JPH0411321A - 磁気記録体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気記録媒体の主として膜厚方向の磁化によ
って記録を行なう、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録
体およびその製造方法に関するものである。

（従来の技術） 従来、一般の磁気ディスク装置、磁気テープ装置などの
磁気記録装置においては、磁気記録媒体の長手方向に磁
化することにより記録を行ってきたが、この方式では記
録密度の増加に従って媒体内の反磁界が増大して残留磁
化の減衰と回転を生じ、再生出力が著しく減少するとい
う欠点が存在する。このため記録密度が増力蘭−るほと
反磁界が小さくなり、高密度記録が可能な垂直記録方式
が提案され、この垂直記録に適した磁気記録媒体として
膜厚に垂直な方向に磁化容易なＣｏＣｒスパッタ膜が提
案されている（特開昭５２−１３４７０６号公報）。

また、このような垂直記録を効率良く行うため、２層構
造磁性膜を有する磁気記録体が提案されている（特公昭
５８−９１号公報）。２層構造磁性膜は垂直磁気記録層
（磁気記録媒体）と低保磁力層からなるが、この低保磁
力層は垂直磁気記録層の裏面の磁気回路を閉じ、裏面の
磁極の一部を打ち消す作用をする。このため減磁作用が
減少し、残留磁化を強めるために再生出力の増大が図れ
る。記録過程においても記録感度の向上や垂直記録ヘッ
ドを使用する場合に補助磁極が不要となるなどの利点が
指摘されている。

２層構造磁性膜の垂直磁気記録層にはＣｏＣｒスパッタ
膜のほかに、スパッタ、蒸着などの乾式成膜法によるＣ
ｏＭ、　ＣｏＣｒＭ（Ｍは第３元素）などの００合金膜
、Ｆｅ合金膜、Ｏｓ添加フェライト膜、Ｂａフェライト
膜などが開発されてきた。また、２層構造磁性膜の低保
持力層としては、主としてスパッタ法によるＦｅＮｉ膜
（パーマロイ）、ＭｏＦｅＮｉ膜（モリブデンパーマロ
イ）、ＣｏＺｒ膜、ＣｏＺｒＮｂ膜などの軟磁性膜が使
用される。しかし、これらの膜を乾式成膜法によって作
製する場合、真空系内で行なうため量産性に問題がある
。

このためこの様な製造上の問題点を改善して量産性に優
れた無電解めっき法により、垂直磁気記録層を作製する
方法か開発されている。この方法に用いるめっき浴には
、無電解ＣｏＷＰめっき浴（特開昭５６−１４２８６７
号公報）、無電解ＣｏＭｎＰめっき浴（特開昭５７−１
４０８６９号公報）、無電解ＣｏＮｉＭｎＰめっき浴（
特開昭５８−０５８２６７号公報）、無電解ＣｏＮｉＭ
ｎＲｅＰめっき浴（特開昭６０−１０３１８１号公報）
、無電解ＣｏＮ１ＲｅＰめっき浴（特開昭６１−００３
３１６号公報）が見出されている。

コバルト合金磁性膜において垂直異方性を有するために
は、ｈｃｐｃｏ（六方晶）のＣ軸を主として基板に垂直
配向させることが必要条件であるが、これらの浴ではＣ
ｏＰあるいはＣｏＮ１Ｐのめっき浴にＷ、Ｍｎあるいは
Ｒｅなとの可溶性塩を添加し、ＣｏＷＰ、ＣｏＭｎＰ、
　ＣｏＮｉＭｎＰ、　ＣｏＮｉＭｎＲｅＰ、　ＣｏＮ１
ＲｅＰなどの合金膜とすることによって良好な垂直配向
性か得られている。また、無電解めっき法による低保磁
力層としては、無電解Ｎ１ＦｅＰめっき膜、無電解Ｎｉ
Ｐめっき膜、無電解Ｎ１ＷＰめっき膜などが適用されて
いるが、このうちＮ１ＦｅＰ膜を使用した場合量も大き
な再生出力が得られる（アイ・イー・イー・イートラン
ザクションオンマグネチソクス（ＩＥＥＥＴｒａｎｓａ
ｃｔｉｏｎ　ｏｎ　Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ）第Ｍａｇ−２
３巻、第２３５６〜２３５８頁、１９８７年）。

