JPS6379229A - 磁気記録体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、磁気ディスク装置、フロッピディスク装置、
磁気テープ装置、磁気カード装置、磁気ドラム装置等の
磁気記録装置に用いられる磁気記録体およびその製造方
法に関するものである。

（従来技術） 近年、磁気ディスク、７０ツピデイスク、磁気テープ、
磁気カード、磁気ドラム等を使用した磁気記録装置の重
要性が増大し、その記録密度は年々著しい向上が図られ
つつある。これまで磁気記録体としては、酸化鉄磁性粉
と有機樹脂バインダーの混合物を基体上に塗布したいわ
ゆる塗布型媒体が広く用いられてきた。これは、磁性粉
が酸化物であるため化学的に安定であり、磁気ヘッドと
の接触・しゅう動に対した耐久性があること等信頼性が
優れていたためである。しかし、今後さらに高記録密度
化を達成するには磁気記録層の薄膜化が必要であり、塗
布型媒体ではこの点が不利となる。そこで高密度磁気記
録体として、金属磁性薄膜を磁気記録層とした磁気記録
体が用いられ始めた。

磁気記録層に金属磁性薄膜を用いる利点は、飽和磁束密
度が大きいので媒体の薄膜化が可能であり、また高保磁
力が得られるため高密度記録に適することである。金属
磁性薄膜の他の利点は、無電解めっき、電気めっき、ス
パッタ、蒸着、イオンブレーティング、クラスタイオン
ビーム蒸着等の方法で薄膜を作製することが容易なこと
である。とりわけ無電解めっき法は、高い生産性と長年
の技術蓄積によって広く実用化が進められている。しか
し、このような金属磁性薄膜は、その材質、置かれる外
部環境等によっては腐食を生じるという問題がある。こ
のため磁性薄膜の表面に保護膜が形成されるが、十分な
防食効果を得るため保護膜厚を増加した場合には高密度
磁気記録体として適さなくなる。従って磁性薄膜自身の
耐食性を向上させることが望ましい。

ところで、これらの磁気記録体の磁性薄膜に要求される
基本的特性としては、保磁力（Ｈｅ）、残留磁束密度（
Ｂｒ）、角形比（Ｂｒ／Ｂｓ、但しＢｓは飽和磁束密度
）等の磁気特性、及び、膜厚（１）が挙げられる。これ
らの値は、磁気記録体が用いられる磁気記録装置の種類
により決まり、線記録密度、及び、出力との間にはおよ
そ次の様な関係がある。

（線記録密度）−（Ｈｅ／Ｂｒ−ｔ）Ｌ／２・・・（１
）（出力）　　　　ａ　（Ｂｒ−ｔ−Ｈｃ）１／２”・
（２）また、（１）、（２）式はＢｒ／Ｂｓの値により
変化し、例えばＢｒ／Ｂｓが１に近くなるに従って線記
録密度及び出力は増大する。

従って、線記録密度及び出力を増大させて磁性薄膜の高
性能化を図る手段としては、Ｂｒ／Ｂｓの増大のほかに
Ｈｅを増大させ磁性薄膜の減磁を減少させる方法がある
。

磁性薄膜を製造するための無電解めっき浴種として従来
、酒石酸あるいはクエン酸を錯化剤として用いた無電解
めっき浴が検討されてきた。これらは、一般にコバルト
塩、還元剤、酒石酸あるいはクエン酸の錯化剤のほか各
種添加剤を含むめっき液を、アンモニア水または苛性ア
ルカリ溶液を用いてｐＨ調節した浴である。代表的な浴
として、錯化剤およびｐＨ調節剤の種類により、アンモ
ニアアルカリ酒石酸浴（以下Ａ−Ｔ浴とよぶ）、アンモ
ニアアルカリクエン酸浴（以下Ａ−Ｃ浴とよぶ）、苛性
アルカリ酒石酸浴（以下Ｃ−Ｔ浴とよぶ）および苛性ア
ルカリクエン酸浴（以下Ｃ−Ｃ浴とよぶ）の４種が知ら
れている。（金属表面技術、第２３巻、第７号、ｐ４０
６〜４１５゜１９７２年）また、上記のような無電解め
っき浴に、Ｚｎの金属塩を添加し、Ｃｏ−Ｐ系合金膜の
磁気特性の改善、特にＨｅを増大することが試みられて
いる（ＩＥＥＥ　ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ　ＯＮ　Ｍ
ＡＧＮＥＴＩＣ８，ＶＯＬ。

