JPH0261064A - メリーゴーランド方式によつて基板を被膜する装置 - Google Patents

メリーゴーランド方式によつて基板を被膜する装置

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JPH0261064A
JPH0261064A JP1141295A JP14129589A JPH0261064A JP H0261064 A JPH0261064 A JP H0261064A JP 1141295 A JP1141295 A JP 1141295A JP 14129589 A JP14129589 A JP 14129589A JP H0261064 A JPH0261064 A JP H0261064A
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substrate
station
substrates
coating
magazines
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JP1141295A
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Andreas Petz
アンドレアス・ペツツ
Dan Costescu
ダン・コステス
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Balzers und Leybold Deutschland Holding AG
Original Assignee
Leybold AG
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空室と該真空室内に配置され友回転可能な
基板ホルダーとを備えた、メリーが一ランド方式によっ
て基板全被膜する装置であって、前記基板ホルダーは、
一定間隔で円形に配置された多数の基板受容部金偏えて
いて、該基板ホルダーによって相当数の基板が、駆動装
置の使用により円軌道に沿って２つのエアロツクステー
ション２７λら出て、それに割り当てられた被膜ステー
ションを経由して、前記エアロツクステーションへ戻る
ように歩進的に搬送さｎるのであり、この場合前記駆動
装置の歩幅及び前記各被膜ステーションの角度位置は、
同一の被膜ステーションが、ある特定の基板受容部の歩
進運動に基づいてその都度同一のエアロツクステーショ
ンに関係付けられるように選定されている装置に関する
。
このような装置の作動は、個々のステツノ間で停止する
ために、導入・導出工程兼びに停止状態の被膜工程によ
って制約されるが、準連続的であると考えることができ
る。
〔従来の技術〕
米国特許第３６５２４４４号明細書には、３個の被膜ス
テーションと唯一のエアロツクステーション金有する冒
頭に記載の形式の装置が開示されている。この公知の装
置は半導体ｔｇ造するために構成されており、この場合
通常は、完全な連続層を形成する目的で稽々の被膜ステ
ーションが使用される。この被膜ステーションに対して
別の処理ステーションが前後に配置されており、同処理
ステーション内では、半導体の前後処理に必要なその他
の処理プロセスが行われる。ところが所定のピッチ円直
径及び相応の投資費用力１ら判断すると、処理能力は、
エアロツク室の排気金倉めｔ導入・導出に相当な時間金
製するためにそれだけですでに限界に達している。
しかるに、被膜プロセス自体及び／又は前後処理に僅か
な時間しか要しないところの被膜作業ないしは製品が連
続的に存在する場合に、このようなプロセスないしは製
品に対して公知の装置を使用すれば非常に不経済になる
であろう。
このような製品の例はいわゆるＣＤプレートであって、
同Ｃ１）プレートにおいては、例えばアルミニウムのよ
うな高度の光沢を持つ迅速に被膜され得る材料の唯一の
層を片面にのみ形成しなければならない。
さらにこの種の装置の運転に際しては、いわゆる積載ス
テーションがＭ要である。この積載ステーションによっ
て、この種の装置の全自動の積み降ろしが可能になる。
この種の積載ステーションハ、付属のマガジンステーシ
ョンと関係して比較的費用を要し、しかも同積載ステー
ションの動作サイクルは、公知の装置の動作が相対的に
緩慢なために十分に利用することができない。
〔発明が解決しようとしている課題〕
それゆえ本発明の基礎とする課題は、処理能力を本質的
に向上させ、しかもマガジンステーションの装填ないし
排出が原因のいわゆる無駄時間を回避するという方針に
沿って冒頭に記載の形式の装置を改良することにある。
〔本発明の課題を解決するための手段〕この課題は本発
明によれば、２つのエアロツクステーションの各々には
、基板ホルダー？持つ１つの回転可能な基板円板を備え
た引き渡し装置がそれぞれ１つ割り当てられており、こ
の場合前記各基板円板は複数のマガジンと共働するので
あって、該マガジンの各々は、基板の少なくとも２つの
積み重ね体を有しており、さらに該マガジンの各々と、
それぞれ１つの反転装置又は基板移送装置とが共働する
のであって、該反転装置は、前記基板を前記マガジンた
ら前記基板円板の前記基板ホルダーへ搬送し又その逆向
きにも搬送することにより解決される。