（発明が解決しようとする課題） 垂直磁気記録層および低保磁力層を無電解めっき法によ
り作製した前記の２層構造磁性膜は、スパッタ法によっ
てＰｄ触媒を核付けされたポリイミド基板上に形成され
ている。しかし、この２層構造磁性膜をハードディスク
に適用することには問題があった。ハードディスク用の
基板としては、アルミニウム合金素板上にニッケル合金
層をめっき法によって形成した後、研磨加工仕上げした
基板（以下、ニッケル合金めっき基板）が広く用いられ
ている。ニッケル合金層は硬く緻密で均質に形成できる
ため、研磨加工が容易である。ニッケル合金めっき基板
は、機械的精度、機械的強度のほか加工性、軽量性、価
格面からも現在最も優れたハードディスク用の基板とな
っている。ところがこのニッケル合金層の表面に無電解
めっき法により低保磁力層特にＮｉＦｅ合金めっき膜を
形成することは困難であった。めっき浴組成、めっき条
件等をいかに変化させてもニッケル合金層上に！ｌ［［
：電解ＮｉＦｅ合金めっき膜を形成することができなか
った。湿式法によるＰｄ活性化処理、スパッタ法による
Ｐｄ触媒を核付は処理のほか卑な金属を接触させる電気
化学的な活性化処理等のめっき反応を始動させるための
処理を行なっても、ニッケル合金層上に傭電解ＮｉＦｅ
合金めっき膜を形成することが困難であった。また、強
度の活性化処理や電気めっきによってＮｉＦｅ合金膜を
形成したとしてもＮｉＦｅ合金膜の特性が著しく不均一
となり、この上の垂直磁気記録層の磁気特性も大きく変
化するため−様な特性、膜厚の２層構造磁性膜を形成す
ることが困ｊｌ！、であった。

本発明の目的は、従来の問題を改善して、ニッケル合金
層上に−様なＮｉＦｅ合金膜を下地膜とする２層構造磁
性膜が形成された磁気記録体とその磁気記録体を容易に
再現性良く作製するための製造方法を提供することにあ
る。

（課題を解決するための手段） 本発明による磁気記録体は、基体上に、ＮｉＦｅ合金下
地膜と主として膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する
磁性膜とからなる２層構造磁性膜が形成された磁気記録
体において、前記基体が基板を被覆するニッケル合金層
と前記ニッケル合金層を被覆する銅合金層ど前記鋼合金
層を被覆する貴金属合金層から構成されることを特徴と
している。

本発明による磁気記録媒体の製造方法は、前記基体上に
ＮｉＦｅ合金下地膜を無電解めっき法によって形成する
にあたり、前記基体の銅合金層を被覆した貴金属合金層
表面を電気化学的に活性化することを特徴としている。

本発明による磁気記録体に用いられるＮｉＦｅ合金下地
膜は、少なくとも、Ｎｉ、Ｆｅを含有した膜である。Ｎ
ｉＦｅ合金下地膜を作製する無電解めっき浴に用いられ
る還元剤がヒドラジンの場合は共析元素の量は僅かであ
るが、次亜燐酸塩であれば膜中にＰが含有され、ジメチ
ルアミンボラン、ジエチルアミンボラン、水素化はう素
化合物などのホウ素化合物であればＢが含有される。Ｎ
１ＦｅＰを得るめっき浴としては、東北大学科学計測研
究所報告、第３３巻、第１号、１−１３、ｐ１〜１３（
１９８４）、金属表面技術ｔｈ会第６５回講演大会要旨
集、ｐ１３８〜１３９（１９８３）など、Ｎ１ＦｅＢを
得るめっき浴としては、金属表面技術協会筒６５回講演
大会要旨集、ｐ１３８〜１３９（１９８３）などに例が
挙げられている。本発明において用いられる下地膜のそ
の他の成分としては、Ｂｅ、Ｂ、Ｍｇ、ＡＩ、Ｒｅ、Ｍ
ｎ。

Ｗ、Ｒｕ、Ｓｉ、Ｃｏ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃｄ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｉｒ、Ｈｇ、ＴＩ　、Ｎｂ、Ｇｄ　
。

Ｔｂ　、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｍ
ｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ　、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔｅ。

Ｂａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｏｓ、Ｐｂ、Ｂｉ等が本発明の効果
に影響を与えない範囲で含まれてもよい。めっき膜中に
はこれらの元素のほか、添加剤の種類によってはＣ，Ｎ
、０．Ｓ、Ａｓ、Ｎａ、に、Ｆ、ＣＩ、Ｃａ等の非金属
が含有されることがある。下地膜厚は０．００２〜１０
μｍの範囲が用いられる。

本発明による磁気記録体に用いられる垂直磁気記録層は
、主として膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性
膜である。この磁性膜には、無電解めっき法によるもの
でしてＣｏＷＰめっき膜（特開昭５６−１４２８６７号
公報）、ＣｏＭｎＰめっき膜（特開昭５７−１４０８６
９号公報）、ＣｏＮｉＭｎＰめっき膜（特開昭５８−０
５８２６７号公報）、ＣｏＮｉＭｎＲｅＰめっき膜（特
開昭６０−１０３１８１号公報）、ＣｏＮ１ＲｅＰめっ
き膜（特開昭６１−００３３１６号公報）、ＣｏＮ１Ｐ
めっき膜（「磁気記録媒体およびその製造方法」特願平
１−１９９６２２号明細書、平成元年７月３１日出願）
などの合金膜がある。その他、電気めっき法によるＣｏ
合金膜、乾式成膜法によるＣｏＣｒ膜などのＣｏ合金膜
、Ｆｅ合金膜等の垂直異方性膜であってもよい。垂直磁
気記録層は０．００５〜５ｐｍの膜厚範囲が用いられる
が、高密度記録用には０．５ｐｍ以下が好ましい。

