JPH0258729A

JPH0258729A - 磁気ディスク基板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0258729A
Application number: JP63211225A
Authority: JP
Inventors: Fumio Goto; 文男後藤
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1988-08-24
Filing date: 1988-08-24
Publication date: 1990-02-27
Also published as: US5091225A

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、磁気記録装置の１つである磁気ディスク装置
に用いられる磁気ディスクの磁気ディスク基板およびそ
の製造方法に関する。

（従来の技術）近年、ファイル記憶装置における磁気ディスク装置の重
要性が増大し、その記録密度は年々著しい向上が図られ
つつある。これまで磁気記録媒体としては、酸化鉄磁性
粉と有機樹脂バインダーの混合物を基体上に塗布後研摩
したいわゆる塗布型ディスクが広く用いられてきた。塗
布型ディスクでは、磁性粉と有機樹脂バインダーの混煉
層中に潤滑剤を含有させ得ることのほかに、磁性層が０
．５μｍ以上と厚く表面粗さＲｍａｘもこの一割程度の
０．０５ｐｍ前後（ＲａはＲｍａｘの数分の−の０．０
１ｐｍ程度）と比較的大きいため、ヘッド吸着なしに十
分な膜厚の潤滑膜を賦与することができ、磁気ヘッドと
の接触・摺動に対し耐久性が優れている。しかし、今後
さらに高記録密度化を達成するには磁気記録層の薄膜化
が必要であり、塗布型ディスクではこの点が不利となる
。そこで、高密度磁気記録体として、めっき法、スパッ
タ法、蒸着法等によって形成された磁性薄膜を磁気記録
層とする薄膜磁気ディスクが用いられ始めた。

薄膜磁気ディスクの基板としては、従来アルミニウム合
金基板等の基体上にＮｉ合金めっき膜を形成して研磨し
たものが用いられている。通常、この基板は、アルミニ
ウム合金基板上に数ｐｍないし数＋１１ｍの厚さのＮｉ
合金めっき膜をめっき後、ラッピング、ボリシング等の
研磨方法により表面粗さＲａ　Ｏ，０４１１ｍ程度以下
に鏡面研磨して使用される（電気通信研究所研究実用化
報告２６−２．４７１頁、１９７７）。

ところが、この基板に磁性薄膜を形成した場合、通常塗
布型ディスクの磁気記録層の数分の−の膜厚の磁性薄膜
は平滑かつ一様であり、磁気ディスク表面に潤滑剤の滞
留場所がないために極めて少量の潤滑剤しか保持できず
、磁気ヘッドのＣ８５（コンタクト・スタート・ストッ
プ）耐久性が劣るという問題が生じる。また、鏡面研磨
した磁気ディスク表面に液体潤滑剤を塗布した場合、平
滑な表面性を有する磁気へラドスライダ面との間に吸着
を生じ、ディスク起動時に損傷を起こしやすい欠点があ
ったこのため、前記の様に鏡面研磨したＮｉ合金めつき基板
を回転させながら研磨砥粒を含有したテープを接触させ
て同心円状の細い筋（テクスチャ）を形成する方法や、
Ｎｉ合金めっき基板を一度細かい研磨砥粒で鏡面研磨し
た後、粗い研磨砥粒で研磨して表面粗さを増す方法が提
案されている。

（発明が解決しようとする課題）しかし、この様な機械加工により粗面を形成する方法で
は、研磨砥粒中の比較的大きな砥粒や研磨時に混入する
異物等によって信号エラーの原因となる太い研磨筋を生
じやすく、ディスク全面にわたって一様に適度な粗面を
得ることは困難である。こうした不均一な研磨筋は磁性
層の特性に影響を与え、分解能、Ｓ／Ｎなどの記録再生
特性およびサーボ信号品質の劣化を招くという問題があ
った。さらに、機械加工では、得られる表面粗さが、用
いる研磨砥粒の大きさによってほぼ決まってしまうため
、表面粗さを細かく制御することができず、研磨筋の密
度を高めることが困難であった。従って、ヘッド吸着を
防ぎ、十分な膜厚の潤滑膜を賦与するためには、表面粗
さを相当大きくする必要があり、電磁変換特性の低下を
招く問題があった。また、このような精密機械加工は一
括多量生産が難しく、生産性にも問題があった。

本発明の目的は、信号エラーの増加や分解能、Ｓ／Ｎな
どの記録再生特性およびサーボ信号品質の低下がなく、
磁気ヘッドとの吸着を防止して耐久性に優れた磁気ディ
スクを得るための磁気ディスク基板とその製造方法を提
供することにある。

（課題を解決するための手段）本発明による磁気ディスク基板は、基体と、この基体表
面上に付着された多数の微粒子と、さらにこの上に被覆
された非磁性層からなることを特徴としている。

本発明による磁気ディスク基板の基本的な製造方法は、
基体上に多数の微粒子を付着することによって微小突起
を形成し、さらにこの上に非磁性層を被覆する磁気ディ
スク基板の製造方法において、前記非磁性層の膜厚を変
えることによって表面粗さを制御することを特徴として
いる。

本発明による磁気ディスク基板の基本的な構造を示すと
第１図のようになる。図において、１は基板、２は付着
した微粒子、３は非磁性層である。

本発明による磁気ディスク基板を用いたディスクの表面
粗さ（特に、表面の微小突起の高さ、大きさ、形状、密
度等）などの要求条件は、その磁気ディスクが使用され
る条件によってそれぞれ異なる。ヘッドの種類、構造お
よび材質、ヘッドの浮上量、潤滑剤および保護膜の種類
、膜厚などのヘッド・ディスク条件によって、磁気ヘッ
ドとの吸着を防止して耐久性に優れた磁気ディスクを得
るための微小突起の高さ、形状などの条件が各場所に応
じて選択されるが、発明者の検討によれば、以下のこと
が明らかとなった。微小突起の高さは、ディスクとヘッ
ドの衝突を避けるためヘッド浮上量よりも小さく、ヘッ
ドとディスクの密着を避けるための潤滑剤の膜厚よりも
大きいことが望ましい。ヘッド浮上量は、通常０．６１
１ｍ以下、最近のディスク装置では０．３ｐｍ以下、高
密度のディスク装置では０．２ｐｍ以下に設定される。