ＭＡＧ−２，ＮＯ，４，ｐ６８１〜６８６１、金属表面
技術、第３２巻、第１２号、ｐ６１０〜６１４．１９８
１年）。

（発明が解決しようとする問題点） 酒石酸を錯化剤とするＡ−Ｔ浴またはＣ−Ｔ浴では、高
保磁力の磁性薄膜が比較的得られ易いが、酒石酸の錯化
力が弱いためにめっき浴が分解しやすく、浴の長期安定
性に問題があった。特に、浴中にコバルトイオン以外の
金属イオンを含むＣｏ合金めっき浴の場合その傾向が顕
著であった。

クエン酸を錯化剤とするＡ−Ｃ浴またはＣ−Ｃ浴では、
錯化力の強いクエン酸を用いているため浴分解を生じに
くいという意味での安定性に優れているが、得られる磁
性薄膜の磁気特性の制御が困難であった。特に、高保磁
力で角形性の良好な磁性薄膜を得ることが困難であった
。Ａ−Ｃ浴、Ｃ−Ｃ浴で高保磁力膜が得られることもあ
るが、クエン酸の錯化力が非常に強いため浴中にクエン
酸を少量しか加えることができず、このため得られる磁
気特性の再現性は極めて乏しかった。高保磁力膜を得る
ためめっき浴に亜鉛を添加することが検討されているが
、亜鉛の添加はめっき浴の反応性を低下させるため、め
っき析出を困難とし磁気特性の均一性を低下させる要因
であった。析出反応が一様に進行しなくなるため、めっ
き膜の不均一性が増大し、良好な角形比を得ることは困
難であった。

一方、磁性薄膜の耐食性は実用上の観点から重要である
が、これを改善することに関する報告は殆どなされてい
ない。めっきディスマ媒体用磁性薄膜の１つとして普及
され始めたＣｏ−Ｐめっき膜の耐食性は概して低く、そ
の改善が望まれている。またＣｏ−Ｚｎ−Ｐめっき膜に
ついては、亜鉛はコバルトと固溶しにくく、亜鉛または
一部水酸化亜鉛としてコバルト結晶粒子の粒界により多
く存在しやすいこと、めっき膜が不均一になりやすいこ
となどからＣｏ−Ｐめっき膜よりも耐食性が劣ることが
多い。

これらを磁気記録体に適用した場合いずれも耐食性が不
十分であり、実用上の耐候性を満足するためには高記録
密度特性を損なう程度の厚い保護膜を要するのが実情で
あった。

本発明の目的は、従来の問題を改善して、磁気特性およ
び耐食性の良好な磁性薄膜を要する磁気記録体および安
定に作製し得る製造方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明による磁気記録体は、基体上に形成された磁性薄
膜からなり、前記磁性薄膜が少なくともＣｏ、Ｍｏおよ
びＺｎを含有していることを特徴としている。

本発明による磁気記録体の製造方法は、基体上に形成さ
れた磁性薄膜からなる磁気記録体において、少なくとも
Ｃｏ、ＭｏおよびＺｎを含有している前記磁性薄膜をめ
っき法により作製することを特徴とし、金属イオンとし
て少なくともコバルトイオン、モリブデン酸イオン、亜
鉛イオンを含み、添加剤として少なくとも前記金属イオ
ンの還元剤を含む水溶液において、前記金属イオンの錯
化剤として少なくともマロン酸基またはマロン酸基およ
びグルコン酸基を含む溶液を用いて無電解めっき法によ
り磁性薄膜を形成することを特徴としている。

本発明の磁気記録体において用いられる磁性薄膜は、少
なくともＣｏ、ＭｏおよびＺｎを含有し、またはさらに
Ｐ、Ｂから選ばれた少なくとも１種を゛含有するが、あ
るいはさらに、Ｐ、Ｂ以外の添加元素を含有していても
よい。本発明において用いられる磁性薄膜のその他の添
加元素としては、特に限定される必要はないが、Ｎｉ、
Ｒｅ、Ｍｎ、Ｗ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、ＡＩ、Ｒｕ、Ｓｉ
、Ｆｅ。

Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ　、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ　、Ｔａｍ
Ｉｒ、Ｈｇ、ＴＩ　、Ｔｉ　、Ｖ　、Ｃｒ、Ｃｕ　、Ｇ
ａ　。

Ｇｅ、Ｔｃ、Ｒｂ　、Ｒａ、Ｈｆ、Ｒｈ、Ｐｂ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂａ、Ｃｓ、Ｏｓ、Ｓｃ。

Ｓｅ、Ｐｂ、ＢｉおよびＳｍ、Ｇｄ、Ｔｂなどのランタ
ン系列希土類元素等の元素が本発明の効果に影響を与え
ない範囲で含まれていてもよい。めっき膜中にはこれら
の元素のほか、添加剤の種類によっては、Ｃ，Ｎ。