好ましくは、前記両エアロツクステーションと前記引き
渡し装置とが共働するのであって、該引き渡し装置には
、前記基板を収容するための多数の基板ホルダーを備え
た、回転軸の回りで回転する基板円板が関係付けられて
おり、この場合前記基板ホルダーは、円弧上に一定間隔
で配置されていて、しかも駆動装置の利用によって歩進
的に移動可能である。
本発明の装置のその他の有利な構成はその他の従属請求
項から明らかである。
〔実施例〕
本発明の実施例は、以下において第１〜５図に基づいて
詳細に説明される。
第１図には真空室１が示されており、同真空室の外側の
包囲面は、偏平な中空シリンダで構成されていると表現
することができる。即ち、上部の円環状の室天井２及び
それと完全に同一の円環状の室床３は、内側枠４と外側
枠５とによって相互に結合されている。この非常に平坦
な真空室１の外形は特に第２１から明ら刀）である。真
空室１の内部には、同様に円環状の基板ホルダー６が回
転駆動可能に取り付けられている。これについてに第６
，４丙との関連においてさらに詳細に説明する。したし
ながらこの配置を輪郭的に円環に一致させる必要はなく
、真空室全円筒状に構成することもできる。
基板の移送方向に矢印Ｔによって示唆されている。真空
室１には２つの同一のエアロツクステーション８，９が
備えられており、同エアロツクステーションについては
第４図に関連して詳細に説明する。真空室１の上側には
さらに２つの被膜ステーション１０．１１が配置されて
いる。
この被膜ステーションｉｏ、１ｉには持上げ機構が割り
当てられておジ、同持上げ機構は、旋回可能なカンチレ
バー１３と案内管１４と持上げシリンダ１５とから成る
もので、陰極の又換を可能にしている。
特に第１図の平面図に見られるように、各エアロツクス
テーション８，９には１つの積載ステーション１６ない
し１７と４つのマガジン１８゜１８′，　１８″、　１
８”ないし１９．１９′，１９”。
ｉ　ｒが割り当てられている。積載ステーション１６．
１７とマガジン１８．１８’；・・・ないし１９．１９
′，・・・との間には、回転する基板円板２０ａないし
２１ａ’に備える引き渡し装置２０ないし２１が配置さ
れている。
各積載ステーション１６．１７はそれぞれ２つのつ刀≧
み２２，２３ないし２２’　、　２３’を有しておυ、
同つ刀）みは、共通の回転軸２４　、２４’に直径上で
向きケ逆にして固定されている。この回転軸２４　、２
４’は、一方のつ刀）み２３゜２３’によってエアロツ
クステーション９．８の上に位置する基板２８．２６”
ｋ、そして同時に他方のつかみ２２　、２２’によって
引き渡し装置２０．２１の上に位置する基板２６”　、
　２６“′ｔそれぞれ選択的につかんだり離したりする
ことができるように、−万では引き渡し装置２０゜２１
に対して、そして他方ではエアロツクステーション８．
９に対して位置付けられている。
各々のマガジン１８．１８′，・・・ないし１９゜１９
′、・・・は、マガジンタレットとして構成された２つ
の基板倉２５．２５′，−・・ないし２７゜２１′、・
・・全有しており、同基板倉内には、基板２６　、２６
’　、・・・の積み蔦ね体６９．７０がそれぞれ２個収
納されている。このマガジン１８ないし１９にはそれぞ
れさらに１つの反転手段２８．２８′，・・・ないし２
９．２９′，・・・が付設されている。
つかみ２２　、２２’ないし２３　、２３’の回転運動
全考慮して、同つかみの回転軸２４　、２４’にはそれ
ぞれ２つの緩衝器３０．３０′が設けられている。積載
ステーション１６．１７は保賎カバー３１　、３１’で
囲まれており、全体的には重置対称面Ｅ−Ｅ（第１図）
に関して左右対称に配置されている。
第２図力≧ら補足的に明らかなように、積載ステーショ
ンへの到達を実現するために、前記保護カバー３１は、
案内レール３２　、３２’　、　３２”によって、実線
で示された位置刀１ら一点鎖線で示され次位置３１＆へ
持上げ可能である。真空室１は支柱３３．３３′，・・
・の上に置かれている。
この真空室１にはターボ分子ポンプ３４．３５が接続さ
れ、さらに、基板ホルダー６を歩進的に駆動するための
駆動モーター３６が設けられている。壁部分３７はクリ
ーンルームの境界壁を撮像している。
第４図には真空室１の粗部、即ち室の天井２゜室の床３
そして枠４，５が明瞭に示されている。
室の天井２にはシリンダ状の空所が配設されており、同
空所をエアロツク室の上部３８が十分な半径方向の隙間
？もって貫通している。
このエアロツク室の上部３８は、シリンダ状の内部空室
３９を有し、さらに上端部においてはシール面４０ａ？
備えるフランク４０ｋＮしている。このシール面内に７
−ルリング４１が装着されている。上部３８１はベロー
ズ４２によって気否的に真空室１に連結さ几ている。
エアロツク室の上部３８はさらに下方のシール面４０ｂ
ｌ有しており、同シール面円には別のシールリング４３
が装着されている。
さらにエアロツクステーション８．９には、エアロツク
室の上部３８に割り当てられて、駆動さ几るものであっ
て、しかも前記シリンダ状の円部空室３９に十分に満た
すところの、シール縁４５を備える押しのけ体４４が付
設されている。この押しのけ体４４は、調節手段４６に
基づいてポール結合部４７？ｌ−もって、ピストンロッ