潤滑剤の膜厚は、薄い場合には単分子層の数人から、厚
い場合の数十、数百穴の間で場合に応じて用いられる。

磁気ヘッドとの吸着を防止して耐久性を向上するために
は、微小突起の高さとしては、数λ以上０．６ｐｍ以下
、好ましくは十数Å以上０．２ｐｍ以下が用いられる。

現在の高密度ディスク装置（線密度２万ＢＰＩ（ビット
パーインチ）以上）の諸条件を考慮すれば、数十Å以上
０．１ｐｍ以下が好ましいことが分かった。微小突起の
大きさは、それが影響を与える記録再生特性の特許度に
よって異なるが、良好な特性を維持するには小さいほう
が好ましい。現在機械的な研磨によって基板表面を荒ら
すことが行なわれているが、これに用いられる研磨砥粒
径は数ｐｍないし０．８ｐｍ程度の場合が多く、加工表
面にはこのような形状が反映される。このため研磨によ
って表面を荒らした場合、記録再生特性を劣化させるこ
とが多い。しかし、微小突起を形成する場合、その大き
さを０．７１１ｍ以下、好ましくは０．４ｐｍ以下にす
ることにより記録再生特性に殆ど影響を与えないことが
明かとなった。磁気ヘッドとの吸着を防止して耐久性を
向上するためには、微小突起の高さが大きいほうが良い
が、微小突起の高さが比較的小さくても微小突起の密度
が大きければ顕著な効果が認められる。微小突起の密度
が大きいほど耐久性に良好な結果が得られた。具体的に
は、微小突起の高さが０．１１１ｍ以上の場合１０ｐｍ
２当たり１個以上、好ましくは５１１ｍ２当たり１個以
上、微小突起の高さが０．１ｐｍ以下の場合５１１ｍ２
当たり１個以上、好ましくは３ｐｍ２当たり１個以上の
密度にすることにより、磁気ヘッドとの吸着防止と耐久
性の向上に顕著な効果があった。上記の非磁性層上の表
面の微小突起に求められる高さ、形状、密度等すなわち
表面粗さは、磁気ディスク基板上に形成される磁性層、
保護層等によって変化する場合には、それに応じて上記
主旨に沿って増減される。

本発明の磁気ディスク基板において用いられる基体とし
ては、基板、または基板上に種々の付加的皮膜が被覆さ
れたもの、例えば基板上に下地厚膜が被覆されたもの、
さらにこの上に下地薄膜が被覆されたものなどがある。

基板としては、通常アルミニウム合金、銅、黄銅、リン
青銅、鉄、チタン等の金属基板か用いられるが、これら
の表面を酸化処理、クロメート処理したものや適当な活
性化処理によりガラス、セラミックス、樹脂等の非金属
基板ないしこれらの複合材料からなる基板なども適用で
きる。下地厚膜、下地薄膜としては、ＮｉＰまたはＮｉ
Ｂの無電解めっき膜を用いることが好ましいが、電気め
っき膜やスパッタ法、蒸着法などによる乾式めっき膜を
用いることもできる。さらに、ＮｉＰ、またはＮｉＢ膜
にＭｎ、　Ｆｅ、　Ｃｏ、　ＡＩ。

Ｔａ、　Ｌｉ、　Ｍｇ、　Ｔｉ、　Ｖ、　Ｃｒ、　Ｃｕ
、　Ｚｎ、　Ｇｅ、　Ｙ、　Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｍｏ、　
Ｒｕ。

Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ａｇ、　Ａｕ、　Ｓｎ、　Ｓｂ、　Ｔ
ｅ、　Ｃｓ、　Ｗ、　Ｒｅ、　Ｐｂ、　Ｂｉ、　Ｌａ、
　Ｃｅ。

Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ａｃ、　Ｂａ、　Ｐｔ、　Ｓｍなどの
少なくとも１種の元素が含有されていてもよく、さらに
これにＰ、　Ｂ、　Ｃ，Ｎ。

０、　Ｓ、　Ａｓ、　Ｎａ、　Ｋ、　Ｆ、　ＣＩ、　Ｂ
ｒ、　Ｉ、　Ｃａなどの非金属が含まれていてもよい。

また、下地厚膜、下地薄膜としては、Ｎｉ合金膜に限定
されることはなく、Ｗ、　Ｍｏ。

Ｃｕ、　Ｓｎ、　Ｚｎ、　Ｒｅ、　Ｍｎ、　Ｆｅ、　Ｏ
ｒ、　Ｃｏ、　Ａｕ、　Ａｇ、　ＡＩ、　Ｔａ、　Ｔｉ
、　Ｖ。

Ｓｉなどの少なくとも１種の元素からなる膜であっても
よく、さらにこれにＰ、　Ｂ、　Ｃ，Ｎ、　Ｏ，Ｓ、　
Ａｓ、　Ｎａ、　Ｋ、　Ｆ。

ＣＩ、　Ｂｒ、　Ｉ、　Ｃａなどの非金属が含まれてい
てもよい。

また、下地厚膜、下地薄膜は各々単層である必要はなく
、金層または各種合金膜との多層であってもよい。下地
厚膜は、平滑な表面精度を得るため、通常、１〜５０￥
１ｍ、好ましくは１０〜３０１１ｍ程度の膜厚の皮膜を
形成した後、研磨加工される。下地薄膜は、通常下地厚
膜以下の膜厚であり、その上の磁性膜の特性の制御、磁
性膜への基板の影響の除去などを目的に形成される。

本発明の磁気ディスク基板において用いられる微粒子は
貴金属微粒子が好ましく、例えば下記の様な方法で基体
表面上に多数付着される。貴金属微粒子付着処理として
は、パラジウム、金、銀などの貴金属塩を主として溶解
した処理液に基体を浸漬し、貴金属粒子を付着させる方
法が好ましいが、湿式あるいは乾式のめっき法即ち、無
電解めっき、電気めっき、スパッタ、蒸着、イオンブレ
ーティング、クラスタイオンビーム蒸着等の処理方法で
パラジウム、金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム、銅
などの貴金属を付着させてもよい。磁気ディスクは、基
板から保護膜・潤滑膜に至るまで、これら貴金属よりも
イオン化傾向の大きい金属（卑金属）を成分とする多層
構造をしている場合が殆どである。従って貴金属の微小
突起による粗面化された状態は安定であり、その後の膜
形成により溶出したり、変質したりする可能性が少ない
。また、これら貴金属は非磁性であり磁気記録体の記録
再生特性に影響を与えることも殆どない。このため貴金
属が選定されたが、磁気ディスクを構成する各層よりも
イオン化傾向が小さく、磁性の低い金属、合金化合物も
用いることができる。