０、Ｓ、Ａｓ、Ｎａ、に、Ｆ、ＣＩ、Ｂｒ、Ｉ、Ｃａ等
の元素が含有されることがある。磁性薄膜中には、Ｃｏ
は１０％以上含まれるが、好ましくは５０％以上である
。ＭＯは最大４０％程度含有されるが、好ましくは３０
％以下の範囲であり、Ｚｎは最大２０％程度含有される
が、好ましくは１０％以下の範囲であり、Ｐは最大３０
％程度含有されるが、好ましくは１５％以下の範囲であ
る。磁性膜厚は０．００３〜５１１ｍの範囲が用いられ
るが、高密度記録用には０．５ｐｍ以下が好ましい。磁
性薄膜は１層または２層以上で用いられる。２層以上の
場合、同一または組成、磁気特性等が異なる磁性薄膜を
直接ないし非磁性層を介して積層される。

磁性薄膜を形成する基体としては、通常アルミ合金、銅
、黄銅、リン青銅、鉄、チタン等の金属基板が用いられ
るが、適当な活性化処理によりガラス、樹脂等の非金属
基板ないしは金属と非金属の複合材料からなる基板にも
適用できる。

本発明の主要な目的は、磁気特性および耐食性の良好な
磁性薄膜を有する磁気記録体を提供することにある。従
って、種々の用途に用いるために磁性膜の上下の層につ
いて種々の材質の付加的層を加えた構成の磁気記録体に
対しても本発明を適用し得ることは明らかである。この
様な構成の磁気記録体としては例えば、良好な研磨性と
極少欠陥面を得るため基体を無電解めっき法、電気めっ
き法、蒸着法、スッパタ法等によって作製されたニッケ
ルーリン、ニッケルー銅−リン、銅、スズ、銅−スズ等
の層や陽極酸化法によって作製されたアルマイト層など
の中間層で被覆したもの、欠陥減少の目的で中間層を多
層化したものζ磁性膜の磁気特性を制御する目的で磁性
膜の下にクロム、モリブデン、チタン、金、銀、白金、
パラジウム等の下地層やパラジウム、スズ−パラジウム
、金等の前処理層を形成したもの、耐候性、耐久性を与
えるために磁性膜の上に保護層、潤滑層を形成したもの
などが挙げられる。

本発明の磁気記録体は、湿式あるいは乾式のめっき法す
なわち無電解めっき、電気めっき、スパッタ、蒸着、イ
オンブレーティング、クラスタイオンビーム蒸着等の方
法で磁性薄膜を作製することが可能であるが、ここでは
無電解めっき法について説明する。本発明の製造方法に
おいて用いられる無電解めっき浴の主要成分としては、
金属イオンとして少なくともコバルトイオン、モリブデ
ン酸イオンおよび亜鉛イオンを含み、添加剤として少な
くとも前記金属イオンの還元剤を含むが、前記金属イオ
ンの錯化剤として少なくともマロン酸基またはマロン酸
基およびグルコン酸基が用いられ、また本発明の、目的
、効果を損な、わない範囲において、他の錯化剤、ｐＨ
Ｍ衝剤、光沢剤、平滑剤、励起剤、ピンホール防止剤、
界面活性剤等の添加剤が用いられることがある。

コバルトイオンおよび亜鉛イオンは、コバルトないしは
亜鉛の硫酸塩、塩化塩等の無機酸塩、酢酸塩、酒石酸塩
等の有機酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解
することによって供給される。コバルトイオンの濃度は
、０．００４〜２ｍｏｌ／ｌの範囲が用いられるが、好
ましくは０．０１〜０．２５ｍｏｌ／ｌの範囲である。

亜鉛イオンの濃度としては、０．００００１〜２゜０ｍ
ｏ１／ｌの範囲が用いられるが、好ましくは０．００５
〜０゜１５ｍｏｌ／１の範囲である。モリブデン酸イオ
ンは、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸アンモニ
ウム、モリブデン酸カリウム等の可溶性塩によって供給
され、濃度としては、０．００００１〜０．３ｍｏｌ／
１の範囲が用いられるが、好ましくは０．０００１〜０
．０１ｍｏｌ／１の範囲である。めっき浴には、通常モ
リブデン酸の可溶性塩が用いられるが、モリブデンの可
溶性塩を用いることも可能である。また、このモリブデ
ンは、熟成ないし加熱によりある種の錯化剤と組み合わ
せて錯体化しモリブデン錯体として用いられることがあ
る。本発明において用いられる金属イオンとしては、Ｃ
ｏ、ＭｏおよびＺｎを主成分とするが、その他の成分と
して、Ｎｉ、Ｒｅ、Ｍｎ、Ｗ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ａ１
．Ｒｕ。

