JPH01178121A - 磁気記録体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ディスク装置、フロッピディスク装置、
磁気テープ装置、磁気カード装置、磁気ドラム装置等の
磁気記録装置に用いられる磁気記録体およびその製造方
法に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、磁気ディスク、フロ、ビディスク、磁気テープ、
磁気カード、磁気ドラム等を使用した磁気記録装置の重
要性が増大し、その記録密度は年々著しい向上が図られ
つつある。これまで磁気記録体としては、酸化鉄磁性粉
と有機樹脂バインダーの混合物を基体上に塗布したいわ
ゆる塗布型媒体が広く用いられてきた。これは、磁性粉
が酸化物であるため化学的に安定であり、磁気ヘッドと
の接触・摺動に対し耐久性があること等信頼性が優れて
いたためである。しかし、今後さらに高記録密度化全達
成するには磁気記録層の薄膜化が必要であシ、塗布型媒
体ではこの点が不利となる。

そこで高密度磁気記録体として、金属磁性薄膜を磁気記
録層とした磁気記録体（以下、金属薄膜媒体という）が
用いられ始めた。

磁気記録層に金属磁性薄膜を用いる利点は、飽和磁束密
度が大きいので媒体の薄膜化が可能であ夛、また高保磁
力が得られるため高密度記録に適するこｉである。金属
磁性薄膜の他の利点は、無電解めっき、電気めっき、ス
パッタ、蒸着等の方法で薄膜を作製することが容易なこ
とである。しかし、このような金属磁性薄膜は、その材
質、置かれる外部環境等によっては腐食音生じる場合が
あ夛、フェライト、セラミック等からなる磁気へ、トス
ライダー材よりも硬度が低いため磁気ヘッドとの耐久性
が不十分な場合がある。このため金属薄膜媒体では、金
属磁性薄膜の表面にＲｈ　、　Ａｕ　。

Ｎｉ等の金属、Ｃ，８ｉ０２等の非金属あるいは有機樹
脂などからなる保護膜が形成されることがある。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の金属薄膜媒体において、金属磁性薄膜の表面に保
護膜が形成されても耐食性、耐久性は必ずしも十分では
ない。十分な効果を得るため保護膜厚を増加した場合に
は高密度磁気記録体として適さなくなるおそれがある。

先ず、金属磁性薄膜の表面にＲｈ　＋　Ａｕ　ｅ　Ｎ　
を等の金属保護膜をめっき法、スパッタ法、蒸着法等に
よって形成する場合、現在利用し得るいずれの作製方法
によっても高密度磁気記録体として適する保護膜厚（０
，２μｍ以下）では保護膜中のピンホールの発生を阻止
することは困難であり、必要な耐食性が得られない。ま
た、これら薄膜の金属保護膜は硬度が十分でなく必要な
耐久性が得られない。Ｃ，５ｉＯ１等の非金属保護膜に
ついては潤滑性を有するものがあり、金属保護膜よシも
耐久性に優れるが、高密度磁気記録体として適する保護
膜厚範囲ではピンホールの発生の阻止と十分な耐久性の
確保は困難である。また、有機樹脂保護膜の場合磁性薄
膜との界面に於ける密着性がそれはど良くなく、高分子
被膜の厚さ全０．２μｍ以下にして磁性薄膜表面に均一
な厚さで塗布することは表面張力による凝集、基体表面
からの凹凸性の反映等により困難であった。

ところで、磁気記録装置における高記録密度化全実現す
るには、前述のような磁気記録体の媒体特性の改善、媒
体の薄膜化以上に、磁気ヘッドと磁気記録層との間隔が
重要でありこの分離長の減少が不可欠とされている。こ
のため保護膜が用いられるとしても、可能な限りその薄
膜化が図られねはならないが、今後−層の高密化がなさ
れる場合、前述の耐食性、耐久性等の問題はより顕著と
なる。従って磁性薄膜自身の耐酸化性と硬度を向上させ
て、保護膜を補完し、あるいは保護膜の必要性金なくす
ることが望ましい。

本発明の目的は、従来の問題を改善して、耐候性と耐久
性に優れた磁気記録体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明による磁気記録体は、基体上に磁性薄膜を設けた
磁気記録体において、前記磁性薄膜の上層部の結晶性が
下層部の結晶性に比較して低く、前記磁性薄膜の結晶性
が膜厚方向に不連続的に変化しているか、前記磁性薄膜
の上層部の結晶性が下層部の結晶性に比較して低く、前
記磁性薄膜の結晶性が膜厚方向に連続的に変化している
か、前記磁性薄膜が結晶性の低い母材中に結晶性の高い
粒子が分散した構造からなり、前記母材の上層部の結晶
性が下層部の結晶性に比較して低く、前記母材の結晶性
が膜厚方向に不連続的に変化しているか、あるいは前記
磁性薄膜が結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子が分
散した構造からなり、前記母材の上層部の結晶性が下層
部の結晶性に比較して低く、前記母材の結晶性が膜厚方
向に連続的に変化している磁気記録層含有していること
を特徴としている。