処理液を用いた貴金属微粒子付着処理としては、プラス
チックめっき等の前処理である活性化処理法を転用する
ことができる。これには、酸性領域で行う塩化すず溶液
による感受性化処理と塩化パラジウム溶液による活性化
処理の２段階活性化処理法、酸性領域で行うすずｌパラ
ジウムコロイド触媒溶液と酸・アルカリ溶液を用いた促
進化処理からなる１段階活性化処理法、アルカリ性領域
で行うすずｌパラジウム錯体触媒溶液を用いた１段階活
性化処理法、酸性、アルカリ性、中性のいずれでも行え
る貴金属塩溶液による活性化処理方法などがある。

従来より広く行われている２段階処理法は、米国特許２
７０２２５３号に示されているように５ｎＣ１２溶液か
らなるセンシタイザ−液による感受性化処理、それに続
＜　Ｐｄ、　Ａｕ、　Ａｇなどの貴金属イオンを有する
アクチベータ液による活性化処理の工程であり、この処
理により基板表面にはめっき反応の触媒作用をもつＰｄ
、　Ａｕ、　Ａｇなとの微粒子が付着する。処理液組成
の例としては、金属表面技術講座９「無電解メツキ」、
石橋知著、朝食書店、１９６８年発行に見られるような
、Ｎａｒｃｕｓ液（酸性）　：　５ｎＣ１□ｌＯｇ／ｌ、
ＨＣｌ４０ｍ１／ｌ、Ｎａｒｃｕｓ液（アルカリ性）　
＋　Ｓｎ０１２１００ｇ／ｌ、ロッシェル塩１７５ｇ／
ｌ、ＮａＯＨ１５０ｇ／ＩＷｅｉｓｓ液：５ｎＳ０４２
５〜４０ｇ／１１Ｈ２Ｓ０４５〜２０ｍ１／１１　アル
コール１５０〜２５０ｍ１／１、キノール５〜１５ｍ１
／ｌ、水６００〜１０１００Ｏ／１Ｗａｌｋｅｒ液：　５ｎ０１□９０ｇ／ｌ、　ＨＣｌ５
５ｍ１／１などのセンシタイザ−液、Ｐｄ処理液（１）　：　ＰｄＣｌ２０／ｌ、ＨＣｌ２０
ｍ１／１、Ｐｄ処理液（２）　：　ＰｄＣｌ２０．１５
〜０．２５ｇ／ｌ、ＨＣｌ２．５ｍｌ／ｌ。

Ａｕ処理液：塩化金酸１ｇ／ｌ、ＨＣｌ２ｍ１／ｌ、Ａ
ｇ処理液：硝酸銀１．５ｇ／ｌ、アンモニア１．２ｍｌ
／１などのアクチベーター液を用いることができる。

また、市販液の１例として日本カニゼン社製、ピンクシ
ューマー（センシタイザ−液）、レッドシューマー（ア
クチベーター液）などを用いることができる。

近年、より均一な触媒化法として米国特許３０１１９２
０号、３５３２５１８号、３６５０９１３号に示されて
いるようにすすｌパラジウムコロイド触媒溶液による触
媒化処理と酸ないしはアルカリ溶液による促進化処理液
からなる１段階処理法が行われるようになった。処理液
組成の例としては、ティ・オオサカ他（Ｔ、　０ｓａｋ
ａ　ｅｔ　ａｌ）、ジャーナル・オブ・エレクトロケミ
カル・ソサイアテイ（Ｊ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉ
ｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）、１２７巻、５号、１９８０
年、１０２１頁にあるようにＮ夜：　ＨＣｌ６０ｍ１／
ｌ→水−＋ＰｄＣ１□Ｉｇ−＋５ｎＣ１□２Ｈ２０２２
Ｈ２Ｏ２２頂で調整し、水を加えて１０１００Ｏとした
コロイド液、Ｂ液：　ＨＣｌ６０ｍ１／１→水−＋Ｐｄ
Ｃｌ２０．２５ｇ−＋５ｎＣ１□２Ｈ２０１２ρ順で調
整し、水を加えて１０１００Ｏとしたコロイド液、Ｃ液：　ＨＣｌ３００ｍｌ−＋水−＋ＰｄＣ１゜Ｉｇ−
＋Ｎａ２５ｎＯ３１，５ｇ−＋５ｎＣ１□２Ｈ２０３７
，５ｇの順で加えて調整したコロイド液、Ｄ液：　ＨＣｌ３２０ｍ１−＋水−＋ＰｄＰｄＣ１２ｌ
＋ＳＳｎＣｌ２２Ｈ２Ｏ４の順で加え１日熟成後ＳＳｎ
Ｃｌ２２Ｈ２Ｏ４６を加えて調整したコロイド液など、市販液ではＥ液日立化成製塩酸ベースコロイド液Ｈ８ｌ
０ＩＢ、　Ｆ液ニジプレイファイ−スト製塩酸ベースコ
ロイド液キャタポジット４４などの触媒溶液と、ティ・
オオサカ他（Ｔ、　０ｓａｋａ　ｅｔ　ａｌ）、ジャー
ナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサイアティ（Ｊ。

Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）、
１２７巻、１１号、１９８０年、２３４３頁にあるよう
に、Ｇ液：　ＮａＯＨ１ｍｏｌ／１　、　Ｈ液：ＨＣ１
６ｍｏｌ／１、Ｉ液：　Ｈ２Ｓｏ４１．１２ｍｏｌ／１
．　Ｊ液：アンモニア１ｍｏｌ／１、Ｋ液：　ＮＨ４Ｂ
Ｆ４１ｍｏｌ／１など、市販液ではＬ液：日立化成製Ａ
ＤＰ２０１、Ｍ液ニジプレイファイ−スト製アクセレレ
ータ１９などの促進化処理液を用いることができる。

さらに最近アルカリ性領域で行うすずｌパラジウム錯体
触媒溶液が使用されるようになった。市販液としてはシ
ェーリング社製アクチベーターネオンガント８３４があ
る。

酸性、アルカリ製ないしは中性領域で行う貴金属塩溶液
による粗面化処理方法としては、前記アクチベーター液
のＰｄ処理液（１）、Ｐｄ処理液（２）、Ａｕ処理液、
Ａｇ処理液などを用いることができる。