Ｓｉ、Ｆｅ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ　、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓ
ｂ　、Ｔａ、Ｉｒ、Ｈｇ、ＴＩ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｕ
。

Ｇａ、Ｇｅ、Ｔｃ、Ｒｈ　、Ｒａ、Ｈｆ、Ｒｈ、Ｐｄ　
、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂａ　、Ｃｓ　。

Ｏｓ、Ｓｃ、Ｓｅ、Ｐｂ、ＢｉおよびＳｍ、Ｇｄ、Ｔｂ
などのランタン系列希土類元素等の元素が本発明の効果
に影響を与えない範囲で含まれていてもよく、これらの
イオンはそれぞれの可溶性塩によって供給される。

還元剤としては、茨亜リン酸塩、水素化はう素化合物、
ヒドラジン、アミノボラン、ジメチルボラン、ジエチル
アミンボラン、ジメチルアミンボランおよびこれらの誘
導体の１種または２種以上が、０．０１〜１．３ｍｏ１
／１、好ましくは０．０５〜０．４０ｍｏｌ／１の範囲
で用いられる。

錯化剤として少なくともマロン酸基またはマロン酸基お
よびグルコン酸基が使用される。マロン酸基は、マロン
酸基またはマロン酸の可溶性塩が０゜００１〜４．０ｍ
ｏｌ／Ｉの範囲で用いられるが、０．１〜１゜９ｍｏｌ
／ｌの範囲が好ましい。またグルコン酸基は、グルコン
酸またはグルコン酸の可溶性塩が０゜００００１〜１．
５０ｍｏｌ／１の範囲で用いられるが、０゜０００１〜
ｍｏｌ／ｌの範囲が好ましい。

また錯化剤としてほかに、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、
酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、シュウ酸、コハ
ク酸、グルタル酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン
酸、イタコン酸、トリカルバリル酸、グリコール酸、チ
オグリコール酸、乳酸、ｐ−ヒドロキシプロピオン酸、
リンゴ酸、クエン酸、イソクエン酸、アロイソクエン酸
、ピルビン酸、オキサル酢酸、ジグリコール酸、チオジ
グリコール酸、メルカプトコハク酸、ジメルカプトコハ
ク酸、安息香酸、マンデル酸、フタル酸、サリチル酸、
タルトロン酸、アスコルビン酸、スルホサリチル酸、ト
ロポロン、３．メチルトロポロン、タイロン等のカルボ
ン酸、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリ
エチレンテトラアミン、ピリジン等のアミンおよびその
誘導体、イミノジ酢酸、イミノジプロピオン酸、ニトリ
ロトリ酢酸、ニトリロトリプロピオン酸、エチレンジア
ミンジ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、エチレンジ
アミンテトラプロピオン酸、ジエチレントリアミンペン
タ酢酸等のアミノポリカルボン酸、アラニン、ザルコシ
ン、バリン、ノルロイシン、チロシン、システィン、グ
ルタミン酸、グリシン、アスパラギン酸、アスパラギン
、ヒスチジン等のアミノ酸、アロン酸、イドン酸、カラ
クトン酸、グロン酸、グロン酸、マンノン酸等のヘキシ
ン酸、ビロリン酸などの弱酸またはそれらの可溶性塩の
１種または２種以上の組み合わせが用いられることがあ
る。これらの錯化剤の濃度は、０．００１〜３゜０ｍｏ
ｌ／１の範囲が用いられ、０．１〜１．５ｍｏｌ／ｌの
範囲が好ましい。

ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩
などが使用され、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム
、ホウ酸等を用いることが好ましい。濃度範囲は０．０
１〜３ｍｏｌ／ｌ、好ましくは０゜０３〜１ｍｏｌ／１
が用いられる。。

ｐＨ調節剤としては、アンモニアまたは苛性アルカリと
しテＮａＯＨ，ＬｉＯＨ，ＫＯＨ，ＲｂＯＨ，ＣｓＯＨ
，ＦｒＯＨ。

Ｂｅ（ＯＨ）２．Ｍｇ（ＯＨ）２．Ｃａ（ＯＨ）２．Ｓ
ｒ（ＯＨ）２．Ｂａ（ＯＨ）２゜Ｒａ（ＯＨ）２等の金
属の水酸化物が、１種または２種以上を組み合わせて用
いられる。

通常、ｐＨ調節剤を加えない建浴前のめっき液はほぼ中
性ないし酸性域にあり、前記水酸化物を加えてアルカリ
性にｐＨ調節される。所要のｐＨを上回った場合、ｐＨ
降下には塩酸、硫酸、硝酸、酢酸等の酸が用いられる。