本発明において用いられる銅合金層は、少なくとも銅を
２０％以上、好ましくは５０％以上含有した層である。

銅合金層は、無電解めっき、電気めっきなどの湿式成膜
法、蒸着、スパッタなどの乾式成膜法のいずれの方法で
形成しても良いが、生産性の観点からは無電解めっきに
よるのが好ましい。

無電解めっきのめっき液としては、ホルマリンを還元剤
とする公知の無電解銅めっき液、市販液（例えば、シブ
レイファーイースト社製、キューポジノト力ノパーミノ
クス）、非ホルマリン型の市販液（例えば、実計製薬工
業（株）製、カッパーＬＰ、カッパーＦＬ）、置換型の
市販液（例えば、実計製薬工業（株）製、サブスターＣ
Ｕ）などがある。銅合金層の膜厚には特に制限はないが
、その上に貴金属合金層、低保磁力層、垂直磁気記録層
、保護膜などが形成された磁気記録体の最終表面の表面
精度を劣化させないことが好ましく、必要な均一性と活
性能を与えうる限り薄いことが望ましい。銅合金層の膜
厚としては、０．００３〜２ｐｍ、好ましくは０．０１
〜０．１ｐｍの範囲が用いられる。

本発明において用いられる貴金属合金層は、パラジウム
、金、銀、白金、ロジウム、ルテニウムなどの貴金属の
１種以上を主成分とするが、その他の成分としては、Ｂ
ｅ、Ｂ　、Ｍｇ、Ａｌ、Ｒｅ、Ｍｎ、Ｗ、Ｒｕ、Ｓｉ、
Ｃｏ。

Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ　、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ　、Ｔａ、
Ｉｒ、Ｈｇ、ＴＩ　、Ｎｂ　、Ｇｄ　、Ｔｂ　、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ。

Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂａ、Ｃｅ、８ｍ　。

○ｓ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃ，Ｎ、Ｏ，Ｓ、Ａｓ、Ｎａ、に、
Ｆ、ＣｌＣａ、Ｂ、Ｐ等が本発明の効果に影響を与えな
い範囲で含まれていてもよい。貴金属合金層の膜厚には
特に制限はないが、その上に低保磁力層、垂直磁気記録
層、保護層などが形成された磁気記録体の最終表面の表
面精度を劣化させないことが好ましく、必要な活性能を
有する限り薄いことが望ましい。貴金属合金層が厚いと
連続膜となっているが、薄膜では貴金属属微粒子が処理
基板表面上に多数付着した状態となっている場合も考え
られる。貴金属合金層の薄膜としては、０．０００３〜
２ｐｍ、好ましくは０．０００７〜０．０５μｍの範囲
が用いられる。貴金属合金層の形成方法としては、処理
基板をパラジウム、金、銀などの貴金属塩を主として溶
解した処理液に浸漬し貴金属粒子を吸着させる方法が好
ましいが、湿式あるいは乾式のめっき法即ち、無電解め
っき、電気めっき、スパッタ、蒸着、イオンブレーティ
ング、クラスタイオンビーム蒸着等の処理方法でパラジ
ウム、金、銀、白金、ロジウム、ルテニウム、鎖などの
貴金属を付着させてもよい。処理液を用いた貴金属合金
層形成処理としては、プラスチックめっき等の前処理で
ある活性化処理法を転用することができる。これには、
酸性領域で行う塩化すず溶液による感受性化処理と塩化
パラジウム溶液による活性化処理の２段階活性化処理法
、酸性領域で行うすず／パラジウムコロイド触媒溶液と
酸・アルカリ溶液を用いた促進化処理からなる１段階活
性化処理法、アルカリ性領域で行うすず／パラジウム錯
体触媒溶液を用いた１段階活性化処理法、酸性、アルカ
リ性、中性のいずれでも行える貴金属塩溶液による活性
化処理方法などがある。

従来より広く行われている２段階処理法は、米国特許２
７０２２５３号に示されているように５ｎＣ１２溶液か
らなるセンシタイザ−液による感受性化処理、それに続
＜　Ｐｄ、　Ａｕ、　Ａｇなどの貴金属イオンを有する
アクチベーター液による活性化処理の工程であり、この
処理により基板表面にはめっき反応の触媒作用をもつＰ
ｄ、　Ａｕ、　Ａｇなどの微粒子が付着する。処理液組
成の例としては、金属表面技術講座９「無電解メツキ］
、石橋知著、朝食書店、１９６８年発行に見られるよう
な、 Ｎａｒｃｕｓ液（酸性）：　Ｓｎ０１２１０ｇ／ｌ、Ｈ
Ｃｌ４０ｍ１／１、Ｎａｒｃｕｓ液（アルカリ性）：　
Ｓｎ０１２１００ｇ／ｌ、ロッシェル塩１７５ｇ／ｌ、
ＮａＯＨ１５０ｇ／ＩＷｅｉｓｓ液：　５ｎＳｏ４２５
〜４０ｇ／ｌ、Ｈ２Ｓｏ４５〜２０ｍ１／１、アルコー
ル１５０〜２５０ｍ１／１、キノール５〜１５ｍ１／１
、水６００〜１０１００Ｏ／ＩＷａｌｋａｒ液：　Ｓｎ
Ｃｌ２９０ｇ／ｌ、ＨＣｌ５５ｍ１／１などのセンシタ
イザ−液、 Ｐｄ処理液（１）：　ＰｄＣｌ２２ｇ／ｌ、ＨＣｌ２０
ｍ１／１、Ｐｄ処理液（２）：　ＰｄＣｌ２０．１５＋
−０，２５ｇ／ｌ、ＨＣｌ２．５ｍｌ／１、Ａｕ処理液
：塩化金酸１ｇ／ｌ、ＨＣｌ２ｍ１／１、Ａｇ処理液：
硝酸銀１．５ｇ／ｌ、アンモニア１．２ｍｌ／１などの
アクチベーター液を用いることができる。