ＰｄＣ１□濃度としては０．０００１〜５０ｇ／ｌ、好
ましくは０．００５〜１５ｇ／ｌの範囲が、塩化金酸濃
度としてはｏ、ｏｏｉ〜３０ｇ／ｌ、好ましくは０．１
〜１０ｇ／ｌの範囲が、硝酸銀濃度としては０．００１
〜３５ｇ／ｌ、好ましくは０．１〜１５ｇ／ｌの範囲が
用いられる。ＨＣＩ濃度としては、０．００１〜５００
ｍ１／１、好ましくは０．１〜１００ｍ１／１の範囲が
、アンモニア濃度としては、０．００５〜６００ｍ１／
１．好ましくは０．１〜１５０ｍ１／１の範囲が用いら
れる。貴金属としては、Ａｕ、　Ａｇ１ＰｄのほかにＰ
ｔ、　Ｒｈ、　Ｒｕ、　Ｒｅなどの元素も用いることが
でき、貴金属塩としては、塩化塩のほかに硫酸塩、硝酸
塩、有機酸塩なども用いることができる。また使用する
酸も塩酸のほかに、硫酸、硝酸、有機酸等を用いること
ができる。そのほか、ｐＨ緩衝剤、錯化剤の作用を与え
るコハク酸、酢酸などの有機酸、界面活性剤などの添加
剤が加えられることがある。市販液としては、酸性液に
は日本カニゼン社製の活性液１、アルカリ性液には同じ
く日本カニゼン社製の活性液２．３などがある。処理法
としては、処理温度０〜９５°Ｃ１好ましくは１５〜８
０°Ｃの範囲、浸漬処理時間１秒〜１００分、好ましく
は５秒〜１５分間の範囲で行われる。処理液ｐＨは、Ｈ
ＣＩ酸性では通常１以下のことが多いが、１４以上のア
ルカリ性あるいはその間のｐＨ範囲で行われることがあ
り特に限定されない。

以上の処理方法によって必ずしも本発明の目的とする貴
金属微粒子が付着されて微小突起が形成されるとは限ら
ない。この処理を行なう表面の状態との関係が重要であ
り、前処理として表面改質を行なっておくことが望まし
い。表面改質を行なう調整処理には、酸処理、アルカリ
処理などが用いられる。その後の粗面化処理が酸性であ
れば酸処理、アルカリ性であればアルカリ処理が用いら
れ、塩酸、硫酸、硝酸、有機酸などの各種酸の種類やア
ンモニア、苛性ソーダなどの各種アルカリの種類、濃度
、浸漬時間などの調整処理条件は所要の貴金属微粒子の
形態、表面粗さや用いる貴金属微粒子付着処理に応じて
選定される。

得られる磁気ディスクの表面の状態および組成は、透過
型電子顕微鏡、二次電子線顕微鏡、表面粗さ計、分析電
子顕微鏡、走査型オージェ電子分析装置、Ｘ線マイクロ
アナライザーなどを用いて調べることができる。このよ
うな湿式あるいは乾式の処理法により、パラジウム、金
、銀、白金、ロジウム、ルテニウム、銅などの少なくと
も１種の貴金属を主成分とする貴金属微粒子が形成でき
る。

この貴金属微粒子には、本発明の効果を損なわない範囲
において、ＣＩ、Ｃ，Ｏの少なくとも１種を含有する場
合がある。この貴金属微粒子には、本発明の効果を損な
わない範囲において、さらに、Ｍｎ。

Ｆｅ、　Ｃｏ、　ＡＩ、　Ｔａ、　Ｌｉ、　Ｍｇ、　Ｔ
ｉ、　Ｖ、　Ｃｒ、　Ｚｎ、　Ｇｅ、　Ｙ、　Ｚｒ、　
Ｎｂ。

Ｍｏ、　Ｓｎ、　８ｂ、　Ｔｅ、　Ｃｓ、　Ｗ、　Ｐｂ
、　Ｂｉ、　Ｌａ、　Ｃｅ、　Ｐｒ、　Ｎｄ、　Ａｃ、
　Ｂａ。

Ｐｔ、　Ｓｍなどの少なくとも１種の元素が含有されて
いてもよく、さらにこれにＰ、　Ｂ、　Ｎ、　Ｓ、　Ａ
ｓ、　Ｎａ、　Ｋ、　Ｆ、　Ｂｒ。

Ｉ、　Ｃａなどの非金属が含まれていてもよい。こうし
た貴金属微粒子は基体表面に付着し微小突起となる。こ
の微小突起は、この上に被覆される非磁性層上の表面の
微小突起のもとになるものであり、前述の非磁性層上の
表面の微小突起の高さ、大きさ、形状、密度等の所要条
件に応じたものを形成することが可能であった。

本発明の磁気ディスク基板において用いられる非磁性層
としては、前述の下地厚膜、下地薄膜と同様のものを用
いることができ、その組成、構成、構造等は前述と同様
である。発明者の検討によれば、非磁性層の膜厚を増加
することによって、貴金属微粒子の微小突起の高さ、大
きさが増加し、形状が変化するが、密度はほとんど変化
しない。したがって、非磁性層の膜厚を変えることによ
って表面粗さに制御することができることが明らかとな
った。

本発明の磁気ディスク基板上には、磁性層、保護層、潤
滑層などが順次形成され、磁気ディスクが作製される。

磁気ディスク基板上に形成される磁性層は、少なくとも
Ｃｏ、　Ｎｉ、　Ｆｅを含有する磁性膜であるが、さら
にＰ、　Ｂなどの添加元素を含有した合金膜であっても
よく、０を含有した酸化物膜や、Ｎを含有した窒化物膜
であってもよい。用いられる磁性膜のその他の添加元素
としては、特に限定される必要はないが、Ｒｅ、　Ｍｎ
、　Ｗ、　Ｌｉ、　Ｂｅ、　Ｍｇ、　ＡＩ。

