.58:共鳴空洞 26.60:放雷管 28.62:マグネトロン装置 30.64:エッチ用試薬容器 34.68:希ガス 38.74:活性化ゾーン FIC;、 7 2 /
である。 主な符号の説明 12.46:処理室 16.50:発生機 24.58:共鳴空洞 26.60:放雷管 28.62:マグネトロン装置 30.64:エッチ用試薬容器 34.68:希ガス 38.74:活性化ゾーン FIC;、 7 2 /
Claims (2)
- (1)半導体材料のエッチング装置であって、エッチン
グ処理の間集積回路製作品を保持する処理室と、 ガスから準安定ガスを生成する為の前記処理室から遠隔
配置された発生機であつて、予め選択されたガスを受け
る流入口と、準安定ガスを放出する取出し口と、前記処
理室との流体交流関係とを有する発生機と、 そこに含有するエッチ用試薬と、前記準安定ガスと化学
反応させて半導体材料を選択的にエッチングする為に前
記エッチ用試薬を処理室に供給するため処理室との流体
交流とを有するエッチ用試薬前駆体種と を含むエッチング装置。 - (2)(1)項に記載したエッチング装置に於いて、前
記発生機が下記を含む、 流入管と、 前記ガスを含有して、前記流入管と流体交流可能な配置
をされた放電管と、 ガスを準安定ガスに変換する為の前記放電管を取り囲む
励起空洞と、 前記放電管と前記処理室に対して流体交流可能な配置を
された取出し管。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/441,134 US5002632A (en) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | Method and apparatus for etching semiconductor materials |
US441134 | 1989-11-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03194930A true JPH03194930A (ja) | 1991-08-26 |
Family
ID=23751679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2320600A Pending JPH03194930A (ja) | 1989-11-22 | 1990-11-22 | 半導体材料のエッチング装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5002632A (ja) |
EP (1) | EP0429809A3 (ja) |
JP (1) | JPH03194930A (ja) |
KR (1) | KR100194296B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005531479A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 三フッ化塩素の製造装置および製法およびこの装置を備える半導体基板のエッチングプラント |
US9801297B2 (en) | 2015-11-19 | 2017-10-24 | Corning Incorporated | Display screen protector |
Families Citing this family (298)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH088243B2 (ja) * | 1989-12-13 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | 表面クリーニング装置及びその方法 |
JPH05234959A (ja) * | 1991-08-16 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 |
GB2269785A (en) * | 1992-08-14 | 1994-02-23 | Sharp Kk | Etching a surface of a semiconductor |
US5851725A (en) * | 1993-01-26 | 1998-12-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Exposure of lithographic resists by metastable rare gas atoms |
JP2804700B2 (ja) * | 1993-03-31 | 1998-09-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
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