ド４８に結合されており、同ぎストンロッドは駆動シリ
ンダ４９に属している。この駆動シリンダ自体は、支柱
５０’に介してフランク４０に結合されており、その結
果エアロツクステーション全体の軸線Ａ１−Ａ１に対す
る押しのけ体４４のセンタリングは間違いなく保証され
る。駆動シリンダ４９全用いてシール縁４５を、エアロ
ツク室の上部３８の上方のシール面４０ａないしはシー
ルリング４１の上に気密的に載置することができる。
７ランシ４０と真空室１との間には、図面は示されてい
ない駆動装置が存在し、同駆動装薗によって上部３８の
下方のシール面４０ｂが基板ホルダー６の上面に気密的
に当接せしめられる。
さらにエアロツクステーションｇ、９は、エアロツク室
の下部５１を有しており、同エアロツク室の下部は、管
状の中空体として博成されるとともに、別のベローズ５
３のための固定フランク５２を有している。このベロー
ズは、下部５１１に同心的に取り囲むとともに、同下部
全室の床３に気密的に結合して１Ａる。この室の床への
結合を目的として袋リング５４が使用される。
下部５１（ζ、同様にシールリング５６が装着されて勝
る上方のシール面５５全有している。
前記ベローズ５３を連結手段として、下部５１は、前記
軸線Ａ１−Ａｙｌに沿って限度をもって可動的に室の床
３ヶ通して案内されている。この時の同軸的な垂直運動
は駆動シリンダ５７によって引き起こされる。この駆動
シリンダは、支柱５８を介して真空室１に固定されてお
り、そのピストンロッド５９は、フォーク状の揺り腕６
０の一端部に作用し、同揺り腕の他端部は枢軸６１’に
介して室の床３に連結されている。
揺り腕６０は、ピストンロッド５９の係合点と枢軸６１
との中間において、図示されていない別の枢着部によっ
て前記エアロツク室の下部５１に連結されており、その
結果駆動シリンダ５７の操作によって同下部５１を持上
げたり降ろしたジすることができる。エアロツク室の下
部５１の内側には、持上げロッド６２が同軸的に配置さ
れており、同持上げロッドは、シール面５５を越えて上
方へ持上げ可能であって、基板受容部６３に係合させる
ことができる。この基板受容部は基板２６の同心的な孔
内に嵌入する。
持上げロッド６２と基板受容部６３紫用いて、基板２６
ｔ１実線で示された位置と一点鎖線で示された位置との
間で移動させることができる。
前者の位置においては、基板２６は、基板ホルダー６の
平坦なシリンダ状の凹部内にあり、この時基板受容部６
３は、符号で示されていないフランクによって、基板ホ
ルダー６の同様に符号で示されていない支持肩に支えら
れている。
この位置において基板２６は真空室１を通して歩進的に
移送せしめられる。持上げロッド６２と基板受容部６３
との結合は、持上げロンド６２の上昇時にセンタリング
コーン６４ｔ＝介して行われる。このセンタリングコー
ンは基板受容部６３の相補的な孔内に嵌入する。基板２
６′の上方の位置は、つかみ２２　、２２’ないし２３
゜２３′の使用によって基板が旋回せしめられて軸線Ａ
１−Ａ１内に入ったり同軸線から出たりすることができ
る位置を表して（ハる（第１図参照几エアロツク室の下
部５１は吸引接続管６５を介して真空ポンプに接続され
、かつ溢流路６６に基づいて換気可能である。
第４図についてさらに補足すると、押しのけ体４４の図
示の位置とエアロツク室の上部３８及び下部５１の図示
の位置は作動中に同時には発生しない。基板ホルダー６
に対す゛る上部３８及び下部５１の図示位置は、押しの
け体４４が点線で示された位置、即ち上部３８を密閉し
た位置にある時にの与実現可能である。逆に押しのけ体
４４が持上げられた位置にある時は、真空室１に周囲の
空気が流入しないようにするために、シール面４０ｂ、
５５が基板ホルダー６に当接していなければならない。
この装置の作動態様を関連性をもって説明する。
基板ホルダー６には、２つのエアロツクステーション８
．９の利用によって基板２６　、２６’　。
・・・が導入される。それもエアロツクステーション８
では第１．第３．第５．第７．・・・の凹部にそれぞれ
１つの基板が装着され、そしてエアロツクステーション
９でに第２．第４．第６．第８、・・・の凹部６７　、
６７’にそれぞれ１つの基板が装着される。奇数番目の
凹部と偶数番目の凹部に存在する基板はそれぞれ１つの
ｍを構成する。その都度１つのつ７Ｑｓみ２２　、２２
’が１つの基板を付属の引き渡し装置２０．２１刀λら
受取シ、そして回転軸２４の回りで旋回させて同基板を
第４図の一点鎖線で示され定位置まで運ぶ。
基板がこの位置にある時に、基板受容部６３が持上げロ
ッド６２によって押し上げられて、環状突起をもって下
方７Ｄ）ら基板の円形の中心空所内に入ジ込み、そして
同基板を確実に保持する。
この時点で積載ステー７：＋７の前記つかみは基板を解
放し、同基板は今や持上げロッド６２の下降によって、
第４図の実線で示された位置まで運ばれる。基板２６が
基板ホルダー６の凹部６７に装着されると直ちに、基板
受容部６３もま念基板ホルダー６の環状肩部の上に当接
し、そしてセンタリングコーン６４は基板受容部６３刀
）ら離れる。この時−第４図の状態と対照的に一基板ホ
ルダー６とエアロツク室の上部３８及び下部５１とが密
着していることは明白である。基板２６が沈下した直後