Ｒｕ、　Ｓｉ、　Ｍｏ、　Ｚｎ、　Ｓｒ、　Ｙ、　Ｚｒ
、　Ｎｂ、　Ｃｄ、　Ｉｎ、　Ｓｂ、　Ｔａ、　Ｉｒ、
　Ｈｇ。

ＴＩ、　Ｔｉ、　Ｖ、　Ｃｒ、　Ｃｕ、　Ｇａ、　Ｇｅ
、　Ｔｃ、　Ｒｂ、　Ｒａ、　Ｈｆ、　Ｒｈ、　Ｐｄ、
　Ａｇ。

Ａｕ、　Ｐｔ、　Ｓｎ、　Ｔｅ、　Ｂａ、　Ｃｓ、　Ｏ
ｓ、　Ｓｃ、　Ｓｅ、　Ｐｂ、　Ｂｉ、およびランタン
系列希土類元素等の元素が含まれていてもよい。磁性膜
中にはこれらの元素のほか、Ｃ，Ｓ、　Ａｓ。

Ｎａ、　Ｋ、　Ｆ、　ＣＩ、　Ｂｒ、　Ｉ、　Ｃａなど
の非金属が含まれていてもよい。磁性膜中には、Ｃ０１
Ｎｉ、　Ｆｅは１０％以上含まれているが、好ましくは
５０％以上含まれる。Ｐ、Ｂは最大３０％程度含有され
るが、好ましくは１５％以下の範囲で含有される。磁性
膜厚は０．００３〜３１１ｍの範囲が用いられるが、高
密度記録用には０．５ｐｍ以下が好ましい。磁性層は１
層または２層以上で用いられる。２層以上の場合、同一
または組成、磁気特性が異なる磁性膜を直接ないし非磁
性膜を介して積層される。これらの膜は、無電解めっき
法、電気めっき法などの湿式めっき法またはスパッタ法
、蒸着法、イオンブレーティング法などの乾式めっき法
によって形成される。通常これらは薄膜媒体と呼ばれ、
めっきディスク、金属スパッタディスク、フェライトス
パッタディスク、蒸着ディスクなどに使用される。用い
られる保護層としては、薄膜保護膜、または薄膜保護膜
の下およびまたは上に種々の付加的皮膜が形成されたも
の、例えば上地薄膜上に薄膜保護膜が被覆されたもの、
さらにこの上に潤滑膜が被覆されたもの、あるいは上地
薄膜上に付加的皮膜が被覆されさらに薄膜保護が被覆さ
れたもの、さらにこの上に潤滑膜が被覆されたものなど
がある。これらの膜は、各々１層、もしくは多層であっ
てもよい。薄膜保護膜とじてで１９）は、石英ガラス、珪酸ガラス、燐酸塩ガラス、非晶質ア
ルミナなど一般にガラス状物質と呼ばれる非晶質の半金
属酸化物およびテトラヒドロキシシランの縮合化合物で
あるポリ珪酸などの非晶質無機酸化物膜あるいは炭素膜
を用いることが好ましいが、Ｓｉ３Ｎ４などの珪素化合
物膜、Ｒｈ、　Ａｇなとの金属膜、Ｃｏ酸化物、ＣｏＮ
ｉ酸化膜等も使用されることがある。これらの膜は、適
宜スパッタ法、蒸着法、プラズマＣＶＤ法、プラズマイ
ンジェクションＣＶＤ法、イオンブレーティング法など
の乾式めっき法、無電解めっき法、電気めっき法などの
湿式めっき法、塗布法、溶液中酸化処理法、熱酸化法な
どの方法によって形成される。上地薄膜としては、Ｎｉ
合金ないしはクロム化合物、ジルコニウム化合物などの
薄膜を用いることが好ましいが、前記下地厚膜、下地薄
膜と同様の材質を使用することもできる。潤滑膜として
は、非極性固体潤滑剤、極性固体潤滑剤、液体潤滑剤な
どが使用される（第４６回応用磁気学会研究資料、４６
−５．１９８６年）。

また、磁気ディスクの構成には種々のバリエイジョンも
考えられる。−例としては、磁気記録層の磁気特性、結
晶構造の制御や作製の容易さ等の目的で磁性層の下にク
ロム、モリブデン、チタン、シリコン、金等の前処理層
を形成したもの、磁気記録特性の向上やデータ情報とサ
ーボ情報を多重すること等の目的で磁気記録層を直接ま
たは非磁性層を介して多層にしたもの、耐候性をより向
上させるために保護膜の多層の多層構造にしたものなど
が挙げられる。

（作用）高密度磁気記録体として磁性薄膜を媒体に用いた磁気デ
ィスクでは、表面が平滑で潤滑剤の滞留場所がないため
磁気ヘッドとのＣ８Ｓ耐久性に劣り、潤滑剤の量を増す
と磁気へラドスライダ面との間に吸着を生じるという問
題があった。このため、平滑なディスク基板面に機械加
工によってテクスチャと呼ばれる筋をつけることが広く
行われている。しかし、このような機械加工により粗面
を形成する方法では、研磨粗さの不均一によって信号エ
ラーを生じやすいほか、粗さを細かく制御できないため
研磨筋の密度を高めることが困難であった。ヘッド吸着
を防ぎ十分な膜厚の潤滑膜を賦与するためには、表面粗
さを相当大きくする必要があり、電磁変換特性の低下を
招く問題があった。

発明者らは、ディスク表面の粗さ・形状が、ヘッド吸着
、耐久性、電磁変換特性などに与えられる影響を詳細に
検討した結果、機械加工よりも物理的あるいは化学的表
面処理によって微粒子を付着する方法の方がはるかに微
細で密な表面形状が得られしかもその制御が容易なこと
、機械加工によって形成される研磨筋（四部）よりも物
理的あるいは化学的表面処理によって形成した微粒子に
よる微小突起（凸部）の方がヘッド吸着防止効果が格段
に大きいことが明かとなった。物理的あるいは化学的表
面処理による微小突起は微細かつ緻密に形成できるため
小さい表面粗さで十分であり、耐久性、電磁変換特性な
どに良好な結果が得られることも明かとなった。磁気ヘ
ッドとの吸着を防止して耐久性に優れた磁気記録体を得
るための微小突起の高さ、形状などの条件はヘッド・デ
ィスク条件に応じて選択されるが、微小突起の高さより
も微小突起の量（微小突起の密度）の影響がより顕著で
あった。

微粒子上に被覆される非磁性層の新規で重要なひとつの
役割は、付着された微粒子を保護することである。また
、所要の形態に微小突起を制御することは極めて重要で
あるが、非磁性層の膜厚を変えることによって表面粗さ
を容易に制御することができることも新たに明らかとな
った。本発明は、このような知見を得たことによりもた
らされたものである。