ｐＨ範囲は３〜１４．５、好ましくは８．５〜１１．０
の間で用いられる。めっき浴温は室温以上の温度が用い
られるが、好ましくは７０６Ｃ以上、９０°Ｃ以下の範
囲である。

（作用） Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐめっき膜については、高保磁力が得られ
るが、Ｃｏ−Ｐめっき膜よりも耐食性が劣ることが多い
。これは、亜鉛はコバルトと固溶しにくく、亜鉛または
一部水酸化亜鉛としてコバルト結晶粒子の粒界により多
く存在しやすいため、この粒界と腐食されやすい純コバ
ルトに近い部分が組成的に分離しており、また亜鉛自身
も酸化されやすいためコバルトの保護層となりえないた
めと思われる。しかも亜鉛の添加によりめっき析出およ
び膜構造が不均一になりやすいことも磁性薄膜の耐食性
および角形比の低下を招いていると思われる。

磁性薄膜の耐食性および磁気特性の起因については現在
のところ明確になっていないが、発明者らはコバルトと
亜鉛にさらに元素を加えることにより、これら合金系の
良好な共存状態を保持し、もって磁性薄膜の耐食性およ
び磁気特性の向上を図りうるちのと考え各種添加元素の
検討を行なった。モリブデン添加の有効性は、この結果
もたらされたものである。

このような磁性薄膜を作製するための無電解めっき浴に
おいて錯化剤の果たす役割は重要である。無電解めっき
浴において錯化剤を用いる本来の目的は、適度の錯化力
の錯化剤を用いてめっき浴の安定化を図ることにあるが
、析出皮膜の合金組成にも大きな影響を与える。無電解
めっき反応は、金属錯体より供給される金属イオンが還
元剤によって析出電位において還元されることによって
進行する。２種以上の金属の合金めっきにおいては、こ
の析出電位における各金属のカソード電流密度に比例し
た組成の皮膜が形成される。必要な膜組成を得るには、
錯化剤によって添加金属の錯形成を行ない、酸化還元電
位をコバルトの酸化還元電位に近づけるとともにカリー
ド分極反応をコントロールする必要がある。そこで発明
者等は、亜鉛とモリブデンを適度に錯形成するための各
種錯化剤の検討を広範囲に行なった結果、本発明におい
て用いているマロン酸基ないしマロン酸基およびグルコ
ン酸基を加えることにより均一な析出反応がえられ、め
っき膜の耐食性および角形比が向上することが見いださ
れた。また、これらの効果に加えてめっき浴の安定性も
向上するという効果も見いだされた。本発明は、このよ
うないずれも従来予期できなかった新規な知見を得たこ
とによりもたらされたものである。

次に具体的に実施例および比較例により本発明を説明す
る。

（実施例１） アルミ合金基板内径１００ｍｍ外径２１０ｍｍ上に非磁
性Ｎ１−Ｐ層をめっきし、表面を鏡面研磨した後その上
に下記のめっき浴を用いて膜厚０．１０ｐｍのＣｏ−Ｍ
ｏ−Ｚｎ−Ｐ合金磁性薄膜を形成して磁気ディスクを作
製した。

めっき浴（１） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　　０．０５　　ｍｏｌ／
１モリブデン酸ナトリウム　　　　０．００１　　ｍｏ
ｌ／１硫酸亜鉛　　　　　　　　　　　θ〜０．１　　
ｍｏｌ／１次亜リン酸ナすトウム　　　　　０．２　　
　ｍｏｌ／１マロン酸ナリトウム　　　　　　１．０　
　　ｍｏｌ／１グルコン酸ナリトウム　　　　　０．０
０５　　ｍｏｌ／１硫酸アンモニウム　　　　　　　０
．５　　　ｍｏｌ／１めっき条件 浴温８０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，４（室温にてＮＨ４ＯＨでｐＨ調節
）めっき液の容量１００１ 得られた磁性薄膜の磁気特性と耐食性を振動試料式磁力
計を用いて評価した。通常磁性薄膜の上に保護膜、潤滑
層が形成されて磁気ディスクとして供されることが多い
が、ここでは磁性薄膜自身の耐食性をみるため、磁性め
っき後の試料を純水中に２０時間浸漬し、浸漬後の飽和
磁束密度（Ｂｓ）の浸漬前に対する割合 耐食性＝Ｂｓ（浸漬後）／Ｂｓ（浸漬前）を比較した。