に、押しのけ体４４が基板２６の上方の内部空室３９内
に導入される（点線で示された位置）。この時シール面
４０ａと７−ル縁４５とが密着する。−真空ポンプが連
続的に作動している状態で一エアロツク室の上部３８に
持上げられ、エアロツク室の下部５１は沈下せしめられ
る。この状態が第４図に示されている。今や装置は運転
状態にあり、同装置において基板ホルダー６はある歩幅
で、即ち２目盛り角度ずつ歩進せしめられる。
前記基板２６が歩進を続けて被膜ステーション１０に到
達し、そこで停止せしめられると直ぐに、同基板は、タ
ーゲットから出る材料で被膜される。
被膜工程が終了すると、この被膜されて完成した基板が
再び同じエアロツクステーション８に到達するまで、同
基板は基板ホルダー６によって再び歩進ぜしめられる。
基板の導出工程は、導入工程をちょうど逆にして行われ
る。即ち、まず基板ホルダー６にエアロツク室の−Ｌ部
３８及び下部５１が密着し、その後内部空室３９が注気
され、押しのけ体４４が持上げられる。続いて直ぐに、
基板２６も持上げロンドロ２によって一点鎖線で示さ几
た位置１で持上げられ、そしてつ刀＼み２２゜２２′な
いし２３　、２３’のいずれか１つによって把持され、
その領域から回転軸回υの旋回により増９出される。再
び続いて直ぐに、新たなまだ被膜されていない基板が、
回転軸２４回シのつかみの回転によって同じ位ｉｔで運
ばれる。
その後の導入工程においては前述の方法が繰り返される
。
第１図に示すように、各引き渡し装置２０゜２１は８個
の基板２６　、２６’　、・・・のための８個のホルダ
ー８５　、８５’　、・・・ないし８６　、８６’　。
・・・をそれぞれ有しており、この場合＠６８゜６８′
の回りで回転可能に支承された基板円板２０ａ、２１ａ
は、各工程ごとに基板位置１個分ずつ、即ち所定角度ず
つ連続的に回転する。
各工程において、反転装置２８．２９あるいは反転装置
２８’　、　２９’が基板２６．２６′，・・・全基板
円板２０ａ、２１　ａ上に載置する一万、反転装置２８
″、　２９”ないしは２８”　、　２９″′は基板２６
．２６′，・・・全基板円板２０ａ、２１ａから取り上
げるとともに、その都度マガジン２５″２５″ないしは
２γ′、　２７ｔｔｔの積み基ね体６９゜７０の１つに
同基板を載置する。
支持板７１において軸線Ｔ２の回りで旋回可能に保持さ
れ念、２つの前後に位置する円板−積み亘ね体６９．７
０を備えるマガジン構造に代えて、第７図に詳細に示す
ような、２つの円板−積み重ね体７７．７８が移動可能
な単一マガンン内に配置されているマガジン構造を採用
することもできる。
第７図は、垂直に移動可能な単一マガジンと２つの引き
渡し装置２０．２１とを備える装置例を示している。こ
の引き渡し装置においては基板円板２０ａ、２１ａの上
に反転装置に代えて、基板移送装置７３．７４が設けら
れている。
この基板移送装置には、水平面内で移動可能なアーム７
５．７５′，・・・ないし７６．７６′，・・・が備え
付けられており、同アームは基板２６゜２６′、・・・
全同基板移送装置から外へ出して円板−積み重ね体７７
．７．７′，・・・ないし７８．７８′，・・・内へ送
る。使用すべき円板−積み重ね体７７ないし７８が外側
に位置するか又は１７３ｇＡｔ１に位置するかにしたが
って、対応するアーム１５゜７５′、・・・ないし７６
　、７６’　、・・・が、半径方向Ｐ。
Ｐ′に沿って基板移送装置７３ないし７４から外側へ大
きく又は小さく出される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の被膜装置全体の平面図、第２図は、
第１図の矢印■から見た被膜装置の正面図、 第３図は、被膜装置の基板ホルダーの平面間、第４図は
、被膜装置の両エアロツクステーションのいずれか１つ
の拡大垂直断面図、第５図は、マガジンが付設された両
引き渡し装置を示すところの全体的な装置の斜視図、第
６図は、２つの基板−積み重ね体と１つの反転装置金偏
える第５図のマガジンの拡大図、第７図は、カセット式
のマガジンを備えている第５図に類似の装置の斜視図で
ある。 １・・・真空室、６・・・基板ホルダー　８，９・・・
エアロツクステーション、１０．１１・・・被膜ステー
ション、１８．１８′，・・・、１９．１９′，・・・
８３　、８３’　、・・・、　８４　、８４’　、・・
・・・・マガジン、２０．２１・・・引き渡し装置、２
０ａ、２１ａ・・・基板円板、２２．２２′，２３．２
３’・・・つかみ、２６．２ｔ＋′，・・・基板、２８
．２８′，・・・２９゜２９′、・・・・・・反転装置
、３６・・・駆動装置、６３゜６３′、・・・・・・基
板受容部、６８　、６８’・・回転軸、６９、．７０，
７７、　１１′、・・・、　　７８　、　７８’　、・
・・・・・積み重ね体、７３．７４・・・基板移送装置
、７９　、７９’・・・吸引ヘッド、８ｏ・・・水平軸
、８１゜８２・・・アーム、８５　、８５’　、・・・
、８６．８６′，・・・・・・基板ホルダー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、真空室（１）と該真空室内に配置された回転可能な
    基板ホルダー（６）とを備えた、メリーゴーランド方式
    によつて基板（２６，２６′，・・・）を被膜する装置