また、本発明による磁気記録体は、前記磁性薄膜が、少
なくともＣｏ　、　Ｎｉ　、　Ｆｅの１種以上を含有し
、また、あるいは前記磁性薄膜が、少なくともＣｏ、Ｎ
ｉ　、Ｆｅの１種以上を含有しさらにＰ。

Ｂ、Ｎ、Ｃ，Ｈ、Ｏから選ばれた少なくとも１種金含有
した磁性薄膜からなる。

本発明の磁気記録体において用いられる磁性薄膜の結晶
性および構造株、Ｘ＠回折、電子線回折。

電子顕微鏡観察等によって測定される。磁性薄膜の母材
の結晶性については、上層部の結晶性が下層部の結晶性
に比較して低く、その結晶性が膜厚方向に連続的に変化
している場合も不連続的に変化している場合もある。不
連続的に変化している場合、結晶性の低い上層部と結晶
性の高い下層部の２層構造をとるか、あるいは下層部か
ら上層部に向かって結晶性が低下していく多層構造をと
る。

結晶性の高い粒子について、その形状、大きさ。

含有量等に制限はないが、例えば、形状は球状。

針状、平板状等が用いられ、大きさは磁性膜厚の０、０
０１〜１０倍程度（各種形状において最も長い径につい
て）が用いられ、含有量Ｉ／ｉ０．０１〜９９チ好まし
くは３〜６０％が用いられる。針状、柱状、平板状粒子
の膜中混入状態は、各形状の長径について膜面に対して
垂直、平行ないしはランダムの場合がある。粒子の結晶
性については母材よりも結晶性が高ければよく、母材と
の境界が明確な場合も不明確で連続的に結晶性が変化し
ている場合もある。予め形成された粒子を用いる場合は
、低真空下での金属蒸発、有機酸塩の還元、針状ゲーサ
イトなどの脱水還元、水銀電極を用いた電気分解、還元
剤を用いた溶液中の還元等による微粒子を添加するが、
添加粒子を用いず母材中に粒子が分散した磁性薄膜を得
る場合もある。

本発明の磁気記録体において用いられる磁性薄膜は、少
なくともＣｏ　、　Ｎｉ　、　Ｆｅの１種以上を含有し
ている。前記磁性薄膜が磁気記録層として好ましい特性
を有するためにはこれに含まれるＣｏ　。

Ｎｉ、Ｆｅの合計が５％以上を占めること、好ましくは
Ｃｏ、Ｎｉ　、Ｆｅ含有量の合計が主成分即ち５ｅチ以
上を占めることが望ましい。５ また、本発明の磁気記録体において用いられる強磁性金
属薄膜は、少なくともＧｏ、Ｎｉ、Ｆｅの１１Ｍ以上を
含有し、さらにＣｏ、ＮｉおよびＦｅ以外の添加元素を
含有していてもよい。Ｃｏ、ＮｉおよびＦｅ以外の添加
元素としては、特に限定される必要はないが、周期律表
第１ａ属、第１ａ属。

第１１ａ属、第■ａ属、第■ａ属、第■ａ属、第■ａ属
、ｋ″ｅおよびＣｏおよびＮｉを除く第■属。

第１ｂｌ第１ｂ属、第１１１ｂ属、第■ｂ属、第Ｖｂ属
、第■ｂ属、第■ｂ属の元素の１種以上を合計０．００
１ａｔ％以上５Ｑａｔ％未満添加することにより、本発
明の磁気記録体の特徴である前記強磁性金属薄膜が得ら
れやすいことがある。Ｃｏ。

ＮｉおよびＦｅの以外の添加元素の例を具体的にいえば
、Ｌ　Ｉ　Ｔ　Ｂ　ｅ　＋　Ｆ　ｔ　Ｎ　ａ　ｓ　Ｍｇ
　ｖ　ｋｌ　、　８１　Ｔ　ｂ　ｐ　Ｃ１。

Ｋ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、
Ｇｅ。

Ａｓ、８ｅ、Ｂｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ａｇ。

ｃｃｔ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉ、Ｂａ、Ｔａ、Ｗ
、Ｒｅ。

Ｏｓ、　Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、ＴＩ、Ｐｂ、Ｂｉお
よびＳｍ。

Ｇｄ、Ｔｂなどのランタン系列希土類元素等の元素であ
り、これらの１種以上を合計０．００１％以上５０チ未
満、好ましくは０，０１チ以上３０チ未満添加されるこ
とがある。

また、本発明の磁気記録体において用いられる磁性薄膜
には、Ｐ、Ｂ、Ｎ、Ｃ，Ｈ、Ｏから選ばれた少なくとも
１種を合計ｏ、　ｏ　ｏ　ｏ　ｉ％以上７０チ未満好ま
しくは０．１１以上３０％未満含有していてもよい。

磁性膜厚は、０．００３〜５μｍの範囲が用いられるが
、高密度記録用には０．５μｍ以下が好ましい。

磁性薄膜を形成する基体としては、通常アルミ合金、銅
、黄銅、リン青銅、鉄、チタン等の金属基板が用いられ
るが、適当な処理にょシガラス。

樹脂、セラミック等の非金属基板ないしは金属と非金属
の複合材料からなる基板等も十分適用が可能である。

本発明の主要な目的は、従来の問題を改善して、金属磁
性薄膜の耐酸化性と硬度を向上させた磁気記録層を有し
、耐候性と耐久性に優れた磁気記録体を提供することに
ある。従って、種々の用途に用いるために磁気記録層の
上下の層について種々の材質ら付加的層を加えた構成の
磁気記録体に対しても本発明全適用し得ることは明らか
である。