また、市販液の１例として日本カニゼン社製、ピンクシ
ューマー（センシタイザ−液）、レッドシューマー（ア
クチベーター液）などを用いることができる。

近年、より均一な触媒化法として米国特許３０１１９２
０号、３５３２５１８号、３６５０９１３号に示されて
いるようにすず／パラジウムコロイド触媒溶液による触
媒化処理と酸ないしはアルカリ溶液による促進化処理液
からなる１段階処理法が行われるようになった。処理液
組成の例としては、ティ、オオサカ他（Ｔ、　０ｓａｋ
ａ　ｅｔ　ａｌ）、ジャーナル・オブ・エレクトロケミ
カル・ソサイアテイ（Ｊ、　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉ
ｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）、１２７巻、５号、１９８０
年、１０２１頁にあるように、Ｎ夜：ＨＣｌ　６０ｍ１
／１→水−＋ＰｄＰｄＣ１２ｌ＋５ｎＣ１２２Ｈ２０２
２ｇつ順で調整し、水を加えて１０１００Ｏとしたコロ
イド液、 ’Ｂｆｉ−：　ＨＣＩ　６０ｍ１／１−＋ｋ　−＋Ｐｄ
Ｃｌ２０２５ｇ−＋ＳｎＣ］２２Ｈ２０１２ｇの順で調
整し、水を加えて１０１００Ｏとしたコロイド液、 Ｃ液：　ＨＣＩ　３００ｍ１−＋水→ＰｄＣｌ２１ｇ　
４　Ｎａ２５ｎ０３１．５ｇ　→５ｎＣ１２２Ｈ２０３
７，５ｇの順で加えて調整したコロイド液、 Ｄ液：　ＨＣＩ　３２０ｍ１→水−＋ＰｄＣｌ２１ｇ−
＋５ｎＣ１２２Ｈ２０４ｇの順で加え１日熱成後５ｎＣ
１２２Ｈ２０４６ｇを加えて調整したコロイド液など、 市販液ではＥ液：日立化成製塩酸ベースコロイド液Ｈ８
ｌ０ＩＢ、　Ｅ′液ニジプレイファイ−スト製塩酸ベー
スコロイド液キャタリスト９Ｆ、　Ｆ液ニジプレイファ
イ−スト製塩ベースコロイド液キャタボジット４４など
の触媒溶液と、 ティ・オオサカ他（Ｔ、　０ｓａｋａ　ｅｔ　ａｌ）、
ジャーナル、オブ。

エレクトロケミカル・ソサイアティ（Ｊ、　Ｅｌｅｃｔ
ｒｏ−ｃｈｅｍｉｃａｌ　５ｏｃｉｅｔｙ）、１２７巻
、１１号、１９８０年、２３４３頁にあるように、Ｇ液
：ＮａＯＨ１ｍｏｌ／１、Ｈ液：ＨＣｌ　６ｍｏｌ／１
．１液：　Ｈ２ＳＯ４１，１２ｍｏｌ／１、Ｊ液：アン
モニア１ｍｏｌ／１、Ｋ液：　ＮＨ４ＢＦ４１ｍｏｌ／
１など、市販液ではＬ液：日立化成製ＡＤＰ２０１、Ｍ
液ニジプレイファイ−スト製アクセレレータ１９などの
促進化処理液を用いることができる。