    であつて、前記基板ホルダーは、一定間隔で円形に配置
    された多数の基板受容部（６３，６３′，・・・）を備
    えていて、該基板ホルダーによつて相当数の基板（２６
    ，２６′，・・・）が、駆動装置（３６）の使用により
    円軌道に沿つて少なくとも１つエアロックステーション
    （８，９）から出て、それに割り当てられた被膜ステー
    ション（１０，１１）を経由して、前記同一のエアロッ
    クステーション（８，９）へ戻るように歩進的に搬送さ
    れるのであり、この場合前記駆動装置（３６）の歩幅及
    び前記各被膜ステーション（１０，１１）の角度位置は
    、同一の被膜ステーション（１０，１１）が、ある特定
    の基板受容部（６３，６３′，・・・）の歩進運動に基
    づいてその都度同一のエアロックステーション（８，９
    ）に関係付けられるように選定されている装置において
    、 前記各エアロックステーション（８，９）には、基板ホ
    ルダー（８５，８５′，・・・ないし８６，８６′，・
    ・・）を持つ１つの回転可能な基板円板（２０ａ，２１
    ａ）を備えた引き渡し装置（２０，２１）がそれぞれ１
    つ割り当てられており、この場合前記各基板円板（２０
    ａ，２１ａ）は複数のマガジン（１８，１８′，・・・
    ないし１９，１９′，・・・又は８３，８３′，・・・
    ないし８４，８４′，・・・）と共働するのであつて、
    該マガジンの各々は、前記基板（２６，２６′，・・・
    ）の少なくとも２つの積み重ね体（６９，７０ないし７
    ７，７７′，・・・、７８，７８′，・・・）を有して
    おり、さらに該マガジンの各々と、それぞれ１つの反転
    装置（２８，２８′，・・・ないし２９，２９′，・・
    ・）又は基板移送装置（７３，７４）とが共働するので
    あつて、該反転装置は、前記基板を前記マガジンから前
    記基板円板の基板ホルダーへ搬送し又その逆向きにも搬
    送することを特徴とする被膜装置。 ２、前記エアロックステーション（８，９）と前記引き
    渡し装置（２０，２１）とが共働するのであつて、該引
    き渡し装置には、前記基板（２６，２６′，・・・）を
    収容するための多数の基板ホルダー（８５，８５′，・
    ・・ないし８６，８６′，・・・）を備えた、回転軸（
    ６８，６８′）の回りで回転する基板円板（２０ａ，２
    １ａ）が関係付けられており、この場合前記基板ホルダ
    ーは、円弧上に一定間隔で配置されていて、しかも駆動
    装置の利用によつて歩進的に移動可能であることを特徴
    とする請求項１に記載の被膜装置。 ３、前記各々の引き渡し装置（２０，２１）には、複数
    の、例えば４つのマガジン（１８，１８′・・・ないし
    １９，１９′，・・・又は８３，８３′，・・・ないし
    ８４，８４′，・・・）が割り当てられており、該マガ
    ジンの各々には、１つの反転装置（２８，２８′，・・
    ・ないし２９，２９′，・・・）が備え付けられており
    、該反転装置のつかみ又はアーム（８１，８２）は、水
    平軸（８０）の回りで旋回可能であつて、しかも前記基
    板（２６，２６′，・・・）を持上げたり降ろしたりす
    るための吸引ヘッド（７９）が備え付けられていること
    を特徴とする請求項１又は２に記載の被膜装置。 ４、前記各引き渡し装置（２０，２１）には、複数のマ
    ガジン（８３，８３′，・・・ないし８４，８４′，・
    ・・）が割り当てられており、該マガジンの各々は、２
    つの前後に位置する基板積み重ね体（７７，７７′，・
    ・・，７８，７８′，・・・）を有しており、この場合
    前記引き渡し装置（２０，２１）の前記基板円板（２０
    ａ，２１ａ）の平面上には、基板移送装置（７３，７４
    ）が配設されており、該基板移送装置のアーム（７５，
    ７５′，・・・ないし７６，７６′，・・・）は、前記
    基板円板（２０ａ，２１ａ）と平行な平面内において、
    半径方向（Ｐ，Ｐ′）に沿つて前記回転軸（６８，６８
    ′）から前記マガジン（８３，８３′，・・・ないし８
    ４，８４′，・・・）の前記基板積み重ね体（７７，７
    ７′，・・・，７８，７８′，・・・）まで移動可能で
    あり、この場合前記アームの自由端には、前記基板（２
    ６，２６′，・・・）を受け止めるための保持フィンガ
    ー又は吸引ヘッド（７９，７９′）が備え付けられてい
    ることを特徴とする請求項１又は２に記載の被膜装置。 ５、前記基板（２６，２６′，・・・）を搬送するとこ
    ろの被膜装置の構成要素、とりわけ前記基板ホルダー（
    ６）、つかみ（２２，２２′ないし２３，２３′）を備
    える前記エアロックステーション（８，９）、前記基板
    円板（２０ａ，２１ａ）そして前記反転装置（２８，２
    ８′，・・・ないし２９，２９′，・・・）もしくは前
    記基板移送装置（７３，７４）が、中心となつて電気制
    御回路によつて同期的に制御可能であることを特徴とす