また磁性薄膜の組成はＥＳＣＡにより測定した。

浴中の硫酸亜鉛濃度とＨｅの関係を第１図に示す。

硫酸亜鉛濃度の増加とともにＨｅが増大し、最大１２０
００ｅ程度の高保磁力が得られた。

次にめっき浴（１）において硫酸亜鉛濃度を０゜０５ｍ
ｏｌ／１とし、浴中のモリブデン酸ナトリウム濃度を変
化させた場合の角形比、耐食性、Ｍｏ含有量の変化を第
２図に示す。モリブデン酸ナトリウム濃度の増加ととも
にＭｏ含有量が増加し、角形比、耐食性は著しく向上し
た。

更にめっき浴（１）において硫酸亜鉛゛濃度を０４０５
ｍｏｌ／１とし、モリブデン酸ナトリウム濃度を０゜０
０１ｍｏｌ／ｌとした浴を用いて再現性試験を行なった
。

第３図に本実施例で得られる磁性薄膜のＨｅがめつき枚
数とともに変化していく様子を示す。磁気ディスクは１
枚づつ作製し、２０枚ごとに磁気特性の測定を行なった
結果をここに示している。めっき開始時のＨｅは８６０
０ｅであるが、めっき枚数の増加とともにしだいに減少
し、３２０枚めっきが終了した時点で初期のＨｅ値より
１０％減少した７７５０ｅとなり、更にめっき枚数が増
加するとこれらの値はより減少した。本実施例において
もめっき枚数の増加とともにＨｅが変化するが、変動の
度合いは後に示す比較例に比べてはるかに少なかった。

他の磁気特性および耐食性についても同様の良好な再現
性を有していた。

また、本実施例のめっき浴は安定性にも優れ、１日１０
時間繰り返し５０日以上の使用が可能であった。

（実施例２） 実施例１と同様の手順で磁気ディスクの作成を行なった
が、本実施例では下記のめつき浴を用いて磁性薄膜を形
成した。

めっき浴（２） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　　０．１０　　　ｍｏｌ
／１モリブデン酸ナトリウム　０．０００２〜０．００
７　　ｍｏｌ／１硫酸亜鉛　　　　　　　　　　　０．
０４　　　ｍｏｌ／１次亜リン酸ナトリウム　　　　　
０．３　　　　ｍｏｌ／１マロン酸ナトリウム　　　　
　　１．３　　　　ｍｏｌ／１硫酸アンモニウム　　　
　　　　０．６　　　　ｍｏｌ／１めっき条件 浴温８５°Ｃ めっき浴のｐＨ９，５（室温にてＮＨ４ＯＨでｐＨ調節
）めっき液の容量１００１ 本実施例においても浴中の硫酸亜鉛濃度の増加とともに
Ｈｅが増大する傾向があり、最大１００００ｅ程度の高
保磁力が得られる。そこでめっき浴（２）に示すように
硫酸亜鉛濃度を０．０４ｒｎｏｌ／１とし、浴中のモリ
ブデン酸ナトリウム濃度を変化させた場合の角形比、耐
食性、Ｍｏ含有量の変化を第４図に示す。モリブデン酸
ナトリウム濃度の増加とともにＭｏ含有量が増加し、角
形比、耐食性は著しく向上した。

更にめっき浴（２）において、モリブデン酸ナトリウム
濃度を０．００２ｍｏｌ／１とした浴を用いて実施例１
と同様の再現性試験を行なった。本実施例で得られる磁
性薄膜についてもめっき枚数の増加とともにしだいに減
少したが、初期のＨｅ値より１０％減少するのは２８０
枚めっきが終了した時点であった。本実施例においても
めっき枚数の増加とともにＨｅが変化するが、変動の度
合いは後に示す比較例に比べてはるかに少なかった。他
の磁気特性および耐食性についても同様の良好な再現性
を有していた。

また、本実施例のめっき浴は安定性にも優れ、１日１０
時間繰り返し４０日以上の使用が可能であった。

（実施例３） 実施例１と同様の手順で磁気ディスクの作製を行なった
が、本実施例では下記のめっき浴を用いて磁性薄膜を形
成した。

めっき浴（３） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　　　０．０７　　　ｍｏ
ｌ／１硫酸亜鉛　　　　　　　　　　　０．０６　　ｍ
ｏｌ／１次亜リン酸ナトリウム　　　　　０．２５　　
　ｍｏｌ／１マロン酸ナトリウム　　　　　　１．１　
　　ｍｏｌ／１硫酸アンモニウム　　　　　　　０．４
　　　ｍｏｌ／１添加モリブデン酸錯体 モリブデン酸ナトリウム　０．０００２〜０．００７　
　ｍｏｌ／１グルコン酸ナリトウム　　０．０００４〜
０．０１４　　ｍｏｌ／１モリブデン酸ナトリウム：グ
ルコン酸ナリトウム＝１＝２ 加熱処理温度　　８５°Ｃ 加熱処理時間　　１０時間 めっき条件 浴温８０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，０（室温にてＮＨ４ＯＨでｐＨ調節
）めっき液の容量１００１ 本実施例においても浴中の硫酸亜鉛濃度の増加とともに
Ｈｅが増大し、最大１００００ｅ程度の高保磁力が得ら
れた。そこでめっき浴（３）に示すように硫酸亜鉛濃度
を０．０３ｍｏｌ／ｌとし、浴中のモリブデン酸ナトリ
ウム濃度を変化させた場合の角形比、耐食性、Ｍｏ含有
量の変化を第５図に示す。モリブデン酸ナトリウム濃度
の増加とともにＭｏ含有量が増大し、角形比、耐食性は
著しく向上した。