さらに最近アルカリ性領域で行うすず／パラジウム錯体
触媒溶液が使用されるようになった。市販液としてはシ
ェーリング社製アクチヘーターネオガント８３４がある
。

酸性、アルカリ性ないしは中性領域で行う貴金属塩溶液
による活性化処理方法としては、前託アクチベーター液
のＰｄ処理液（１）、Ｐｄ処理液（２）、Ａｕ処理液、
Ａｇ処理液などを用いることができる。ＰｄＣｌ２濃度
としては０．０００１〜５０ｇ／ｌ、好ましくは０．０
０５〜１５ｇ／ｌの範囲が、塩化金酸濃度としては０．
００１〜３０ｇ／ｌ、好ましくは０．１〜Ｌｏｇ／ｌの
範囲が、硝酸銀濃度としては０．００１〜３５ｇ／ｌ、
好ましくは０．１〜１５ｇ／ｌの範囲が用いられる。Ｍ
ＣＩ濃度としては、０．００１〜５００ｍ１／１、好ま
しくは０．１〜１００ｍ１／１の範囲が、アンモニア濃
度としては、０．００５〜６００ｍ１／１、好ましくは
０．１〜１５０ｍ１／１の範囲が用いられる。貴金属と
しては、Ａｕ、　Ａｇ、　ＰｄのほかにＰｔ、　Ｒｈ、
　Ｒｕ、Ｒｅなとの元素も用いることができ、貴金属塩
としては、塩化塩のほかに硫酸塩、硝酸塩、有機塩酸な
とも用いることができる。また使用する酸も塩酸のほか
に、硫酸、硝酸、有機酸等を用いることができる。その
ほか、ｐＨ緩衝剤、錯化剤の作用を与えるコハク酸、酢
酸などの有機酸、界面活性剤などの添加剤が加えられる
ことがある。市販液としては、酸性液には日本カニゼン
社製の活性液１、アルカリ性液には同じく日本カニゼン
社製の活性液２．３などがある。処理法としては、処理
温度０〜９５°Ｃ１好ましくは１５〜８０°Ｃの範囲、
浸漬処理時間１秒〜１００分、好ましくは５秒〜１５分
間の範囲で行われる。処理液ｐＨは、ＨＣＩ酸性では通
常１以下のことが多いが、１４以上のアルカリ性あるい
はその間のｐＨ範囲で行われることがあり特に限定され
ない 表面を電気化学的に活性化する方法としては、卑な金属
を接触させめっき反応を始動させるカルバニソクィニシ
エイションや無電解下地めっき浴中で初期に通電するこ
とによって薄層のＮｉＦｅ合金膜を形成することなどが
ある。

磁性膜を形成する基板としては、通常アルミ合金、銅、
黄銅、リン青銅、鉄、チタン等の金属基板が用いられる
が、適当な活性化処理によりガラス、樹脂等の非金属基
板ないしは金属と非金属の複合材料からなる基板にも適
用できる。

基板上に被覆されるニッケル合金層としては、硬く研磨
性に優れたニッケルーリンが広く用いられているが、ニ
ッケル−１同一リン、ニノケル−モリフデンーリンなど
のニッケル合金も利用できる。またニッケル合金層のそ
の他の成分として、Ｂｅ、　Ｂ、　ＭｇＡｌ、　Ｒｅ、
　Ｍｎ、　Ｗ、　Ｒｕ、　Ｓｉ、　Ｃｏ、　Ｓｒ、　Ｙ
、　Ｚｒ、　Ｎｂ、　Ｃｃｌ、　Ｉｎ、　Ｓｂ。

Ｔａ、　Ｉｒ、　Ｈｇ、　Ｔｌ、　Ｎｂ、　Ｇｄ、　Ｔ
ｂ、　Ｔｉ、　Ｖ、　Ｃｒ、　Ｎｉ、　Ｆｅ、　Ｚｎ、
　Ｇａ。

Ｇｅ、　Ｒｈ、　Ｐｄ、　Ａｇ、　Ａｕ、　Ｐｔ、　Ｓ
ｎ、　Ｔｅ、　Ｂａ、　Ｃｅ、　Ｓｍ、　Ｏｓ、　Ｐｂ
。

Ｂｉ、Ｂ、Ｃ，Ｎ、Ｏ，Ｓ、Ａｓ、Ｎａ、に、Ｆ、ＣＩ
、Ｃａ等が本発明の効果に影響を与えない範囲で含まれ
ていてもよい。

ニッケル合金層は、無電解めっき法によって作製される
ことが多いが、電気めっき法、蒸着法、スパッタ法等に
よって作製することもできる。

本発明の主要な目的は、優れた特性の垂直磁気記録媒体
を提供することにある。従って、種々の用途に用いるた
めに種々の材質の付加的層を加えた構成の磁気記録体に
対しても本発明を適用し得ることは明らかである。この
様な構成の磁気記録体としては例えば、良好な研磨性と
極少欠陥面を得るため基板を無電解めっき法、電気めっ
き法、蒸着法、スパッタ法等によって作製されたニッケ
ルーリン、ニッケルー銅−リン、銅、スズ、銅−スズな
どの中間層で被覆したもの、欠陥減少の目的で中間層を
多層化したもの、耐候性、耐久性を与えるために磁性膜
の上に保護層、潤滑層を形成したものなどが挙げられる
。

（作用） 垂直磁気記録層および低保磁力層を無電解めっき法によ
り作製した前記の２層構造磁性膜は、スパッタ法によっ
てＰｄ触媒を核付けされたポリイミド基板上に形成され
ている。しかし、ハードディスク用の基板として広く用
いられているニッケル合金めっき基板（アルミニウム合
金素板上にニッケル合金層が形成され研磨加工されたも
の）の表面にＮｉＦｅ合金めっき膜を無電解めっき法に
より形成することは困難であった。各種活性化処理、ガ
ルバニノクイニシエイションなどを行っても、ニッケル
合金層上に無電解ＮｉＦｅ合金めっき膜を形成すること
が困難であった。無電解めっき反応は、金属イオンが還
元されるカソード反応の平＠ｒ電位が還元剤が酸化され
るアノード反応の平衡電位よりも責であれば進行する。