    る前記各請求項のいずれか１つに記載の被膜装置。 ６、前記基板（２６，２６′，・・・）を前記マガジン
    （１８，１８′，・・・ないし１９，１９′，・・・な
    いし８３，８３′，・・・ないし８４，８４′，・・・
    ）から前記基板円板（２０ａ，２１ａ）の前記基板ホル
    ダー（８５，８５′，・・・ないし８６，８６′，・・
    ・）へ搬送する反転装置又は移送装置（２８，２９又は
    ７３，７４）の動作は、前記基板ホルダー（６）の動作
    に同期して歩進的に実行され、この場合各々の制御ステ
    ップに際して、引き渡し装置（２０，２１）の前記反転
    装置（２８，２８′，ないし２９，２９′，・・・）又
    は前記移送装置（７３，７４）のその都度２つの駆動モ
    ーターのスイッチが切られていることを特徴とする請求
    項１〜５のいずれか１つに記載の被膜装置。
JP1141295A 1988-08-12 1989-06-05 メリーゴーランド方式によつて基板を被膜する装置 Pending JPH0261064A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6070341A (en) * 1990-08-29 2000-06-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US7089680B1 (en) 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39756E1 (en) * 1990-08-29 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39776E1 (en) 1990-08-29 2007-08-21 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
EP3089367A1 (en) 2015-04-27 2016-11-02 Renesas Electronics Corporation Dynamic voltage-clamping circuit for a semiconductor element

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5174827A (en) * 1989-07-26 1992-12-29 Consorzio Ce.Te.V Centro Tecnologie Del Vuoto Double chamber vacuum apparatus for thin layer deposition
EP0448782B1 (de) * 1990-03-26 1993-06-16 Leybold Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen eines Werkstücks in eine Vakuumkammer
DE69108079T2 (de) * 1990-03-30 1995-11-02 Sony Corp Sputteranlage.
US5186594A (en) * 1990-04-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
US5197089A (en) * 1990-05-21 1993-03-23 Hampshire Instruments, Inc. Pin chuck for lithography system
DE69113553T2 (de) * 1990-07-23 1996-06-20 Dainippon Screen Mfg Schnittstellenvorrichtung zum Transportieren von Substraten zwischen Verarbeitungsgeräten.
US5660693A (en) * 1991-01-18 1997-08-26 Applied Vision Limited Ion vapour deposition apparatus and method
US5165340A (en) * 1991-03-06 1992-11-24 Karlyn William M Multicolor printing system for the silk-screen printing of compact discs
DE4127341C2 (de) * 1991-08-19 2000-03-09 Leybold Ag Vorrichtung zum selbsttätigen Gießen, Beschichten, Lackieren, Prüfen und Sortieren von Werkstücken
DE4143177C2 (de) * 1991-12-30 1999-08-12 Leybold Ag Beschichtungsanlage
NL9200446A (nl) * 1992-03-10 1993-10-01 Tempress B V Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers).