この様な構成の磁気記録体としては例えば、良好な研磨
性と極少欠陥面を得るため基体を無電解めっき法、電気
めっき法、蒸着法、スバ、り法等によって作製されたニ
ッケルーリン、ニッケルー銅ＩＪン、銅、スズ、銅−ス
ズ等の層や陽極酸化法によって作製されたアルマイト層
などの中間層で被覆したもの、欠陥減少の目的で中間層
を多層化したもの、磁気記録層の磁気特性の制御や作製
の容易さ等の目的で磁性膜の下にクロム、モリブデン、
チタン、金、銀、白金、パラジウム等の下地層ヤパラジ
ウム、スズ−パラジウム、金等の前処理層を形成したも
の、磁気記録特性の向上やデータ情報とサーボ情報を多
重すること等の目的で磁気記録層を直接または非磁性層
を介して多層にしたもの、耐候性、耐久性をよシ向上さ
せるために磁気記録層の上に保護層、潤滑層を形成した
ものなどが挙げられる。

本発明の磁気記録体において用いられる金属性薄膜は、
無電解めっき法、電気めっき法、溶融めっき法等の湿式
成膜法またはＲ，Ｆスパッタ法、直流スバ、り法、イオ
ンビームスパ、り法などのスパッタ法、蒸着法、イオン
ブレーティング法、クラスタイオンビーム蒸着法、ＣＶ
Ｄ法等の乾式成膜法によって製造される。

めっき法によって本発明の特徴である上層部の結晶性が
下層部の結晶性に比較して低く、あるいはさらに結晶性
の低い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造からな
る磁性薄膜を得る方法としては、結晶性の高い層をめっ
さした後結晶性の低い層をめっきする多層めっきやある
いはさらに微粒子粉体をめっき膜中に分散させる分散め
っき（あるいは複合めっきとも呼ばれ、非金属粒子や酸
化物粒子を電気めっき法や無電解めっき法により分散析
出させる方法の例が金属表面技術境界技術資料委員金線
「メツキ技術資料集〔３〕合金メツキおよび複合メツキ
」に示されている。）が挙げられる。めっき浴組成、め
っき条件によっては多層めっきや分散めっき法によるこ
となく得られることもある。−例として、めっき中に電
解条件を変化させたり、無電解めっきあるいは電気めっ
き反応に顕著な影響をおよぼす添加剤や添加元素音訓え
ることや結晶性を低下させやすいＰの共析を伴う還元剤
と結晶性の良い純度の高い金属めっきの得やすいジメチ
ルアミンボラン、ヒドラジン等の還元剤を併用した無電
解めっき法が挙けられる。

いずれの場合も、Ｃｏ、Ｎｉ　、Ｆｅの１種以上を含有
しためっき膜を得るだめの公知のめっき浴を基本浴とし
て利用することができる。電気めっき法によりてＣｏ−
Ｎｊ−Ｐ磁性薄膜を得るには、例えば研究実用化報告第
２６巻第２号ｐ４７５の表２にあるように、硫酸コバル
ト、硫酸ニッケル、塩化アンモニウム、次亜燐酸ナトリ
ウムからなるＡ浴、硫酸コバルト、硫酸ニッケル、塩化
ニッケル。

ホウ酸、ギ酸ナトリウム、次亜燐酸ナトリウムからなる
Ｂ浴等を用いることができる。電気めっき法によって各
種合金めっき膜を得るには、例えばＢｒｅｎｎｅｒ著Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｌｌｏｙ
ｓＶｏｌｕｍｅ　Ｉ、Ｍ　（ＡＣＡＤＥＭＩＣＰＲＥＳ
Ｓ）あるいは［新しい合金めっき法１（日・ン通信社発
行）等に示されるめっき浴を用いることができる。無電
解めっき法によってＣｏ−Ｎ１−Ｐ合金磁性薄膜を得る
一例としては、金属表面技術第３３巻第９号ｐ４１４〜
４２０（１９８２年）に示されるめっき浴が、各種合金
めっき膜については石橋知著「無電解メツキ」（朝食書
店）、Ｆ、几、Ｍｏｒｒａｌ著Ｍａｇｎｅｔｉｃ　Ｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ　　
ａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｅｄ　Ｃｏｂａｌｔ　ａ
ｎｄ　Ｃｏｂａｌｔ　Ａ１１ｏｙｓ。

ＰＬＡＴＩＮＧ　　ＦＥＢＵＲＡ几Ｙ、１９７２　ｐ１
３１〜１３６に示されるめっき浴を用いることができる
。

無電解めっき浴の主要成分としてｉ、金属イオンとして
少なくともコバルトイオン、二、ケルイオン、鉄イオン
の一種以上金含み、少なくとも前記金属イオンの還元剤
のほか、前記金属イオンの錯化剤、ｐＨ緩衝剤、光沢剤
、平滑剤、励起剤、ピンホール防止剤、界面活性剤等の
添加剤が用いられることがある。コバルトイオン、ニッ
ケルイオン、鉄イオン上、コバルト、ニッケルイオン、
鉄イオンの硫酸塩、塩化塩等の無機酸塩、酢酸塩。