無電解めっき液はこのような状態となるように調整され
ているが、化学平衡論的に反応が可能であってもいかな
る条件のもとでも必ず反応が開始することを意味しない
。反に・は素地表面においてのみ起こり、溶液内部では
目に見える速度で起こってはならないわけで、めっき反
応が開始するためには素地の触媒活性状態が重要となる
。現在のところ素地の物性と触媒活性状態との関係が理
論的に解明されていないため、本発明に至るまでに、各
種素地の構成と処理条件などを実験的に広範囲に鋭意検
討した結果、基体が基板を被覆するニッケル合金層とこ
れを被覆する銅合金層とこれを被覆する貴金属合金層か
ら構成されている場合にこの目的に適用できることを見
出した。また、基体上にＮｉＦｅ合金下地膜を無電解め
っき法によって形成するにあたり、銅合金層を被覆した
貴金属合金層表面を電気化学的に活性化することによっ
てより容易にＮｉＦｅ合金下地膜を形成しうろことを見
出した。

本発明は、このような知見を得たことによりもたらされ
たものである。

（実施例） 次に具体的に実施例により本発明を説明する。

実施例１ ５・１７４インチ径アルミ合金ディスク基板上に、非磁
性ＮｉＰ層をめっきし、表面を鏡面研磨した後、無電解
銅めっき浴（シブレイファーイースト社製、キューポジ
ットカッパーミックス）を用いて膜厚０．０５ｐｍの銅
めっき層を形成した。次に、この表面上に下記の条件で
貴金属合金層形成の処理を行った。以下に１３種類の例
を示す。

処理（１） センシタイザ−液（Ｓｎ０１２５ｇ／ｌ、ＨＣＩ　２５
ｍ１／１．２５°Ｃ）に１５秒間浸漬後、アクチベータ
ー液 （ＰｄＣ１２０，０５ｇ／ｌ、ＨＣｌ　０．５ｍｌ／１
．３５°Ｃ）に１５秒間浸漬。

処理（２） センシタイザ−液（ＳｎＣ１２５５ｇ／ｌ、ロッシェル
塩１００ｇ／ｌ、ＮａＯＨ９０ｇ／ｌ、３０°Ｃ）に２
０秒間浸漬後、アクチベーター液（塩化金酸０．５ｇ／
ｌ、ＨＣＩ　１ｍｌ／１　、３０°Ｃ）に１５秒間浸漬
。

処理（３） センシタイザ−液（ＳｎＣ１２７ｇ／ｌ、ＨＣＩ　３５
ｍ１／１．４０’Ｃ）に１０秒間浸漬後、アクチベータ
ー液（硝酸銀０．５ｇ／ｌ、アンモニア１ｍｌ／１．５
０°Ｃ）に１０秒間浸漬。

処理（４） センシタイザ−液（日本カニゼン社製ピンクシューマー
、１０倍希釈、３０°Ｃ）に３０秒間浸漬後、アクチベ
ーター液田本カニゼン社製レッドシューマー１０倍希釈
、３０°Ｃ）に３０秒間浸漬。

処理（５） 触媒化処理液（Ａ液：　ＨＣｌ　６０ｍ１／１−＋水−
＋ＰｄＰｄＣ１２ｌ＋５ｎＣ１２２Ｈ２０２２ｇの順で
調整し、水を加えて１０１００Ｏとしたコロイド液、２
５°Ｃ）に１０秒間浸漬後、促進化処理液（Ｋ液：　Ｎ
Ｈ４ＢＦ４１ｍｏｌ／１．４０°Ｃ）に１５秒間浸漬。

処理（６） 触媒化処理液（Ｄ液：　ＨＣＩ　３２０ｍ１−＋水→Ｐ
ｄＣｌ２１ｇ−＋５ｎＣ１２２Ｈ２０４ｇの順で加え１
日熟成後５ｎＣ１２２Ｈ２０４６ｇを加えて調整したコ
ロイド液、２５°Ｃ）に５秒間浸漬後、促進化処理液（
Ｋ液：　ＮＨ４ＢＦ４１ｍｏｌ／１．５０°Ｃ）に３０
秒間浸漬。

処理（７） 触媒化処理液（Ｅ’液ニジプレイファイ−スト製塩酸ベ
ースコロイド液キャタリスト９Ｆ１容、塩酸２容、水４
容の溶液、２０°Ｃ）に１０秒間浸漬後、促進化処理液
（Ｍ液ニジプレイファイ−スト製アクセレレータ１９．
２５°Ｃ）に６０秒間浸漬。

処理（８） 触媒化処理液（Ｆ液；水８４０ｍ１につきキャタプリ・
ノブ４０４を２７０ｇ溶かした液に、シブレイファイ−
スト製塩ベースコロイド液キャタポジット４４を１５ｍ
１／１の添加割合で加えた溶液、４５°Ｃ）に１０秒間
浸漬後、促進化処理液（Ｍ液ニジプレイファイ−スト製
アクセレレータ１９．３０°Ｃ）に１２０秒間浸漬。