US5482607A (en) * 1992-09-21 1996-01-09 Nissin Electric Co., Ltd. Film forming apparatus
DE4232959C2 (de) * 1992-10-01 2001-05-10 Leybold Ag Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen scheibenförmiger Substrate
EP0591706B1 (de) * 1992-10-06 2002-04-24 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Kammer für den Transport von Werkstücken
US5609688A (en) * 1993-05-07 1997-03-11 Fujitsu Ltd. Apparatus for producing semiconductor device
DE4340522A1 (de) * 1993-11-29 1995-06-01 Leybold Ag Vorrichtung und Verfahren zum schrittweisen und automatischen Be- und Entladen einer Beschichtungsanlage
DE4408537A1 (de) * 1994-03-14 1995-09-21 Leybold Ag Vorrichtung für den Transport von Substraten
DE4408947C2 (de) * 1994-03-16 1997-03-13 Balzers Hochvakuum Vakuumbehandlungsanlage
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US5585063A (en) * 1994-09-12 1996-12-17 Eastman Kodak Company Apparatus and method for cooling hot disk-shaped objects
US5518599A (en) * 1994-12-14 1996-05-21 Reflekt Technology, Inc. Cross flow metalizing of compact discs
DE19514037C2 (de) * 1995-04-13 1997-09-04 Leybold Ag Transportvorrichtung
US6702540B2 (en) * 1995-11-27 2004-03-09 M2 Engineering Ab Machine and method for manufacturing compact discs
DE19614596C1 (de) * 1996-04-13 1997-05-22 Singulus Technologies Gmbh Vorrichtung zum Transport von Substraten
US5725347A (en) * 1996-05-17 1998-03-10 International Business Machines Corporation Carousel pin stacker
DE29703020U1 (de) * 1997-02-20 1997-04-10 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung für den Transport von Substraten
DE19722408C1 (de) 1997-05-28 1999-03-25 Singulus Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zum getrennten Transportieren von Substraten
DE19807033A1 (de) * 1998-02-19 1999-08-26 Leybold Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten der Außenflächen einer Flasche
DE19807032A1 (de) * 1998-02-19 1999-08-26 Leybold Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Transportieren zu beschichtender zylindrischer Substrate
DE19807031A1 (de) * 1998-02-19 1999-08-26 Leybold Systems Gmbh Schleuseneinrichtung zum Ein- und/oder Ausbringen von Substraten in und/oder aus einer Behandlungskammer
EP0943699B1 (de) 1998-02-19 2003-12-17 Applied Films GmbH & Co. KG Schleuseneinrichtung zum Ein- und/oder Ausbringen von Substraten in und/oder aus einer Behandlungskammer
US5997947A (en) * 1998-04-29 1999-12-07 United Technologies Corporation Rotisserie fixture for coating airfoils
DE19819726A1 (de) * 1998-05-02 1999-11-04 Leybold Systems Gmbh Vakuumbehandlungsanlage zum Aufbringen dünner, harter Schichten
DE19835154A1 (de) 1998-08-04 2000-02-10 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten in einer Vakuumkammer
WO2000055074A1 (en) * 1999-03-18 2000-09-21 Pri Automation, Inc. Person-guided vehicle
AU2001261744A1 (en) * 2000-05-19 2001-12-03 Npd Llc Chewing gums, lozenges, candies, tablets, liquids, and sprays for efficient delivery of medications and dietary supplements
DE10032525A1 (de) * 2000-07-05 2002-01-17 Kammann Maschf Werner Vorrichtung zum Bedrucken von Einzelobjekten
US6679033B2 (en) * 2001-05-14 2004-01-20 F. R. Drake Company Method and apparatus for packing
US8961688B2 (en) * 2002-05-24 2015-02-24 Khs Corpoplast Gmbh Method and device for plasma treating workpieces
DE10332163B4 (de) * 2003-07-15 2008-08-21 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage mit in Clustern angeordneten Prozessstationen
DE10355678B4 (de) * 2003-11-28 2009-03-26 Singulus Technologies Ag Vakuumsystem, Verfahren zum Transport eines Objekts im Vakuum mittels des Vakuumsystems und Verwendung des Vakuumsystems
TW200641880A (en) * 2005-04-26 2006-12-01 Steag Hamatech Ag Process and device for coating disk-shaped substrates for optical data carriers
DE102006056475A1 (de) * 2006-11-28 2008-05-29 Kba-Metronic Ag Mehrbahnige CD-Bedruckungsanlage
DE102009004493B3 (de) * 2009-01-09 2010-06-10 Sovello Ag Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zum Betrieb einer Vakuumbeschichtungsanlage
ES2450118T3 (es) * 2009-03-18 2014-03-24 Oerlikon Advanced Technologies Ag Aparato de tratamiento en vacío
KR102399769B1 (ko) * 2010-12-29 2022-05-19 에바텍 아크티엔게젤샤프트 진공 처리 장치 및 이의 제조 방법

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3652444A (en) * 1969-10-24 1972-03-28 Ibm Continuous vacuum process apparatus
US3776830A (en) * 1971-07-09 1973-12-04 T Endo Process for producing sputtered films
JPS5638468A (en) * 1979-09-06 1981-04-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Loading equipment of wafer
JPS5643158U (ja) * 1979-09-11 1981-04-20
JPS5730341A (en) * 1980-07-30 1982-02-18 Anelva Corp Substrate processing device
JPS5877239A (ja) * 1981-11-04 1983-05-10 Ulvac Corp 連続式真空処理装置
US4501766A (en) * 1982-02-03 1985-02-26 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Film depositing apparatus and a film depositing method
US4465416A (en) * 1982-05-17 1984-08-14 The Perkin-Elmer Corporation Wafer handling mechanism
DE3219502C2 (de) * 1982-05-25 1990-04-19 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Vorrichtung zum automatischen Transport scheibenförmiger Objekte
JPS5950538A (ja) * 1982-09-17 1984-03-23 Hitachi Ltd ウエハ搬送装置
JPS6024370A (ja) * 1983-07-19 1985-02-07 Mitaka Denshi Kagaku Kenkyusho:Kk 試料の連続加工装置
US4553069A (en) * 1984-01-05 1985-11-12 General Ionex Corporation Wafer holding apparatus for ion implantation
JPS60184678A (ja) * 1984-03-02 1985-09-20 Canon Inc 真空処理装置