酒石酸塩等の有機酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴
中に溶解することによって供給される。コバルトイオン
、ニッケルイオン、鉄イオンの濃度は、０．００４〜２
　ｍｏｌ　／　ｌの範囲が用いらｎｌｉ、好ましくは０
．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌの範囲である。用いられる
金属イオンとしては、Ｃｏ、ＮｉないしＦｅｆ主成分と
するが、その他の成分として、Ｌｉ。

Ｂｅ、Ｍｇ、ＡＩ、Ｒｕ、Ｒｌｅ、Ｍｎ、Ｗ、Ｚｎ。

Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｄ、Ｉｎ、８ｂ、Ｔａ。

Ｉｒ、）ｉｇ、Ｔ７．Ｔｉ、Ｖ、Ｏｒ、Ｃｕ、Ｇａ。

Ｇｅ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｂ、Ｒ＋ａ、Ｈｆ　、Ｒｈ、Ｐｄ
。

Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｏｓ。

８ｃ、Ｓｅ、Ｐｂ、ＢｉおよびＳｍ、Ｇｄ　、Ｔｂなど
のランタン系列希土類元素等の元素が含まれていてもよ
く、これらのイオンはそれぞれの可溶性塩によって供給
される。めっき膜中にはこれらの元素のほか、還元剤の
種類によっては、Ｐ、Ｂ等、添加剤の種類によってはＣ
，Ｎ、８．Ａｓ、Ｎａ。

Ｋ、Ｆ、（Ｊ、Ｂｒ、Ｉ、Ｃａ、Ｓｉ等の非金属が含有
されることがある。還元剤としては、次亜リン酸塩、水
素化はう素化合物、ヒドラジン、アミノボラン、ジメチ
ルボラン、ジエチルアミンボラン、ジメチルアミンボラ
ンおよびこれらの誘導体の１種または２種以上が、０．
０１〜１．３　ｍｏｌ　／ｌ。

好ましくは０．０５〜０．３５ｍｏｌ／ｌの範囲で用い
られる。錯化剤としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、イン酪酸、吉草酸、イン吉草酸、シーウ酸、マロ
ン酸基、酒石酸基、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸
、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、トリカルバリ
ル酸、グリコール酸、チオグリコール酸、乳酸、β−ヒ
ドロキシプロピオン酸、リンゴ酸、クエン酸、インクエ
ン酸、アロインクエン酸、ピルビン酸、オキサル酢酸、
ジグリコール酸、チオジグリコール酸、メルカプトコハ
ク酸、ジメルカプトコハク酸、安息香酸、マンデル酸、
フタル酸、サリチル酸、タルトロン酸。

アスコルビン酸、スルオサリチル酸、トロポロン。

３−メチルトロボロン、タイロン等のカルボン酸。

エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレ
ンテトラアミン、ピリジン等のアミンおよびその誘導体
、イミノジ酸、イミノジプロピオン酸、ニトリロトリ酢
酸、ニトリロトリプロピオン酸、エチレンジアミンジ酢
酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、エチレンジアミンテ
トラプロピオン酸、ジエチレントリアミンペンタ酢酸等
のアミノポリカルボン酸、アラニン、ザルコシン、バリ
ン。

ノルロイシン、チロシン、システィン、グルタミ酸、グ
リシン、アスパラギン酸、アスパラギン。

ヒスチジン等のアミノ酸、グルコン酸、アロン酸。

イドン酸、ガラクトン酸、グロン酸、タロン酸。

マンノン酸等のヘキンン酸、ピロリン酸などの弱酸また
はそれらの可溶性塩の１種または２種以上の組み合わせ
が、０．００００１〜４．０　ｍｏｌ　／　ｌの範囲で
用いられるが、０．０１〜１．９ｍｏｌ／ｌの範囲が好
ましい。ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、
有機酸塩などが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アン
モニウム、ホウ酸等を用いることが好ましい。濃度範囲
は０．Ｏ１〜３ｍｏｌ／ｌ、好ましくは０．０３〜１ｍ
ｏｌ／Ａ’が用いられる。ｐＨ調節剤としては、アンモ
ニアまたは苛性アルカリとしてＮａＯＨ，ＬｉＯＨ，Ｋ
ＯＨ，凡ｂＯＨ，ＣｓＯＨ，Ｆｒ０）１．Ｂｅ（ＯＨ）
２　、Ｍｇ（ＯＨ）２　、Ｃａ（ＯＨ）２　。

５ｒ（ＯＨ）、、Ｂａ（ＯＨ）２　、Ｒａ（ＯＨ）１等
の金属の水酸化物が、１種または２種以上を組み合わせ
て用いられる。所要のｐＨ’に上回った場合、ｐＨ降下
には塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる。ｐＨ
範囲は１〜＄４．５、好ましくは３〜１３の間で用いら
れる。めっき浴は室温以上の温度が用いられるが、好ま
しくは７０℃以上、９８℃以下の範囲である。