［実施例］（実施例１）十分な硬度と良好な表面精度（Ｒａ　０．００１ｐｍ、
ＴＩＲ≦２０μｍ、加速度≦２Ｇ）のアルミナセラミッ
クス基板（内径１００ｍｍ、外径２１０ｍｍ）の表面を
洗浄・調整処理を行った後、この表面上に下記の条件で
貴金属微粒子付着処理を行なった。

貴金属微粒子付着処理（１）センシタイザ−液（ＳｎＣ１２１２ｇ／ｌ、ＨＣｌ４０
ｍ１／ｌ、３０°Ｃ）に１分間浸漬後、アクチベーター
液（ＰｄＣ１２０，１５ｇ／ｌ、ＨＣｌ　　１５ｍ１／
ｌ、４０°Ｃ）に２分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（２）センシタイザ−液（ＳｎＣ１２６ｇ／ｌ、　ＨＣＩ　　
６ｍｌ／１．３５°Ｃ）に２分間浸漬、アクチベーター
液（塩化金酸１ｇ／ｌ、ＨＣＩ　　１２ｍ１／ｌ、　５
０°Ｃ）に３分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（３）センシタイザ−液（ＳｎＣ１２１２ｇ／ｌ、ＨＣｌ４５
ｍ／１／１．４５°Ｃ）に３分間浸漬後、アクチベータ
ー液（硝酸銀１．５ｇ／ｌ、アンモニア１．２ｍｌ／ｌ
、４５°Ｃ）に２分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（４）センシタイザ−液（日本カニゼン社製ピンクシューマー
、３０°Ｃ）に２分間浸漬後、アクチベーター液印本カ
ニゼン社製レッドシューマー、３５°Ｃ）に２分間浸漬
。

貴金属微粒子付着処理（５）触媒化処理液（Ｄ液：　ＨＣｌ３２０ｍ１／１−＋水−
＋Ｐｄ０１□Ｉｇ−＋ＳＳｎＣｌ２２Ｈ２Ｏ４の順で加
え１日熟成後５ｎＣ１□２２Ｈ２Ｏ４６を加えて調整し
たコロイド液、３０°Ｃ）に９０秒間浸漬後、促進化処
理液（Ｋ液：ＮＨ４ＢＦ４１ｍｏｌ／Ｉ、５０°Ｃ）に
２分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（６）触媒化処理液（Ｆ液ニジプレイファイ−スト製塩ベース
コロイド液キャタポジット４４．４５°Ｃ）に１分間浸
漬後、促進化処理液（Ｍ液ニジプレイファイ−スト製ア
クセレレータ１９．３５°Ｃ）に４分間浸漬。

次に、各貴金属微粒子付着処理の後、日本カニゼン社製
無電解ＮｉＰめっき液（シューマー）を用いて膜厚０．
０２１１ｍのＮ１−Ｐめっき膜からなる非磁性層を被覆
し、第１図に示す構造の磁気ディスク基板を形成した。

こうして得られた磁気ディスク基板の番号を、貴金属微
粒子付着処理番号に対応して磁気ディスク基板１〜磁気
デイスク基板６とする。

得られた磁気ディスク基板の表面の電子顕微鏡観察（Ｓ
ＥＭおよびＴＥＭ）を行なった結果、高さ０．０２ｐｍ
〜０．０３ｐｍの微小突起が１．５１１ｍ２当たり１個
以上の密度で形成されていることが認められた。微小突
起の大きさは０．０３〜０．０５ｐｍであり、やや細長
の半球を伏せた形状をしていた。微小突起は、高さ、大
きさおよび形状がそろっており、磁気ディスク基板表面
に一様に密に形成されていた。

（実施例２）アルミナ合金基板（内径１００ｍｍ外径２１０ｍｍ）上
に、公知の前処理（洗浄、亜鉛置換処理等）を行った後
、シブレイファイ−スト社製無電解ＮｉＰめつき液にポ
ジット）を用いて膜厚２０ｐｍの非磁性Ｎ１−Ｐ下地厚
膜表面を鏡面研磨し良好な表面精度（ＲａＯ，００１５１１ｍ　、　ＴＩＲ≦２１１１ｍ、
加速度≦１．８Ｇ）を得た。次に、調整処理を行ないこ
の表面上に下記の条件で貴金属微粒子付着処理をおこな
った。

貴金属微粒子付着処理（７）センシタイザ−液（ＳｎＣ１２６ｇ／ｌ、ＨＣｌ３０ｍ
１／ｌ、　２５°Ｃ）に２分間浸漬後、アクチベーター
液（ＰｄＣ１２０，０５ｇ／ｌ、ＨＣｌ２ｍ１／ｌ、４
０°Ｃ）に１分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（８）センシタイザ−液（ＳｎＣ１□８０ｇ／ｌ、ロッシェル
塩１４０ｇ／ｌ、ＮａＯＨ１００ｇ／ｌ）に３分間浸漬
後、アクチベーター液（塩化金酸１．５ｇ／ｌ、ＨＣｌ
２ｍ１／ｌ、２５°Ｃ）に１．５分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（９）センシタイザ−液（ＳｎＣ１２５ｇ／ｌ、ＨＣＩ　　１
３ｍ１／ｌ　。

４０°Ｃ）に３０秒間浸漬後、アクチベーター液（硝酸
銀Ｉｇ／ｌ、アンモニア２ｍｌ／ｌ、４０°Ｃ）に２分
間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（１０）センシタイザ−液印本カニゼン社製ピンクシューマー、
３０°Ｃ）に２分間浸漬後、アクチベーター液印本カニ
ゼン社製レッドシューマー、３５°Ｃ）に２分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（１１）触媒化処理液（Ａ液：ＨＣｌ６０ｍ１／１−＊水→Ｐｄ
Ｃｌ２１ｇ＋ＳＳｎＣ１２２Ｈ２０２の順で調製し、水
を加えて１０１００Ｏとしたコロイド液）に９０秒間浸
漬後、促進化処理液（Ｋ液：　ＮＨ４ＢＦ４１ｍｏｌ／
ｌ、４５°Ｃ）に９０秒間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（１２）触媒化処理液（Ｆ液ニジプレイファイ−スト製塩ベース
コロイド液キャタポジット４４．４５°Ｃ）に９０秒間
浸漬後、促進化処理液（Ｍ液ニジプレイファイ−スト製
アクセレレータ１９．３５°Ｃ）に２分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（１３）アクチベーター液（ＰｄＣ１□０．０４ｇ／ｌ、ＨＣＩ
　　８ｍｌ／ｌ、５０°Ｃ）に３分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（１４）アクチベーター液（塩化金酸１．３ｇ／ｌ、ＨＣｌ４ｍ
１／ｌ、　５５°Ｃ）に１．５分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（１５）アクチベーター液（硝酸銀１．１ｇ／ｌ、アンモニア１
．２ｍｌ／ｌ、４５°Ｃ）に４分間浸漬。