JPS60230981A (ja) * 1984-05-01 1985-11-16 Canon Inc 気相法堆積膜製造装置
US4759681A (en) * 1985-01-22 1988-07-26 Nissin Electric Co. Ltd. End station for an ion implantation apparatus
AU572375B2 (en) * 1985-01-31 1988-05-05 Boc Group, Inc., The Transporting of workpiece to and from vacuum coating apparatus
JPS6235513A (ja) * 1985-08-09 1987-02-16 Hitachi Ltd 分子線エピタキシ装置
SE456570B (sv) * 1986-01-20 1988-10-17 Applied Vacuum Scandinavia Ab Sett att transportera alster vid en tillverknings- och/eller efterbehandlingsprocess
US4746256A (en) * 1986-03-13 1988-05-24 Roboptek, Inc. Apparatus for handling sensitive material such as semiconductor wafers
EP0244202B1 (en) * 1986-04-28 1994-09-21 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
DE3735284A1 (de) * 1987-10-17 1989-04-27 Leybold Ag Vorrichtung nach dem karussell-prinzip zum beschichten von substraten
JPH01163268A (ja) * 1987-12-21 1989-06-27 Sanraku Inc イリドイド配糖体酵素処理色素の安定化法
JPH02116769A (ja) * 1988-10-27 1990-05-01 Tech Res & Dev Inst Of Japan Def Agency パルス送信装置

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6634116B2 (en) 1990-08-09 2003-10-21 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6487791B2 (en) 1990-08-29 2002-12-03 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6332280B2 (en) 1990-08-29 2001-12-25 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6490810B2 (en) 1990-08-29 2002-12-10 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6301802B1 (en) 1990-08-29 2001-10-16 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6301801B1 (en) 1990-08-29 2001-10-16 Shigekazu Kato Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6330756B1 (en) 1990-08-29 2001-12-18 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6330755B1 (en) 1990-08-29 2001-12-18 Hitachi, Ltd. Vacuum processing and operating method
US6487793B2 (en) 1990-08-29 2002-12-03 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6446353B2 (en) 1990-08-29 2002-09-10 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6457253B2 (en) 1990-08-29 2002-10-01 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6460270B2 (en) 1990-08-29 2002-10-08 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6463678B2 (en) 1990-08-29 2002-10-15 Hitachi, Ltd. Substrate changing-over mechanism in a vaccum tank
US6487794B2 (en) 1990-08-29 2002-12-03 Hitachi, Ltd. Substrate changing-over mechanism in vacuum tank
US6467186B2 (en) 1990-08-29 2002-10-22 Hitachi, Ltd. Transferring device for a vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6467187B2 (en) 1990-08-29 2002-10-22 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6470596B2 (en) 1990-08-29 2002-10-29 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6473989B2 (en) 1990-08-29 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Conveying system for a vacuum processing apparatus
US6484415B2 (en) 1990-08-29 2002-11-26 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6484414B2 (en) 1990-08-29 2002-11-26 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6070341A (en) * 1990-08-29 2000-06-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US6463676B1 (en) 1990-08-29 2002-10-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6112431A (en) * 1990-08-29 2000-09-05 Hitachi, Ltd. Vacuum processing and operating method
US6263588B1 (en) 1990-08-29 2001-07-24 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6499229B2 (en) 1990-08-29 2002-12-31 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6505415B2 (en) 1990-08-29 2003-01-14 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6588121B2 (en) 1990-08-29 2003-07-08 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6625899B2 (en) 1990-08-29 2003-09-30 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6108929A (en) * 1990-08-29 2000-08-29 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6655044B2 (en) 1990-08-29 2003-12-02 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6662465B2 (en) 1990-08-29 2003-12-16 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus
US6880264B2 (en) 1990-08-29 2005-04-19 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6886272B2 (en) 1990-08-29 2005-05-03 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6904699B2 (en) 1990-08-29 2005-06-14 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US6968630B2 (en) 1990-08-29 2005-11-29 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
US7089680B1 (en) 1990-08-29 2006-08-15 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
USRE39756E1 (en) * 1990-08-29 2007-08-07 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39776E1 (en) 1990-08-29 2007-08-21 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39775E1 (en) 1990-08-29 2007-08-21 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39823E1 (en) * 1990-08-29 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
USRE39824E1 (en) 1990-08-29 2007-09-11 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors
US7367135B2 (en) 1990-08-29 2008-05-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and operating method therefor
EP3089367A1 (en) 2015-04-27 2016-11-02 Renesas Electronics Corporation Dynamic voltage-clamping circuit for a semiconductor element

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Publication number Publication date
EP0354294A3 (en) 1990-10-31
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DE58904698D1 (de) 1993-07-22

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