電気めっきの場合には、無電解めっきに比べて一般に浴
成分が少なく、得られる合金の種類および組成が広範囲
である。スバ、り、蒸着の場合には、ターゲット組成ま
たは蒸発源元素の種類を変えることにより、よシ広範囲
の合金を得ることができる。スパッタ、蒸着等の乾式成
膜法によって本発明の特徴である上層部の結晶性が下層
部の結晶性に比較して低く、あるいはさらに結晶性の低
い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造からなる磁
性薄膜自身るには、公知の磁性薄膜の作製法において若
干の作製条件の改良ないし工夫が必要である。例えば成
膜中に形成条件を変化させたり磁性薄膜全多層形成する
ことのほかに、めっき法で得られる低結晶性母材中に高
結晶性粒子が分散した材料金ターゲ、トとしてスパッタ
することや低結晶性材料と高結晶性材料の２元蒸着を行
なうこと等が挙けられる。

〔作用〕

従来の金属薄膜媒体において、耐食性と耐久性を向上さ
せるため金属磁性薄膜の表面に保護膜を形成する方法は
必すしも適切ではない。十分な効果を得るため保護膜厚
を増加した場合には高密度磁気記録体として適さなくな
るおそれがある。今後−膚の高密度化がなされる場合、
可能な限り保護膜の薄膜化が図られねばならない。この
ため磁性薄膜自身の耐酸化性と硬度を向上させることに
よって、保護膜を補完し、あるいは保護膜の必要性をな
くすることが考えられる。発明者らは各種の構造をもつ
薄膜媒体を検討した結果、磁性薄膜が、上層部の結晶性
が下層部の結晶性に比較して低く、あるいはさらに結晶
性の低い母材中に結晶性の高い粒子が分散した構造から
なる磁気記録層とすることによって本発明の目的を達し
得ることが明かとなった。本発明による磁気記録体では
、磁性薄膜中の結晶性の高い下層部が露出せず結晶性の
低い上層部に覆われた状態にある。この上層部の結晶性
が低い、即ち非晶質に近いことによって薄膜媒体の耐酸
化性と硬度を向上させているものと思われる。あるいは
さらに結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子が分散し
た構造からなる場合には、結晶性の高い粒子は磁性薄膜
表面近傍ないしは一部は表面にも存在し、しかも母材の
結晶性は低いが非磁性層ではないため磁気ヘッドと磁気
記録層との間隔を増加しないという利点がある。

このため耐酸化性と硬度のみならず記録再生特性（出力
１分解能、オーバーライド、ノイズ、ピークシフト等）
も向上しうることか明かとなった。

本発明は、このような知見を得たことによりもたらされ
たものである。

〔実施例〕

次に具体的に実施例により本発明を説明する。

実施例１ アルミ合金基板（内径ＩＱＱｍｍ、外径２１０ｍｍ）上
に非磁性Ｎ１−Ｐ層をめっきした後、表面を鏡面研磨し
磁気ディスク基板とした。次にその一部に無電解めっき
法によりめっき浴（１）を用いて膜厚０．０４μｍの磁
性薄膜を形成した後、めっき浴（２）ヲ用いて膜厚０．
０５μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（１） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．０４　　ｍｏｌ／ｌジメ
チルアミンボラン　　０．０８　　ｍｏｌ／ｌ酒石酸ナ
トリウム　　　　０．３　　　ｍ　ｏ　ｌ　／　ｌクエ
ン酸ナトリウム　　　０．４　　　ｍｏｌ／ｌ硫酸アン
モニウム　　　　０．４　　　ｍｏｌ／ｌめっき条件 浴温　８０℃ めっき浴のＩ）Ｈ７，５（室温にてアンモニア水でｐＨ
調節） めっき液の容量　１００１ めっき浴（２） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．１　　　ｍｏｌ／１次亜
リン酸ナトリウム　　０．３５　　ｍｏｌ／ｌ酒石酸ナ
トリウム　　　　１．０　　　ｍｏｌ／１クエン酸ナト
リウム　　　Ｏ，ｌ　　　ｍｏ　ｌ　／１硫酸アンモニ
ウム　　　　０．５　　　ｍｏ１７１めっき条件 浴温　８０℃ めっき浴のｐＨ９，２（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節） めっき液の容量　１ｏｏｔ 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、第１図にモデル図を示すように磁性
薄膜の上層部１の結晶性が下層部２の結晶性に比較して
低く、前記磁性薄膜の結晶性が膜厚方向に不連続的に変
化した構造をしていることが確認された。

次にこの上に珪酸モノマーを回転塗布し、１９０℃で数
時間焼成して膜厚０．０２μｍの珪酸重合体を主成分と
する保護膜を形成し、更にこの上に脂肪族炭化水素系の
固体潤滑剤からなる潤滑層を形成し磁気ディスク（１）
’を作製した。