更にめっき（３）において、モリブデン酸ナトリウム濃
度０．ＯＯ１ｍｏｌ／ｌとした浴を用いて実施例１と同
様の再現性試験を行なった。本実施例で得られる磁性薄
膜についてもめっき枚数の増加とともにしだいに減少し
たが、初期のＨｅ値より１０％減少するのは３４０枚め
っきが終了した時点であった。本実施例においてもめっ
き枚数の増加とともにＨｅが変化するが、変動の度合い
は後に示す比較例に比べてはるかに少なかった。他の磁
気特性および耐食性についても同様の良好な再現性を有
していた。

また、本実施例のめっき浴は安定性にも優れ、１日１０
時間繰り返し６０日以上の使用が可能であった。

（比較例） 実施例１と同様の、手順で磁気ディスクの作製を行なっ
たが、本実施例では下記のめっき浴を用いてＣｏ−Ｚｎ
−Ｐ磁性薄膜を形成した。

めっき浴（４） めっき浴組成 硫酸コバルト　　　　　　　　　０．０２５　　　ｍｏ
ｌ／１硫酸亜鉛　　　　　　　　　　　０〜０．０１２
　ｍｏｌ／１次亜リン酸ナトリウム　　　　　０．０４
　　　ｍｏｌ／１クエン酸ナトリウム　　　　　　０．
１５　　　ｍｏｌ／１硫酸アンモニウム　　　　　　　
０．３　　　　ｍｏｌ／１めっき条件 浴温８０°Ｃ めっき浴のｐＨ９，０（室温にてＮａＯＨでｐＨ調節）
めっき液の容量１００１ 硫酸亜鉛濃度を変化させた場合の角形比、耐食性の変化
を第６図に示す。硫酸亜鉛濃度の増加により、角形比が
増加し、耐食性は減少傾向にあるが、実施例の場合にく
らべて著しく劣っていた。

本比較例においても浴中の硫酸亜鉛濃度の増加とともに
Ｈｃが増大し、０．０６ｍｏｌ／１をこえるとやや減少
するが、最大１．１４００ｅ程度の高保磁力゛を得るこ
、とはできた。しかし、Ｈｃはクエン酸ナトリウム濃度
に大きく依存し、所要のＨｅ値を得るためにはめっき浴
中のクエン酸ナトリウム濃度を非常に狭い範囲で制御し
なければならなかった。事実上Ｈｃの値を自由に制御す
ることは困難であり、必要な磁気特性を再現性良く得る
ことはできなかった。

これを確かめるためめっき浴（４）において、硫酸亜鉛
濃度を０．０４ｍｏｌ／１とした浴を用いて実施例１と
同様の再現性試験を行なった。第７図に本比較例で得ら
れる磁性薄膜のＨｅがめつき枚数とともに変化していく
様子を示す。めっき開始時のＨｃは９８００ｅ、である
が、めっき枚数の増加とともに大きく変動し、３００枚
めっきが終了した時点で初期のＨｅ値の±１０％の範囲
におさまったのは７０枚程度に過ぎなかった。本比較例
のようにクエン酸を錯化剤としたＣｏ−Ｚｎ−Ｐ浴では
、磁気特性と耐食性の良好な磁性薄膜を得ることが困難
であった。

また、他のめっき浴種、Ａ−Ｔ浴、Ｃ−Ｔ浴、Ａ−Ｃ浴
を用いた場合も同様にＣｏ−Ｚｎ−Ｐ磁性・薄膜では磁
気特性と耐食性の良好な磁性薄膜を得ることが困難であ
った。

以上、比較例および実施例で説明したが、当該技術分野
に携わる者にとって容易に理解できるように、本発明の
精神から逸脱しない範囲において、ここに示す成分、配
合、処理方法等を適宜変更することができる。従って、
本発明は、上記実施例に制限されるものではない。