処理（９） ァクチベーター液（ＰｄＣ１２０，０１ｇ／ｌ、ＭＣＩ
　１．０ｍｌ／１．３５°Ｃ）に７０秒間浸漬。

処理（１０） アクチベーター液（塩化金酸０．３ｇ／ｌ、ＨＣＩ　４
ｍｌ／１．４５°Ｃ）に６０秒間浸漬。

処理（１１） アクチベーター液（硝酸銀０．４ｇ／ｌ、アンモニア０
．９ｍｌ／１．４５°Ｃ）に１００秒間浸漬。

処理（１２） アクチベーター液帽本カニゼン社製の酸性活性液１．１
０倍希釈、２５°Ｃ）に２０秒間浸漬。

処理（１３） アクチベーター液（日本カニゼン社製のアルカリ性活性
液３．４倍希釈、３５°Ｃ）に１５秒間浸漬。

次に得られた処理基板を下記の無電解 Ｎ１ＦｅＰめっき浴に浸漬し、アルミ片を接触すること
によるガルパニックイニシエイションなどを行ってめっ
き反応を始動した。めっき反応は容易に開始し、ディス
ク全面に−様なＮ１ＦｅＰ層（膜厚、０．０４μｍ）が
形成できた。

無電解Ｎ１ＦｅＰめつき浴（１） 浴組成 モール塩　　　　　　　　０．０３　ｍｏｌ／１塩化ニ
ッケル　　　　　　０．０７　ｍｏｌ／１次亜リン酸ナ
トリウム　　０．２　　ｍｏｌ／１０ノセル塩　　　　
　　　０．１０　ｍｏｌ／１めっき条件 浴温　　７０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，６（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節） 次に、その上に下記のめつき浴を用いて膜厚０．３ｐｍ
のＣｏＮｌＲｅＰ合金膜からなる垂直磁気記録層を形成
した。

ＣｏＮｉＲｅ０めっき浴 浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　０．１３　　ｍｏｌ／１
硫酸ニッケル　　　　　　　　０．１６　　ｍｏｌ／１
過レニウム酸アンモニウム　　０．００３　ｍｏｌ／１
次亜リン酸ナトリウム　　　　０．２　　ｍｏｌ／１硫
酸アンモニウム　　　　　　０．５　　ｍｏｌ／１マロ
ン酸ナトリウム　　　　　０．７５　　ｍｏｌ／１酒石
酸ナトリウム　　　　　　０．２　　ｍｏｌ／１グリコ
ール酸　　　　　　　　１．Ｏｍｏｌ／１めっき条件 浴温　　８０°Ｃ めっキ浴のｐＨ９，２（室温にてアンモニア水でｐＨ調
節） 次にこの上に珪酸モノマーを回転塗布し、１９０°Ｃで
数時間焼成して膜厚０．０３ｐｍの珪酸重合体を主成分
とする保護膜を形成し、更にこの上にパーフルオロアル
キルポリエーテルからなる潤滑層を形成し磁気ディスク
を作製した。

こうして得られた磁気ディスクの番号を、処理番号に対
応して磁気ディスク１〜磁気デイスク１３とする。

得られた磁気ディスクを下記条件で記録再生特性の測定
を行った。

測定条件 ディスク回転数：　３６００ｒｐｍ 使用トランク：半径３０〜５５ｍｍ 使用ヘッドの種類；センダストＭＩＧ トランク幅：　３０ｐｍ ギャップ長：　０．１５ｐｍ コイル巻数：２６ ヘツド浮上量：　０．１２ｐｍ 記録電流：３０ｍＡ 記録密度：　７００００ＦＲＰＩ 記録再生特性の測定結果としては、磁気ディスク１〜磁
気デイスク１３のいずれも規格化再生出力が１１５ｎＶ
／ｐｍ−ｔｕｒｎ・（Ｉｎ／ｓ）以上あり、７００００
ＦＲＰＩの高記録密度においても良好な高出力か得られ
た。また、トラック１周の出力変動は、最内周から最外
周まで（半径３０〜５５ｍｍ）の全範囲においで５％以
下と少なかった。これは、ニッケル合金層上に特性、膜
厚ともに−様なＮｉＦｅ合金膜を下地膜が形成され、そ
の上の垂直磁気記録層も優れた特性を有することを示し
ている。また、これらの磁気ディスクは再現性良く作製
することができた。

実施例２ 実施例１と同様の手順で磁気ディスクの作製を行ったが
、本実施例では下記の無電解Ｎ１ＦｅＰめっき浴を用い
てＮ１ＦｅＰ層（０，０６ｐｍ）を形成した。

無電解Ｎｉ：Ｆ６ｐめっき浴（２） 浴組成 鉄みょうばん　　　０．０２５　ｍｏｌ／１塩化ニッケ
ル　　　０．０６　　ｍｏｌ／１次亜酸ナトリウム　０
．１８　　ｍｏｌ／１０ッセル塩　　　　０．１２　　
ｍｏｌ／１めっき条件 浴温　　７０°Ｃ めっき浴のｐＨ１０，２（室温にてアンモニア水でｐＨ
調節） こうして得られた磁気ディスクの番号を、実施例１の処
理番号に順次対応して、処理番号１を磁気ディスク１４
に、処理番号２を磁気ディスク１５に、・・・・・、処
理番号１３を磁気ディスク２６とする。