実施例２ 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では下記のめつき浴（３）ヲ用いて無電解め
っき法によって膜厚０．１μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（３） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．０８　　ｍｏｌ　／ｌｊ
硫酸二、ケル　　　　　　０．０２　　ｍｏｌ／１次亜
リン酸ナトリウム　　０．１５　　ｍｏｌ　／７３ジメ
チルアミンボラン　　０．０６　　ｍｏｌ／ｌマロン酸
ナトリウム　　　０．８　　　ｍｏｌ／Ｊリンゴ酸ナト
リウム　　　０．４　　　ｍｏｌ／ｌクエン酸ナトリウ
ム　　　０．１　　　ｍｏ１／１硫酸アンモニウム　　
　　０．４　　　ｍｏ１７１めっき条件 浴温　７５℃ めっき浴のｐＨ８，５（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節） めっき開始後めっき浴中で超音波を発生させ、徐々にそ
の強度を増す。

めっき液の容量　１００１ 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、第２図にモデル図金示すように磁性
薄膜の上層部１の結晶性が下層部２の結晶性に比較して
低く、前記磁性薄膜の結晶性が膜厚方向に連続的に変化
した構造金していることが確認された。さらに実施例１
と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚０．０４μｍの保護
膜を形成後、潤滑層全形成し磁気ディスク（２）を作製
した。

実施例３ 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では無電解めっき法によって下記のめっき浴
（４）　ｆｔ用いて膜厚０．０２μｍの磁性薄膜を形成
した後、めっき浴（５）ｔ−用いて膜厚０．０７μｍの
磁性薄膜全形成した。

めっき浴（４） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．０５　　ｍｏｌ／ｌジメ
チルアミンボラン　　０．０７　　ｍｏｌ／ｌマロ／酸
ナトリウム　　　０．５　　　ｍｏ　ｌ　／１クエン酸
ナトリウム　　　０．４　　　ｍｏｌ／１硫酸アンモニ
ウム　　　　０．２　　　ｍｏ１／ｌカチオン界面活性
剤　　　少量 添加粒子　　　　　　　　下記（３）〜（８）めっき条
件 浴温　８０℃ めっき浴のｐＨ７，３（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節） めっき液の容量　１００１ スターラ攪拌速度　３００ｒｐｍ程度 （スターラ攪拌速度およびカチオン界面活性剤の量は適
度な懸濁状態を保持するよう調整する。） めっき浴（５） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．１２　　ｍｏ１７１次亜
リン酸ナトリウム　　０．３　　　ｍｏｌ／ｌ酒石酸ナ
トリウム　　　　１．０　　　ｍｏｌ／ｌクエン酸ナト
リウム　　　０．２　　　ｍｏｌ／ｌホウ酸　　　　　
　　　０．５　　ｍｏｌ／Ｊカチオン界面活性剤　　　
少量 添加粒子　　　　　　　　下記（３）〜（８）めっき条
件 浴温　８０℃ めっき浴のＩ）Ｈ９，１（室温にてＮａＯＨでｐＨ調節
） めっき液の容量　１００１ スターラ攪拌速度　３００ｒｐｍ程度 （スターラ攪拌速度およびカチオン界面活性剤の量は適
度な懸濁状態を保持するよう調整する。） 添加粒子としては、（３）　Ｃｏ磁性粉（平均粒径０．
０２５μｍ）３０ｇ／Ａ！、（４）Ｃｏ−Ｎｉ磁性粉（
平均粒径０．０３μｍ）５０ｇ／Ａ！、（５）　Ｆ　ｅ
磁性粉（平均粒径０．０３　ｐｍ　）　６０　ｇ／　ｌ
　、　（６）Ｆｅ−Ｃ。

磁性粉（平均粒径０．０５　ｔｔｍ　）　５５　ｇ／１
．　（７）Ｂａフェライト磁性粉（平均粒径０．０５μ
ｍ）４０ｇ／ｌないしは（８）γ−Ｆｅ１０３磁性粉（
平均粒径０．０６μｍ）６５ｇ／ｌｅ用いた。

得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、第３図にモデル図を示すように磁性
薄膜が結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子３が分散
した構造からなり、前記母材の上層部ｌの結晶性が下層
部２の結晶性に比較して低く、前記母材の結晶性が膜厚
方向に不連続的に変化した構造をしていることが確認さ
れた。

さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚０．
０１５μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成した。こう
して作製した磁気ディスクを各々の添加粒子に対して磁
気ディスク（３）〜（８）とする。

実施例４ 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では下記めっき浴（６）を用いて無電解めっ
き法によって膜厚０，１μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（６） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．０８　　ｍｏｌ／ｌ硫酸
ニッケル　　　　　　０．０１　　ｍｏ１７１次亜リン
酸ナトリウム　　０．２３　　ｍｏｌ／ｌジメチルアミ
ンボラン　　０．０４　　ｍｏｌ／ｌクエン酸ナトリウ
ム　　　０．２　　　ｍｏｌ／ｌリンゴ酸ナトリウム　
　　０．４　　　ｍｏｌ／Ｊマロン酸ナトリウム　　　
０．２　　　ｍ’ｏｌ／ｌ硫酸アンモニウム　　　　０
．４　　　ｍｏｌ／Ｊカチオン界面活性剤　　　少量 添加金属塩　　　　　　　下記（９）〜（１６）めっき
条件 浴温　８０℃ めっき浴のｐＨ８，５（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節） めっき液の容量　１００１ スターラ攪拌速度　３Ｑｒｐｍ程度 添加金属塩としては、（９）スズ酸ナトリウム０．Ｏ１
ｍｏ１／１１　（ｔｏ）硫酸チタ７０．ＯＯ１５ｍｏｌ
／ｌ。