貴金属微粒子付着処理（１６）アクチベーター液印本カニゼン社製の活性液１．５０°
Ｃ）に３０秒間浸漬。

次に、各貴金属微粒子付着処理の後、シブレイファイ−
スト社製無電解Ｎ１ＣｕＰめっき液にクロイ）を用いて
膜厚０．０５１１ｍのＮ１ＣｕＰめっき膜からなる非磁
性層を被覆し、第１図に示す構造の磁気ディスク基板を
形成した。こうして得られた磁気ディスク基板の番号を
、貴金属微粒子付着処理番号に対応して磁気ディスク基
板７〜磁気デイスク基板１６とする。

得られた磁気ディスク基板の表面の電子顕微鏡観察（Ｓ
ＥＭおよびＴＥＭ）を行なった結果、高さ０．０１ｐｍ
〜０．０２ｐｍの微小突起が０．９ｐｍ２当たり１個以
上の密度で形成されていることが認められた。微小突起
の大きさは０．０２〜０．０４１１ｍであり、やや細長
い半球を伏せた形状をしていた。微小突起は、高さ大き
さおよび形状がそろっており、磁気ディスク基板表面に
一様に密に形成されていた。

（実施例３）実施例２と同様に磁気ディスク基板を作製したが、本実
施例では各貴金属微粒子付着処理の後形成する非磁性層
の膜厚を０．１５ｐｍとした。第１図に示す構造の磁気
ディスク基板を形成した。こうして得られた磁気ディス
ク基板の番号を、貴金属微粒子付着処理番号（７）〜（
１６）の順序に磁気ディスク基板１７〜磁気デイスク基
板２６とする。

得られた磁気ディスク基板の表面の電子顕微鏡観察（Ｓ
ＥＭおよびＴＥＭ）を行なった結果、高さ０．０３ｐｍ
〜０．０４ｐｍの微小突起が０．９ｐｍ２当たり１個以
上の密度で形成されていることが認められた。微小突起
の大きさは０．０５〜０．０７ｐｍであり、やや細長い
半球を伏せた形状をしていた。微小突起は、高さ、大き
さおよび形状がそろっており、磁気ディスク基板表面に
一様に密に形成されていた。

（実施例４）実施例２と同様に磁気ディスク基板を作製したが、本実
施例では各貴金属微粒子付着処理の後形成する非磁性層
の膜厚０．３１１ｍとした。第１図に示す構造の磁気デ
ィスク基板を形成した。こうして得られた磁気ディスク
基板の番号を、貴金属微粒子付着処理番号（７）〜（１
６）の順序に磁気ディスク基板２７〜磁気デイスク基板
３６とする。

得られた磁気ディスク基板の表面の電子顕微鏡観察（Ｓ
ＥＭおよびＴＥＭ）を行なった結果、高さ０．０６ｐｍ
〜０．０Ｂｐｍの微小突起が０．９ｐｍ２当たり１個以
上の密度で形成されていることが認められた。微小突起
の大きさは０．１２〜０．１Ｑｍであり、やや細長い半
球を伏せた形状をしていた。微小突起は、高さ大きさお
よび形状がそろっており、磁気ディスク基板表面に一様
に密に形成されていた。

実施例２〜４で示されたように、貴金属微粒子付着処理
の後形成する非磁性層の膜厚を増加することによって微
小突起の高さ、大きさを変えることができた。微小突起
の密度や分布は付着した貴金属微粒子に依存しており、
非磁性層の膜厚を増加しても殆ど変わらなかった。

（比較例１）実施例３と同様の手順で磁気ディスク基板の作製を行な
ったが、本比較例では下地厚膜表面を鏡面研磨した表面
上に行った各貴金属微粒子付着処理の形成を省略した。

こうして得られた磁気ディスク基板の番号を（Ｈｌ）と
する。

得られた磁気ディスク基板の表面の電子顕微鏡観察およ
び表面粗さの測定を行なった結果、微小突起はなく極め
て平滑な表面であった。

（比較例２）比較例１と同様の手順で磁気ディスク基板の作製を行な
ったが、本比較例では下地厚膜表面を鏡面研磨した後、
各種研磨砥粒（メデイポールＮ３５、Ｎ１３、’ＮＯ８
・・・・粒の粒径は、順に３．５１１ｍ、１．３ｐｍ、
０．８ｐｍである）を用い表面を研磨し表面粗さを変化
させた。こうして得られた磁気ディスク基板の番号を（
順に、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４）とする。

得られた磁気ディスク基板の表面粗さを表面粗さ計で測
定したところ、研磨砥粒が大きくなるにしたがって粗さ
が増大していた。しかし、得られた磁気ディスク基板の
表面電子顕微鏡（倍率１万倍以上）を行なった結果、表
面に各種研磨砥粒に応じた太さの研磨筋がまばらに乱雑
にあり、そこでは溝となっていたが、微小突起は認めら
れなかった。

実施例および比較例で得られた磁気ディスク基板上に、
無電解めっき法によりめっき浴（１）を用いて膜厚０．
０８ｐｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（１）めっき浴組成硫酸コバルト硫酸ニッケル次亜リン酸ナトリウムマロン酸ナトリウムリンゴ酸ナトリウム０．０７ｍｏｌ／１０．０３ｍｏｌ／１０．２３ｍｏｌ／１０．２ｍｏｌ／１０．３ｍｏｌ／１コハク酸ナトリウム　　　　０．４ｍｏｌ／１硫酸アン
モニウム　　　　　０．３ｍｏｌ／１めっき条件浴温８２°Ｃめっき浴のｐＨ９，２（室温にてアンモニア水でｐＨ調節）めっき液の容量　　１００１次にこの上に珪酸モノマーを回転塗布し、１９０°Ｃ２
０時間焼成して膜厚０．０８１１ｍの珪酸重合体を主成
分とする薄膜保護膜を形成し、更にこの上に液体潤滑剤
（パーフロロアルキルポリエーテル）からなる潤滑層を
形成し磁気ディスクを作製した。こうして得られた磁気
ディスクの番号を、磁気ディスク基板の番号に対応して
、磁気ディスク１〜磁気デイスク２７および磁気ディス
クＨ１〜磁気ディスクＨ４とする。