実施例１と同様の条件で記録再生特性を測定した結果と
しては、磁気ディスク１４〜磁気デイスク２６のいずれ
も規格化再生出力が１２５ｎＶ／ｐｒｎ−ｔｕｒｎ・（
ｍ／ｓ）以上あり、７００００ＦＲＰＩの高記録密度に
おいても良好な高出力が得られた。また、トラック１周
の出力変動は、最内周から最外周まで（半径３０〜５５
ｍｍ）の全範囲において６％以下と少ながった。これは
、ニッケル合金層上に特性、膜厚ともに−様なＮｉＦｅ
合金膜を下地膜が形成され、その上に垂直磁気記録層も
優れた特性を有することを示している。また、これらの
磁気ディスクは再現性良く作製することができた。

実施例３ 実施例１と同様の手順で磁気ディスクの作製を行ったが
、本実施例では下記のめっき浴を用いて膜厚０．４μｍ
のＣｏＮｉＲｅＭｎＰ合金膜からなる垂直磁気記録層を
形成した。

ＣｏＮｉＲｅＭｎＰめっき浴 浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　０．０７　　ｍｏｌ／１
硫酸ニンケル　　　　　　　　０．１０　　ｍｏｌ／１
過レニウム酸アンモニウム　　０．００４　ｍｏｌ／１
硫酸マンガン　　　　　　　　０．０５　　ｍｏｌ／１
次亜リン酸ナトリウム　　　　０．２５　　ｍｏｌ／１
硫酸アンモニウム　　　　　　０．４　　ｍｏｌ／１マ
ロン酸ナトリウム　　　　　０．５　　ｍｏｌ／１酒石
酸ナトリウム　　　　　　０．２５　　ｍｏｌ／１コハ
ク酸ナトリウム　　　　　０．３０　　ｍｏｌ／１めっ
き条件 浴温　　８０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，３、（室温にてアンモニア水でｐＨ
調節） こうして得られた磁気ディスクの番号を、実施例１の処
理番号に順次対応して、処理番号１を磁気ディスク２７
に、処理番号２を磁気ディスク１５に、・・・・・、処
理番号１３を磁気ディスク３９とする。

実施例１と同様の条件で記録再生特性を測定した結果と
しては、磁気ディスク２７〜磁気デイスク３９のいずれ
も規格化再生出力が１００ｎＶ／ｐｍ、Ｔｕｒｎ−（ｍ
／ｓ）以上あり、７００００ＦＲＰＩの高記録密度にお
いても良好な高出力が得られた。また、トラック１周の
出力変動は、最内周から最外周まで（半径３０〜５５ｍ
ｍ）の全範囲において５．５％以下と少なかった。これ
は、ニノケル合金層上に特性、膜厚ともに−様なＮｉＦ
ｅ合金膜を下地膜が形成され、その上の垂直磁気記録層
も優れた特性を有することを示している。また、これら
の磁気ディスクは再現性良く作製することができた。

（発明の効果） 以上、実施例で示されたように、本発明によれば、基体
上に、ＮｉＦｅ合金下地膜と主として膜面に垂直な方向
に磁化容易軸を有する磁性膜とからなる２層構造磁性膜
が形成された磁気記録体において、前記基体を基板を被
覆するニッケル合金層と前記ニッケル合金層を被覆する
銅合金層と前記鋼合金層を被覆する貴金属合金層から構
成することにより、ニッケル合金層上に−様なＮｉＦｅ
合金膜を下地膜とする２層構造磁性膜が形成された磁気
記録体が得られる。また、基体上にＮｉＦｅ合金下地膜
を無電解めっき法によって形成するにあたり、前記基体
の銅合金層を被覆した貴金属合金層表面を電気化学的に
活性化することにより、言己録再生特性に優れた磁気記
録体を容易に再現性良く作製することができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に、ＮｉＦｅ合金下地膜と、主として膜面
   に垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性膜とからなる２
   層構造磁性膜が形成された磁気記録体において、前記基
   体が基板を被覆するニッケル合金層と前記ニッケル合金
   層を被覆する銅合金属と、前記銅合金層を被覆する貴金
   属合金層とから構成されることを特徴とする磁気記録体
   。
2. （２）基板上にニッケル合金層と銅合金層と貴金属合金
   層とを順次被覆して基体を形成する工程と、この基体上
   にＮｉＦｅ合金下地膜を無電解めっき法によって形成す
   る工程と、このＮｉＦｅ合金下地膜上に主として膜面に
   垂直な方向に磁化容易軸を有する磁性膜を形成する工程
   とからなる磁気記録体の製造方法において、基体上にＮ
   ｉＦｅ合金下地膜を無電解めっき法によって形成するに
   あたり、前記基体の銅合金層を被覆した貴金属合金層表
   面を電気化学的に活性化することを特徴とする磁気記録
   体の製造方法。