αｌ）酢酸クロム０．００２ｍｏｌ／１．　　α２）塩
化マンガン０．０４５ｍｏｌ／１％　０３）モリブデン
酸ナトリウム０．００３　ｍｏｌ／Ｊ　、　（１４）硫
酸亜鉛０．０３　ｍｏ　ｌ　／ｌ　。

α５）タングステン酸ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ａ。

α６）過レニウム酸アンモニウム０．０２ｍｏｌ／ｌＱ
用いた。

得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、第４図にモデル図金示すように磁性
薄膜が結晶性の低い上層部ｌの母材中に結晶性の高い粒
子３が分散した構造からなり、前記母材の上層部の結晶
性が下層部２の結晶性に比較して低く、前記母材の結晶
性が膜厚方向に不連続的に変化した構造をしていること
が確認された。この場合予め形成された粒子を用いてい
ないため格子像の見られる結晶性の高い粒子部分と結晶
性の低い母材との境界は不明確で連続的に結晶性が変化
していた。さらに実施例１と同様にしてこの磁性薄膜上
に膜厚０．０１μｍの保護膜を形成後、潤滑層を形成し
た。こうして作製した磁気ディスクを各々の添加金属塩
に対して磁気ディスク（９）〜α６）とする。

実施例５ 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本実施例では電気めっき法によって下記のめっき浴（
７）ヲ用いて膜厚０．０９μｍの磁性薄膜を形成した。

めっき浴（７） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．４　　　ｍｏｌ／ｌＴｍ
Ｗｋ　ニラ’ｙ−ｋ　　　　　　　Ｏ，ｌ　　　ｍｏ　
ｌ　／ｌ硫酸クロム０．０１　　ｍ０１７１ 次亜リン酸ナトリウム　　０．１　　　ｍｏｌ／ｌ塩化
アンモニウム　　　　０．４　　　ｍｏｌ／ｌカチオン
界面活性剤　　　少量 添加粒子　　　　　　　　下記（１７）〜α９）めっき
条件 浴温　５０℃ めっき浴のｐＨ５ 電流密度　０．５〜１０Ａ／ｄｍ”　（めっき開始後よ
り、徐々にその強度全項す。） 電流波形　ＤＣ，ＡＣ０，５秒ごと めっき液の容量　１００１ スターラ攪拌速度　３Ｑｒｐｍ程度 （スターラ攪拌速度およびカチオン界面活性剤の量は適
度な懸濁状態を保持するよう調整する。） 添加粒子としては、Ｃ７）Ｃ６，磁性粉（平均粒径０．
０３μｍ）１５ｇ／ＣＣ８）ｃｏ−Ｎｉ磁性粉（平均粒
径０．０４　ａｍ　）　４０　ｇ／ｌないしはＣ９）Ｂ
ａフェライト磁性粉（平均粒径０．０５μｍ）４ｓｇ／
ｌを用いた。

得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった結果、第５図にモデル図を示すように磁性
薄膜が結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子３が分散
した構造からなり、前記母材の上層部１の結晶性が下層
部２の結晶性に比較して低く、前記母材の結晶性が膜厚
方向に連続的に変化した構造ｔしていることが確認され
た。さらにこの磁性薄膜上に潤滑層を形成した。こうし
て作製した磁気ディスクを各々の添加粒子に対して磁気
ディスク（１７）〜（１９）とする。

比較例１ 実施例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本比較例では下記のめっき浴（８）ヲ用いて無電解め
っき法によって膜厚０．１１μｍの磁性薄膜を形成した
。

めっき浴（８） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　０．０８　　ｍｏｌ／ｌ硫酸
ニッケル　　　　　　０．０３　　ｍｏｌ／１次亜リン
酸ナトリウム　　０．２　　　ｍｏｌ／ｌマロン酸ナト
リウム　　　０．８　　　ｍｏ　ｌ　／ｌリンゴ酸ナト
リウム　　　０．３　　　ｍｏｌ／ｌ硫酸アンモニウム
　　　　０．５　　　ｍｏｌ／ｌめりき条件 浴温　８０℃ めっき浴のｐＨ９，０（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節） めっき液の容量　１００１ 得られた磁気ディスクの磁性薄膜の断面の電子顕微鏡観
察を行なった。膜中での粒径の不均一は認められたが、
結晶性は全体に均一で分布は認められなかった。さらに
実施例１と同様にしてこの磁性薄膜上に膜厚０．１μｍ
の保護膜を形成後、潤滑層を形成し磁気ディスク（２０
）を作製した。

比較例２ 比較例１と同様の手順で磁気記録体の作製を行なったが
、本比較例では磁性薄膜上の保護膜厚を（２１）膜厚０
．０９　ｔｔｍ　、　（２２）膜厚０．０７μｍ１（２
３）膜厚０．０５μｍとした磁気ディスク（２１）　。

（２２）　、　（２３）を作製した。

実施例および比較例で得られた磁気ディスクについて、
下記の条件で記録再生特性の測定を加えながら温度８０
℃、湿度９８チでの耐候性試験を行ない、エラーの増加
が始まるまでの時間（Ａ）を調べた。Ａが２０日以上で
あれば実用上十分な耐候性があると考えられる。