次に、これらの磁気ディスクについて、３３５０型Ｍｎ
−Ｚｎフェライト磁気ヘッドを用いてヘッド吸着の有無
を検剖した。磁気ヘッドと各ディスクをドライブに設定
し、放置前後の摩擦係数を測定した。

実施例の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスク１〜磁
気デイスク２７については、放置前の摩擦係数は０．１
８〜０．２９の範囲にあった。微小突起の高さが大きく
表面粗さが大きいほど、摩擦係数が減少する傾向があっ
たが、０．１８〜０．２６という小さな値はいずれも実
用上良好な値である。１００時間放置後の摩擦係数の値
は０．１９〜０．２５の範囲にあり、磁気ディスク基板
を用いた磁気ディスクについてはヘッド吸着に関しなん
ら問題がなかった。比較例の磁気ディスク基板を用いた
磁気ディスクについては、放置前の摩擦係数は磁気ディ
スクＨ１で０．９５、磁気ディスクＨ２で０．３８、磁
気ディスクＨ３で０．４７、磁気ディスクＨ４で０．７
１であった。摩擦係数が最も大きい磁気ディスクＨ１の
場合は放置前においてもヘッド吸着が問題となった。１
００時間放置後の摩擦係数を調べると、磁気ディスクＨ
１〜磁気ディスクＨ４のいずれも１．０以上に増加しヘ
ッド吸着現象を生じていた。また、実施例および比較例
の磁気ディスク基板をを用いた磁気ディスクについて、
３３５０型Ｍｎ−Ｚｎフェライト磁気ヘッドを用いてＣ
５５（接触・始動・停止）試験を行ない表面に傷が発生
するまでのＣ８Ｓ回数を調べた。この回数が２万回以上
であれば実用上十分な耐久性をもつと考えられる。比較
例の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスクＨ１で数百
回で表面に傷が発生し、磁気ディスクＨ２でＣ８８３３
００回、磁気ディスクＨ３でＣ８８２１００回、磁気デ
ィスクＨ４でＣ８８１５００回でヘッドクラッシュに至
った。実施例の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスク
１〜磁気デイスク２７については、ｃｓｓｉｏ万回後に
おいてもディスク表面に傷の発生は認められず、耐久性
が著しく向上していた。さらに実施例および比較例の磁
気ディスク基板を用いた磁気ディスクについて、記録再
生特性の比較を行なった。比較例の磁気ディスク基板を
用いた磁気ディスクＨ１は鏡面研磨したディスク基板を
用いているため良好な記録再生特性が得られ、この場合
基準となる標準ディスクと考えられる。実施例の磁気デ
ィスク基板を用いた磁気ディスク１〜磁気デイスク２７
については、出力値、出力エンベローツノモジュレーシ
ョン、分解能、オーバーライド、Ｓ／Ｎ、ピークシフト
、ビットエラーのいずれの特性も標準ディスクと同等の
値を示し、実施例において微小突起を磁気ディスク基板
に形成したことによる影響は認められなかった。しかし
、粗い研磨砥粒によって表面粗さを大きくした比較例２
の磁気ディスク基板を用いた磁気ディスクＨ２〜磁気デ
ィスクＨ４では、標準ディスクに比べて記録再生特性の
各値が著しく劣っていた。研磨粗さが大きくなるほど記
録再生特性が劣化する傾向があった。記録再生特性の各
値の中でも、出力エンベロープのモジュレーション、Ｓ
／Ｎ、　ビットエラーにおいて顕著であった。２万ＢＰ
Ｉ（ビットパーインチ）、１００ＯＴＰＩ（）ラックパ
ーインチ）での記録再生特性についてみると、標準ディ
スクにおいてＳ／Ｎ３４〜３５ｄＢ、１面当りのビット
エラー１０個以下であるのに対して、例えば磁気ディス
クＨ２ではＳ／Ｎ２２〜２３ｄＢ、　１面当りのビット
エラー５００〜１０００個と劣っていた。比較例でほぼ
円周方向に研磨筋を入れるテクスチャ加工について触れ
なかったが、研磨筋の方向が異なるだけで基本的にヘッ
ド吸着、耐久性、記録再生特性等に与える影響は同様で
あった。すなわち研磨加工粗さを比較例と同程度の粗さ
にした場合は、緒特性に比較例と同程度の劣化が認めら
れた。

実施例では磁性薄膜をめっき法で形成し、保護膜を珪酸
モノマーを回転塗布して形成しためつきディスクについ
てのみ述べたが、磁性薄膜をスパッタ法で形成した金属
スパッタディスクやフェライトスパッタディスク、保護
膜にカーボンや５１０２をスパッタで形成したディスク
についても同様の検討を行なった結果、実施例と同様な
本願発明の効果が認められた。

（発明の効果）以上、実施例および比較例で示されたように、本発明に
よれば、磁気ディスク基板を、基体表面上に付着された
多数の微粒子と、さらにこの上に被覆された非磁性層か
らなる構造とすることによって、表面に多数の微小突起
が形成され、前記非磁性層の膜厚を変えることによって
表面粗さを制御することができる。これによって、記録
再生特性を損うことなく（すなわち信号エラーの増加や
７′ＳＳ／Ｈの低下などをともなうことなく）、磁気ヘッドと
の吸着を防止して耐久性に優れた磁気ディスクが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気ディスク基板の断面模式図である
。１・・・・基板、２・・・・付着微粒子、３・・・・非
磁性層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基体と、この基体表面上に付着された多数の微粒
子と、さらにこの上に被覆された非磁性層からなること
を特徴とする磁気ディスク基板。
（２）基体上に多数の微粒子を付着することによって微
小突起を形成し、さらにこの上に非磁性層を被覆する磁
気ディスク基板の製造方法において、前記非磁性層の膜
厚を変えることによって表面粗さを制御することを特徴
とする磁気ディスク基板の製造方法。