（発明の効果） 以上、比較例および実施例で示されたように、本発明に
よれば、基体上に形成された磁性薄膜からなる磁気記録
体において、前記磁性薄膜が少なくともＣｏ、Ｍｏおよ
びＺｎを含有し、またさらにＰ、Ｂがら選ばれた少なく
とも１種を含有している磁気記録体とすることにより、
磁気特性および耐食性の良好な磁性薄膜を有する磁気記
録体が得られる。また、本発明の磁気記録体の製造方法
によれば、基体上に形成された磁性薄膜からなる磁気記
録体において、少なくともＣｏ、ＭｏおよびＺｎを含有
している前記磁性薄膜をめっき法により作製し、またこ
れ”を金属イオンとして少なくともコバルトイオン、モ
リブデン酸イオン、亜鉛イオンを含み、添加剤として少
なくとも前記金属イオンの還元剤を含む水溶液において
、前言己金属イオンの錯化剤として少なくともマロン酸
基またはマロン酸基およびグルコン酸基を含む溶液を用
いて無電解めっき法により形成すること磁気特性および
耐食性の良好な磁性薄膜を有する磁気記録体を安定に作
製することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、実施例１において、本発明の無電解めっき浴
より得られる磁性薄膜のＨｃが浴中の硫酸亜鉛濃度とと
もに変化していく様子を示す図である。第２図、第４図
および第５図は、それぞれ実施例１．２および３におい
て、本発明の無電解めっき浴より得られる磁性薄膜の角
形比、耐食性、Ｍｏ含有量が浴中のモリブデン酸ナトリ
ウム濃度とともに変化していく様子を示す図である。第
３図は、実施例１において、本発明の無電解めっき浴よ
り得られる磁性薄膜のＨｅがめつき枚数とともに変化し
ていく様子を示す図である。第６図および第７図には、
それぞれ比較例において用いた無電解めっき浴より得ら
れる磁性薄膜のＨｅ、角形比、耐食性が浴中の硫酸亜鉛
濃度とともに変化していく様子を示す図およびＨｅがめ
つき枚数とともに変化していく様子第　　１　　図 ０　　０．０５　０．１ 硫酸亜鉛　（ｍｏｌ／ｌ） 第　　２　　図 モリブデン酸ナトリウム　（ｘｌＯ−’ｍｏｌ／Ｉ）第
　　３　　図 めっき枚数　（枚） 第　　４　　図 モリブデン酸ナトリウＡ　　（ｘ　１０−’ｍｏｌ　／
Ｉ　）第　　５　　図 モリブデン酸ナトリウム　（ｘｌＯ”’ｍｏｌ／ｌ）第
　　６　　図 ０　０．００５　０．０１ 硫酸亜鉛　（ｍｏ　Ｉ／　Ｉ　） 第　　７　　図 めっき枚数　（枚）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）基体上に形成された磁性薄膜からなる磁気記録体
   において、前記磁性薄膜が少なくともＣｏ、Ｍｏおよび
   Ｚｎを含有していることを特徴とする磁気記録体。
2. （２）前記磁性薄膜が、少なくともＣｏ、ＭｏおよびＺ
   ｎを有し、さらにＰ、Ｂから選ばれた少なくとも１種を
   含有した磁性薄膜である特許請求の範囲第１項記載の磁
   気記録体。
3. （３）基体上に形成された磁性薄膜からなる磁気記録体
   において、少なくともＣｏ、ＭｏおよびＺｎを含有して
   いる前記磁性薄膜をめっき法により作製することを特徴
   とする磁気記録体の製造方法。
4. （４）金属イオンとして少なくともコバルトイオン、モ
   リブデン酸イオン、亜鉛イオンを含み、添加剤として少
   なくとも前記金属イオンの還元剤を含む水溶液を用いて
   無電解めっき法により磁性薄膜を形成することを特徴と
   する特許請求の範囲第３項記載の磁気記録体の製造方法
   。
5. （５）金属イオンとして少なくともコバルトイオン、モ
   リブデン酸イオン、亜鉛イオンを含み、添加剤として少
   なくとも前記金属イオンの還元剤を含む水溶液において
   、前記金属イオンの錯化剤として少なくともマロン酸基
   を含む溶液を用いて無電解めっき法により磁性薄膜を形
   成することを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の磁
   気記録体の製造方法。
6. （６）金属イオンとして少なくともコバルトイオン、モ
   リブデン酸イオン、亜鉛イオンを含み、添加剤として少
   なくとも前記金属イオンの還元剤を含む水溶液において
   、前記金属イオンの錯化剤として少なくともマロン酸基
   およびグルコン酸基を含む溶液を用いて無電解めっき法
   により磁性薄膜を形成することを特徴とする特許請求の
   範囲第３項記載の磁気記録体の製造方法。