測定条件 ディスク回転数：　３．ＱＱＱ　ｒｐｍトラック：直径
１２６〜１９０　ｍｍ 使用ヘッドのトラック幅：１８．５μｍギヤ、プ長：１
μｍ コイル巻数：　１６＋１６ ヘツド浮上量二〇、２μｍ 記録周波数（２Ｆ　）　：　６．０８　ＭＨｚ記録電流
：４０ｍＡ エラースライスレベル二６０チ また実施例および比較例で得られた磁気ディスクについ
て、Ｍｎ−Ｚｎ７エライト・へ、ドを用いてＣ８Ｓ　（
接触・始動・停止）試験を行ない表面に傷が発生するま
でのＣ８Ｓ回数（Ｂ）を調べた。

Ｂが２万回以上であれば実用上十分な耐久性をもつと考
えられる。

以上の結果を表１に示す。

表１．耐候性、耐久性の試験結果（つづき）比較例で得
られた磁気ディスクでは耐候性と耐久性を満たすのに膜
厚０．１μｍ以上の保Ｗ膜を必要とするが、実施例で得
られた磁気ディスクでは耐候性と耐久性が著しく向上し
保護膜厚を０．０４μｍ以下に低減することが可能とな
った。

さらに実施例および比較例で得られた磁気ディスクにつ
いて、記碌再生特性の比較を行なったが、出力９分解能
、オーバーライド、ノイズ、ピークシフト等いずれの特
性も比較例で得られた磁気ディスクよりも実施例で得ら
れた磁気ディスクのほうが優れていた。

なお、上記したように５つの実施例を示したが、これは
本発明の効果を示すための例示であって、これに限定さ
れるものではない。

〔発明の効果〕　　　　　　　　　　　　　　　　　４
以上のように、本発明によれば、基体上に設けられた磁
性薄膜からなり、前記磁性薄膜の上層部の結晶性が下層
部の結晶性に比較して低く、前記磁性薄膜の結晶性が膜
厚方向に不連続的に変化しているか、前記磁性薄膜の上
層部の結晶性が下層部の結晶性に比較して低く、前記磁
性薄膜の結晶性が膜厚方向に連続的に変化しているか、
前記磁性薄膜が結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子
が分散した構造からなり、前記母材の上階部の結晶性が
下層部の結晶性に比較して低く、前記母材の結晶性が膜
厚方向に不連続的に変化しているか、あるいは前記磁性
薄膜が結晶性の低い母材中に結晶性の高い粒子が分散し
た構造からな夛、前記母材の上層部の結晶性が下層部の
結晶性に比較して低く、前記母材の結晶性が膜厚方向に
連続的に変化している構造とすることにより、金属磁性
薄膜の耐酸化性と硬度を向上させた磁気記録層を有し、
耐候性と耐久性に優れた磁気記録体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１．第２．第３．第４．第５図は、本発明の第１〜第
５の実施例における本発明の磁気記録体の磁性薄膜の断
面のモデル図である。 １・・・・・・結晶性の低い上層部、２・・・・・・結
晶性の高い下層部、３・・・・・・結晶性の高い粒子。 代理人　弁理士　　内　原　　　音 第３図 第４図

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に磁性薄膜を設けた構造を有する磁気記録
   体において、前記磁性薄膜の上層部の結晶性が下層部の
   結晶性に比較して低く、前記磁性薄膜の結晶性が膜厚方
   向に不連続的に変化していることを特徴とする磁気記録
   体。
2. （２）基体上に磁性薄膜を設けた構造を有する磁気記録
   体において、前記磁性薄膜の上層部の結晶性が下層部の
   結晶性に比較して低く、前記磁性薄膜の結晶性が膜厚方
   向に連続的に変化していることを特徴とする磁気記録体
   。
3. （３）基体上に磁性薄膜を設けた構造を有する磁気記録
   体において、前記磁性薄膜が結晶性の低い母材中に結晶
   性の高い粒子が分散した構造からなり、前記母材の上層
   部の結晶性が下層部の結晶性に比較して低く、前記母材
   の結晶性が膜厚方向に不連続的に変化していることを特
   徴とする磁気記録体。
4. （４）基体上に磁性薄膜を設けた構造を有する磁気記録
   体において、前記磁性薄膜が結晶性の低い母材中に結晶
   性の高い粒子が分散した構造からなり、前記母材の上層
   部の結晶性が下層部の結晶性に比較して低く、前記母材
   の結晶性が膜厚方向に連続的に変化していることを特徴
   とする磁気記録体。
5. （５）前記磁性薄膜が、少なくともＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの
   １種以上を含有した磁性薄膜である特許請求の範囲第１
   〜４項記載の磁気記録体。
6. （６）前記磁性薄膜が、少なくともＣｏ、Ｎｉ、Ｆｅの
   １種以上を含有しさらにＰ、Ｂ、Ｎ、Ｃ、Ｈ、Ｏから選
   ばれた少なくとも１種を含有した磁性薄膜である特許請
   求の範囲第１〜４項記載の磁気記録体。